雪崩光電二極管,avalanche photodiode英語短句,例句大全

雪崩光電二極管,avalanche photodiode
1)avalanche photodiode雪崩光電二極管
1.Study on application of avalanche photodiode in phase laser distance measurement;雪崩光電二極管在相位式激光測距儀中的應用
2.Status of HgCdTe avalanche photodiode arrays碲鎘汞雪崩光電二極管發展現狀
3.An InGaAs/InAlAs avalanche photodiode(APD) with the back illumination is designed and simulated by the MEDICI software.設計了一種InGaAs/InAlAs雪崩光電二極管(APD),并利用MEDICI軟件進行了模擬仿真。

英文短句/例句

1.planar avalanche photodiode平面雪崩光電二極管
2.gallium arsenide avalanche photodiode砷化鎵雪崩光電二極管
3.avalanche photodiode coupler雪崩光電二極管耦合器
4.semiconductor avalanche photodiode半導體雪崩光電二極管
5.silicon-avalanche photodiode detector硅雪崩光電二極管檢測器
6.Schottky-barrier avalanche photodiode肖特基勢壘雪崩光電二極管
7.APD Signal Detecting Method Based on Wavelet Transform基于小波變換的雪崩光電二極管信號檢測方法
8.Research on Multi-stepped Planar InGaAs/InP Avalanche Photodiodes平面型InP/InGaAs雪崩光電二極管多級臺階結構研究
9.The Research of the Detecting System for Bioluminescence Based on APD基于APD雪崩光電二極管的生物發光檢測的研究與應用
10.Design of Detecting System for Chemiluminescence Based on Avalanche Photodiode Array基于雪崩光電二極管陣列的化學發光測量系統設計
11.The thoery, structure, characteristics, and process of the superlattice avalanche photodiode are presented.報道了超晶格雪崩光電二極管的工作原理、構、性及其制造工藝。
12.Temperature and Voltage characteristic for InGaAs/InP Avalanche photodiodeInGaAs/InP雪崩二極管的溫度-電壓特性
13.avalanche transit time diode雪崩渡越時間二極管
14.avalanche diode integrated oscillator雪崩二極管集成振蕩器
15.At normal operating voltage, the TVS diode is inactive, like an open circuit.雪崩崩潰二極管是以反向電流的方式,連接在線路上。
16.IMPATT (Impact Avalanche and Transist Time Diode )碰撞雪崩及渡越時間二極管
17.impact avalanch transit time diode碰撞雪崩渡越時間二極管
18.impatt oscillator碰撞雪崩渡越時間二極管振蕩器

相關短句/例句

APD雪崩光電二極管
1.Implementation of Compensation for Bias Voltage of Thermo-drift for APDs by Using AC1056;用AC1056實現對雪崩光電二極管溫漂的偏壓補償
2.In order to implement dynamic bias voltage compensation for the thermal drift of APD gain,high precision A/D and D/A circuits are designed.為實現對雪崩光電二極管(APD)增益溫漂的動態偏壓補償,設計了高精度的ADC和DAC電路系統,對APD可以達到毫伏級的偏壓控制精度和0。
3.This paper discusses a new kind of detecting system for bioluminescence which based on APD.本文介紹了一種基于雪崩光電二極管的生物發光檢測儀器新方案,并與傳統的微光測量方案和器件進行了比較。
3)avalanche photodiodes雪崩光電二極管
1.A measurement system is set up which could measure static optoelectronic characteristics of avalanche photodiodes (APDs).利用該系統對光敏面的直徑為500μm的臺面型InGaAs/InP雪崩光電二極管(APDs)進行測試。
2.The development of GaN-based avalanche photodiodes was reviewed in this letter.文章簡單回顧了氮化鎵基雪崩光電二極管的發展現狀,從制作高響應率、低漏電流的雪崩器件出發,詳細闡明了制作氮化鎵基雪崩光電二極管的工藝過程,特別考慮了干法刻蝕帶來的物理損傷以及后續的消除損傷處理。
3.Based on the characteristic of PIN avalanche photodiodes and carrier rate equations,a mathematic model is presented.針對PIN雪崩光電二極管結構的特殊性,以載流子速率方程為基礎,進行適當的假設和擬合,將光、電子量和轉化過程完全用數學模型表示,并在Matlab中進行了模擬計算,其結果與實驗數據符合較好。
4)avalanche photodiode(APD)雪崩光電二極管
1.In order to ensure the optimum operating of the avalanche photodiode(APD) in the laser gyro under different temperature conditions,an effect of the temperature on the avalanche gain is analyzed based on the principle of APD multiplication.為保證激光陀螺中雪崩光電二極管(APD)在溫度變化的情況下始終處于最佳工作狀態,從APD的倍增機理出發,分析了溫度對雪崩增益的影響,建立了虛警率與APD倍增因子的數學模型,并采用監測雪崩噪聲平均過閾率的方法,得到器件的實際擊穿電壓溫度系數γ=6。
2.The edge pre-breakdown of planar-type avalanche photodiode(APD) is resulted from the intense electric field at the junction bend.平面型雪崩光電二極管(APD)在結彎曲處具有高的電場,導致在結邊緣的提前擊穿。
3.According to the requirements and the characteristics of the single-photon detect System,a water-cooling system based on thermoelectricity cooling accompanied by a temperature control instrument was developed to reduce the temperature of the detector avalanche photodiode(APD).根據單光子探測系統的要求及其特點,采用半導體制冷技術,研制出了用于單光子探測的雪崩光電二極管(APD)的水循環散熱制冷腔。
5)avalanche photodiode雪崩光電二極管<光>
6)μAPD微型雪崩光電二極管
1.We describe the methods of the integration of microoptic detecting system and microfluidic chip, respectively based on CMOS,VCSEL and μAPD.介紹了分別基于CMOS、垂直腔面發射激光器(VCSEL)和微型雪崩光電二極管(μAPD)來實現光學檢測系統與微流控芯片集成化的方法。

延伸閱讀

半導體雪崩光電二極管　　具有內部光電流增益的半導體光電子器件，又稱固態光電倍增管。它應用光生載流子在二極管耗盡層內的碰撞電離效應而獲得光電流的雪崩倍增。這種器件具有小型、靈敏、快速等優點，適用于以微弱光信號的探測和接收，在光纖通信、激光測距和其他光電轉換數據處理等系統中應用較廣。　　　　當一個半導體二極管加上足夠高的反向偏壓時，在耗盡層內運動的載流子就可能因碰撞電離效應而獲得雪崩倍增。人們最初在研究半導體二極管的反向擊穿機構時發現了這種現象。當載流子的雪崩增益非常高時，二極管進入雪崩擊穿狀態；在此以前，只要耗盡層中的電場足以引起碰撞電離，則通過耗盡層的載流子就會具有某個平均的雪崩倍增值。　　　　碰撞電離效應也可以引起光生載流子的雪崩倍增，從而使半導體光電二極管具有內部的光電流增益。1953年，K.G.麥克凱和K.B.麥卡菲報道鍺和硅的PN結在接近擊穿時的光電流倍增現象。1955年，S.L.密勒指出在突變PN結中，載流子的倍增因子M隨反向偏壓V的變化可以近似用下列經驗公式表示　　M＝1/[1-(V/VB)n]　　式中VB是體擊穿電壓,n是一個與材料性質及注入載流子的類型有關的指數。當外加偏壓非常接近于體擊穿電壓時，二極管獲得很高的光電流增益。PN結在任何小的局部區域的提前擊穿都會使二極管的使用受到限制，因而只有當一個實際的器件在整個PN結面上是高度均勻時，才能獲得高的有用的平均光電流增益。因此，從工作狀態來說，雪崩光電二極管實際上是工作于接近（但沒有達到）雪崩擊穿狀態的、高度均勻的半導體光電二極管。1965年，K.M.約翰遜及L.K.安德森等分別報道了在微波頻率下仍然具有相當高光電流增益的、均勻擊穿的半導體雪崩光電二極管。從此，雪崩光電二極管作為一種新型、高速、靈敏的固態光電探測器件漸漸受到重視。　　　　性能良好的雪崩光電二極管的光電流平均增益嚔可以達到幾十、幾百倍甚至更大。半導體中兩種載流子的碰撞離化能力可能不同，因而使具有較高離化能力的載流子注入到耗盡區有利于在相同的電場條件下獲得較高的雪崩倍增。但是，光電流的這種雪崩倍增并不是絕對理想的。一方面，由于嚔隨注入光強的增加而下降，使雪崩光電二極管的線性范圍受到一定的限制，另一方面更重要的是，由于載流子的碰撞電離是一種隨機的過程，亦即每一個別的載流子在耗盡層內所獲得的雪崩增益可以有很廣泛的幾率分布,因而倍增后的光電流I比倍增前的光電流I0有更大的隨機起伏，即光電流中的噪聲有附加的增加。與真空光電倍增管相比，由于半導體中兩種載流子都具有離化能力，使得這種起伏更為嚴重。一般將光電流中的均方噪聲電流〈i戩〉表示為　　〈i戩〉＝2qI0嚔2F(嚔)B　　式中q為電子電荷,B為器件工作帶寬，F(嚔)表示雪崩倍增過程所引起噪聲的增加，稱為過剩噪聲因子。一般情況下,F隨嚔的變化情況相當復雜。有時為簡單起見，近似地將F表示為F＝嚔x,x稱為過剩噪聲指數。F或x是雪崩光電二極管的重要參數。　　　　由于F大于1，并隨嚔的增加而增加，因而只有當一個接收系統（包括探測器件即雪崩光電二極管、負載電阻和前置放大器）的噪聲主要由負載電阻及放大器的熱噪聲所決定時，提高雪崩增益嚔可以有效地提高系統的信噪比，從而使系統的探測性能獲得改善；相反，當系統的噪聲主要由光電流的噪聲決定時，增加嚔就不再能使系統的性能改善。這里起主要作用的是過剩噪聲因子F的大小。為獲得較小的F值，應采用兩種載流子離化能力相差大的材料，使具有較高離化能力的載流子注入到耗盡層，并合理設計器件結構。　　　　載流子在耗盡層中獲得的雪崩增益越大，雪崩倍增過程所需的時間越長。因而，雪崩倍增過程要受到"增益-帶寬積"的限制。在高雪崩增益情況下,這種限制可能成為影響雪崩光電二極管響應速度的主要因素之一。但在適中的增益下，與其他影響光電二極管響應速度的因素相比，這種限制往往不起主要作用，因而雪崩光電二極管仍然能獲得很高的響應速度。現代雪崩光電二極管增益-帶寬積已達幾百吉赫。　　　　與一般的半導體光電二極管一樣，雪崩光電二極管的光譜靈敏范圍主要取決于半導體材料的禁帶寬度。制備雪崩光電二極管的材料有硅、鍺、砷化鎵和磷化銦等Ⅲ-Ⅴ族化合物及其三元、四元固熔體。根據形成耗盡層方法的不同,雪崩光電二極管有PN結型(同質的或異質結構的PN結。其中又有一般的PN結、PIN結及諸如 N+PπP+結等特殊的結構)、金屬半導體肖特基勢壘型和金屬-氧化物-半導體結構等。　　　　與真空光電倍增管相比，雪崩光電二極管具有小型、不需要高壓電源等優點，因而更適于實際應用；與一般的半導體光電二極管相比，雪崩光電二極管具有靈敏度高、速度快等優點，特別當系統帶寬比較大時，能使系統的探測性能獲得大的改善。　　