專利名稱：石榴快速繁殖方法
技術領域：
本發明屬于植物繁育技術領域，涉及一種石榴繁殖方法。
背景技術：
目前我國石榴生產多年來一直發展緩慢，其主要原因是我國石榴主產區的良種普及率低，大部分生產園還是幾十年前的老品種，這些老品種退化嚴重，成熟時裂果現象嚴重，存在籽粒核硬，粒小，可實率低，外觀差，含糖量低等問題，因此科技工作者一直進行石榴良種繁殖研究，石榴良種無性繁殖通常采用扦插、嫁接、壓條等方法，這些方法不僅繁殖速度慢，而且有的良種成活率很低，種條又極少，難以滿足大量和快速繁育的要求；另外一種是采用植物組織培養技術，但由于植物組織培養存在一次性投資大、成本高、技術步驟繁雜、試管苗弱、成活率低、推廣難度大等缺點，該技術在實踐生產中形成的生產力還相當有限，至今，該技術還主要停留在實驗室范圍內。
近年來，植物繁殖多采用較為先進的全光照噴霧嫩枝扦插育苗技術，該技術是指在全日照條件下，利用植物半木質化的嫩枝作插穗，并采取自動間歇噴霧設備，進行規模化育苗，它具有插穗生根快、育苗周期短和穗條來源豐富等優點，但全光照噴霧扦插存在很多缺點一是扦插是在露天的條件下完成的，很難定量地準確控制濕度和溫度，從而影響生根及插條的生長；二是全光照噴霧扦插一般采用在地上作苗床進行扦插，扦插基質是土壤，透氣性不好，土壤重茬，致使扦插的嫩枝容易腐爛，而嚴重影響扦插的生根率；而且扦插后的扦插苗移栽成活率較低；三是全光照扦插是夏季扦插的方法，受到季節、氣候等條件的限制，繁殖系數比較低，一般每年只能繁殖1～2次；四是在夏季過強日照和由此產生的高溫下，扦插嫩枝容易受到日灼的傷害，失水而枯萎，又阻礙了插穗的生根。
發明內容
本發明的目的是提供一種繁殖速度快、生根率高、繁殖系數高、移栽成活率高、可規模化育苗的石榴快速繁殖方法。
本發明采用以下技術方案來實現上述目的一種石榴快速繁殖方法，包括以下步驟(1)、選擇控溫控濕、透光率在70％的日光棚或溫室；(2)、培育基質選用珍珠巖、蛭石、大沙，按1∶0.5～4∶0.5～4(體積)的比例混合均勻；(3)、從石榴母株上剪取插條，插條下部放入配制好的生根劑中浸泡5～60秒，然后插入基質；(4)、扦插后保持室內相對濕度為85％～100％，溫度為25～40℃，基質在5cm深的溫度控制在25～30℃；(5)、生根后室內溫度保持為25～35℃，基質在5cm深的溫度控制在20～25℃，相對濕度為75～85％；(6)、當插條側根生長后，移出棚外繼續培養生長成為成品苗。
石榴快速繁殖方法優選包括以下步驟((1)、選用控溫控濕的日光溫室或塑料大棚，棚上覆蓋透光率70％的遮陽網，棚內搭設苗盤或穴盤支架，并設置噴霧裝置；(2)、基質選用珍珠巖、蛭石、大沙，按1∶0.5～2∶0.5～2(體積)的比例混合均勻，裝入苗盤或穴盤；(3)、從母株上剪取留2～3個芽的帶葉片嫩枝，剪成5～10cm長的插條，將枝條下部放入濃度為500mg/L～2000mg/L的生根劑中浸泡20～40秒，然后插入盤內；(4)、把插后的苗盤或穴盤放到支架上，先用水澆透，然后開始噴霧，棚內相對濕度保持在90％～100％，溫度保持在30～40℃，基質在5cm深的溫度控制在25～30℃，苗盤或穴盤噴灑滅菌劑；(5)、生根后棚內溫度保持為25～35℃，基質在5cm深的溫度控制在20～25℃，相對濕度為75～80％，噴灑滅菌劑并施肥；(6)、當側根生長后，將苗盤或穴盤移出棚外的遮陽網下，插條栽入營養缽中繼續生長，當小苗根系長出二次根，便可退缽移栽入大田。
石榴快速繁殖方法最優選包括以下步驟
(1)、選用可控溫控濕的日光溫室或塑料大棚，棚上覆蓋透光率70％的遮陽網，棚內距地面10～40cm搭設支架，支架上設置苗盤或穴盤，距苗盤或穴盤80～120cm設置有噴霧裝置；(2)、將珍珠巖、蛭石、大沙按1∶1∶1(體積)的比例混合均勻，裝入苗盤或穴盤；(3)、從母株上剪取留2～3個芽的帶葉片嫩枝，剪成含有2～3個節間、2個以上葉片的長度為5～10cm的插條，上剪口與下剪口均為平口；摘去最下部兩片葉，將剪好的枝條下部1/3放入配制好的濃度為500mg/L～2000mg/L的生根劑中浸泡30秒，將處理好的插條按5～8cm左右的株行距插入盤內。
(4)、把插后的苗盤或穴盤搬到支架上，將苗盤或穴盤澆透，然后開啟噴霧裝置噴霧；棚內相對濕度保持在90％～100％，溫度保持在30～40℃，基質在5cm深的溫度控制在25～30℃，將新插的苗盤用滅菌劑噴灑一遍，然后每5～7天噴灑一次滅菌劑直至生根；(5)、生根后棚內溫度保持為25～35℃，基質在5cm深的溫度控制在20～25℃，相對濕度為75～80％，每5～7天噴一次滅菌劑；生根后每7～10天，噴施一次肥料；(6)、當側根生長后或看到根已伸出苗盤或穴盤時，將苗盤或穴盤移出棚外的遮陽網下栽入營養缽中澆透水，以后要噴水保濕，當營養缽內的小苗根系長出二次根后，便可退缽移栽入大田，栽前要施足底肥，栽后要澆透水，經常追肥、除草和葉面噴肥。
生根劑主要由以下重量份數原料組成吲哚丁酸80～120份、肌醇5～15份、Vc1～2份，制備方法是將上述原料混合，用少量的酒精充分溶解后，再用水稀釋至所需要濃度。
本發明克服了現有植物組織培養、常規扦插育苗與全光霧扦插技術的缺點，具有外植體用量少，擴繁成本低、繁殖速度快、移栽和定植成活率高的優點，植株根系發達，繁殖7天開始生根，20天根長6厘米以上，根數在3～6根；再生苗健壯，30天莖高即可達到30～70厘米，開花結果早、后代無變異。本發明是在控溫控濕的日光溫室或塑料大棚內進行石榴樹苗的繁育，棚上蓋有透光率為70％的遮陽網，保溫保濕效果好，可保證石榴繁育需要高濕高溫環境，并且在氣溫低的情況下，可以進行加溫繁苗，70％的透光率既保證了充足的光照，促使嫩枝插穗生根，又避免過強日照和由此產生的高溫對插穗日灼的傷害和失水枯萎；本發明采用苗盤式的育苗方法，苗盤放在支架上，且用的是透氣性較好的基質，增加了苗床的透氣性，使插穗生根不易腐爛，而且基質的消毒更換更容易，方便徹底，苗盤可以重復利用；用苗盤進行練苗和帶基質移栽練苗，因此移栽和定植成活率均高；本發明的另一個優點是，增大了繁殖系數，一年至少可繁殖7次，1株母株年增殖到420株，是露地扦插育苗的70倍，由于繁殖系數高，年繁殖次數多，基質和育苗盤可重復使用，再加上工廠化流水線作業省工省時工效高，所以每10萬株快繁苗的每株成本為0.096元，而常規苗每株成本1.22元；另一方面，本發明是在有陽光、水霧的棚中進行，具有適宜的生根環境條件，插穗生根多，所以小苗移栽到一定配比的培養土缽中成活率高達100％，然后帶缽移入田間定植成活率達95％以上，而且一年四季可以建園，提高了石榴良種普及率及速度，普及速度可提高70倍。
具體實施例方式
實施例，1、試驗地點本發明選擇在溫控棚內進行，溫控棚是全自動控溫控濕大棚，真空雙層膜，附有暖氣供應系統和補光系統，膜上覆蓋70％透光率的遮陽網，對照組為全光照、覆蓋30％透光率遮陽網的大棚。
供試材料突尼斯軟籽石榴、豫大籽石榴、中農黑籽石榴。其中突尼斯軟籽石榴和豫大籽石榴種條采自河南省滎陽市北邙鄉劉溝村劉中高和劉雪林果園的結果樹，樹齡為6年生，生長健壯，果實性狀表現穩定，結果量大，樹高2～3米，冠幅1.5～2米，株行距2米×3米，細長紡錘形和疏散分層形，畝產量2000公斤以上，無大小年結果現象。中農黑籽種條采自中國農業科學院鄭州果樹研究所干果研究組石榴新品種區試園。隨機選擇樹冠大小、生長勢、花果量基本一致的為試驗樹，進行采條。
插穗采集與處理從上述的突尼斯軟籽石榴園的母樹上剪取當年生枝條，剪成5～10cm的插穗，插穗上部葉片保留完整，下部葉片除掉，上下都為平口，下口要靠近節，50株一捆，經生根劑處理，插入苗盤。
苗盤、基質、生根劑的準備苗盤基質分別準備(1)珍珠巖，(2)蛭石，(3)河沙，(4)珍珠巖+蛭石+河沙的混合基質共四種基質。其中珍珠巖∶蛭石∶河沙分別按體積比1∶1∶1、1∶0.5∶0.5、1∶2∶2、1∶4∶4四種比例。
苗盤為50孔，長寬50×30cm，扦插前用0.5％高錳酸鉀消毒2小時，扦插時再用清水澆洗。
生根劑本發明的生根劑選用以下重量份數的原料吲哚丁酸100份、肌醇10份、Vc1份，上述原料用少量的酒精充分溶解后，再用水稀釋；對照組選用的是中國林業科學院生產的ABT生根粉、清水，ABT生根粉是目前生根困難植物常用的生根劑，其中ABT1需要用酒精先溶解，再兌水稀釋，而ABT6號生根粉是水溶性的，直接兌水稀釋即可。
苗床整理將棚內地整平，離棚前基角60cm左右，整畦作出寬1.2m的苗床，中間留50～60cm做過道；離地10～40cm搭架子；安裝噴霧管道及噴頭，噴頭距苗床高0.8～1.2m。
2、扦插從母株上留2～3個芽剪取帶葉片的嫩枝，放入盛有清水的容器中，轉移到操作區剪成5～10cm長的插條，上剪口與下剪口均為平口；摘去最下部兩片葉。該插條含有2至3個節間、3個葉片以上，下部剪口靠近節間0.5cm左右。
將剪好的枝條下部1/3左右放入配制好的生根劑中浸泡；生根劑濃度及處理時間每種生根劑處理濃度分別為500mg/L、1000mg/L、1500mg/L；插穗處理時間分別為30秒，0.5小時、 1小時。
先將拌好的基質裝入穴盤，穴盤厚度為5～6cm，若為無孔的苗盤則其厚度為6～8cm；然后將處理好的插條按株距4cm，行距6cm扦插，每盤40～50株，插后將基質和插穗用手捏一下，及時澆透水一次。
把插后的苗盤放置在支架上，用噴槍將苗盤澆透，然后開始噴霧；棚內相對濕度分別保持在50～60％、70～80％、90～100％三個不同檔次，溫度保持在25℃、35℃、40℃三個不同檔次，在每天下午用噴壺將新插的苗盤用滅菌劑噴一遍，滅菌劑選用50％多菌靈800倍液，生根后每5～7天噴一次滅菌劑50％多菌靈800倍液，噴施一次3‰的尿素。
插條長出二次根或根伸出苗盤時，將事先準備好的黏土與有機肥按1∶1的比例混合均勻，裝入營養缽，將苗盤移出棚外的遮陽網下，栽入營養缽中，澆透水；經常噴水保濕。
營養缽內的小苗根系長出二次根，將小苗退缽移栽入大田，栽前施足底肥，栽后要澆透水，經常追肥、除草和葉面噴肥。
表1 全光照和30％、70％的光照在不同溫度、濕度下扦插技術的生根率情況
注6月20日扦插，7月25日調查生根率。
從表1生根率分析表可以看出①從9個處理組合9個小區生根結果中，可以看到第6個處理組合的生根率最高(99.8％)。這個處理組合是溫度在25℃以上40℃以下，濕度在90～100％，70％光照。
②在供試的4個因子中，以溫度對處理組合生根率影響最大，濕度次之，光照又次之，品種影響最小。
③在4個因子中，豫大籽和中農黑籽的生根率最高；溫度因子以小于40℃的生根率最高；濕度因子則以90％～100％最高；光照因子以70％光照的生根率最高。所以石榴嫩枝扦插的最優環境條件是高溫(25℃以上，40℃以下)、高濕90％～100％、70％光照。
表2 石榴同品種嫩枝插穗在不同藥劑處理不同基質中生根快慢(處理30秒)
從表2可以看出，生根劑類型對生根快慢影響最大，基質類型和生根劑濃度對生根快慢影響次之。以本發明生根劑1000mg/L在珍珠巖∶蛭石∶河砂＝1∶1∶1基質中生根最快(6天)。
表3 不同基質對突尼斯軟籽石榴嫩枝扦插生根的影響
※藥劑處理插穗時間為30s，6月10日扦插，7月10日調查。
注數字后相同小寫字母表示無顯著性差異，Duncan新復級差法檢驗，p＝0.05從表3可以看出，首先，用1000mg/L～2000mg/L的本發明生根劑處理插穗在珍珠巖+蛭石+河沙(按體積配比1∶1∶1)基質中生根率最高，達100％；其次是在河沙基質中生根率能達87.5％以上。高濃度的本發明生根劑(1500mg/L～2000mg/L)在珍珠巖中生根率也達100％。除500mg/L、1000mg/L處理外的所有本發明生根劑處理的生根率明顯高于對照，與對照差異顯著。而中國林業科學院生產的ABT1號生根劑，500～1500mg/L處理在河沙中生根率比其它基質高，生根率在87.5％以上；2000mg/L處理在河沙基質中生根率只有37.5％；其次是500～1500mg/L在珍珠巖+蛭石+河沙(按體積配比1∶1∶1)基質中生根率較高，生根率在75％以上，與對照差異顯著。但總體來看，在供試的四種基質和二種生根劑中，以本發明生根劑在不同的基質中生根率較高。
從每穗平均生根數的試驗結果可以看出四種基質中，本發明生根劑在珍珠巖+蛭石+河沙(按體積配比1∶1∶1)混合基質中平均生根數量最多，達20根以上；在河沙中平均生根數達17.9根以上，在珍珠巖中生根數相對差些。而ABT1號生根劑在珍珠巖+蛭石+河沙(按體積配比1∶1∶1)混合基質中平均生根數最多，達7.3條以上，其次是在河沙和蛭石基質中生根數多一些，對照處理也是在珍珠巖+蛭石+河沙(按體積配比1∶1∶1)混合基質中生根數最多，達8.8條。
從表3試驗結果看出，最長根平均生長長度以珍珠巖作基質的最短，其它各基質差異不是太大，二種生根劑處理的效果趨勢相同。而對照中可以看出珍珠巖+蛭石+河沙(按體積配比1∶1∶1)混合基質中的最長根生長最長。
表4 石榴光霧快繁法繁殖級數與系數表
※由于石榴有多次分枝，小苗長到4個月后，分枝又可以作為插穗，就可以進一步擴繁。
從表4試驗結果可以看出，與常規露地扦插育苗比較可增大繁殖系數。本發明繁殖方法一年至少可繁殖7次，而常規露地扦插育苗1年只能繁殖1次。前者1株母株年增殖到420株，后者1株母株只能增殖到6株，前者是后者的70倍。即本發明繁殖方法大大提高了繁殖系數，能有效增加良種繁殖率。
表5 本發明快繁苗與露地扦插苗成本比較
注供試品種為突尼斯軟籽，露地扦插苗單價6元/株。
從表5結果說明，本發明快繁方法大大提高了石榴的繁殖系數、降低了生產成本，與硬枝扦插相比，使用本發明方法可增加年繁殖系數420倍，降低了生產的成本。
本發明快繁育10萬株苗需要238株母株×6元/株+41個盤×3元/盤+營養缽10萬個×0.02元+基質4000袋÷7×1.9元+人工200工×15元/天＝9576.43元，即每株0.096元；常規露地插10萬株苗需要母株20000株，每株6元，大棚折舊水電費2000元，共計120000元，人工費100工×15元/天，地膜150元，水電費500元共計122150元，即每株1.22元。
由于本發明繁殖方法繁殖系數高，年繁殖次數多，基質和育苗盤可重復使用，再加上工廠化流水線作業省工省時工效高。生產10萬株突尼斯軟籽石榴苗總增值達11.24萬元。
權利要求
1.一種石榴快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步驟(1)、選擇控溫控濕、透光率在70％的日光棚或溫室；(2)、培育基質選用珍珠巖、蛭石、大沙，按1∶0.5～4∶0.5～4(體積)的比例混合均勻；(3)、從石榴母株上剪取插條，插條下部放入配制好的生根劑中浸泡5～60秒，然后插入基質；(4)、扦插后保持室內相對濕度為85％～100％，溫度為25～40℃，基質在5cm深的溫度控制在25～30℃；(5)、生根后室內溫度保持為25～35℃，基質在5cm深的溫度控制在20～25℃，相對濕度為75～85％；(6)、當插條側根生長后，移出棚外繼續培養生長成為成品苗。
2.如權利要求1所述的石榴快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步驟(1)、選用控溫控濕的日光溫室或塑料大棚，棚上覆蓋透光率70％的遮陽網，棚內搭設苗盤或穴盤支架，并設置噴霧裝置；(2)、基質選用珍珠巖、蛭石、大沙，按1∶0.5～2∶0.5～2(體積)的比例混合均勻，裝入苗盤或穴盤；(3)、從母株上剪取留2～3個芽的帶葉片嫩枝，剪成5～10cm長的插條，將枝條下部放入濃度為500mg/L～2000mg/L的生根劑中浸泡20～40秒，然后插入盤內；(4)、把插后的苗盤或穴盤放到支架上，先用水澆透，然后開始噴霧，棚內相對濕度保持在90％～100％，溫度保持在30～40℃，基質在5cm深的溫度控制在25～30℃，苗盤或穴盤噴灑滅菌劑；(5)、生根后棚內溫度保持為25～35℃，基質在5cm深的溫度控制在20～25℃，相對濕度為75～80％，噴灑滅菌劑并施肥；(6)、當側根生長后，將苗盤或穴盤移出棚外的遮陽網下，插條栽入營養缽中繼續生長，當小苗根系長出二次根，便可退缽移栽入大田。
3.如權利要求2所述的石榴快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步驟(1)、選用控溫控濕的日光溫室或塑料大棚，棚上覆蓋透光率70％的遮陽網，棚內距地面10～40cm搭設支架，支架上設置苗盤或穴盤，距苗盤或穴盤80～120cm高度處設置有噴霧裝置；(2)、將珍珠巖、蛭石、大沙按1∶1∶1(體積)的比例混合均勻，裝入苗盤或穴盤；(3)、從母株上剪取留2～3個芽的帶葉片嫩枝，剪成含有2～3個節間、2個以上葉片的長度為5～10cm的插條，上剪口與下剪口均為平口；摘去最下部兩片葉，將剪好的枝條下部1/3放入配制好的濃度為500mg/L～2000mg/L的生根劑中浸泡30秒，將處理好的插條按5～8cm左右的株行距插入盤內。(4)、把插后的苗盤或穴盤搬到支架上，將苗盤或穴盤澆透，然后開啟噴霧裝置噴霧；棚內相對濕度保持在90％～100％，溫度保持在30～40℃，基質在5cm深的溫度控制在25～30℃，將新插的苗盤用滅菌劑噴灑一遍，然后每5～7天噴灑一次滅菌劑直至生根；(5)、生根后棚內溫度保持為25～35℃，基質在5cm深的溫度控制在20～25℃，相對濕度為75～80％，每5～7天噴一次滅菌劑；生根后每7～10天，噴施一次肥料；(6)、當側根生長后或看到根已伸出苗盤或穴盤時，將苗盤或穴盤移出棚外的遮陽網下栽入營養缽中澆透水，以后要噴水保濕，當小苗根系長出二次根，便可退缽移栽入大田，栽前要施足底肥，栽后要澆透水，經常追肥、除草和葉面噴肥。
4.如權利要求1～3任意一項所述的石榴快速繁殖方法，其特征在于，生根劑主要由以下重量份數原料組成吲哚丁酸80～120份、肌醇5～15份、Vc1～2份。
全文摘要
本發明公開一種石榴快速繁殖方法，包括以下步驟選擇透光率在70％的日光棚或溫室；將插條在生根劑中處理后插入基質，扦插后保持室內相對濕度為85％～100％，溫度為25～40℃，生根后室內溫度保持為25～35℃，相對濕度為75～85％，插條側根生長后移出棚外繼續培養生長，本發明繁殖方法繁殖速度快、生根率高、繁殖系數高、移栽成活率高、可規模化育苗。
文檔編號A01N43/38GK101036446SQ20071005432
公開日2007年9月19日 申請日期2007年4月28日 優先權日2007年4月28日
發明者曹尚銀, 郭俊英, 倪勇, 陳玉玲 申請人:曹尚銀, 郭俊英, 倪勇, 陳玉玲