專利名稱：準單晶硅片清洗方法
技術領域：
本發明涉及太陽能硅片清洗技術領域，尤其是準單晶硅片的清洗方法。
背景技術：
在目前行業技術條件下，高效太陽能電池對硅片的表面質量有著極高的要求，除了對硅片有嚴格的尺寸要求外，表面質量包括TTV、SM、表面重金屬含量等都是主要的質量指標。硅片在切割完成后，必須進行有效的清洗，以清除切割過程中由于砂漿和鋼線及其他接觸物對硅片造成的污染，如有機雜質沾污、顆粒沾污、金屬離子沾污等，最終滿足電池客戶端的要求。準單晶作為行業內ー項新開發的鑄錠單晶技術，晶體結構介于單晶和多晶之間，其生產エ藝較其他光伏產品相比還處于摸索研究階段，并不十分成熟。為確保準單晶硅片 在量產階段其硅片表面質量得到有效保證，我們開發了ー種新型的準單晶硅片清洗エ藝，此エ藝在原有的清洗機上進行改進，在有效利用現有硅片清洗設備的情況下，有效解決了準單晶硅片在清洗過程中遇到的問題。
發明內容
本發明的目的是提供ー種新型的準單晶硅片清洗方法，它可有效解決硅片制造行業準單晶在清洗環節遇到的問題，為確保準單晶硅片在量產階段其硅片表面質量提供有效保障。本發明解決其技術問題所采用的技術方案是在原有的7槽清洗機上進行改迸，在有效利用現有硅片清洗設備的情況下，對7槽清洗機各槽位加液情況、溫度、溢流狀態等清洗條件進行實驗調整。具體是
準單晶硅片清洗方法，其特征在于清洗機設置7個槽位，I槽處于開狀態，2 — 4槽處于關狀態，5 — 7槽處于開狀態；其中，I 一 6槽使用超聲波，超聲波的頻率為20 — 30kHz,功率為1800 — 2500W ;在2 — 4槽加入清洗劑，所述清洗劑是行業通用的硅片清洗劑，其余槽使用純水；純水溢流每槽的清洗時間為300 — 720秒。進ー步
所述清洗劑是行業通用的硅片清洗劑，常州君合達克羅涂覆工程技術有限公司生產的JH — 15、16、18型硅片清洗剤；昆山思達嘉化工有限公司生產的思達嘉SDJ硅片清洗劑；上海名昂新材料科技有限公司生產的硅片清洗劑A、B之ー種。所述2 — 4槽清洗劑的分布是3 — 4槽內清洗劑的濃度為2槽內清洗劑濃度的140 一 170%。其中2槽內清洗劑根據具體清洗劑不同，可以選擇為正常濃度，也可以選擇為低于或高于正常濃度。所述2 — 4槽加入清洗劑，清洗劑的濃度為3 - 7% ;具體分布可以是所述2 — 4槽清洗劑的分布是2槽內清洗劑的濃度為3 — 5%，3 — 4槽內清洗劑的濃度為5 — 7%。
所述3 — 4槽還加有堿，其體積濃度或重量濃度為30 - 40% ;所述堿指氫氧化鉀或氫氧化鈉。所述純水是指去離子純水，電阻率10兆歐姆·米一 18兆歐姆·米。所述I槽采用常溫，2 — 7槽控制于50 - 700C ;具體分布是所述I槽采用常溫，
2-5槽控制于50 — 65°C，6槽控制于55 — 60°C，7槽控制于60 — 70°C。本發明具有以下有益效果經反復實踐表明，采用本發明提供的方法，可有效清除切割過程中由于砂漿和鋼線及其他接觸物對準單晶硅片造成的污染，如有機雜質沾污、顆粒沾污、金屬離子沾污等，最終滿足電池客戶端的要求，確保準單晶硅片在量產階段其硅片表面質量得到有效保證。
具體實施例方式為了使本技術領域的人員更好地理解本發明方案，并使本發明的上述目的、特征·和優點能夠更加明顯易懂，下面結合實施例對本發明作進一步詳細的說明。實施例
清洗機設置7個槽位，I槽處于開狀態，2 - 4槽處于關狀態，5 - 7槽處于開狀態；(開是指清洗槽處于工作狀態，關狀態指清洗槽處于停止狀態)其中，I - 6槽使用超聲波，7槽不使用，超聲波的頻率為20 - 30kHz，功率為1800W ;在2 — 4槽加入清洗劑，其余槽使用純水，純水溢流每槽的清洗時間為300 - 720秒。所述的清洗劑指行業通用的硅片清洗劑，如常州君合達克羅涂覆工程技術有限公司生產的JH — 15、16、18型硅片清洗劑；昆山思達嘉化工有限公司生產的思達嘉SDJ硅片清洗劑；上海名昂新材料科技有限公司生產的硅片清洗劑A、B等。本實施例以常州君合達克羅涂覆工程技術有限公司JH-16型硅片清洗劑為例，其主要由鉀鹽、緩蝕劑、絡合劑、助洗劑及表面活性劑聚合復配而成。2槽清洗劑濃度為4%，3槽、4槽清洗劑濃度為6%。在3 — 4槽加入堿，其余槽不加，堿指氫氧化鉀，加入堿后，其體積濃度或重量濃度為36%。(堿也可以是氫氧化鈉，加入量與氫氧化鉀相同)
I槽采用常溫，2 - 5槽控制于50 - 65°C，6槽控制于55 — 60°C，7槽控制于60 —70。。。以上所述，僅為本發明的具體實施方式
，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。
權利要求
1.準單晶硅片清洗方法，其特征在于清洗機設置7個槽位，I槽處于開狀態，2— 4槽處于關狀態，5 - 7槽處于開狀態；其中，I 一 6槽使用超聲波，超聲波的頻率為20 - 30kHz,功率為1800 - 2500W ;在2 — 4槽加入清洗劑，清洗劑是行業通用的硅片清洗劑，其余槽使用純水；純水溢流每槽的清洗時間為300 - 720秒。
2.根據權利要求I所述的準單晶硅片清洗方法，其特征在于所述行業通用的硅片清洗劑，選擇常州君合達克羅涂覆工程技術有限公司生產的JH — 15、16、18型硅片清洗劑；昆山思達嘉化工有限公司生產的思達嘉SDJ硅片清洗劑；上海名昂新材料科技有限公司生產的硅片清洗劑A、B之一種。
3.根據權利要求I或2所述的準單晶硅片清洗方法，其特征在于所述2- 4槽清洗劑的分布是3 — 4槽內清洗劑的濃度為2槽內清洗劑濃度的140 - 170%。
4.根據權利要求I或2所述的準單晶硅片清洗方法，其特征在于所述2- 4槽加入清洗劑，清洗劑的濃度為3 - 7%。
5.根據權利要求4所述的準單晶硅片清洗方法，其特征在于所述2- 4槽清洗劑的分布是2槽內清洗劑的濃度為3 - 5%，3 — 4槽內清洗劑的濃度為5 - 7%。
6.根據權利要求I所述的準單晶硅片清洗方法，其特征在于所述3- 4槽還加有堿，其體積濃度或重量濃度為30 - 40%。
7.根據權利要求6所述的準單晶硅片清洗方法，其特征在于所述堿指氫氧化鉀或氫氧化鈉。
8.根據權利要求I所述的準單晶硅片清洗方法，其特征在于所述純水是指去離子純水，電阻率10兆歐姆 米一 18兆歐姆 米。
9.根據權利要求I所述的準單晶硅片清洗方法，其特征在于所述I槽采用常溫，2—7槽控制于50 - 70°C。
10.根據權利要求I或7所述的準單晶硅片清洗方法，其特征在于所述I槽采用常溫，2-5槽控制于50 — 65°C，6槽控制于55 — 60°C，7槽控制于60 — 70°C。
全文摘要
準單晶硅片清洗方法，涉及太陽能硅片清洗技術領域，清洗機設置7個槽位，1槽處于開狀態，2－4槽處于關狀態，5－7槽處于開狀態；其中，1－6槽使用超聲波，超聲波的頻率為20－30kHz，功率為1800－2500W；在2－4槽加入清洗劑，其余槽使用純水；純水溢流每槽的清洗時間為300－720秒。本發明具有以下有益效果可有效清除切割過程中由于砂漿和鋼線及其他接觸物對準單晶硅片造成的嚴重污染，如有機雜質沾污、顆粒沾污、金屬離子沾污等，最終滿足電池客戶端的要求，確保準單晶硅片在量產階段其硅片表面質量得到有效保證。
文檔編號B08B3/08GK102806216SQ201210298418
公開日2012年12月5日 申請日期2012年8月21日 優先權日2012年8月21日
發明者石開明, 孫志剛, 劉茂華, 韓子強, 石堅, 吳繼賢, 章建海 申請人:安陽市鳳凰光伏科技有限公司