1)transient[英]['tr?nzi?nt][美]['tr?n??nt]瞬態
1.Simulation of steady and transient study for wet natural gas transport;凝析氣管線輸送穩/瞬態模擬研究
2.Study on Steady and Transient Apparent Viscosity of Semi-solid AZ91D Magnesium Alloy;半固態AZ91D鎂合金穩態與瞬態表觀粘度的研究
3.In-Situ Transient DRIFTS Studies of the Reaction Pathway of n-Butane Selective Oxidation over (VO)_2P_2O_7 Catalysts;(VO)_2P_2O_7催化劑上正丁烷選擇氧化反應路徑的原位瞬態DRIFTS研究
英文短句/例句
1.Unable to make a reference to a transient module from a nontransient module.無法從非瞬態模塊中引用瞬態模塊。
2.quadrature axis transient short circuit time constant交軸瞬態短路時間常數
3.transient reactor test facility瞬態反應堆試驗裝置
4.quadrature axis transient open circuit time constant交軸瞬態開路時間常數
5.system for heat treatment of semi-conductors半導體瞬態熱處理設備
6.single-channel instantaneous signal recorder單通道瞬態信號記錄儀
7.double-channel instantaneous signal recorder雙通道瞬態信號記錄儀
8.US EPA heavy duty diesel engine transient test cycle美國重型柴油機瞬態法
9.For (ii) the transient response is required.對（ii）則需要求瞬態響應。
10.Unable to add resource to transient module or transient assembly.不能將資源添加到瞬態模塊或瞬態程序集。
11.The Numerical Analysis of Static and Transient Electric Field of Electric Appliance;電器設備的靜態與瞬態電場數值分析
12.A Study on Characteristics of the Instantaneous Flow Field in Static Mixers with Twisted-leaves旋流靜態混合器內流場瞬態特性研究
13.The Compartive Analysis of Steady and Transient Response on Single and Double-rotor System單雙盤轉子穩態和瞬態響應對比分析
14.high resolution deep-level transient spectrometer高分辨率深能級瞬態譜儀
15.transient radiation effects on electronics電子元件的瞬態輻照效應
16.State Key Laboratory of transient optics and technology瞬態光學技術國家重點實驗室
17.Maginal Element Analysis of Instant heat Conduction in Complex Three-dimensional Area三維復雜區域瞬態熱傳導邊界元分析
18.transient characteristic of semiconductor laser半導體激光器的瞬態特性
相關短句/例句
transient state瞬態
1.Study on a transient state of temperature rising of a 3" silicon wafer and heat transfer of a radiating resistance in a UHVCVD system;3″硅片CVD外延電阻絲輻射加熱物理基礎及升溫瞬態過程分析
2.Parameters setting parameters and simulation of transient state model in engine thermal management based on KULI基于KULI的發動機熱管理瞬態模型的參數設置與仿真
3.By researching the transient state of the motivated vibration′s frequency,this paper puts forward a new method to analyse quantitatively the perfection of pile foundation in frequency domain.通過對樁基瞬態激振頻率的研究 ,提出了在頻率域中進行樁基完整性定量分析的新方法。
3)transient regime瞬態狀態
4)transience[英]['tr?n??ns][美]['tr?n??ns]瞬態，暫態
5)Transient electric field瞬態電場
1.Spherical sensor for the measuring transient electric fields based on optical fibre;基于光纖的測量瞬態電場的球形傳感器
2.The Numerical Analysis of Static and Transient Electric Field of Electric Appliance;電器設備的靜態與瞬態電場數值分析
3.The theoretical transfer characteristic of spherical transient electric field probe is given in this paper.對球形瞬態電場探頭的變換特性進行了理論分析，提出了全光型無源電場探頭的設想，設計制作了符合國標要求的校準電場產生裝置，并利用該裝置分別對球形探頭在工頻電場和沖擊電場作用下的變換特性進行了實驗研究。
6)transitory internal friction瞬態內耗
1.Quantitative analysis of relationship between transitory internal friction and frequency during reverse martensitic transformation in Ni_(49.8)Ti_(50.2) alloy;Ni_(49.8)Ti_(50.2)合金馬氏體逆相變的瞬態內耗與頻率間關系的定量分析
延伸閱讀
半導體激光器的瞬態特性 半導體激光器從某一穩定工作狀態過渡到另一穩定工作狀態的過程中所出現的瞬態現象，或對階躍電流的響應。主要有激射延遲、張弛振蕩和自脈動。這些現象限制著半導體激光器振幅調制或頻率調制的性能，特別是最高調制速率。 激射延遲 半導體激光器加上階躍電流后，不會立即發射具有相干性的激光。最初是產生不相干的自發發射，并不斷增強。從PN結注入到半導體激光器諧振腔有源區中的非平衡載流子濃度N在自發復合過程(其壽命時間為τ≈1～5×10-9秒)中不斷積累,使腔內半導體不斷從吸收狀態變為增益狀態，直到第一次達到相應的平衡值Nth之后(圖1中N/Nth曲線達到1時)才能開始激射。對于雙異質結半導體激光器，垂直結面光限制較強（折射率差約為0.2）,激射延遲時間td主要由非平衡載流子的積累時間決定，約為 式中j為注入電流密度,jth為閾值電流密度。電流切斷后,激光很快消失,而非平衡載流子濃度N則經歷τ時間才能降低到切斷時的36.8％，所以在td以內的外加信號將無光響應而丟失(碼型效應)。這種正常的激射延遲效應可用來測量短壽命τ,也可采取措施（如加適當偏流Ib或先行脈沖）來消除。但在同質結和單異質結(SH)激光器中垂直結面方向至少有一邊光限制很弱（其折射率差約為6×10-4），有時易被注入載流子等離子振蕩的反波導效應所抵消，因而使非平衡載流子有過量的積累，并增大腔內散射損耗,使td延長1～2個數量級(～10-7 秒),直到注入電流在腔內焦耳熱引起的溫差（墹T）正波導效應 (其折射率差＝4.5×10-4墹T)恢復光限制、降低腔損耗時才激射（反常長延遲效應），或一直到切斷電流時才突然發射一個激光尖峰（內Q開關效應）。 張弛振蕩 正常的半導體激光器在加上階躍電流后約經td時間產生的激射，往往是以超過相應穩態值埅很多的很窄（～10-11秒）尖峰出現，然后再在埅上下作阻尼振蕩，約經阻尼時間τ≈2τ才逐漸穩定在埅,即圖1中曲線,其振蕩間隔隨振蕩幅度減小而稍微變小（軟彈簧效應）并趨于頻率式中 是半導體激光器腔內本征諧振頻率，τ悘是未注入前與腔內損耗有關的表觀壽命。在實際的大信號情況,過沖尖峰高度和阻尼時間τ隨導波模式的自發發射因子γ 的增大而迅速減小。γ是腔內非平衡載流子自發輻射復合所生的各種光子中屬某一導波模式的比率。γ大則達td時導波模式光子數多，而能更早沖過埅,使N 超過Nth不太多，故激光過沖尖峰不太高,張弛振蕩過程提早結束。如作小信號正弦調制，則調制深度隨調制頻率的變化在γ＜10-2情況將出現類諧振峰 (圖2),其峰高隨γ增加而減小,在γ＞10-2情況下,類諧振峰消失。出現類諧振峰的頻率主要也是由fi決定，并隨注入電流增加而提高。條形半導體激光器中載流子分布不均勻,則載流子擴散過程一般起阻尼作用,降低峰高和縮短阻尼時間。在張弛振蕩或高速調制過程中，激光光譜的包絡寬度或模數隨時間變化,且比穩態增寬,故即使在穩態是單模工作的半導體激光器，在瞬態或高速調制時，也是多模工作的。大信號正弦深調制可以使半導體激光每周或每幾周只出現單獨一條皮秒級窄激光脈沖，并實現瞬態單模工作。注入同模直流激光可以抑制張弛振蕩，用微弱的同頻同模激光注入鎖定或用外腔或內腔光柵等也可抑制多模，實現瞬態單模工作。 自脈動 半導體激光器加上一定大小范圍的階躍電流 (j＞jth)經td后也可出現不衰減的周期性窄尖峰脈動,這稱為自脈動。其脈動頻率也是fi量級,并隨注入電流增加而提高(約為0.1～2吉赫)。產生自脈動時，激光光譜包絡變寬，每條譜線也變寬(比穩態線約增寬一倍)。這種瞬態現象雖不如前兩種普遍，但對調制性能和調制速率影響更大。可利用這種現象作高重復頻率(吉赫級)窄光脈沖（皮秒級）源和雙穩激光器。產生自脈動的原因是：①由于半導體激光器有源諧振腔內激光本征噪聲頻譜存在一個尖峰，其頻率也在fi量級并隨注入電流增加而提高，因而可能受其激發的自鎖模過程；②由器件結構本身存在的或由工藝不完善性造成的均勻分布（或不均勻分布）的某種可飽和吸收體,引起重復性內Q開關過程。因此，改進工藝（消除微觀及宏觀缺陷），采用適當的器件結構（例如使其具有自建折射率波導），就有可能避免自脈動的產生。減小條寬,使γ增大也可抑制自脈動,但這時激光光譜包絡將變寬，超輻射將增強,基橫模遠場將出現雙峰。
