專利名稱：太陽能硅片清洗系統的制作方法
技術領域：
太陽能硅片清洗系統技術領域[0001]本實用新型涉及太陽能電池技術領域，尤其涉及太陽能硅片清洗系統。
背景技術：
[0002]在現有的太陽能清洗設備和濕法處理設備中，尤其是鏈式太陽能清洗設備和濕法處理設備中，硅片從藥液槽被腐蝕出來后，表面殘留部分酸堿，需及時對硅片進行清洗，以免硅片表面被殘留的酸或堿再一次腐蝕，同時腐蝕過的表面長時間裸露在空氣中會產生新的氧化層，這將嚴重影響電池片的整體生產工藝，降低電池片的轉換效率。現有的硅片噴淋清洗系統，可以清洗掉硅片表面吸附的殘留酸或堿。但是現有的噴淋系統需要大量的水來進行清洗，浪費資源，并且清洗效果也并不理想。[0003]如何提供一種清洗效率高，且節約環保的太陽能硅片清洗系統是業界亟待解決的技術問題。發明內容[0004]為解決上述現有技術中存在的技術問題，本實用新型提出一種太陽能硅片清洗系統，包括清洗槽、設于槽體上方的硅片滾筒傳輸裝置、和設置在傳送裝置上方和下方，用于噴射清洗硅片的多個噴淋管，其中，所述的清洗槽沿硅片傳輸方向分成至少兩個槽體，所述的噴淋管分成對應于各個槽體的噴淋組。根據需要，噴淋組內噴淋管數量可以變化。[0005]在一較佳實施例中，所述的清洗槽分成第一槽體和第二槽體，所述的噴淋管采用四組相對滾筒傳輸裝置上下設置的噴淋管，第一組噴淋管對應于第一槽體，第二組至第四組噴淋管對應于第二槽體。[0006]所述第一組至第三組噴淋管采用一對上下供水副槽，所述第四組噴淋管采用一對上下純水副槽。[0007]所述第一槽體的排水管直接排放至污水處理系統，所述第二槽體的排水管連接供水副槽循環。[0008]本實用新型將傳統的噴淋過程分成幾步，不僅能夠及時的清洗掉硅片表面吸附的殘留酸或堿，還能提高噴淋效率，讓硅片能夠得到徹底的清洗，并且縮短了硅片被進一步腐蝕的時間，很好的保護了硅片的表面被氧化，此外，噴淋過程中的部分用水可循環利用，節約用水資源。[0009]
[0010]
以下結合附圖和較佳實施例對本實用新型進行詳細地說明，其中[0011]圖I為本實用新型較佳實施例的結構示意圖。
具體實施方式
[0012]如圖I所示，本實用新型較佳實施例提供的一種太陽能硅片清洗系統，包括清洗槽I、設于槽體上方的硅片滾筒傳輸裝置2、和設置在傳送裝置上方和下方，用于噴射清洗娃片的多個噴淋管3,清洗槽沿娃片傳輸方向分成至少兩個槽體,噴淋管分成對應于各個槽體的噴淋組。根據需要，噴淋組內噴淋管數量可以變化。[0013]在一較佳實施例中，清洗槽分成第一槽體11和第二槽體12，第一槽體的排水管4 直接排放至污水處理系統，第二槽體的排水管連接供水副槽5循環。噴淋管采用四組相對滾筒傳輸裝置上下設置的噴淋管，第一組噴淋管31對應于第一槽體，第二組噴淋管32至第四組噴淋管34對應于第二槽體。第一組至第三組噴淋管33采用一對上下供水副槽5，第四組噴淋管34采用一對上下純水副槽6。[0014]下面詳細介紹本實用新型的工作過程。[0015]參考圖1，第一組噴淋管31至第三組噴淋管33利用泵從供水副槽5中取水作為水源，第四組噴淋管34的進水口直接連接外圍的純水副槽6，以新純水作為清洗水源。待清洗的硅片從藥液槽流出，依次進入第一槽體11，通過硅片滾筒傳輸裝置2的傳動作用，經過第一組噴淋管31時，上下噴淋管對帶酸硅片的上下表面進行噴淋清洗，清洗后的帶高濃度藥液的水落入第一槽體11中，由第一槽體11底部的排水管4排走。[0016]經過初步清洗的硅片，在硅片滾筒傳輸裝置2的傳動作用下，進入第二槽體12，第二組噴淋管32和第三組噴淋管33再一次從上下對硅片表面進行進一步噴淋清洗，噴淋清洗的水從第二槽體12的底部流回供水副槽5，以便于循環利用，節約資源。[0017]硅片繼續向前行進，第四組噴淋管34從純水裝置6中取水，利用新的純水對硅片進行再一次噴淋清洗，利用過的新純水落入第二槽體12，從底部流入供水副槽5供循環使用，使得副槽的水源能夠及時補充，保證了副槽的正常水位。[0018]以上具體實施例僅用以舉例說明本實用新型的結構，本領域的普通技術人員在本實用新型的構思下可以做出多種變形和變化，這些變形和變化均包括在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.一種太陽能硅片清洗系統，包括清洗槽、設于槽體上方的硅片滾筒傳輸裝置、和設置在傳送裝置上方和下方，用于噴射清洗硅片的多個噴淋管，其特征在于，所述的清洗槽沿硅片傳輸方向分成至少兩個槽體，所述的噴淋管分成對應于各個槽體的噴淋組。
2.如權利要求I所述的太陽能硅片清洗系統，其特征在于所述的清洗槽分成第一槽體和第二槽體，所述的噴淋管采用四組相對滾筒傳輸裝置上下設置的噴淋管，第一組噴淋管對應于第一槽體，第二組至第四組噴淋管對應于第二槽體。
3.如權利要求2所述的太陽能硅片清洗系統，其特征在于所述第一組至第三組噴淋管采用一對上下供水副槽，所述第四組噴淋管采用一對上下純水副槽。
4.如權利要求2所述的太陽能硅片清洗系統，其特征在于，所述第一槽體的排水管直接排放至污水處理系統，所述第二槽體的排水管連接供水副槽循環。
專利摘要本實用新型公開了一種太陽能硅片清洗系統，包括清洗槽、設于槽體上方的硅片滾筒傳輸裝置、和設置在傳送裝置上方和下方，用于噴射清洗硅片的多個噴淋管，其中，所述的清洗槽沿硅片傳輸方向分成至少兩個槽體，所述的噴淋管分成對應于各個槽體的噴淋組。本實用新型采用分步式噴淋清洗方式對帶酸硅片進行多次清洗，硅片清洗地更加徹底，并且將清洗較干凈的硅片的用水進行循環利用，節約用水資源。
文檔編號B08B3/02GK202803656SQ20122043304
公開日2013年3月20日 申請日期2012年8月29日 優先權日2012年8月29日
發明者左國軍 申請人:常州捷佳創精密機械有限公司