從襯底處理部件去除殘余物的制作方法

專利名稱：從襯底處理部件去除殘余物的制作方法
技術領域：
本發明的實施例涉及從襯底處理部件的表面清潔殘余物。
背景技術：
在處理循環之間，必須周期性地清潔暴露于處理襯底的處理環境中的襯底處理室部件的表面。在襯底處理期間，將襯底置于處理室中并暴露于激發氣體下，以在襯底上沉積材料或蝕刻襯底上的材料。沉積在部件表面上的處理殘余物包括在化學氣相沉積(CVD)或等離子體氣相沉積(PVD)處理中沉積的材料、蝕刻的材料、或甚至是在蝕刻處理中去除的聚合物光刻膠。在接下來的處理周期中，累積的殘余物會從部件表面成片剝落并落在襯底或室內部上且污染襯底或室內部。因此，利用清潔處理周期性地清潔部件表面，該清潔處理包括噴砂法(grit blasting)、使用溶劑或研磨料的擦洗、以及二氧化碳(C02)噴洗法。然而，傳統的清潔方法通常無法完全地清潔部件表面，這會造成部件表面的腐蝕或在部件表面上留下有機清潔沉積物的薄層。處理殘余物的清潔亦可能具有取決于部件表面的組成以及其上覆蓋的殘余物的獨特問題。例如，某些部件表面容易受到傳統清潔溶劑的傷害。例如，用聚合物密封劑密封的陶瓷部件(諸如，靜電吸盤、碳化硅部件與鋁質室壁)是難以清潔的。有機溶劑(諸如，丙酮與異丙醇)會分解、氧化或與這些涂層進行其它化學反應。用含碳聚合殘余物涂覆的聚合物涂覆表面特別難以清潔，因為能夠部分地分解聚合殘余物的清潔溶劑亦可分解下層聚合物密封劑。亦難以從部件(例如，室壁)清潔包括碳沉積物或氟化鋁的處理殘余物。噴砂處理室壁不僅會剝下碳殘余物并且會刮傷或侵蝕陶瓷材料的表面。亦特別難以去除沉積在室壁上含有密集的氟化鋁膜的殘余物，因為氟化鋁可耐大部分的化學清除劑。目前，利用HF/HNCV混合物來蝕刻氟化鋁；然而，該酸性混合物亦常常蝕刻下層陶瓷材料。當用電鍍氧化鋁薄層涂覆部件時，該電鍍層亦會受到擦傷或蝕刻。當從用于化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)、等離子體氣相沉積(plasma vapor deposition,PVD)與蝕刻的室的部件上清潔黏性聚合殘余物時又會產生另一問題。針對電介質與多晶娃(poly-silicon)蝕刻應用而言,必須在镕爐中加熱部件長達數小時以燃盡(burn off)有機殘余物，這個過程相當耗時。針對金屬化學氣相沉積與等離子體氣相沉積室而言，目前的清潔方法系利用PIRANHA 化學作用(nh4oh/h2o2)來去除處理殘余物。上述的化學作用在清潔溶液中使用有毒與危險的材料。亦可使用噴砂法，但這會造成從部件材料上去除至少一部分的薄層或在部件上留下砂粒沉積物。針對電介質化學氣相沉積室而言，首先藉由噴砂法去除陶瓷室部件上的碳殘余物，接著以HF/HN03混合物蝕刻上方覆蓋的AlF3沉積物，這兩者皆可對下層部件造成侵蝕。
亦難以清潔含有黏著劑的殘余物，該黏著劑在制造或再利用過程中暴露于部件表面上。例如，可藉由將包圍片電極的聚亞酰胺層黏至帶有丙烯酸酯黏著劑(acrylicadhesive)的金屬底座來制造靜電吸盤。加熱器亦具有藉由黏著劑結合至其表面的聚亞酰胺與其它絕緣板。在制造或再利用中，當去除吸盤或加熱器的表層時，必須剝下殘留在下層底座上的黏著劑殘余物；否則該殘余物在襯底處理過程中會產生燃盡(burned-off)的碳污染物。利用丙酮與擦拭件的傳統清潔方法常常留下黏著劑或清潔殘余物，這些會負面地影響再磨光部分的性能。雖然可藉由利用研磨墊(例如,Scotch-BriteTM, 3M Company)提高清潔效果，但這亦會造成部件表面漆料的腐蝕。
清潔部件的紋理化表面(textured surface)的殘余物時又產生另一問題。例如，化學機械研磨(chemical mechanical polishing, CMP)系統中，金屬的襯底保持環具有以環氧層(epoxy layer)與非金屬耐磨層覆蓋的紋理化表面。為了再利用該部件，必須機加工區除非金屬耐磨層與環氧層而不過度侵蝕下層金屬。然而，因為該金屬具有紋理化表面，通常亦將一部分的紋理化表面機加工掉以得到干凈的金屬表面，因此減少該金屬部分的厚度并連累到其結構的完整性。亦難以清潔具有激光形成凹處圖案的部件表面的殘余物(例如，Wang等人所有的美國專利公開案編號2003-0188685，在此將其全文以參考數據并入本文中)，因為殘余物會聚集在凹處中。因此，期望有效地從部件的表面清除殘余物而不會留下清潔處理中產生的其它殘余物。更期望可大致上去除聚合物殘余物而不傷害覆蓋有聚合物涂層的部件表面。亦期望清潔紋理化金屬或陶瓷部件表面而不過度腐蝕。更期望清除黏著劑殘余物而不傷害或腐蝕該部件。亦期望原位清潔部件表面而不用拆開室。

發明內容
本發明提出自襯底處理部件的表面清潔殘余物的較好方法。一個方案中，提出一種清潔方法以清潔襯底處理部件，該襯底處理部件包括具有聚合物涂層與形成于該聚合物涂層上的殘余物的表面。該方法包括用有機溶劑接觸該襯底處理部件的表面上的聚合物涂層，且用該有機溶劑去除該殘余物而不去除該聚合物涂層。另一個方案中,提出一種翻新(refurbishing)襯底處理部件(其包括有用黏著劑附著于下層陶瓷結構的聚合物層)的方法。該方法包括從該陶瓷結構去除該聚合物層，因此在該陶瓷結構上留下殘余黏著劑；用有機溶劑接觸該殘余黏著劑而從該下層陶瓷結構去除該殘余黏著劑；以及重新將該聚合物層置于該陶瓷結構上。進一步的方案中，一種翻新包括有黏著劑殘余物(其位在一覆蓋一下層金屬結構之聚合物層上方)之表面的襯底處理部件的方法，包括以一能量密度程度高到足以燒蝕(ablate)黏著劑殘余物的激光束掃描該襯底處理部件之整個表面；以及在該金屬結構上形成一新的聚合物層。又另一個方案中，一種清潔一襯底處理部件之方法包括用等離子體流接觸該襯底處理部件具有殘余物的表面，以及用溫度高到足以使殘余物蒸發的等離子體流掃描該襯底處理部件的整個表面。


參照下述說明與隨附權利要求與附圖(描述本發明的實施例)可更加理解本發明的這些特征、方案與優點。然而將可理解各個特征可普遍地用于本發明中，而不是僅僅在特定圖示的內文中，且本發明包括這些特征的任何組合，其中
圖I是具有可由清潔處理清潔的部件表面的襯底處理室的示范性實施例的剖面側視圖；圖2是靜電吸盤的部件的剖面側視圖；圖3是具有加熱塊的靜電吸盤的剖面側視圖；圖4A是概略圖，其顯示從部件(包括用于CMP設備的聚合物涂覆保持環)的紋理化表面激光清潔黏著劑殘余物；圖4B是概略圖，其顯示從部件(包括具有黏著劑殘余物的氣體分配板)激光清潔黏著劑殘余物；圖5是CMP保持環的透視圖；圖6是氣體分配板的俯視圖，其顯示多個具有不同尺寸的氣體進給孔；圖7A是具有平行溝槽與邊緣的部件的紋理化表面的概略俯視圖；圖7B是圖7A部件的紋理化表面的剖面透視圖；圖7C是具有邊緣與凹陷的部件的紋理化表面的另一實施例的概略俯視圖；圖7D是圖7C部件的紋理化表面的剖面透視圖；圖8是等離子體切割設備的圖示。
具體實施例方式可從襯底處理設備302卸除襯底處理部件以便清潔或直接在設備302中清潔該部件。清潔處理具有不同實施例，而這取決于部件類型以及殘留在部件表面上的殘余物性質。可分別或彼此組合應用這些清潔方法，因此以特定清潔方法清潔特定部件的示范性描述不應用來限制本發明為所列舉的組合。舉例來說，該殘余物可包括形成于襯底304處理過程中的處理殘余物361，諸如蝕刻、化學氣相沉積或等離子體氣相沉積處理殘余物361 ;黏著劑或涂層殘余物361，在剝除或去除處理后殘留在襯底上；或其它類型的殘余物361。在一種形式中，該清潔方法是用來清潔涂覆有聚合物涂層的襯底處理部件的表面，包括諸如室壁312的內部表面、靜電吸盤370的暴露表面、襯底304周圍的沉積環或其它環件以及氣體分配板600或噴嘴(未顯示)等部件。這些暴露的部件表面是暴露在用于處理室306中的襯底304的激發氣體環境中。藉由可軟化并分解聚合物涂覆表面上的殘余物361的有機溶劑或溶劑混合物接觸部件表面來清潔該部件表面。舉例來說，從部件表面去除的殘余物361可以是處理沉積物，其形成于室306中先前執行的襯底處理過程中。用于此方法的有機溶劑可以是下列化合物之一或多者四氫呋喃(tetrahydrofuran,THF) ；N-甲基批咯燒酮(N-methyl pyrrolidone, NMP);甲乙酮(methyl ethyl ketone,MEK);環己酮(cyclohexanone);甲苯(toluene);輕胺(hydroxylamine);乙醇胺(ethanolamine);以及2-乙氧基乙醇胺(2-ethoxy ethanol amine)。可分別或以混合物形式利用這些溶劑。自襯底處理部件表面去除軟化或分解的殘余物361而不去除或過度分解聚合物涂層。再者，以有機溶劑去除黏著劑殘余物361而不腐蝕或以其它方式傷害襯底處理部件。一般而言，此殘余物去除方法是有利的，因為可以達到去除與剝下殘余物的程度，特別是基本為聚合物的殘余物361。由于這些溶劑作用相當快速且可僅花數分鐘便從室306內部表面原位去除殘余物361而產生其它優點。此外，已經發現這些溶劑可選擇性地分解聚合物殘余物而不會負面地影響部件表面上的聚合物涂層，例如聚合物密封劑(包括甲基丙烯酸酯)。選擇的溶劑亦具有針對不同應用的特定優點。例如，四氫呋喃(THF)特別有利于從具有氯化(chlorinated)碳表面清潔殘余物361。舉例而言，當氯化氣體(諸如，Cl2與CCl4)用于蝕刻室時，這些類型的殘余物361會形成于部件表面上。因為四氫呋喃侵略性地與殘余物361反應使得四氫呋喃與聚合物的殘余物的反應時間相當短暫。然而，四氫呋喃更像是表面反應劑而不是深層穿透反應劑。 作為另一實例，N-甲基吡咯烷酮(NMP)特別有利于從部件表面清潔厚的殘余物層。由于相對較長的使用時間或處理室306的處理周期提高而在室表面上形成厚的殘余物層。N-甲基吡咯烷酮溶劑可有利地穿透聚合物殘余物表面下方(這部分地起因于N-甲基吡咯烷酮較低的氣相壓力)并藉由N-甲基吡咯烷酮可穿透殘余物361表面下方的能力而去除殘余物361。雖然N-甲基吡咯烷酮相對于本發明其它溶劑(特別是四氫呋喃)而言更具穿透力，但N-甲基吡咯烷酮去除殘余物361的侵略性并不如四氫呋喃。本發明所用的有機溶劑在去除殘余物361方面比丙酮相對更有效率。藉由聚合物涂層(作為密封劑)密封襯底處理部件。舉例而言，部件可以為鋁質室壁或襯底支撐件310。部件亦可為復合式結構，例如以鎳鍍覆或電鍍的鋁；或甚至為陶瓷材料，諸如氧化鋁、氮化鋁或碳化硅。在一種形式中，襯底處理部件包括襯底處理室壁312，該室壁為以下列涂覆的鋁質結構(i)鎳鍍層、(ii)陽極化鋁、(iii)碳化硅以及(iv)聚合物密封劑。可應用在部件的暴露表面的適當聚合物密封劑包括甲基丙烯酸酯。舉例而言，一種形式可以是包括具有電鍍層與甲基丙烯酸酯層的頂層的鋁質底座的部件。甲基丙烯酸酯密封劑涂層覆蓋部件表面的外面暴露部分。可作為依據本發明的聚合物密封劑的可聚合液體材料的較佳配方包括約90-99wt%的可聚合單體或單體的組合、約O. l-10wt% (較佳為約2-6wt% )的聚合物引發劑(initiator)以及約0_10wt% (較佳為約O. l-4wt% )的催化劑或催化劑組合，所有的百分比是基于該可聚合材料的非揮發性成份的總重而得，舉例而言，如Collins等人申請的美國專利號5，792，562中所述，在此將其全文以參考形式并入本文中。較佳的單體包括聚乙二醇(具有每個聚合物平均約9個重復乙氧基單元的產物)的丙烯酸酯與二甲基丙烯酸酯、以及四甘醇二甲基丙烯酸酯(tetraethyleneglycol dimethacrylate)以及甲基丙烯酸輕乙酯(hydroxyethyl methacrylate),例如約70-90wt%的四甘醇二甲基丙烯酸酯以及約10-30wt%的甲基丙烯酸羥乙酯。較佳的催化劑組合包括糖精(saccharin)、N, N-二甲基-對甲苯胺(N, N-dimethyl-p-toIuidene)與/或四氫喹啉(tetrahydroquinoline)的混合物,例如約l-3wt%的糖精與約0. l-lwt%的N，N-二甲基甲苯胺。亦適合作為部件表面密封劑的特定密封劑配方包括Loctite 290TM與990TM黏性密封劑(可商業上購自 Loctite Corporation, Newington, Conn.)以及 Perma-Lok HL126TM(可商業上購自 Permabond International Corporation, Englewood, N. J. ) 可依照本發明而應用的其它密封劑配方描述于Catena申請的美國專利編號5，256，450，在此將其全文以參考形式并入本文中。
可藉由對部件的表面(例如，處理室壁312的內部表面)應用浸有溶劑的吸收件(absorbent)而原位清潔部件表面而不須拆解室306。藉由以浸有溶劑的吸收件擦拭部件室壁312的表面而完成殘余物361的去除。可藉由吸收件的方式對該表面多次應用溶劑直到大致上去除殘余物361為止。在已經應 用有機溶劑后，可進一步以干凈、干燥的擦拭件擦拭該表面以進一步去除殘余物361。用吸收件施加溶劑可軟化、分解并去除殘余物361。適當的吸收件包括符合無塵室(clean room)標準的擦拭件、涂抹器、海綿以及毛巾。以諸如微粒散發程度、離子性污染物程度、吸收性以及對磨損或暴露于清潔材料的剝蝕抵抗性等特性選擇無塵室產品。吸收件、擦拭件、涂抹器、海綿或毛巾可經過挑選以避免與上述特性有關的微污染。微粒與污染物(即便是最小的微粒與污染物)通常比微電子組件中的特征尺寸(feature size)大上許多倍。因此,挑選符合無塵室標準的適當吸收件好減少微粒污染。適當的吸收件可由紡織與非紡織材料所構成，例如熔紡聚烯襯底(meltspunpolyolefin substrate),其具有符合無塵室標準的性質。吸收件(例如，擦拭件)亦可預先包裝于大致上密閉的袋(具有多個擦拭件)中。密閉容器可避免擦拭件在搬運與儲存過程中干燥或吸收灰塵以減少擦拭件的污染。亦期望擦拭件的儲存袋、容器或桶件對使用的有機溶劑為惰性的。在一種形式中，可加熱含有擦拭件的儲存袋或擦拭件本身到稍微高于室溫且低于溶劑點燃溫度(ignition temperature)的溫度下，以加速聚合物沉積物與擦拭件的有機溶劑之間的反應。預先包裝的擦拭件可提供氣密式包裝以減少擦拭件的污染。另一實施例中，該方法利用噴霧涂抹器以用有機溶劑接觸部件表面的殘余物，接著用無污染物的吸收件擦拭部件表面。噴霧涂抹器藉由推進器或泵的方式通過噴嘴來分配溶劑以將有機溶劑噴灑在部件表面上。接著使用吸收性擦拭件來擦拭部件表面以將有機溶劑散布在部件表面上并去除軟化或分解的殘余物361。期望由對有機溶劑惰性的一種或多種材料制成噴霧涂抹器，以用來避免有機溶劑與處理室306的污染。另一實施例中，將襯底處理部件表面浸在浴池內的有機溶劑中。該浴池容納于水箱中，該水箱使用再循環泵以及視情況而定的過濾系統好從浴池去除殘余物361。舉例而言，亦可藉由超音波震動或附加在水箱壁(例如，底壁)上的超音波震動器所提供的能量攪動水箱內的溶劑。亦可使用其它攪拌方法(包括機械式螺旋攪拌法)來攪拌浴池中的溶齊U。對于非常密集或難以清潔的殘余物361來說，浴池方法是較佳的方法，因為其給予溶劑時間與殘余物361進行化學反應并將其去除，且亦允許溶劑浸入部件表面的微小特征。可在自室306中去除襯底304之前或之后或是可利用一種組合方法清潔室壁312部件，該組合方法包括偶而以擦拭件或溶劑噴霧清潔室306本身以及偶而在浴池中清潔好去除難以清除的殘余物361。再者，可用有機溶劑接觸部件表面并以有機溶劑去除殘余物361而不去除或負面地影響敏感性涂層(諸如，聚合物與陶瓷涂層)。此外，有機溶劑可用相對快速的方式分解、進行反應與/或軟化殘余物361。例如，可從例如聚合物密封劑(例如，甲基丙烯酸酯)的聚合物涂層去除殘余物361，而該有機溶劑可為四氫呋喃(THF)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、甲乙酮(MEK)、環己酮、甲苯、羥胺、乙醇胺以及2-乙氧基乙醇胺或上述的混合物。可用吸收件襯底、噴霧涂抹器或吸收件襯底與噴霧涂抹器兩者的組合來施加有機溶劑。可超過一次或額外地用有機溶劑接觸部件表面。再者，本方法可作為單獨存在的方法或搭配其它先前技術的方法做為處理前的一個步驟或數個步驟。上述的清潔處理可用來清潔襯底處理設備302的任何部件，圖I概略描述該襯底處理設備的示范性形式，其適以蝕刻襯底304 (例如，半導體晶片)。設備302包括例如處理室306 (是由控制器300所操作)的部件。室306包括更多的部件，例如通常由金屬或陶瓷材料所構成的壁312，包括側壁314、底壁316與頂壁(ceiling) 318，可經清除以去除襯底304處理過程時產生的殘余物361而不去除聚合物密封劑360。操作中，氣體供應器338提供處理氣體給室306。氣體供應器338連接于具有一個或多個流量控制閥334的氣體導管336。導管336結束于室306中的一個或多個氣體入口 342。使用過的處理氣體與蝕刻副產物透過排出器344而排出，該排出器包括泵吸通道346，以接收使用過的處理氣體；節流閥350，以控制室306中處理氣體的壓力；以及一個或多個排出泵352。排出器344亦可包括去除系統(abatement system)(未顯示)以自排出器去除不需要的氣體。
可藉由另一室部件(即，氣體激發器354)能量化提供給室306的處理氣體以處理襯底304，該氣體激發器耦接能量至室306的處理區308中的處理氣體(如示)或室306上游遠程區中的處理氣體(未顯示)。在一種形式中，氣體激發器354包括天線356，該天線包括圍繞室306中心成環形對稱的一個或多個感應線圈358。當將天線356置于鄰近室306的頂壁318處時，頂壁的鄰接部分是由電介質材料(例如，二氧化硅)所制成，該電介質材料為射頻(RF)或電磁場可穿透的。舉例來說，天線電源355提供一般約50KHz至60MHz (更通常為約13. 56MHz)之頻率且功率強度約100至5000Watt的射頻功率給天線356。亦可提供射頻匹配網絡(未顯示)。該氣體激發器354可選擇性或附加性包括微波或「上游」氣體激發器(未顯不)。在一種形式中，氣體激發器354可再或選擇性包括額外的處理部件，例如電極313、378，其可用來能量化處理氣體。一般而言，處理電極313、378包括位于室306的側壁314或頂壁318內的電極313，其電容式耦接于另一電極，例如襯底304下方的支撐件310中的電極378。當頂壁部件318亦作為電極時，該頂壁318可包括電介質材料作為感應場-傳送窗(induction field-transmitting window) 303,其可對頂壁 318 上方的天線 356 所傳送的射頻感應場提供較低的阻抗。可應用的適當電介質材料包括諸如氧化鋁或二氧化硅的材料。一般而言，可藉由電極電壓供應器(未顯示)使處理電極313、378彼此呈現電性偏壓，該電極電壓供應器包括AC電壓供應器以提供射頻偏壓(RF bias voltage) 0射頻偏壓可包括約50kHz至60MHz的頻率且該射頻偏壓電流(RF bias current)的功率程度通常是約 50 至 3000ffattso操作中，另一室部件，即襯底傳送件311，例如機械臂(未顯示)，可將襯底304傳送至室306中的襯底支撐件310上。襯底304通常是由升降銷(lift pin)部件(未顯示)所接收，該升降銷從襯底支撐件310延伸出以接收襯底304并縮回襯底支撐件310以將襯底304置于支撐件310上。襯底支撐件310可包括靜電吸盤370，該靜電吸盤包括至少部分地覆蓋電極378的靜電主體374，且該靜電吸盤包括襯底接收表面380。電極378亦可作為上述處理電極中的一個。電極378能夠產生靜電電荷以靜電方式保持襯底304至支撐件310或靜電吸盤370。電源382提供靜電吸盤的電壓給電極378。設備302還包括一個或多個偵測器部件309，其適于偵測該輻射射出物的一個或多個波長的強度并產生與該偵測強度有關的一個或多個信號。適當的偵測器309包括感應器301,諸如光電倍增管(photomultiplier tube)、分光光度計、電荷稱合器(chargecoupled device)或光電二極管。偵測器309通常是經定位以偵測穿越形成于室306的壁312中的窗303的輻射，所需的波長的輻射可穿透該窗。偵測器309偵測輻射射出物的波長的強度以控制室處理或處理條件。清潔處理的另一種形式中，從襯底處理部件表面(由室306去除)清潔殘余物361，且視情況而定在清潔處理后翻新該表面。舉例而言，將被清潔與翻新的部件可為靜電吸盤370。如圖2中所示，該靜電吸盤370可包括用黏著劑(例如，丙烯酸類黏著劑)結合至金屬主體(未顯示)的上層105。層105可為部分導電、導電或絕緣的聚酰胺；或為部分導電、導電或絕緣帶(得自ChomericTM)，其可藉由物理處理(例如，自該吸盤370剝下聚合物層)自該吸盤370上將其去除。層105包括嵌入式電極(未顯示)，該電極可充電以產生靜電電荷來保持襯底304至吸盤370。在去除層105之前，亦可藉由接觸有機溶劑來軟化結合黏著劑100。適合用來清潔黏著劑的有機溶劑為四氫呋喃(THF)、甲乙酮(MEK)、庚烷、乙酸乙酯、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、環己酮、甲苯、羥胺、乙醇胺以及2-乙氧基乙醇胺或上述的混合物。以有機溶劑接觸黏著劑100并擦拭或潤濕黏著劑100而不負面地影響陶瓷靜電吸盤 370。經常清潔與翻新的特定襯底處理部件為裝設在加熱塊255 (具有嵌入式加熱線圈230)上的靜電吸盤370，其實例概略地顯示于圖3中。靜電吸盤370為陶瓷結構且以黏著劑200結合至上層或板205，而以黏著劑210結合至層215。黏著劑200、層215與黏著劑210可以為具有黏著劑的導電帶(得自ChomericTM)。再者，層205與黏著劑200可以為具有黏著劑的導電帶(亦得自ChomericTM)。聚合物下層215亦以黏著劑220結合至加熱塊255。黏著劑200可以為丙烯酸類黏著劑而加熱塊255為金屬結構。層205與215可由聚酰胺所構成，且在某些形式中，其包括嵌入式銅電極(未顯示)。藉由物理處理(例如，自陶瓷靜電吸盤370剝下該板)去除上層205，其中在去除聚合物層205之前可藉由接觸有機溶劑而軟化黏著劑200。用來清潔黏著劑200、210與220的有機溶劑為四氫呋喃(THF)、甲乙酮(MEK)、庚烷、乙酸乙酯、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、環己酮、甲苯、羥胺、乙醇胺以及2-乙氧基乙醇胺或上述的混合物。在分開下層215、靜電吸盤370與加熱塊255之前，可用有機溶劑接觸靜電吸盤370與加熱塊255以軟化黏著劑。在去除上層205且分開靜電吸盤370、加熱塊255與下層215之后，以有機溶劑接觸黏著劑200、210與220并擦拭或潤濕黏著劑200,210與220以去除之而不會負面地影響陶瓷靜電吸盤370與加熱塊255。在一種形式中，重新在陶瓷結構上置放聚合物層。清潔處理的又另一種形式是用來在例如部件重新磨光的過程中從襯底處理部件表面清潔殘余物361 (例如，殘余黏著劑)。此形式中，激光400提供脈沖式或連續波光束的激光束410，該光束具有適當的波長與足夠的能量密度，可掃描整個部件表面415以剝下和燃盡或燒蝕殘余黏著劑418，如圖4A中所示的實例。從襯底處理設備302去除部件之后，可對該部件表面415應用激光束410。激光束410可透過激光束處理室430 (其中置放該部件)的窗420應用在部件表面415上，該窗420是由透光、抗化學材料所構成。激光400亦可位于激光室430中(未顯示)。亦可利用載氣使其流過襯底處理部件表面以攜帶氣體或蒸發的黏著劑沉積物(經去除)到激光室的下游區域。適當的激光400包括CO2激光、Nd-YAG激光(釹釔鋁石榴石)、Er: Nd-YAG激光(鉺ND-YAG)、氬激光、高功率二極管激光與其它固態激光。氬激光之波長為488nm或514nm ;二極管激光提供810至980nm ；ND/YAG激光產生通常為1064nm的波長；Er: Nd-YAG激光提供2940nm而C02激光提供9300至10600nm。雖然提出某些說明性波長范圍與閥值，可以理解這些可修改成其它波長范圍。激光功率密度經調控以(i)重組(defragment)并蒸發殘余物361 (諸如,黏著劑或聚合物殘余物)而不傷害部件的下層結構，( )去除黏著劑殘余物與環氧層兩者，與/或(iii)將特征劃入下層結構。期望以受到良好控制的動態聚焦(dynamic focusing)光束聚焦并掃描部件具有殘余物361的整個表面輪廓。可能需要多個光束結構以達成最好的清潔效率。舉例來說，適當之激光400提供功率密度為9. 6 X 106ff/cm2至8. 6 x 107ff/cm2的激光(其功率程度范圍約100至5000Watts)。5kW激光的密度不可能更高但可能具有較寬的光束。另一重要的激光參數為脈沖頻率(pulse freq uency)，各個脈沖功率隨著其脈沖頻率的減少而增加。舉例而言，為了去除聚合物表面涂層，使用10至90kHz(更常為30KHz)的脈沖頻率。對于以激光400進行表面紋理化而言，適當的脈沖功率包括約4至36kHz (更常約為 12KHz)。一種形式中，重新磨光包括表面的襯底處理部件，該表面包括下層金屬結構上的聚合物層上方的黏著劑殘余物361。黏著劑殘余物361包括丙烯酸類黏著劑殘余物。聚合物層包括環氧層。以能量密度水平高到足以燒蝕黏著劑殘余物361與環氧層的激光掃描襯底處理部件的整個表面，以及除了燒蝕黏著劑殘余物361與環氧層之外以燒蝕線刻劃金屬結構表面。接著，可視情況而定在金屬結構上形成新的聚合物層。在一種實例中，如圖4A中所示，Nd-YAG激光400產生激光束410，該光束可燒蝕與蒸發部件表面415上的黏著劑殘余物418，例如包括化學機械研磨(CMP)設備的保持環500的襯底處理部件上的LavacoatTM層450上方的環氧涂層440表面上。激光束410可有利地從表面415清潔黏著劑殘余物361以及燒蝕環氧涂層440兩者，且甚至清潔掉LavacoatTM層450的凹處與特征。保持環500是用于化學機械研磨設備(例如，得自Applied Materials, Santa Clara, California)以平面化裝設在襯底載具上的襯底304,該載具面對具有研磨墊的研磨頭。化學機械研磨設備描述于美國專利編號5，738，574，而載頭描述于美國專利編號6，251，215，在此將兩者的全文以參考數據并入本文中。圖5顯示一種保持環500，其具有帶有平坦底部表面503的第一下部505，其包括
通道510(或溝槽)；傾斜部530/590以及垂直部525。直的通道510開始于底部表面的內
圓周而結束于外圓周，且以相等的角度間隔分布在保持環500周圍。通常通道510與通過
保持環500中心的徑向部分相對45°而定向，但其它角度的定向(例如，介于30至60°之
間)亦有可能。保持環500的下部505可由對化學機械研磨處理呈化學惰性的材料所構成，
且該材料具有足夠的彈性使得襯底邊緣靠著保持環500的接觸不會造成襯底304碎裂或破m
ο保持環500的第二部分，上部545，具有平坦底部表面與垂直部580以及平行底部表面的頂部表面560。頂部表面560包括孔565，用以接收螺栓、螺絲或其它器件以將保持環500與載頭固定在一起。此外，一個或多個校準孔570可位于上部545中。若保持環500具有一個校準孔570，則載頭具有一個相對應的銷(未顯示)可在適當對準載頭與保持環500時與校準孔570配對。上部545可由堅硬材料(例如，金屬)所構成。形成上部的適當金屬包括不銹鋼、鑰，或者可使用鋁或陶瓷。可應用黏著劑、螺絲或壓入配合式(press-fit)結構接合下部505與上部545。黏著劑層可以是兩件式慢凝環氧化物(slow-curing epoxy),例如 Magnobond_6375TM(得自 Magnolia Plastics, Chamblee, Georgia)。圖4B顯示包括用于處理室306中的氣體分配板600的部件的一部分，而這可藉由應用激光400的激光燒蝕法清潔。激光束410能夠燒蝕與蒸發留在氣體分配板600的暴露面上的黏著劑殘余物418。此形式中，自氣體分配板600去除鋁層，在氣體分配板600之暴露面601上留下黏著劑殘余物418。氣體分配板600具有許多個孔610，當部件用于處理室中時，氣體可由這些孔通過。殘余物361可黏住氣體分配板600的表面以及孔610的內部表面612。藉由單純地將激光400以固定速度橫跨氣體分配板600而應用激光燒蝕來清潔氣體分配板600的暴露面601以及孔610的內部表面612兩者。適當的激光可運轉在約IOOffatts 至 5000Watts 的功率下。 圖6顯示氣體分配板600的另一實施例，該板具有較薄中央部份602 (具有較少與較小的孔606)以及較厚周圍部分604(具有較多與較大的孔608)。氣體分配板600的質量低到足夠允許快速加熱至平衡溫度(由輻射熱能損失所測定)，并可對襯底304的表面提供一致的氣體分布。氣體分配板600的中央部份具有較小的孔606以補償中央的快速處理氣體流，其中該些孔的數目與尺寸隨著接近氣體分配板600的較厚周圍部份604而增加以提高晶片邊緣處的處理氣體流動。該些孔的實際配置被視為選擇因素且可由給予氣體分配板600外觀的部分獨立地達成。氣體分配板600上不同尺寸的孔使得激光燒蝕特別適于清潔氣體分配板600的暴露表面以及不同尺寸的孔的內部表面，因為激光可更簡單地橫越暴露表面以及不同尺寸的孔同時仍提供相同的燒蝕能量(用于殘余物燒蝕處理)。激光燒蝕殘余黏著劑之后，亦可藉由激光束410進一步燒蝕部件以將特征刻劃入表面，以產生激光紋理化(laser-textured)表面。舉例來說，圖7A描述襯底處理部件720的激光紋理化表面724的俯視概略圖而7B圖描述同一激光紋理化表面724的剖面透視圖。襯底處理部件720具有主體，其包括金屬，諸如鋁、銅、不銹鋼、鉭與鈦；陶瓷，諸如氧化鋁、石英、氮化硅與氧化鈦；或聚合物，諸如聚亞酰胺、復合式塑料或PEEK。部件720亦可包括這些材料的組合物，例如氧化鋁或金屬部件上的聚合物涂層。作為另一實例，部件720可具有主體，其包括為金屬(例如，鈦)的第一材料；以及涂層，其包括為陶瓷(例如，氧化鈦)的第二材料。部件720的激光紋理化表面724可提供形成于處理室306中部件720上的殘余物361改善的黏著力。部件720的激光紋理化表面724可以為部件720的任何一面。例如，部件720的激光紋理化表面724可以為部件720暴露于襯底處理室306中的氣體或等離子體(其通常產生沉積于部件表面上的處理殘余物)的一面。激光紋理化表面724呈現表面特征給處理室306的內部環境，殘余物361可聚集與附著且甚至在數量相當大的殘余物361沉積于紋理化表面(許多個襯底處理周期中)之后仍可穩固地附著于該表面上。藉由穩固地附著于激光紋理化表面724，可大致上避免殘余物361自部件720上成片狀剝落并污染室306中正在處理的襯底304。在部件720需要經清潔以去除殘余物361 (可能自部件720上成片狀剝落或脫落)之前，改善的殘余物361黏著力可讓室持續使用較長周期。激光紋理化的一種形式中，如圖7A與圖7B中所示，激光紋理化表面724包括周期性間隔溝槽728的陣列726。陣列726中的各個單獨溝槽728具有寬度729、長度730與深度731以及沿著長度730而展開的縱軸732。溝槽728可經制造而具有特定的長度730相對寬度729的比例或深度731相對寬度729的比例，而這取決于試圖附著于溝槽的殘余物361的類型以改善殘余物361對激光紋理化表面724的附著力與保留性。舉例而言，長且窄的溝槽728 (具有高的長寬比 )提供軟性殘余物361良好的附著力，因為上述溝槽728提供可較佳地夾住軟性殘余物361的相對高的表面積。同樣地，較容易清潔窄且較不深的溝槽728以去除軟性殘余物361。這些溝槽728適合形成于蝕刻處理(執行于蝕刻處理室)中的軟性聚合物的蝕刻殘余物361。一種形式中，溝槽728的長度730相對寬度729的比例高于約40 I且較佳高于約80 I。例如，上述窄溝槽728的尺寸包括O. Imm至2mm的深度，較典型的深度為O. 25mm ;亦包括O. Imm至2mm的寬度，較典型的寬度為O. 25mm ；以及至少約20mm的長度。溝槽728亦可形成為從表面邊緣延伸至室部件中心的單一螺旋，且亦可形成為同心弧形或平行、同心圓形。具有較小長寬比的寬溝槽728可有利于諸如鋁或銅沉積物(形成于PVD處理中)的殘余物361的附著，因為這些較軟的金屬材料相對于易脆材料在溝槽已知深度下較不易破裂和成片剝落。同樣地，相對較寬的溝槽728可讓較軟的材料順著溝槽728流動或回流，減少殘余物361堆積于鄰近隆起部的表面上。例如，溝槽728可作為儲存槽以容納鋁的回流殘余材料。一種形式中，上述溝槽728的長度730相對寬度729的比例小于約30 I。例如，這些溝槽728的尺寸包括Imm至5mm的深度與Imm至IOmm的寬度。通常較硬或較脆的殘余物361可較佳地附著于相對較少發生劇烈改變激光紋理化表面724的幾何形狀的溝槽728。激光紋理化表面724高的表面積可提供殘余物361可聚集與附著于其上的較大面積，因此可提高激光紋理化表面724聚集與保留殘余物361的效力。然而，大量溝槽728造成表面幾何形狀時常的劇烈改變，可在沉積殘余物361中產生機械壓力提高的局部場合，特別是當殘余物361為易脆時。這些機械壓力提高的局部場合藉由引起殘余物361壓力相關的片狀剝落與脫落而減少殘余物361的附著力。因此，相對較少發生劇烈改變的激光紋理化表面724的幾何形狀亦可提高激光紋理化表面724聚集與保留硬性殘余物的效力。易脆殘余物通常包括陶瓷與耐火金屬(refractory metal),諸如鉭、鈦、氮化鉭與氮化鈦。這些較脆的材料通常可較佳地附著于長度730相對寬度729的比例低于約40 I (例如，10 : I至30 : I)的溝槽，以及較少急劇轉角與邊緣的表面幾何形狀的激光紋理化表面724。周期性間隔的溝槽728的陣列726亦可具有特定分隔距離736，位于相鄰溝槽728的中心之間。分隔距離是陣列726的物理特征重復的循環。例如，溝槽728的剖面圖式可包括圓形轉角，其周期性地重復于溝槽728的陣列726上。分隔距離736是經選擇以使殘余物361對激光紋理化表面724的附著力最佳化。例如，一種形式中，分隔距離736是經選擇以使激光紋理化表面724暴露于處理室的環境的表面積最佳化，以提高殘余物361聚集與保留于激光紋理化表面724。分隔距離736可經選擇使得小到足以使溝槽728相對密集地間隔分布在暴露表面上，因此提高表面積；以及大到足以使鄰近溝槽728不會部份重迭而減少表面積。分隔距離736亦與用來形成溝槽728的陣列726的激光紋理化處理相關。例如,一種形式中，是以用來產生激光紋理化表面724的激光波長的函數(例如,約0.5 至5.0 )來選擇分隔距離736，其中 為用來產生激光紋理化表面724之激光波長。此形式的分隔距離736為有利的，因為這是操作激光設備400的分隔距離736的便利范圍，且亦可產生激光紋理化表面724最佳的表面積。一種形式中，暴露于處理室306的內部環境的部件720表面可大致上以周期性間隔的溝槽728的陣列726整個覆蓋。亦可提供周期性間隔的溝槽728的陣列726以匹配部件720 (具有激光紋理化表面724)的幾何形狀特征或曲面。例如，部件720可具有大致上圓形的幾何形狀或某些其它幾何形狀，而間隔溝槽728的陣列726可經匹配使得溝槽728的縱軸732順著部件720的曲面。這可提高激光紋理化表面724聚集與保留殘余物361的效力。例如，縱軸732順著部件720的曲面的溝槽728通常能夠具有相對較大的長寬比。相反地，縱軸732不順著部件720的曲面的溝槽728可能碰到部件表面上的邊緣或過度區域而需要過早地結束溝槽728。縱軸732順著部件720的曲面的溝槽728亦可提高在部件720上構成激光紋理化表面724的簡單性。例如，較易讓激光設備400順著部件720的固有 幾何形狀而不是逆著幾何形狀運行。相反地，制造激光紋理化表面724的溝槽728 (其縱軸732逆著部件720的曲面)的陣列726需要相對較復雜的定位設備以產生溝槽728。另一種形式中，激光紋理化表面724包括由周期性間隔的突出物(knob) 740所形成的溝槽728的陣列738，如圖7C與圖7D中所示。周期性間隔的突出物740的陣列738包括具有排列成格子狀(具有兩個正交軸)的組件的二維陣列。該些突出物740可為具有特定剖面的正方形或圓形凸出物，自部件720的表面上延伸。一種形式中，該些突出物740具有錐形側壁的正方形剖面。突出物740的陣列738具有特定分隔距離介于鄰近個別突出物740的中心之間，包括沿著陣列738的第一軸746的第一分隔距離744以及沿著陣列738的第二軸750的第二分隔距離748。陣列738的第一軸與第二軸746、750彼此垂直并指向突出物740大致上排列與重復的方向。一種形式中，第一與第二分隔距離744、748為相同的且是經選擇以使殘余物361聚集與保留于激光紋理化表面724達到最佳化。例如，一種實施例中，第一與第二分隔距離744、748是經選擇而與突出物740的高度742有關系。分隔距離744、748與突出物740的高度742之間的關系是經最佳化以提高激光紋理化表面724的表面積并提供最理想的幾何形狀以聚集與保留殘余物361。一種形式中，突出物740之陣列738的突出物740高度742相對相同的第一與第二分隔距離744、748的比例約O. 2 : I至I : I。取決于沉積膜，溝槽之間的第一分隔距離744與溝槽高度733可能相當小，例如O. 010至O. 20等級，且此實例中I : I的比例為適當的。然而，具有較淺溝的溝槽728可較佳地控制蝕刻室中聚合物的蝕刻殘余物的聚集。其它應用(例如，PVD室)中，可提高溝槽728的寬度并加深溝槽高度733，例如各增加O. 10與O. 10。突出物740亦可具有圓形邊緣，邊緣的圓滑程度可經選擇以提高殘余物361對突出物740的陣列738的附著力。例如，可藉由提高正方形凸出物的圓形轉角的曲面半徑而使突出物740變圓而降低激光紋理化表面724中出現急劇特征的可能性。藉由調整用于構成突出物740的陣列738的激光紋理化處理來達成突出物740圓滑的程度。一般來說，當易脆沉積物形成于紋理化表面上時期望避免急劇轉角以減少聚積膜的應力，且亦幫助清潔軟性或黏性沉積物。此外，若以共形涂層(conformal coating)涂覆表面或底座材料為招的話，電鍍急劇轉角容易產生涂層缺陷或不均勻的膜層厚度。清潔與再度磨光的另一種形式中，藉由從電介質、石英與金屬襯底處理部件去除聚合物殘余物(包括有機物(碳)與A1F3沉積物)以清潔處理室306。此形式中，以等離子體流(由等離子體切割器810所產生)接觸襯底處理部件具有殘余物的表面，以足夠高溫的等離子體流橫越襯底處理部件的表面以燃盡或蒸發CVD、PVD與蝕刻襯底處理部件上的聚合物殘余物361。在高溫下以含氧等離子體流(例如，空氣)氧化聚合物殘余物361。利用許多類型的等離子體流(諸如，氬、氮、氫或氦)的任何一者蒸發AlF3沉積物，而利用氧等離子體蒸發有機沉積物。
此處理中，可去除聚合物殘余物361 (例如，AlF3)而不自襯底處理部件去除相當明顯的部分。針對AlF3來說，利用等離子體流剝除法從底座材料(例如，包括陶瓷或電介質的部件)蒸發薄膜。當殘余物在低于底座材料的熔點或升華點的溫度下升華或熔化時，等離子體可蒸發殘余物而不蒸發底座材料。氟化鋁在1000至1250°C下升華然而包括氧化鋁(Al2O3)、石英(SiO2)、氮化鋁(AlN)與數種其它電介質材料的襯底處理部件在1400°C與更高的溫度下熔化。此外，由于這些材料的低導熱性使其熱穿透性不佳，使得可以在等離子體流溫度下蒸發AlF3殘余物361同時留下未受影響部件的下層電介質。雖然AlN具有相對較高的導熱性，但其具有相對高的升華溫度2000°C，這讓蒸發AlF3沉積物同時留下未受影響的電介質襯底變得可能。可藉由設定等離子體切割器810通過處理殘余物361的速度以及用于切割器中的氣體類型來控制處理殘余物361的溫度。例如，機器CNC等離子體切割器810可用預定的速度橫越部件表面以確保殘余物361的去除對下層部件表面的傷害或加熱達到最小。一般而言，等離子體的溫度是約12，000°C至低于約20，000°C，更常見的溫度是約14，000至170001。這些高溫可讓等離子體流蒸發AlF3S余物同時僅些微地加熱下層部件的表面。此處理中，可去除性質較偏向有機物的殘余物361而不去除部件相當明顯的部份。處理室306與部件可為陶瓷、電介質或金屬。針對有機殘余物而言，氧或空氣等離子體流較為適合因為其產生可將襯底處理部件上的碳化物斷裂成揮發性一氧化碳或二氧化碳的氧化性等離子體流。針對有機殘余物而言，期望維持等離子體切割器810較高的速度以提高處理速度。然而，電介質與陶瓷部件不會被等離子體流所氧化，因此可清潔部件而不去除底座材料。此處理利用一低成本的等離子體切割器810來產生等離子體流。等離子體切割器810藉由使氣體通過兩電極之間同時以電位激發該區域以產生密集等離子體流。這詳細說明于等離子體切割器810賣家的工具說明書，例如Miller Thermal IncTM制造的等離子體切割器810。等離子體流通常不會長于2英時。廣布的等離子體流較為適合因為該流的溫度可下降至可使用的程度同時產生較廣泛的應用。為了使等離子體流在部分上的共振時間達到最小，應該在旋轉臺上進行選轉以便沒有什么機會出現偶發地熔化、蒸發與/或破裂該部件。由于等離子體切割器810的溫度可超過15，000°C，必須限制等離子體流在部件上的共振時間。圖8中概略地描述適合產生等離子體流的說明示范性等離子體切割器810。此等離子體切割器810中，載氣是流于兩個電極805(諸如，陽極與陰極)之間。陰極可為圓錐形而陽極可為圓柱形。電壓供應電路806提供這些電極之間所需的電壓。在電極之間產生高電流電弧804。電弧804可離子化載氣而產生高壓等離子體流803，其可蒸發殘余物807。可將等離子體切割器810裝設在可控式機械臂(未顯示)上以調整等離子體流與即將清潔的表面的距離與角度。已經以此方式描述本發明的示意實施例，可以理解那些熟悉技術的人士可輕易想到不同改變、修改與改良。上述的明顯改變、修改與改良雖然并沒有明確地描述于上，但是預期為暗示的且落于本發明之精神與范圍中。因此，上述之討論預期僅為說明性而不是限制性；本發明僅受限與界定于接下來之權利要求與其等效物。
權利要求
1.一種翻新(refurbishing)襯底處理部件的方法,所述襯底處理部件包括用黏著劑附著于下層陶瓷結構的聚合物層，所述方法包括(a)從所述陶瓷結構去除所述聚合物層，由此在所述陶瓷結構上留下殘余黏著劑；(b)用有機溶劑接觸所述殘余黏著劑，以從所述下層陶瓷結構去除所述殘余黏著劑；以及(C)重新將所述聚合物層置于所述陶瓷結構上。
2.如權利要求I所述的方法，其中，所述有機溶劑包括至少下列中的一者環己酮、乙醇胺、乙酸乙酯、2-乙氧基乙醇胺、庚烷、羥胺、甲乙酮、N-甲基吡咯烷酮、四氫呋喃與甲苯。
3.—種從襯底處理部件的表面燒蝕(ablating)黏著劑殘余物的方法，所述方法包括(a)用能量密度高到足以燒蝕所述黏著劑殘余物的激光束掃描所述襯底處理部件的整個表面。
4.如權利要求3所述的方法，其中，所述激光束具有下列特征的至少一者⑴所述光束提供約9. 6X 106W/cm2至約8. 6X 107W/cm2的瓦特數；(ii)所述光束為脈沖波光束；(iii)所述光束為連續波光束；(iv)所述光束由CO2激光、Nd-YAG激光、Er= Nd-YAG激光、氬激光、高功率二極管激光或其它固態激光所產生；以及(V)所述光束的功率范圍為約100瓦特至5000瓦特。
5.如權利要求3所述的方法，其中，所述襯底處理部件包括位于所述黏著劑殘余物下方的聚合物涂層，且其中(a)除了燒蝕所述黏著劑殘余物之外還包括燒蝕所述聚合物涂層。
6.如權利要求3所述的方法，其中，(a)除了燒蝕所述黏著劑殘余物之外還包括在所述部件的表面上刻劃多個特征。
7.如權利要求3所述的方法，其中，所述襯底處理部件包括保持環或氣體分配板。
8.如權利要求3所述的方法，其中所述方法還包括通過使載氣流過所述襯底處理部件的所述表面而去除所述黏著劑殘余物。
9.一種翻新襯底處理部件的方法，所述襯底處理部件包括表面，所述表面包括覆蓋下層金屬結構的聚合物層上方的黏著劑殘余物，所述方法包括用量密度程度高到足以燒蝕所述黏著劑殘余物的激光束掃描所述襯底處理部件的整個表面；以及在所述金屬結構上形成新聚合物層。
10.如權利要求9所述的方法，其中，所述激光束具有下列特征中的至少一者⑴所述光束提供約9. 6X 106W/cm2至約8. 6X 107W/cm2的瓦特數；(ii)所述光束為脈沖波光束；(iii)所述光束為連續波光束；(iii)所述光束由C02激光、Nd-YAG激光、Er= Nd-YAG激光、氬激光、高功率二極管激光或其它固態激光所產生；以及(iv)所述光束的功率范圍為約100瓦特至5000瓦特。
11.一種清潔襯底處理部件的方法，所述方法包括(a)用等離子體流接觸所述襯底處理部件的具有殘余物的一面；以及(b)用溫度高到足以蒸發所述些殘余物的所述等離子體流掃描所述襯底處理部件的整個表面。
12.如權利要求11所述的方法，其中，所述等離子體流包括下列中的至少一者(i)氧或空氣；以及(ii)氬、氮或氦。
13.如權利要求11所述的方法，其中所述等離子體流由等離子體切割器所產生。
全文摘要
本發明涉及從襯底處理部件去除殘余物。本發明從具有聚合物涂層于殘余物下方的襯底處理部件的表面上去除殘余物。一種形式中，以有機溶劑接觸該部件表面，以去除該殘余物而不傷害或去除該聚合物涂層。該殘余物可為處理殘余物或黏著劑殘余物。可執行清潔處理作為再磨光處理的一部分。另一種形式中，藉由用激光掃描整個部件表面而燒蝕該殘余物。又另一種形式中，藉由用等離子體切割器掃描整個部件表面來蒸發該殘余物。
文檔編號B08B3/08GK102626698SQ20121005911
公開日2012年8月8日 申請日期2007年10月15日 優先權日2006年10月19日
發明者卡爾·布魯克奈爾, 布里恩·T·韋斯特, 羅伯特·哈尼, 舜·吳 申請人:量子全球技術有限公司