放射圖像檢測設備及其制造方法

專利名稱：放射圖像檢測設備及其制造方法
技術領域：
本發明涉及在醫療X射線成像系統等中使用的放射圖像檢測設備及其制造方法。
背景技術：
近些年來，使用將X射線圖像轉換為數字數據等的、諸如FPD (平板檢測器)的X射線圖像檢測設備的DR(數字射線照像)已經被投入使用。與使用由激發磷光體(累積磷光體)形成的成像板的先前的CR(計算機射線照像術)系統相反，這種X射線圖像檢測設備具有下述優點可以當場查看采集的圖像，因此其擴展迅速地進行。已經提出了用于X射線圖像檢測設備的各種系統。作為它們之一，已知間接轉換系統，該間接轉換系統通過諸如CsI:Tl、GOS(Gd2O2SiTb)等的閃爍器將X射線轉換為可見光，然后通過半導體層將可見光轉換為電荷，并且存儲這樣的電荷(例如參考專利文件 I (JP-A-2007-163467)、專利文件 2 (JP-A-2008-51793)和專利文件 3 (JP-A-2011-17683))。在X射線圖像檢測設備中，在許多情況下，優選的是，當該檢測器件用于例如活體的X射線射線照像時，X射線曝光應當被設置得低。因此，需要其對于X射線的靈敏度高并且發光量大的閃爍器。在專利文件I中，通過分別在光電檢測器的兩側上設置閃爍器以將所述光電檢測器置于其間來增強發光量。此外，在專利文件2中，通過向熒光材料的基質材料中加入活化劑來增強發光量。在專利文件2中，給出了 在包括光電檢測器和閃爍器并且其中X射線從與光電檢測器相對側入射在閃爍器上的X射線圖像檢測設備中，應當加強在X射線入射側上的閃爍器的區域中的活化劑(density)濃度。此外，在專利文件3中，通過在使用來自光電檢測器側的X射線照射閃爍器的情況下將位于光電檢測器附近的閃爍器的區域設置為主發光區域S來增強發光量。

發明內容
在此，可以考慮應當如專利文件2中所述提高在X射線入射側上的活化劑濃度，并且也應當如在專利文件3中所述將光電檢測器側設置為主發光區域。以這種方式，當在X射線入射側上的光電檢測器附近增強活化劑濃度時，可以在一定程度上實現提高發光量和改善MTF(調制傳遞函數)的效果。然而，當詳細查看閃爍器的該主發光區域時，下面的問題仍然繼續存在。即，活化劑濃度的提高顯然造成以下描述的技術問題。位于光電檢測器附近的主發光區域的部分的結晶性因為活化劑濃度的增大而被擾亂，因此，引起MTF的變差。具體地，當在閃爍器的氣相沉積的初始階段中增強活化劑濃度時，這樣的增強對于閃爍器的晶體生長具有極大的不利影響，并且，結晶性被擾亂。因此，光在柱狀晶體之間擴散，因此，引起MTF的變差。而且，因為活化劑濃度的增大導致增大在閃爍器中的光的吸收。在此，如圖14中所示，考慮下述情況在位于X射線入射側上的閃爍器91部分被設置為主發光區域S的情況下，增強活化劑濃度。如圖15A和圖15B中所示，在主發光區域S中的遠離光電檢測器92 (圖14)的部分P2中，入射在光電檢測器92上的發光量較小，并且，光發射條件是擴散的(spread)，因此，引起圖像的模糊(MTF變差)。結果，即使使用如圖14中所示的使用來自光電檢測器92側的X射線來照射閃爍器91的配置，也不能預期發光量的進一步增大和MTF的進一步改善，除非解決了這樣的問題。本發明的一個目的是提供一種放射圖像檢測設備及其制造方法，所述放射圖像檢測設備能夠實現發光量的進一步增大和MTF的進一步改善。根據本發明的一個方面，一種放射圖像檢測設備包括兩個閃爍器，其將輻射的放射線轉換為光；以及，布置在兩個閃爍器之間的光電檢測器，其檢測由兩個閃爍器轉換為電信號的光；其中，在兩個閃爍器中的至少在放射線入射側上布置的閃爍器在所述光電檢測器附近的活化劑濃度高于該閃爍器中在與光電檢測器側相對的側上的活化劑濃度。根據本發明的另一方面，一種放射圖像檢測設備包括兩個閃爍器，其將輻射的放 射線轉換為光；以及，布置在兩個閃爍器之間的光電檢測器，其檢測由兩個閃爍器轉換為電信號的光；其中，在兩個閃爍器中的至少一個閃爍器中在所述光電檢測器附近的的活化劑濃度在放射線傳播方向上在高濃度和低濃度之間重復地改變。根據本發明的另一方面，一種用于制造上述放射圖像檢測設備的方法包括在基板上形成所述光電檢測器；以及從所述光電檢測器剝離所述基板。利用所述構成和方法，分別在所述光電檢測器的兩側上設置閃爍器，以將所述光電檢測器置于它們之間，并且也增強在光電檢測器附近的活化劑濃度。結果，可以實現發光量的進一步增大和MTF的進一步改善。


圖I是示意性示出X射線圖像檢測設備的示意構成的側截面圖。圖2是示意性示出傳感器部的示意構成的側截面圖。圖3是示意性示出傳感器部的構成的平面圖。圖4是示意性示出閃爍器晶體結構的側截面圖。圖5是示出柱狀晶體部的電子顯微鏡照片(SEM圖像)。圖6是示出非柱狀晶體部的電子顯微鏡照片(SEM圖像)。圖7A和圖7B分別是示出第一和第二閃爍器的活化劑濃度和發光量的圖。圖8是示意性示出X射線圖像檢測設備的示意構成的側截面圖。圖9是示出適合于圖8的構成的第一和第二閃爍器的活化劑濃度的圖。圖10是示意性示出X射線圖像檢測設備的示意構成的側截面圖。圖11是示意性示出X射線圖像檢測設備的示意構成的側截面圖。圖12是示出傳感器部的變型的示意圖。圖13是示出傳感器部的另一種變型的示意圖。圖14是示意性示出X射線圖像檢測設備的示意構成的側截面圖。圖15A和15B是示出在圖14中的構成中的閃爍器的活化劑濃度和發光量的圖。
具體實施例方式以下將參考圖I至圖7B來描述用于說明本發明的實施方式的X射線圖像檢測設備(放射圖像檢測設備)的示例。此處，在與已經描述的構成類似的構成被分配了相同的附圖標記，并且此后省略或簡化其解釋。下面，將以X射線圖像檢測設備作為一種類型的放射圖像檢測設備來進行說明。以下描述的構成適用于使用諸如α射線、β射線、Y射線等的各種放射線的放射圖像檢測設備。根據使用諸如α射線、β射線、Y射線等的各種放射線的這些放射圖像檢測設備，可以實現與以下描述的那些基本上類似的操作和效果。[I.整體構成]圖I是示意性示出在間接轉換系統中的X射線圖像檢測設備I的示意構成的側截面圖。X射線圖像檢測設備I包括第一閃爍器10和第二閃爍器20，用于將輻射的X射線 (在圖I中的輪廓箭頭)轉換為光；傳感器部40，作為光電檢測器，用于檢測被第一和第二閃爍器10、20轉換為電信號的光；保護膜30，用于覆蓋第一和第二閃爍器10、20 ;以及，分別向第二閃爍器20的相對于X射線入射側的相對側上設置的控制模塊(未示出)。保護膜30在其上沉積了第一閃爍器10的支持件11和其上沉積了第二閃爍器20的支持件21之間密封第一和第二閃爍器10、20和傳感器部40。通過氣相沉積方法由聚對二甲苯等形成該保護膜30。該聚對二甲苯保護膜30具有相對于閃爍器10、20的良好粘附性，并且也具有柔性。因此，該保護膜30對于支持件11、21等的彎曲具有良好的追蹤(follow-up)性能。在X射線圖像檢測設備I中，從第一閃爍器10側向第二閃爍器20側輻射通過被攝體的X射線(輪廓箭頭)。支持件11的表面構成X射線入射平面11A。當X射線入射在第一閃爍器10上時，第一閃爍器10吸收X射線以發光,然后,光入射在傳感器部40的F1D41上。在H) 41中累積的電荷作為電信號從TFT 42輸出。而且，X射線通過傳感器部40，并且入射在第二閃爍器20上。當X射線入射在第二閃爍器20上時，該第二閃爍器20也吸收X射線，然后發光，然后光入射在傳感器部40的PD 41 上。在圖I中所示的示例中，通過將遠離X射線入射平面IlA的第二閃爍器20的厚度設置得大于第一閃爍器10的厚度來獲得在第二閃爍器20的發光量上的增大。在該情況下，可以適當地確定第一和第二閃爍器10、20各自的厚度。各個控制模塊(未示出)具有作為用于驅動/控制傳感器部40的控制部的IC ；電路基板，其上安裝了用于處理圖像信號等的IC;電源電路；等。該控制模塊與第一和第二閃爍器10、20以及傳感器部40集成地組裝。[2.傳感器部的構成]圖2是示意性示出傳感器部40的構成的側截面圖。圖3是示出二維地排列的元件的平面圖。傳感器部40具有其各自由a-Si等形成的PD (光電二極管)41 ;以及，作為薄膜開關器件的TFT (薄膜晶體管)42，其各自由a-Si等形成。各個PD 41被構造得具有將從第一和第二閃爍器10、20入射的光(分別使用在圖2中的實線指示的箭頭)轉換為電荷的光電層。各個TFT 42被布置在在與H) 41相同的平面或基本相同的平面上與H) 41在平面上相鄰的位置中。用于反射光的光反射層42A被分別設置在厚度方向上的TFT 42的兩側上。因為設有光反射層42A，可以抑制TFT 42的開關噪聲的出現。如圖3中所示，二維地排列H) 41，并且各個H) 41對應于由傳感器部40檢測的圖像的像素。如圖3中所不,分別向各個F1D 41設置TFT 42、柵極線43和數據線44。設置各個柵極線43和各個數據線44以延伸到連接終端45，并且經由連接至該連接終端45的、由各向異性導電膜等構成的柔性布線46連接到控制模塊的電路基板。根據從在電路基板上安裝的控制部通過柵極線43提供的控制信號，以行為單位來轉換分別的TFT 42的接通/關斷操作。然后，其TFT 42被保持在接通狀態中的H) 41的電荷被作為圖像信號經由數據線44讀出到電路基板的信號處理部。當以行為單位依序讀出H) 41的電荷時，檢測出二維圖像。

將ro 41和TFT 42通過光刻工藝等形成在由Al、玻璃等構成的基板(未示出)上，然后從該基板剝離。換句話說，X射線從未被基板吸收，因為從傳感器部除去了基板。因此，不僅可以增大經由第一閃爍器10入射在第二閃爍器20上的X射線劑量，而且從第二閃爍器20發射的光可以入射在ro 41上，而不在基板中被吸收。結果，也可以增加入射在ro41上的光量。而且，可以重復利用剝離的基板。關于從基板剝離傳感器部40的方法，在信息上利用諸如JP-A-2000-133809、JP-A-2003-66858、JP-A-2003-45890 等的文獻。在此，當通過除基板剝離之外的化學溶解方法或拋光方法將基板變薄或除去時，可以獲得與基板剝離類似的優點。在圖2中，通過樹脂膜47來平坦化在厚度方向上的傳感器部40的兩個側表面，但是可以省略該樹脂膜47。傳感器部40分別經由粘結層48被粘貼在第一和第二閃爍器10、20上。因此，第一和第二閃爍器10、20分別經由粘結層48緊密地粘結到傳感器部40。在此，可以分別在傳感器部40與第一和第二閃爍器10、20之間消除粘結層48和樹脂膜47。而且，第一和第二閃爍器10、20可以分別被壓緊抵靠傳感器部40的表面，并且被強制直接粘住該表面。構成分別設置在傳感器部40與第一和第二閃爍器10、20之間的樹脂層的樹脂沒有特別的限制，所述樹脂層例如是平坦化層、粘結層、由透明液體或凝膠等形成的匹配油層等。如果樹脂幾乎不衰減從第一和第二閃爍器10、20發射的閃爍光并且允許該光到達傳感器部40，則可以使用這些樹脂。可以使用聚酰亞胺、聚對二甲苯等作為構成平坦化層的樹脂。沉積性能良好的聚酰亞胺是優選的。作為構成粘結層的粘結劑，對于從第一和第二閃爍器10、20發射的閃爍光在光學上透明的材料是優選的。例如，可以列出熱塑性樹脂、UV固化粘結劑、熱固性粘結劑、室溫可固化粘結劑、雙面粘結片等。從圖像的銳度應當不變差的角度看，優選的是，應當使用由低粘度環氧樹脂制成的粘結劑，因為可以形成相對于傳感器部40的像素大小足夠薄的粘結層。而且，從靈敏度和畫面質量的角度看，優選的是，諸如平坦化層、粘結層等的樹脂層的厚度應當被設置為50微米或更小。更優選的是，該樹脂層的厚度應當被設置為5微米至30微米。[3.閃爍器的構成][3-1.支持件]支持件11由諸如Al等的材料形成，該材料的X射線透射率高但是該材料像板那樣反射光。支持件11不限于由Al制成的板，并且可以適當地選自碳板、CFRP (碳纖維增強塑料)、玻璃板、石英基板、藍寶石基板等。而且，只要閃爍器可以形成在支持件的表面上，支持件11不特別局限于它們。在此，在也將支持件11用作光反射構件的情況下，諸如Al等的光金屬可以被用作支持件的材料。支持件21可以由與支持件11類似的材料形成。因為在使用X射線照射的支持件 11側的相對側上布置支持件21，所以該支持件21可以由X射線透射率小的材料形成。在此，支持件11、21不是X射線圖像檢測設備I必不可少的。即，可以在使用用于氣相沉積的基板的同時通過氣相沉積來形成閃爍器，然后，可以將該閃爍器從基板剝離，并使用。而且，可以在閃爍器的與傳感器部40側相對的側上設置光反射構件。[3-2.熒光材料]通過向作為活化劑的CsI的基質材料中加入Tl來形成第一和第二閃爍器10、20。可以通過加入Tl來增強發光量。在該示例中的第一和第二閃爍器10、20被其中熒光材料像柱狀物那樣生長的柱狀晶體組形成，并且通過使用CsI:Tl(鉈激活的碘化銫)作為材料而形成。而且，可以將NaIiTl (鉈激活的碘化鈉)、CsI :Na(鈉激活的碘化銫)等用作第一和第二閃爍器10、20的材料。因為發射光譜適合于a-Si光電二極管的光譜靈敏度的最大值(在550nm附近)，優選的是，CsIiTl應當被用作材料。在此，第一和第二閃爍器10、20可以形成得不包含柱狀晶體。例如，可以通過向支持件施加GOS (Gd2O2S: Tb (鋱激活的三硫化釓))來形成第一和第二閃爍器10、20。[3-3.在閃爍器之間的距離]如上所述，因為通過從基板剝離而獲得傳感器部40，并且H) 41和TFT 42彼此在平面上相鄰地布置，所以第一和第二閃爍器10、20彼此很接近地排列。優選的是，在第一和第二閃爍器10、20的相互相對的表面之間的距離應當被設置為40微米或更小。更優選的是，這樣的距離應當被設置為30微米或更小。以這種方式，可以通過縮短在第一和第二閃爍器10、20之間的距離來改善MTF。[3-4.閃爍器的晶體結構]圖4是示意性示出閃爍器10的晶體結構的側截面圖。第一閃爍器10具有由柱狀晶體組12A形成的柱狀部12 ;以及，非柱狀部13，其包含在柱狀晶體12A的基端上形成的非柱狀晶體13A。在此，非柱狀部13具有下述的光反射特性，并且也有助于在向支持件11的粘結上的改善和在柱狀晶體12A的結晶度上的改善。但是，可以不形成該非柱狀部13。即使當未提供非柱狀部13時，也可以通過由Al等制成的支持件11向傳感器部40反射光。響應于X射線輻射從第一閃爍器10發射的熒光被柱狀晶體12A引導到柱的高度方向(晶體生長方向)上，然后入射在傳感器部40上。此時，向支持件11側傳播的光的一部分被支持件11反射，并且入射在傳感器部40上。(柱狀部的構成)
柱狀部12是大量柱狀晶體12A的聚集體。在圖4中所示的示例中，各個柱狀晶體12A基本上垂直于支持件11而直立。在該示例中的柱狀晶體12A形成得像在頂端側上逐漸變細的形狀。可以拋光柱狀晶體12A的頂端部。多個柱狀晶體12A的頂端部與傳感器部40的一個像素(PD41)相對。柱狀晶體12A具有相較非柱狀晶體更良好的結晶度，并且分別具有熒光的大量發光。而且，經由空隙彼此相鄰的柱狀晶體12A被設置為在支持件11的厚度方向上直立。因此，柱狀晶體12A作為光導，以在柱狀物的高度方向上引導光。因為可以基于由柱狀晶體12A給出的光導效果來抑制在像素之間的光的擴散，所以可以增大檢測的圖像的銳度。圖5是在圖4中的A-A截面(在柱狀部12的高度方向上的幾乎中心的截面)中所取的柱狀部12的電子顯微鏡照片。在相鄰的柱狀晶體12A之間存在空隙(在圖5中看起來暗的部分)。各個柱狀晶體12A在晶體的生長方向上具有幾乎一致的截面直徑。相鄰的柱狀晶體12A在柱狀部12的區域的一部分中粘結在一起，以構成一個柱狀體(例如，在 圖5中的P)。考慮到與所需要的靈敏度對應的X射線吸收能力，柱狀部12的厚度在乳房X射線攝影應用中被設置為大約200微米，并且在普通的射線攝影應用中被設置為500微米或更大。在該情況下，即使柱狀部12的厚度被設置得太厚，光發射的利用率趨向于因為光的吸收、散射等而降低。因此，在分別考慮靈敏度和光發射的利用率的情況下，將柱狀部12的厚度確定在適當值。(非柱狀部的構成)如圖4中所示，將非柱狀部13構造得包含基本為球形或不確定形狀的非柱狀晶體13A。在一些情況下，非柱狀部13可以包含非晶部分。從容易在晶體之間保持空隙并且可以高度提高反射效率的方面看，優選的是，非柱狀晶體13A的形狀應當基本是球形的。即，優選的是，應當通過準球形晶體(作為基本為球形晶體的非柱狀晶體13A)的組裝來構造非柱狀部13。圖6是在圖4中的B-B截面(在非柱狀部13的厚度方向上的基端側上的截面)中所取的非柱狀部13的電子顯微鏡照片。在非柱狀部13中，其中各自具有比在圖5中的柱狀晶體12A小的直徑的非柱狀晶體13A不規則地彼此結合或彼此重疊，并且因此，在晶體之間很少出現清楚的空隙。在圖6中的空隙在數量上小于在圖5中的空隙。從在圖5和圖6中的觀察結果可以認識到，非柱狀部13的空隙率小于柱狀部12的空隙率。基于在支持件11上的非柱狀部13的沉積面積、非柱狀部13的厚度、CsI密度、實際測量的閃爍器板的重量等來計算非柱狀部13的空隙率。在非柱狀部13的厚度方向上以這種方式計算的總的空隙率小于10%。非柱狀部13對應于在支持件11上的氣相沉積的初始階段中形成的區域。在非柱狀部13中與支持件11的表面接觸的部分的空隙率變為O或幾乎為O。非柱狀部13的基端部分在其與支持件11的整個接觸表面緊密地粘結到支持件11。優選的是，非柱狀部13的厚度應當被設置得比柱狀部12的厚度薄，并且被設置為等于或大于5微米且小于或等于125微米。為了保持與支持件11的粘結，優選的是，非柱狀部13的厚度應當被設置為5微米或更大。而且，當沒有光導效應的非柱狀部13的厚度被設置得太厚時，在非柱狀部13中的光在像素之間交混，并且因此，容易引起圖像的模糊。因此，優選的是，應當將非柱狀部13的厚度設置為125微米或更小。而且，實現非柱狀部13粘結到支持件11和光反射功能的最小厚度對于非柱狀部13的厚度來說足夠。在此，根據制造條件等，在一些情況下，以堆疊的多層而不是單層來構造非柱狀部13。在該情況下，非柱狀部13的厚度表示從支持件11的表面至非柱狀部13的最外層的表面相加的總和厚度。在像非柱狀部13那樣粘結相鄰晶體的情況下的晶體直徑的測量中，通過連接在相鄰的非柱狀晶體13A之間產生的凹陷(凹部)而設置的線被看作晶體之間的晶界，然后，分離粘結的晶體以形成最小多邊形，然后，測量各個晶體直徑，然后，以與在柱狀部12中的柱狀晶體12A的直徑類似的方式獲取測量的晶體直徑的平均值，并且然后，將該值用作晶體直徑。 從向非柱狀晶體13A提供有效反射特性和對于支持件11的粘結的方面看，優選的是，在非柱狀部13中的非柱狀晶體13A的直徑應當被保持在大于O. 5微米但是小于7. O微米。非柱狀晶體13A的直徑小于柱狀晶體12A的直徑。在此，因為可以容易地維持基本為球形的晶體形狀，優選的是非柱狀晶體13A的直徑應當形成得較小。在該情況下，當非柱狀晶體13A的直徑過小時，空隙率變得更接近于O,并且因此，非柱狀部13不能實現光反射層的作用。因此，優選的是，非柱狀晶體13A的直徑應當被保持在大于O. 5微米。相反，當非柱狀晶體13A的直徑過大時，非柱狀部13的均勻性和空隙率變差，并且，對于支持件11的粘結性降低。而且，因為晶體相互結合，空隙率降低，并且反射效果變差。因此，期望非柱狀部13的晶體直徑應當被保持在小于7. O微米。基于當從頂部看時的非柱狀部13的面積、非柱狀部13的厚度、CsI密度、實際測量的閃爍器板的重量等來計算非柱狀部13的空隙率。在非柱狀部13的厚度方向上以這種方式計算的總的空隙率小于10%。因為形成該非柱狀部13，可以在將結晶度保持得良好的狀態中在非柱狀部13的基礎上生長柱狀晶體12A。而且，可以從結晶度被保持得良好的柱狀部12發射光，然后，向傳感器部40的相對側傳播的光可以被非柱狀部13反射，并且被導致輸入到傳感器部40內。因此，向傳感器部內入射的光的數量增加，并且，可以增強可獲得的發光量。通過考慮光反射特性、對于支持件11的粘接性等來確定非柱狀晶體13A的直徑、厚度、空隙率等。而且，像以上的第一閃爍器10那樣，第二閃爍器20被構造為具有柱狀部12以及形成在柱狀部12的基端上的非柱狀部13。因為向第二閃爍器20設置了非柱狀部，所以改善了在支持件21和第二閃爍器20之間的粘結性。因此，即使在從控制模塊傳熱時，也使得難以從支持件剝離第二閃爍器20。[3-5.閃爍器制造方法]優選的是，應當通過氣相沉積方法在支持件11的表面上形成如上的第一和第二閃爍器10、20。在此，將以使用CsI:Tl的模式作為示例來進行說明。關于氣相沉積方法的總結，在O. 01至IOPa的真空度的環境中，分別通過向電阻加熱型坩堝的部件等供應電力將作為基質材料的CsI和作為活化劑的Tl加熱和蒸發，并且然后，通過將支持件11的溫度設置為室溫(20°c )至300°C以在支持件上沉積CsI:Tl。
在此，當通過改變向Tl坩堝施加的電力來改變Tl加熱溫度、改變真空度等時，可以形成活化劑濃度在晶體生長方向上不同的閃爍器。例如，可以通過增強向Tl坩堝施加的電力來增強活化劑濃度，反之可以通過降低向Tl坩堝施加的電力來降低活化劑濃度。另夕卜，可以通過改變諸如硫酸鉈、氧化鉈、碘化鉈、碳酸鉈等的活化劑的類型(改變含鉈的化合物)來改變活化劑濃度。可以通過將含鉈的化合物的改變與沉積室溫度的改變相結合來改變活化劑濃度。此外，可以通過使用離子注入的摻雜來改變活化劑濃度。而且，可以通過改變真空度、支持件的溫度、沉積速率等來控制第一和第二閃爍器10,20的晶體輪廓、晶體直徑、空隙率等。如上的第一和第二閃爍器10、20與傳感器部40經由粘結層48粘貼在一起。具體地，傳感器部40形成在由Al、玻璃等制成的基板(未示出)上，然后，第一和第二閃爍器10、20經由粘結層48粘貼到一個基板上，然后，從基板剝離傳感器部40。然后，將另一閃爍器經由粘結層48粘貼到傳感器部40，然后形成保護膜30。因此，制造了 X射線圖像檢測設備
Io在該情況下，當可以通過其他手段實現分別的閃爍器的防潮時，例如，當通過防潮膜以氣密或水密的方式包裹第一和第二閃爍器10、20時，可以不形成保護膜30。而且，將各個閃爍器和傳感器部40粘結在一起的方法沒有特別的限制。如果可以光學地粘結兩個構件，則可以使用任何方法。作為將兩個構件粘結在一起的方法，可以采用使得兩個構件彼此直接相對并且將它們粘結在一起的方法和使得兩個構件經由樹脂層粘結在一起的方法中的一種。[3-6.活化劑濃度(活化劑濃度)]圖7B示出第一和第二閃爍器10、20的活化劑濃度分布。以從X射線入射側起的低濃度^、高濃度Dh和低濃度^的順序來改變第一和第二閃爍器10、20的活化劑濃度分布。在圖7B中所示的虛線指示傳感器部40。位于傳感器部40兩側上的第一和第二閃爍器10、20分別在傳感器部40附近具有高活化劑濃度區域R1和高活化劑濃度區域R2，在該高活化劑濃度區域中，活化劑濃度比在閃爍器中與傳感器部40側的相對側上的活化劑濃度相對較高。在圖7A和圖7B中的示例中，分別在第一和第二閃爍器10、20上設置高活化劑濃度區域。在此，當至少在X射線入射側上布置的第一閃爍器10中設置高活化劑濃度區域R1時，可以省略高活化劑濃度區域R2。在該情況下，因為布置在X射線入射側的第一閃爍器10具有比第二閃爍器20大的X射線吸收劑量并且具有大的發光量，重要的是，將第一閃爍器10的活化劑濃度設置為高水平。在此，適當地確定高活化劑濃度區域Rp R2的厚度。在圖7A和圖7B中的示例中，在高活化劑濃度區域&、1 2中的活化劑濃度被設置為相同的高濃度Dh，但是可以設置不同的活化劑濃度。而且，分別在第一和第二閃爍器10、20中，在與傳感器部40遠離的區域中的活化劑濃度被設置為比高濃度Dh低的低濃度隊。該低濃度^可以被設置為O。即，與傳感器部40遠離的區域可以由其中未加入Tl的CsI形成。圖7A示出了每個第一和第二閃爍器10、20的發光量。在圖7A中使用實線指示的發光量對應于在第一閃爍器10的高活化劑濃度區域R1中的發光量，而在圖7A中使用虛線指示的發光量對應于在第二閃爍器20的高活化劑濃度區域R2中的發光量。在圖7A中所示的發光量的山狀輪廓指示分別在圖7B中所示的第一和第二閃爍器10、20的部分P1、P2的對應的寬度中的發光量的陡度。這些部分P1、P2的兩個活化劑濃度示出了高濃度Dh，而與在圖7B中的橫坐標無關。在此，在分別示出在僅使用一個閃爍器的情況下(圖14)的活化劑濃度分布的圖15A與圖7A之間的比較中，可以認識到，在圖7A中閃爍器的與X射線入射平面遠離的部分中的發光量(在圖7A中使用點劃線指示的發光量)比在圖15A中的相同部分中的發光量(在圖15A中使用點劃線指示的發光量)大且陸。而且，在圖7A中使用實線和點劃線指示的分別的發光量(涉及部分P1、P2)基本上相等，并且，分別的陡度示出了基本類似的輪廓。因為在圖15A中的閃爍器構成中在X射線入射側上的活化劑濃度被設置為高活化劑濃度，所以在圖7A中使用實線指示的發光量小于在圖15A中使用實線指示的發光量。相反，通過相加在圖7A和圖7B中的使用點劃線指示的發光量和使用實線指示的發光量(對應于部分P1、P2)而獲得的總的發光量大于在圖15A和圖15B中的總發光量。換句話說，可 以將所有閃爍器的厚度t2 (第一和第二閃爍器的總的厚度)設置為小于當僅使用一個閃爍器時所需的閃爍器的厚度h (圖15A和圖15B)。因此，可以促進在厚度上的減小，并且也可以通過減小昂貴的熒光材料的使用量來獲得在成本上的降低。此外，根據在圖15A和圖15B中的活化劑濃度分布，可以改善MTF，因為當一起考慮部分P1、P2時獲得的發光量的陡度得到改善。在此，當未在第二閃爍器20中設置高活化劑濃度區域R2時，即，當在第二閃爍器20中的部分P2中的活化劑濃度低或為O時，那時的發光量變得小于在圖7A中使用點劃線指示的發光量。在該情況下，通過相加該發光量和在部分Pl中的發光量(在圖7A中的實線)而獲得的總的發光量也可以被增加至大于在圖15A和圖15B中的情況。更具體地將高活化劑濃度區域RpR2定義如下。即，高活化劑濃度區域RpR2對應于其中活化劑濃度大于活化劑濃度半值Dm的區域，該活化劑濃度半值Dm對應于分別在第一和第二閃爍器10、20中的厚度方向(晶體生長方向)上改變的活化劑濃度的改變寬度(活化劑濃度改變寬度)W的1/2。在此，高活化劑濃度區域RpR2分別僅作為高活化劑濃度區域的例證被給出。在各個閃爍器中，高活化劑濃度區域和其中活化劑濃度較低的區域不總是被理解為將閃爍器在高度方向上劃分為兩個部分的區域。可以考慮下述情況理解為其中活化劑濃度分別不同的多個區域。而且，只要在傳感器部40附近的活化劑濃度被保持得高，具體活化劑濃度分布不受限制。在圖7B中的第一閃爍器10的活化劑濃度分布中，活化劑濃度可以沒有梯度，并且可以不連續地改變。另外，活化劑濃度可以是階梯性的梯度或線性的梯度，并且可以在晶體高度方向上改變。在該情況下，其中活化劑濃度比例如活化劑濃度半值DM高的區域也可以被理解為高活化劑濃度區域。作為如上的傳感器部40、各個閃爍器的支持件等，例如可以使用OPC(有機光電材料)、有機TFT、使用非晶氧化物(例如，a-IGZO)的TFT、柔性材料(芳族聚酰胺、生物納米纖維)等。如下將描述這些器件相關的材料。[4.活化劑濃度的操作和效果]根據如上所述的X射線圖像檢測設備1，可以獲得下面的操作和效果。
在布置于傳感器部40的兩側上的第一和第二閃爍器10、20中，因為增強了在傳感器部40附近的活化劑濃度(高活化劑濃度區域RpR2)，所以可以實現在來自遠離X射線入射平面IlA的第二閃爍器20的傳感器部40附近部分的發光量的增大和發光擴散(spread)的抑制。因此，在使用來自X射線入射側和傳感器部40側的X射線照射閃爍器的構成中，除了在閃爍器的X射線入射側上的主發光區域中的活化劑濃度的增強之外，可以進一步增強發光量(圖14)。因此，因為入射在傳感器部40上的可用發光量增大，可以改善檢測能力。另外，因為改善了遠離X射線入射平面IlA的第二閃爍器20中的發光分布的陡度，所以可以比在圖14中的情況更多地改善MTF。結果，可以改善檢測的圖像的銳度。而且，通常，當增大活化劑濃度時，結晶度傾向于陷入無序。然而，因為其中活化劑濃度高的區域位于柱狀晶體12A的頂端側上，所以與活化劑濃度高的情況相反，可以在柱狀晶體12A的初始生長階段中抑制結晶度的無序，并且可以抑制MTF的變差。假定活化劑濃度分別在支持件11、21側上較高，在沉積初始階段中的結晶度的無 序對于后來生長的高活化劑濃度區域％、R2的結晶度有嚴重的影響。在其中結晶度無序的部分中引起光擴散和吸收，這引起了 MTF的變差。相反，在本構成中，活化劑濃度在支持件11、21側上較低，但是，活化劑濃度在柱狀晶體12A的頂端側(高活化劑濃度區域RpR2)上較高。因此，在保持結晶度的同時可以生長晶體，因此，可以在柱狀晶體12A的高度方向上的基本整個范圍上保持光導效應。因此，可以抑制MTF的變差。如上所述，根據X射線圖像檢測設備1，可以在將第一和第二閃爍器10、20布置在傳感器部40的兩側上的構成中實現發光量和MTF的進一步改善。根據該X射線圖像檢測設備1，能夠以高靈敏度和高清晰度來檢測X射線圖像。在圖I中所示的X射線圖像檢測設備I中，可以使用在如下所述的圖9中所示的脈沖狀活化劑濃度分布。因此，可以抑制因為結晶度的無序引起的MTF的變差。而且，因為在脈沖狀活化劑濃度分布中在最接近傳感器部40的部分中的活化劑濃度被設置為低濃度^，所以可以保持柱狀晶體12A的頂端部的強度。因為可以保證柱狀晶體12A的頂端部的強度，所以可以防止當將閃爍器粘貼在一起時或當閃爍器板承受負載時的閃爍器的損壞，并且，可以提高閃爍器板的負載能力。[5.在其他模式中的X射線圖像檢測設備]接下來，以下將描述分別具有與在圖I中所示的X射線圖像檢測設備I不同的構成的X射線圖像檢測設備2至4(圖8、圖10和圖11)。這些X射線圖像檢測設備2至4可以配備有與上面的X射線圖像檢測設備I的詳細構成類似的構成，因此配備有與在X射線圖像檢測設備I中所述的那些類似的操作和效果。而且，可以在X射線圖像檢測設備2至4中使用如下所述的各種傳感器部和各種器件材料。圖8示出X射線圖像檢測設備的另一示例以解釋本發明的實施方式。X射線圖像檢測設備2的第二閃爍器25不沉積在作為沉積基板的支持件21上(圖I)，而是沉積在傳感器部40上。即，通過在從基板剝離傳感器部40之前在傳感器部40上生長柱狀晶體12A來形成第二閃爍器25。在該情況下，可以在傳感器部40和在第二閃爍器25中的柱狀部12之間形成上面的非柱狀部13 (圖4)。在此，以任何速率從傳感器部40剝離和從傳感器部40除去沉積基板。因此，不必使用諸如玻璃等的透明基板來用作傳感器部40的沉積基板，并且，可以使用金屬沉積基板。因為不可能說CsI與熱導率低的玻璃等的粘結性良好，所以可以通過在金屬沉積基板上形成的傳感器部上沉積閃爍器來改善第二閃爍器25與傳感器部40的粘結性。在圖7B中所示的第一和第二閃爍器的活化劑濃度分布也可以被應用到在圖8中的X射線圖像檢測設備2。即，如圖7B中所示，第一和第二閃爍器可以分別具有高活化劑濃度區域Ri、尺2。圖9示出在圖8中的X射線圖像檢測設備2中的、比在圖7A和圖7B中的那些更優選的活化劑濃度。如圖9中所示，第二閃爍器25在傳感器部40附近具有脈沖狀活化劑濃度區域RP，其中，像重復脈沖那樣提高/降低活化劑濃度。在脈沖狀活化劑濃度區域Rp中， 在高濃度Dh和低濃度^之間一次或多次地重復改變活化劑濃度。優選的是，在脈沖狀活化劑濃度區域Rp中設置的、在最接近傳感器部40的位置中的活化濃度應當是低濃度隊。在第二閃爍器25中，晶體生長的初始部分是其中活化劑濃度較高的區域，因此，當提高活化劑濃度時，結晶度的無序變得顯著。因為這個原因，如圖9中所示，當進行以在高濃度和低濃度之間一次或多次地重復活化濃度的方式施加的脈沖狀活化時，可以在抑制結晶度的無序的同時在高濃度部分中有效地實現發光量和MTF的改善。除了在圖8中所示的模式之外，可以使用其中脈沖的高和低值的至少一個逐漸增大和逐漸減小的重復脈沖。可選地，可以使用諸如三角波形、鋸齒波形等的波形。在此，因為像在圖9中所示的第二閃爍器25的活化劑濃度分布那樣，在最接近傳感器部40的位置中活化劑濃度較低，所以可以獲得可以改善閃爍器的強度的優點。即，隨活化劑濃度的增大，可以增大發光量，然而，引起結晶度的無序，因此，降低了其中結晶度無序的部分的強度。因此，擔心當閃爍器被粘貼到傳感器部40時或當閃爍器板承受負載時柱狀晶體12A的頂端部受損。由于這個原因，可以通過降低在傳感器部40附近的活化劑濃度來保持柱狀晶體12A的頂端部的強度。因此，可以提高X射線圖像檢測設備的負載能力，并且，可以改善耐沖擊性。具體地，可以實現下述優點當X射線圖像檢測設備被粘貼到諸如盒頂板等的外殼等上時，即使閃爍器承受來自外殼的負載，閃爍器也很少被損壞。而且，因為Tl激活會降低CsI的耐吸濕性，所以擔心在制造或使用時在通過保護膜30和傳感器部40降低閃爍器的密封性能的情況下閃爍器的性能開始變差。而且，因為在第二閃爍器25端部的活化劑濃度被設置得低，所以即使當降低密封性能時，第二閃爍器25的端部可以保持耐吸濕性，因此，可以抑制閃爍器的性能變差(可以延遲該變差)。作為在密封性能上的變差的原因，可以考慮各種原因，例如在粘結時撕開了保護膜30，因為柱狀晶體12A的頂端部較窄而使閃爍器在其他時間脫離，在其中通過沖擊等從傳感器部40部分地剝離保護膜30的部分處耐吸濕性降低，等。而且，從基板剝離傳感器部40的情況對應于使得閃爍器的密封性能變差的主要原因。在該情況下，閃爍器可以保持相對于易于通過傳感器部40滲入閃爍器中的水分的耐吸濕性，并且因此，可以抑制性能的變差。在該情況下，優選的是，應當以下述厚度形成薄的閃爍器的端部部分(在此為柱狀晶體12A的頂端部)，在該端部部分周圍，要降低活化劑濃度所述厚度使得可以保證承受當粘貼閃爍器時、當從外部施加負載時等的負載的強度，并且可以保持耐吸濕性。優選的是，在其周圍要降低活化劑濃度的部分的厚度應當小于50微米。當能夠以這種方式得到薄的厚度時，可以忽略在所涉及的部分中的光的衰減、擴散等。而且，優選的是，考慮到保證強度，應當將所涉及部分的厚度設置為超過5微米。因為可以保證閃爍器的強度，所以即使當在粘貼傳感器部時該閃爍器被強力壓緊抵靠傳感器部時，閃爍器也從不被損壞。因此，可以將閃爍器和傳感器部40經由保護膜30均勻地粘結在一起。當在閃爍器和傳感器部40之間的粘結顯示不均勻性時，不均勻性易于出現在檢測的圖像中。但是可以消除這樣的情況，并且可以使檢測的圖像的畫面質量均勻化。在制造圖8中的X射線圖像檢測設備2時，傳感器部40和第二閃爍器25依序形成在基板(未示出)上。然后，從基板剝離傳感器部40。在該情況下，優選的是，在剝離之前，應當在第二閃爍器25的與傳感器部40相對的側上的端部部分(柱狀部12的頂端部)上粘貼由Al、塑料等制成的支持構件(未示出)。因為可以通過該支持構件來保持在柱狀晶體12A之間的距離，所以可以防止當從基板剝離傳感器部40時通過它們的相互接觸而損 壞柱狀晶體12A。在從傳感器部40剝離/除去基板，并且經由粘結層48來將第一閃爍器10和傳感器部40粘貼在一起之后，然后，除去支持基板，并且然后通過形成保護膜3以在支持件11上密封第一和第二閃爍器10、25。因此，制造了 X射線圖像檢測設備2。如上所述，在制造圖I中所示的X射線圖像檢測設備I中不需要用于在剝離基板時單獨使用支持構件所需的時間和精力。因此，從這個方面看，在圖I中的構成比在圖8中的構成更有利。而且，將在圖I和圖8中的各個X射線圖像檢測設備1、2作比較，如圖I中所示的結晶度良好的柱狀晶體12A的頂端部與傳感器部40相對的構成的有利之處在于應當如何增加在傳感器部40附近的主發光區域中的發光量。具體地，因為可以補償由閃爍器相對于X射線入射平面IlA的遠距離引起的X射線入射劑量的不足，所以考慮到光電轉換性能(在獲得發光量的增大的意義上)下述構成是優選的第二閃爍器20應當形成在支持件11上，使得如圖I中所示，在遠離X射線入射平面IlA的第二閃爍器20中的傳感器部40的鄰近區域位于柱狀晶體12A的頂端部處。圖10示出X射線圖像檢測設備的又一示例，以解釋本發明的實施方式。在X射線圖像檢測設備3中，與在圖8中的X射線圖像檢測設備2相反，通過氣相沉積在傳感器部40上形成第一閃爍器15。在圖7A和圖7B中的活化劑濃度分布也可以被應用到圖10中的X射線圖像檢測設備3。優選的是，像在圖9中的脈沖狀活化劑濃度區域Rp那樣，應當取代在圖7A和圖7B中的高活化劑濃度區域R1而在第一閃爍器15的傳感器部40的附近設置活化劑濃度以脈沖狀形式改變的區域。在關于圖8中的X射線圖像檢測設備2的描述中，通過交換第一閃爍器和第二閃爍器，可以描述在圖10中的X射線圖像檢測設備3的構成及其制造方法。將圖I和圖10中的各個X射線圖像檢測設備1、3作比較，圖I的構成有利之處在于不需要用于剝離基板所需的時間和精力。而且，將圖8和圖10中的各個X射線圖像檢測設備2、3作比較，在圖10中直接沉積第一閃爍器10，因此，在位于在第一閃爍器10中的傳感器部40附近并且其活化劑濃度較高的部分中的結晶度不好。相反，在圖8中在第一閃爍器10中的結晶度良好的柱狀晶體的頂端部處的活化劑濃度較高，因此，在圖10中的構成的有利之處在于可以改善MTF。
圖11示出X射線圖像檢測設備的又一示例，以解釋本發明的實施方式。在X射線圖像檢測設備4中，將第一和第二閃爍器15、25通過氣相沉積形成在傳感器部40上。在圖7A和圖7B中的活化劑濃度分布也可以被應用到該X射線圖像檢測設備4。優選的是，應當在第一和第二閃爍器15、25中設置在圖9中所示的脈沖狀活化劑濃度區域RP。在制造圖11中的X射線圖像檢測設備4中，依序在基板(未示出)上形成傳感器部40和第二閃爍器25。然后，優選的是，應當在第二閃爍器25與傳感器部40相對的側上的端部部分(柱狀部12的頂端部)上粘貼由Al、塑料等制成的支持板(未示出)以支持柱狀晶體12A，然后，應當從基板剝離傳感器部40。在剝離基板后，在傳感器部40上沉積第一閃爍器15，然后，除去支持構件，然后，通過氣相沉積形成保護膜30。因此，制造X射線圖像檢測設備4。[6.傳感器部的變型]
圖12示出可以被在圖2中所示的傳感器部40替代的另一傳感器部140。傳感器部140包括多個TFT 452，其中各個TFT 452被分配至一個像素；以及，多個H) 451，其中兩個H) 451分別被布置在TFT452的兩側的厚度方向上，并且通過堆疊H) 45KTFT 452和PD 451來構造傳感器部140。因為以這種方式堆疊H) 451和TFT 452，可以縮短在傳感器部140的兩側上的第一和第二閃爍器之間的距離。如上所述，在第一和第二閃爍器之間的距離被保持在小于40微米。在圖2的構成中，PD 41和TFT 42被布置在同一平面或基本同一平面上，并且光從第一和第二閃爍器10、20入射到各個ro 41上。相反，在圖12的構成中，各個ro 451,451被設置于在TFT 452的兩側上的X射線傳播方向上，因此，從第一閃爍器發射的光入射到設置于第一閃爍器側的一個ro 451上，而從第二閃爍器發射的光入射到另一 ro 451上。因為在圖12中的ro 451可以比在圖2中的ro 41更寬地保持光接收表面，所以可以增加在PD上的入射光量，并且也可以改善光收集效率。而且，各個PD 451，451在TFT 452側上具有光反射層451A，因此，可以降低TFT452的開關噪聲。而且，可以在圖2中的傳感器部40和在圖12中的傳感器部140中使用由非晶氧化物半導體(a-IGZO)形成的TFT。a_IGZ0在350nm或更大的波長上具有靈敏度，并且a_IGZ0在可見光范圍內基本不具有靈敏度。因此，可以忽略光反射層。而且，可以將有機材料用作H)和TFT。圖13示出光電轉換元件461，其各自由OPC(有機光電材料)形成；以及，TFT 462，其各自由有機材料形成。在圖2中所示的傳感器部40也可以被替換為傳感器部240，傳感器部240具有光電轉換元件461和TFT 462。被用作光電轉換元件461和TFT 462的有機材料幾乎不引起X射線吸收。因此，可以增加通過光電轉換元件461和TFT 462并且到達第二閃爍器的X射線的量。在此，在發射綠色光的CsI: Tl被用作閃爍器，奎納克林被用作光電轉換元件461的0PC，并且TFT的透明有機材料由在例如JP-A-2009-212389中給出的化學式I的酞菁化合物、化學式2的萘酞菁化合物等形成的情況下，即使當不像圖13那樣不設置光反射層時也幾乎不產生TFT的開關噪聲。當未設置光反射層時，在一些情況下，從布置在第一閃爍器側上的光電轉換兀件461向第二閃爍器側泄漏光。在該情況下，因為大部分泄漏光入射在與相同像素對應的第二閃爍器側上的光電轉換元件461上，所以不產生問題。
在圖13中，圖示了將光電轉換元件461分別布置在TFT的兩側上的示例。如圖2中所示，可以在相同平面或基本相同的平面上布置光電轉換元件461和TFT 462。[7.能量減影攝影板]順便提及，可以通過使用兩個閃爍器來構造能量減影攝影板。在該情況下，通過對于放射線X的靈敏度(K吸收限和發射波長)相互不同的熒光材料來構造第一和第二閃爍器。具體地，第一閃爍器采集由通過被攝體的放射線中的低能量放射線表示的局部軟組織的低電壓圖像。因此，通過放射吸收率μ在高能量部分沒有K吸收邊，即放射吸收率μ從不在高能量部分內間斷地增加的熒光材料來構造第一閃爍器。而且，第二閃爍器采集由通過被攝體的放射線中的高能量放射線表示的局部硬組織的高電壓圖像。因此，通過放射吸收率μ在高能量部分中大于在第一閃爍器中使用的熒光材料的放射吸收率μ的熒光材料來構造第二閃爍器。

在此，“局部軟組織”包括肌肉、內部器官等，并且表示除了諸如皮質骨和/或松質骨等的骨組織之外的組織。而且，“局部硬組織”被稱為硬組織，并且表示諸如皮質骨和/或松質骨等的骨組織。如果被分別用作第一和第二閃爍器的熒光材料具有對于放射能量相互不同的靈敏度，則可以從通常被用作閃爍器的所有材料適當地選擇被分別用作第一和第二閃爍器的熒光材料。例如，可以從以下給出的表I中列出的熒光材料選擇所述材料。在該情況下，從使得通過攝影獲得的低電壓圖像和高電壓圖像之間的區別更清楚的方面看，優選的是，分別被用作第一和第二閃爍器的熒光材料應當不僅在對于放射的靈敏度上相互不同而且在發光顏色上相互不同。[表 I]
權利要求
1.ー種放射圖像檢測設備，其包括 兩個閃爍器，其將輻射的放射線轉換為光；以及 布置在兩個閃爍器之間的光電檢測器，其將由兩個閃爍器轉換的光檢測為電信號；其中 兩個閃爍器中的至少在放射線入射側上布置的閃爍器中在所述光電檢測器附近的活化劑濃度相對高于該閃爍器中在與光電檢測器側相對的側上的活化劑濃度。
2.ー種放射圖像檢測設備，其包括 兩個閃爍器，其將輻射的放射線轉換為光；以及 布置在兩個閃爍器之間的光電檢測器，其將由兩個閃爍器轉換的光檢測為電信號；其中 兩個閃爍器中的至少ー個閃爍器中在所述光電檢測器附近的活化劑濃度在放射線傳播方向上在高濃度和低濃度之間重復地改變。
3.根據權利要求I或2所述的放射圖像檢測設備，其中 將所述光電檢測器形成在基板上，然后從所述基板剝離。
4.根據權利要求3所述的放射圖像檢測設備，其中 在兩個閃爍器的相對表面之間的距離小于40微米。
5.根據權利要求I或2所述的放射圖像檢測設備，其中 通過堆疊光電層和薄膜開關元件或平面地布置所述光電層和所述薄膜開關元件來構造所述光電檢測器，所述光電層當接收光時顯示導電性，所述薄膜開關元件用于從所述光電層提取電荷。
6.根據權利要求5所述的放射圖像檢測設備，其中 所述光電層和薄膜開關元件的至少ー種由有機材料形成。
7.根據權利要求I或2所述的放射圖像檢測設備，其中 第一和第二閃爍器各自包括由其中相應的熒光材料的晶體已經生長為柱狀形狀的柱狀晶體組形成的柱狀部。
8.根據權利要求7所述的放射圖像檢測設備，其中 所述第一和第二閃爍器的至少ー個包括在所述柱狀部的與光電檢測器側相對的側上形成的非柱狀部。
9.根據權利要求I或2所述的放射圖像檢測設備，其中 所述第一和第二閃爍器之一的熒光材料的基質材料是Csl，并且其活化劑是Tl。
10.根據權利要求I或2所述的放射圖像檢測設備，其中 通過對于所述放射線的靈敏度相互不同的熒光材料來構造所述第一和第二閃爍器。
11.根據權利要求10所述的放射圖像檢測設備，其中 所述第一和第二閃爍器的熒光材料在發光顏色上相互不同。
12.根據權利要求I或2所述的放射圖像檢測設備，其中 所述第一和第二閃爍器之一的熒光材料的基質材料是BaFX，并且其活化劑是Eu。
13.根據權利要求12所述的放射圖像檢測設備，其中 所述第一和第二閃爍器的另ー個的熒光材料的基質材料是Gd2O2S,并且其活化劑是Tb。
14.根據權利要求12所述的放射圖像檢測設備，其中 所述光電檢測器包括與第一和第二閃爍器對應的第一和第二光電檢測器。
15.一種用于制造根據權利要求I至9中的任一項所述的放射圖像檢測設備的方法，所述方法包括 在基板上形成所述光電檢測器；以及 從所述光電檢測器剝離所述基板。
16.根據權利要求15所述的用于制造放射圖像檢測設備的方法，所述方法還包括 在所述基板上形成所述光電檢測器并且將所述第一和第二閃爍器之一與所述光電檢測器粘貼在一起之后，從所述光電檢測器剝離所述基板。
17.根據權利要求15所述的用于制造放射圖像檢測設備的方法，所述方法還包括 分別在分離的支持件上形成所述第一和第二閃爍器； 在將所述第一和第二閃爍器之一與所述光電檢測器粘貼在一起之后，從所述光電檢測器剝離所述基板，并且將所述光電檢測器與所述第一和第二閃爍器的另ー個粘貼在一起。
18.根據權利要求15所述的用于制造放射圖像檢測設備的方法，所述方法還包括 將所述光電檢測器以及所述第一和第二閃爍器之一以此順序形成在所述基板上； 將支持構件與所述閃爍器之一的與所述光電檢測器側相對的側粘貼在一起后，從所述光電檢測器剝離所述基板；以及 在所述光電檢測器上形成所述第一和第二閃爍器的另ー個。
19.根據權利要求15所述的用于制造放射圖像檢測設備的方法，所述方法還包括 將所述光電檢測器與所述第一和第二閃爍器之一以此順序形成在所述基板上； 將支持構件粘貼到所述閃爍器之一的與所述光電檢測器側相對的側上，然后從所述光電檢測器剝離所述基板；以及 在所述光電檢測器上形成所述第一和第二閃爍器的另ー個。
全文摘要
本發明涉及一種放射圖像檢測設備及其制造方法。具體地，本發明涉及一種放射圖像檢測設備，其包括兩個閃爍器，其將輻射的放射線轉換為光；以及，布置在兩個閃爍器之間的光電檢測器，其將由兩個閃爍器轉換的光檢測為電信號；其中兩個閃爍器中的至少在放射線入射側上布置的閃爍器中在所述光電檢測器附近的活化劑濃度(density)高于該閃爍器中在與光電檢測器側相對的側上的活化劑濃度。
文檔編號A61B6/00GK102670221SQ20121003304
公開日2012年9月19日 申請日期2012年2月14日 優先權日2011年2月14日
發明者中津川晴康, 巖切直人, 金子泰久 申請人:富士膠片株式會社