PbWO 4 crystalPbWO4晶體
1.Etching morphology of (001) faces of PbWO 4 crystal grown by Bridgman method was observed by using optical microscope.利用光學顯微鏡觀察了Bridgman法生長的PbWO4晶體 (0 0 1)晶面的腐蝕形貌 ,討論了位錯蝕坑的形態特征 ,分布規律以及與晶體結晶習性的關系 ,同時還觀察了亞晶界的形態 ,初步探討了位錯與亞晶界的成
3)PbWO_4PbWO4晶體
1.Simulation of the Optical Properties for the Perfect PbWO_4 Single Crystal;無缺陷PbWO4晶體光學性質的模擬計算
2.The electronic structure, dielectric function, complex reflectivity index and absorption spectra on the polarized light in the perfect PbWO_4 (PWO) crystal and the PWO crystal containing a pair of V_(Pb)~(2-)-V_O~(2+) have been calculated using full-potential (linearized) augmented plane-wave ((L)APW)+local orbitals (lo) method.利用完全勢綴加平面波局域密度泛函近似,按照能量最低原理采用共軛梯度方法,對含鉛氧空位對的PbWO4晶體進行結構優化處理。
4)doped tunsgate crystal摻雜PbWO4晶體
5)PbWO_4PbWO4
1.The PbWO_4 sample is produced by modified bridgeman method.用改進的Bridgeman方法生長了PbWO4晶體。
2.Fluorine doped lead tungstate F~-∶PbWO_4 crystals are studied within the framework of density functional theory.用密度泛函的方法計算了摻氟鎢酸鉛晶體(F-∶PbWO4)的電子結構。
6)PbWO 4PbWO4
1.This paper presents a study on absorption center of lead tungstate crystals (PbWO 4) by the relativistic self consistent discrete variational embedded cluster method.采用基于密度泛函理論的相對論性離散變分和嵌入團簇方法計算了PbWO4 晶體中與吸收中心相關的本征缺陷態密度分布 ,并運用過渡態方法計算了激發能。
2.The influence of Gd 3+ and Y 3+ doping on the low temperature thermoluminescence (TL) of PbWO 4 (PWO) is investigated.通過熱釋光方法研究了PbWO4(PWO) ,PWO :Y3+ ,PWO :Gd3+ 多晶粉末及PWO ,PWO :Y單晶的低溫 (<30 0K)熱釋光現象 。
延伸閱讀
晶體管-晶體管邏輯電路晶體管-晶體管邏輯電路transistor-transistorlogic集成電路輸入級和輸出級全采用晶體管組成的單元門電路。簡稱TTL電路。它是將二極管-晶體管邏輯電路（DTL）中的二極管，改為使用多發射極晶體管而構成。TTL電路于1962年研制成功，基本門電路的結構和元件參數，經歷了3次大的改進。同DTL電路相比，TTL電路速度顯著提高，功耗大為降低。僅第一代TTL電路產品，就使開關速度比DTL電路提高5～10倍。采用肖特基二極管的第三代TTL電路，開關時間可縮短到3～5納秒。絕大部分雙極型集成電路，都是TTL電路產品。
