1)APD雪崩二極管
1.The brief overview of the principle and characteristics of the devices such as PIN photodiode,APD(general avalanche photodiodes),SL-APD(superlattice avalanche photodiodes),WGPD(waveguide photodetector),RCE-PD(resonant-cavity-enhanced photodiode),MSM(metal-semiconductor-metal) photodetectorand,are compared.分別對PIN光電探測器,普通雪崩二極管,超晶格雪崩二極管,波導型光電探測器,振腔增強型光電探測器,金屬-半導體-金屬光電探測器的原理和特點做了簡要概括,并做系統比較,最后對光電探測器發展前景進行展望。
2.The APD was used as fluoresce.該系統以光纖代替激光誘導熒光檢測系統中復雜龐大的共聚焦檢測光路,利用雪崩二極管作為熒光檢測單元,通過曲柄實現了電機的勻速旋轉到掃描軸的掃描運動轉換,實現了多通道的掃描檢測,構建了體積小、靈敏度高、功耗小的多通道毛細管電泳檢測系統。
3.In the laser receiver system,low noise APD and high_bandwidth amplifier are use to obtain useful signal.在激光發射方面,使用專用的激光二極管和高性能驅動芯片產生高質量的光脈沖作為測距信號;在光信號接收方面,使用對特殊波長響應度極高的低噪聲的雪崩二極管作為接收器件,利用高帶寬放大芯片提取有用信號。
英文短句/例句
1.avalanche diode integrated oscillator雪崩二極管集成振蕩器
2.Temperature and Voltage characteristic for InGaAs/InP Avalanche photodiodeInGaAs/InP雪崩二極管的溫度-電壓特性
3.avalanche transit time diode雪崩渡越時間二極管
4.planar avalanche photodiode平面雪崩光電二極管
5.gallium arsenide avalanche photodiode砷化鎵雪崩光電二極管
6.avalanche photodiode coupler雪崩光電二極管耦合器
7.semiconductor avalanche photodiode半導體雪崩光電二極管
8.IMPATT (Impact Avalanche and Transist Time Diode )碰撞雪崩及渡越時間二極管
9.impact avalanch transit time diode碰撞雪崩渡越時間二極管
10.impatt oscillator碰撞雪崩渡越時間二極管振蕩器
11.avalanche transit time oscillator雪崩渡越時間二極管振蕩器
12.silicon-avalanche photodiode detector硅雪崩光電二極管檢測器
13.Schottky-barrier avalanche photodiode肖特基勢壘雪崩光電二極管
14.APD Signal Detecting Method Based on Wavelet Transform基于小波變換的雪崩光電二極管信號檢測方法
15.Research on Multi-stepped Planar InGaAs/InP Avalanche Photodiodes平面型InP/InGaAs雪崩光電二極管多級臺階結構研究
16.At normal operating voltage, the TVS diode is inactive, like an open circuit.雪崩崩潰二極管是以反向電流的方式,連接在線路上。
17.The thoery, structure, characteristics, and process of the superlattice avalanche photodiode are presented.報道了超晶格雪崩光電二極管的工作原理、構、性及其制造工藝。
18.The Research of the Detecting System for Bioluminescence Based on APD基于APD雪崩光電二極管的生物發光檢測的研究與應用
相關短句/例句
IMPATT diode雪崩二極管
1.A 3mm band integrated oscillator is researched,which is consisted of a IMPATT diode,a microstrip resonator,and a fin-line transition.描述了一種3mm波段集成振蕩器,該振蕩器由雪崩二極管、微帶諧振器、阻抗匹配器、鰭線過渡組成。
2.By using the nonlinear characteristics of the IMPATT diodes, a microwave signal can be multiplied to the millimeter-wave frequency band.本文通過對雪崩二極管非線性模型的分析,在軟件中搭建了雪崩倍頻二極管的非線性模型,很好的反映了雪崩二極管的高次倍頻特性。
3.At first we analyze the working mode and equivalent circuit of the encapsulated IMPATT diode, by use of the MatLab software.首先分析了雪崩二極管的工作方式及其等效電路，利用MATLAB軟件對二極管封裝后的等效參數進行了編程計算。
3)Avalanche diode雪崩二極管
1.The high order frequency multiply technology of avalanche diode is reported very scarcely .雪崩二極管是傳統的毫米波固態功率源器件,但利用雪崩二極管實現高次倍頻的研究卻報道甚少。
4)avalanche rectifier diode雪崩整流二極管
1.Based on the analysis on test data from surge countercurrent of avalanche rectifier diode,the author puts forward the way to select such diode for alternator and the points for attention in use.通過對雪崩整流二極管反向浪涌電流的測試數據的分析,提出在交流發電機中選擇雪崩整流二極管的方法與使用中的注意事項。
5)APD雪崩光電二極管
1.Implementation of Compensation for Bias Voltage of Thermo-drift for APDs by Using AC1056;用AC1056實現對雪崩光電二極管溫漂的偏壓補償
2.In order to implement dynamic bias voltage compensation for the thermal drift of APD gain,high precision A/D and D/A circuits are designed.為實現對雪崩光電二極管(APD)增益溫漂的動態偏壓補償,設計了高精度的ADC和DAC電路系統,對APD可以達到毫伏級的偏壓控制精度和0。
3.This paper discusses a new kind of detecting system for bioluminescence which based on APD.本文介紹了一種基于雪崩光電二極管的生物發光檢測儀器新方案,并與傳統的微光測量方案和器件進行了比較。
6)avalanche photodiode(APD)雪崩光電二極管
1.In order to ensure the optimum operating of the avalanche photodiode(APD) in the laser gyro under different temperature conditions,an effect of the temperature on the avalanche gain is analyzed based on the principle of APD multiplication.為保證激光陀螺中雪崩光電二極管(APD)在溫度變化的情況下始終處于最佳工作狀態,從APD的倍增機理出發,分析了溫度對雪崩增益的影響,建立了虛警率與APD倍增因子的數學模型,并采用監測雪崩噪聲平均過閾率的方法,得到器件的實際擊穿電壓溫度系數γ=6。
2.The edge pre-breakdown of planar-type avalanche photodiode(APD) is resulted from the intense electric field at the junction bend.平面型雪崩光電二極管(APD)在結彎曲處具有高的電場,導致在結邊緣的提前擊穿。
3.According to the requirements and the characteristics of the single-photon detect System,a water-cooling system based on thermoelectricity cooling accompanied by a temperature control instrument was developed to reduce the temperature of the detector avalanche photodiode(APD).根據單光子探測系統的要求及其特點,采用半導體制冷技術,研制出了用于單光子探測的雪崩光電二極管(APD)的水循環散熱制冷腔。
延伸閱讀
雪崩二極管 利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。雪崩二極管振蕩原理是W.T.里德于1958年提出的。1965年，R.L.約翰斯頓等人在硅PN結二極管中實現了這種雪崩微波振蕩。 雪崩二極管能以多種模式產生振蕩，其中主要有碰撞雪崩渡越時間(IMPATT)模式，簡稱崩越模式。其基本工作原理是：利用半導體PN結中載流子的碰撞電離和渡越時間效應產生微波頻率下的負阻，從而產生振蕩。另一種重要的工作模式是俘獲等離子體雪崩觸發渡越時間(TRAPATT)模式,簡稱俘越模式。這種模式的工作過程是在電路中產生電壓過激以觸發器件，使二極管勢壘區充滿電子-空穴等離子體，造成器件內部電場突然降低,而等離子體在低場下逐漸漂移出勢壘區。因此這種模式工作頻率較低，但輸出功率和效率則大得多。除上述兩種主要工作模式以外，雪崩二極管還能以諧波模式、參量模式、靜態模式以及熱模式工作。 雪崩二極管的結構可分為兩大類：單漂移區雪崩二極管和雙漂移區雪崩二極管。單漂移區雪崩二極管的結構有PN、 PIN、 P+NN+(或N+PP+)、P+NIN+(或N+PIP+)、MNN+。其中P+NN+結構工藝簡單,在適中的電流密度下能獲得較大的負阻，且頻帶較寬，因此在工業中應用較多。雙漂移區雪崩二極管是 1970 年以后出現的，其結構為P+PNN+，實質上相當于兩個互補單漂移區雪崩二極管的串聯，從而有效地利用了電子和空穴漂移空間，因此輸出功率和效率均較高。 制造雪崩二極管的材料主要是硅和砷化鎵。 雪崩二極管具有功率大、效率高等優點。它是固體微波源，特別是毫米波發射源的主要功率器件，廣泛地使用于雷達、通信、遙控、遙測、儀器儀表中。其主要缺點是噪聲較大。
