<listing id="vjp15"></listing><menuitem id="vjp15"></menuitem><var id="vjp15"></var><cite id="vjp15"></cite>
<var id="vjp15"></var><cite id="vjp15"><video id="vjp15"><menuitem id="vjp15"></menuitem></video></cite>
<cite id="vjp15"></cite>
<var id="vjp15"><strike id="vjp15"><listing id="vjp15"></listing></strike></var>
<var id="vjp15"><strike id="vjp15"><listing id="vjp15"></listing></strike></var>
<menuitem id="vjp15"><strike id="vjp15"></strike></menuitem>
<cite id="vjp15"></cite>
<var id="vjp15"><strike id="vjp15"></strike></var>
<var id="vjp15"></var>
<var id="vjp15"></var>
<var id="vjp15"><video id="vjp15"><thead id="vjp15"></thead></video></var>
<menuitem id="vjp15"></menuitem><cite id="vjp15"><video id="vjp15"></video></cite>
<var id="vjp15"></var><cite id="vjp15"><video id="vjp15"><thead id="vjp15"></thead></video></cite>
<var id="vjp15"></var>
<var id="vjp15"></var>
<menuitem id="vjp15"><span id="vjp15"><thead id="vjp15"></thead></span></menuitem>
<cite id="vjp15"><video id="vjp15"></video></cite>
<menuitem id="vjp15"></menuitem>

一種炭質材料表面制備高溫抗氧化涂層的方法

文檔序號:1858886閱讀:147來源:國知局
專利名稱:一種炭質材料表面制備高溫抗氧化涂層的方法
技術領域
本發明涉及一種炭質材料表面制備高溫抗氧化涂層的方法,屬于碳材料氧化防護用無機涂層材料技術領域。
背景技術
碳材料具有質量輕,導熱性能好和強的抗沖擊性能,尤其是碳/碳復合材料在1700°C以上的高溫環境下,具有非常高的力學性能,被廣泛應用于航空、航天、核能等條件苛刻的高技術領域。但是碳質材料在450°C的有氧環境下開始氧化,對其力學性能有致命 性的破壞。抗氧化涂層是一種有效的解決碳材料高溫熱防護的主要方法,但是對于高于1700°C的高溫有氧環境,單層涂層難以滿足抗氧化要求,只能采用梯度涂層。梯度涂層由基體向外一般分為過渡層、氧阻擋層、密封層等。SiC涂層具有很好的熱穩定性,與碳質材料具有很好的物理化學相容性,熱膨脹系數相近,是理想的過渡層候選材料。但是SiC在高于1650°C的高溫環境下氧化生成的SiO2開始熔融,與碳材料的結合力明顯降低,容易導致涂層脫落而失效。在SiC涂層的基礎上制備一層含有高熔點碳化物陶瓷(以下簡稱XC)的涂層,如HfC (熔點3890°C )、TaC(3880°C )、ZrC(3540°C ),能夠避免涂層脫落,在更高溫度和更長時間抗氧化。SiO2在高溫下能夠熔融,封填涂層微裂紋,而且可以和HfC、TaC、ZrC氧化分別生成的HfO2, Ta2O5, ZrO2反應生成玻璃態熔融物,牢牢附著在涂層表面,封填表面的開孔,阻止氧化氣體進入基體,增強涂層的高溫抗氧化性能。因此在炭質材料表面制備SiC/父(/5102梯度涂層,能夠在高于1800°C的高溫下具有較好的抗氧化效果。但是現有研究制備XC涂層主要采用化學氣相沉積的方法,該方法存在周期較長,尾氣污染嚴重等缺點。

發明內容
本發明的目的是為了現有技術中化學氣相沉積法制備XC涂層存在周期長、尾氣污染嚴重的缺點,提出一種炭質材料表面制備高溫抗氧化涂層的方法。本發明的目的是通過以下技術方案實現的。本發明的一種炭質材料表面制備高溫抗氧化涂層的方法,該方法為涂敷燒結法,涂敷燒結法不受外形和尺寸的限制,制備周期短且成本低,該方法是在炭質材料表面涂敷反應漿料I,然后燒結,再涂敷漿料II,再燒結,最后刷涂正硅酸乙酯,干燥后得到表面具有高溫抗氧化涂層的炭質材料;具體步驟為I)在炭質材料表面涂敷反應漿料I ;反應漿料I由樹脂和有效組元組成;樹脂與有效組元的質量比為1-2 I ;樹脂作為反應物料和載體,樹脂為硅樹脂、酚醛樹脂或環氧樹脂中的一種或其混合物;有效組元為單質硅;2)將步驟I)中得到的炭質材料進行燒結,燒結完成后在炭質材料的表面形成碳化硅(SiC)應力釋放層;燒結溫度為1400-1800°C,燒結時間為l_4h ;3)在步驟2)得到的碳化硅表面涂敷氧阻擋層漿料II ;氧阻擋層漿料II樹脂作為反應物料和載體,添加難熔金屬氧化物并混合均勻而成;難熔金屬氧化物記為xo,其中,X為Hf、Ta或Zr ;樹脂與XO的質量比為3 1-4 ;4)將步驟3)得到的炭質材料進行燒結,燒結完成后重復步驟3)中的涂敷和該步驟的燒結過程1-2次;最后在碳化硅表面形成難熔金屬碳化物即XC氧阻擋層;燒結溫度為1300-1800°C,燒結時間為 l-4h ;5)在步驟4)得到的XC氧阻擋層表面刷涂正硅酸乙酯(TEOS),然后干燥;重復刷涂和干燥1-4次,得到密封層,干燥溫度為100-120°C,干燥時間為l_3h ;該密封層用于封填XC氧阻擋層的孔隙。將上述方法制備的炭質材料在1300°C靜態氧化環境中考核30min,其失重率為
IX 10-3 4X 10 3g/ (m2. s);將上述方法制備的炭質材料在1500°C靜態氧化環境中考核20min,其失重率為 3 X 10 3-6 X 10 3g/ (m2. s);將上述方法制備的碳/碳復合材料在1800°C等離子風洞環境中考核800s,其失重率為 5 X 10—3-9 X 10_3g/ (m2. s)。有益效果本發明通過難熔金屬氧化物(XO)和樹脂的相對含量,解決梯度涂層內部應力不匹配的問題,減少微裂紋,增大涂層的結合力,增強涂層抗氧化能力;本發明的SiC應力釋放層和XC氧阻擋層相互包圍以緩解熱膨脹系數差異引起的微裂紋,XC的熔點高,不易被氣流沖刷,對SiC涂層有穩固作用,防止SiC在高溫(>1700°c )氣流的沖刷下脫落;本發明的XC氧阻擋層,能夠經受高溫抗氧化考核;本發明的密封層用于封填氧阻擋層的孔隙。
具體實施例方式下面結合實施例對本發明做進一步說明。實施例I石墨材料抗氧化梯度涂層SiC/TaC/Si02制備I)漿料的制備將20gSi粉和IOg環氧樹脂混合均勻,得到反應漿料I ;將30g環氧樹脂和IOgTa2O5混合均勻,得到氧阻擋層漿料II ;2)以密度為I. 8g/cm3的高強度石墨為基材,在石墨表面刷涂2_厚的反應漿料I,然后在1500°C溫度下燒結Ih ;燒結完成后自然冷卻至室溫,得到碳化硅(SiC)應力釋放層,然后將其表面清洗,干燥;3)在步驟2)得到的石墨基材的碳化硅(SiC)應力釋放層的表面上涂敷Imm厚的氧阻擋層漿料II,然后在干燥箱中于50-150°C范圍內進行逐步升溫干燥和固化,以除去溶齊IJ,并形成固體層,重復此涂敷-干燥固化過程2次,形成三層TaC復合涂層前驅體;升溫速率為 IO0C /min ;4)將步驟3)得到的石墨材料在高溫爐內,氬氣保護下于1500°C進行燒結lh,然后自然冷卻至室溫,得到TaC層,再在TaC層上涂敷厚度為O. 5mm氧阻擋層漿料II,然后在干燥箱中于50-150°C范圍內進行逐步升溫干燥和固化,以除去溶劑,并形成固體層,重復此涂敷-干燥固化過程2次,形成三層TaC復合涂層前驅體;升溫速率為10°C /min ;然后在高溫爐內,氬氣保護下于1500°C進行燒結lh,然后自然冷卻至室溫,得到TaC氧阻擋層;5)在步驟4)得到的石墨材料的TaC氧阻擋層的表面刷涂厚度為O. 2mm的正硅酸乙酯,然后在100°C下進行干燥lh,干燥完成后再刷涂厚度為O. Imm的正硅酸乙酯,再干燥,再刷涂厚度為O. Imm的正硅酸乙酯,再干燥,得到有效成分為Si02的密封層。將上述得到的石墨材料在1300°C靜態氧化環境中考核30min,其失重率為
3X 10 3g/ (m2. s)。實施例2石墨材料抗氧化梯度涂層SiC/HfC/Si02制備I)漿料的制備將20gSi粉和IOg環氧樹脂混合均勻,得到反應漿料I ;將30g酚醛樹脂和20gHf02混合均勻,得到氧阻擋層漿料II ; 2)以密度為I. 9g/cm3的高強度石墨為基材,在石墨表面刷涂I. 5_厚的反應漿料I,然后在1500°C溫度下燒結3h ;燒結完成后自然冷卻至室溫,得到碳化硅(SiC)應力釋放層,然后將其表面清洗,干燥;3)在步驟2)得到的石墨基材的碳化硅(SiC)應力釋放層的表面上涂敷Imm氧阻擋層漿料II,然后在干燥箱中于50-150°C范圍內進行逐步升溫干燥和固化,以除去溶劑,并形成固體層,重復此涂敷-干燥固化過程2次,形成三層HfC復合涂層前驅體;升溫速率為 12。。/min ;4)將步驟3)得到的石墨材料在高溫爐內,氬氣保護下于1300°C進行燒結lh,然后自然冷卻至室溫,得到HfC層,再在HfC層上涂敷Imm氧阻擋層漿料II,然后在干燥箱中于50-150°C范圍內進行逐步升溫干燥和固化,以除去溶劑,并形成固體層,重復此涂敷-干燥固化過程2次,形成三層HfC復合涂層前驅體;升溫速率為12°C /min ;然后在高溫爐內,氬氣保護下于1300°C進行燒結lh,然后自然冷卻至室溫,得到HfC氧阻擋層;5)在步驟4)得到的石墨材料的TaC氧阻擋層的表面刷涂厚度為O. Imm的正硅酸乙酯,然后在100°c下進行干燥lh,干燥完成后再刷涂厚度為O. Imm正硅酸乙酯,再干燥,再刷涂厚度為O. Imm正硅酸乙酯,再干燥,形成SiC/HfC/Si02復合涂層。將上述得到的石墨材料在1500°C靜態氧化環境中考核20min,其失重率為5 X 10 3g/ (m2. s)。實施例3碳/碳復合材料抗氧化梯度涂層SiC/ZrC/Si02制備I)漿料的制備將20gSi粉和20g環氧樹脂混合均勻,得到反應漿料I ;將30g環氧樹脂和40gZr02混合均勻,得到氧阻擋層漿料II ;2)以密度為I. 9g/cm3的碳/碳復合材料為基材,在碳/碳復合材料表面刷涂Imm的反應漿料I,然后在1600°C溫度下燒結Ih ;燒結完成后自然冷卻至室溫,得到碳化硅(SiC)應力釋放層,然后將其表面清洗,干燥;3)在步驟2)得到的碳/碳復合材料的碳化硅(SiC)應力釋放層的表面上涂敷Imm的氧阻擋層漿料II,然后在干燥箱中于100°C下干燥lh,以除去溶劑,并形成固體層,重復此涂敷-干燥過程2次,形成三層SiC/ZrC復合涂層;4)將步驟3)得到的碳/碳材料在高溫爐內,氬氣保護下于1600°C進行燒結3h,然后自然冷卻至室溫,得到ZrC層,再在ZrC層上涂敷1_氧阻擋層漿料II,然后在干燥箱中于50-150°C范圍內進行逐步升溫干燥和固化,以除去溶劑,并形成固體層,重復此涂敷-干燥固化過程2次,形成三層ZrC復合涂層前驅體;升溫速率為12°C /min ;然后在高溫爐內,氬氣保護下于1600°C進行燒結3h,然后自然冷卻至室溫,得到ZrC氧阻擋層;5)將步驟4)得到的碳/碳復合材料表面刷涂厚度為O. 15mm正硅酸乙酯,然后在100°C下進行干燥Ih,干燥完成后再刷涂厚度為O. 15mm正娃酸乙酯,形成SiC/ZrC/Si02復合抗氧化涂層。將上述得到的碳/碳復合材料在1800°C風洞考核環境中考核800s,其失重率為7 X 10 3g/ (m2. s)。
權利要求
1.一種炭質材料表面制備高溫抗氧化涂層的方法,其特征在于該方法的具體步驟為 1)在炭質材料表面涂敷反應漿料I;反應漿料I由樹脂和有效組元組成;樹脂與有效組元的質量比為1-2 I;樹脂為硅樹脂、酚醛樹脂或環氧樹脂中的一種或其混合物;有效組元為單質硅; 2)將步驟I)中得到的炭質材料進行燒結,燒結完成后在炭質材料的表面形成碳化硅應力釋放層;燒結溫度為1400-1800°C,燒結時間為l_4h ; 3)在步驟2)得到的碳化硅表面涂敷氧阻擋層漿料II;氧阻擋層漿料II由樹脂和難熔金屬氧化物組成,樹脂為硅樹脂、酚醛樹脂或環氧樹脂中的一種或其混合物;難熔金屬氧化物記為X0,其中,X為Hf、Ta或Zr;樹脂與XO的質量比為3 1-4 ; 4)將步驟3)得到的炭質材料進行燒結,燒結溫度為1300-1800°C,燒結時間為l_4h; 5)重復步驟3)中的涂敷和步驟4)的燒結過程1-2次;最后在碳化硅表面形成難熔金屬碳化物即XC氧阻擋層; 6)在步驟5)得到的XC氧阻擋層表面刷涂正硅酸乙酯,然后干燥;干燥溫度為100-120°C,干燥時間為l-3h ; 7)重復步驟6)中的刷涂、干燥過程1-4次,得到密封層。
2.根據權利要求I所述的一種炭質材料表面制備高溫抗氧化涂層的方法,其特征在于步驟I)中的炭質材料為石墨材料和碳/碳復合材料。
3.根據權利要求I所述的一種炭質材料表面制備高溫抗氧化涂層的方法,其特征在于步驟I)中在炭質材料表面涂敷反應衆料I的厚度為l_2mm。
4.根據權利要求I所述的一種炭質材料表面制備高溫抗氧化涂層的方法,其特征在于涂敷氧阻擋層漿料II的總厚度為l_6mm。
5.根據權利要求I所述的一種炭質材料表面制備高溫抗氧化涂層的方法,其特征在于刷涂正硅酸乙酯的總厚度為O. l-2mm。
全文摘要
本發明涉及一種炭質材料表面制備高溫抗氧化涂層的方法,屬于碳材料氧化防護用無機涂層材料技術領域。在炭質材料表面涂敷反應漿料,然后燒結,再涂敷氧阻擋層漿料,然后再燒結,再刷涂正硅酸乙酯,然后干燥。本發明通過難熔金屬氧化物和樹脂的相對含量,解決梯度涂層內部應力不匹配的問題,減少微裂紋,增大涂層的結合力,增強涂層抗氧化能力;本發明的SiC應力釋放層和XC氧阻擋層相互包圍以緩解熱膨脹系數差異引起的微裂紋,XC的熔點高,不易被氣流沖刷,對SiC涂層有穩固作用,防止SiC在高溫氣流的沖刷下脫落;本發明的XC氧阻擋層,能夠經受高溫抗氧化考核;本發明的密封層用于封填氧阻擋層的孔隙。
文檔編號C04B41/89GK102807394SQ20121029358
公開日2012年12月5日 申請日期2012年8月17日 優先權日2012年8月17日
發明者吳寧寧, 李同起, 張中偉, 馮志海, 李鈺梅, 劉風亮, 俸翔 申請人:航天材料及工藝研究所, 中國運載火箭技術研究院
網友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1
韩国伦理电影