一種Y₄Si₃O₁₂晶須增韌莫來石復合涂層的制備方法

專利名稱：一種Y₄Si₃O₁₂ 晶須增韌莫來石復合涂層的制備方法
技術領域：
本發明屬于C/C復合材料技術領域，涉及一種C/C復合材料高溫抗氧化涂層的制備方法，具體涉及一種Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層的制備方法。
背景技術：
碳/碳(C/C)復合材料具有熱膨脹系數低、密度低、耐高溫、耐燒蝕、高強度、高模量等優異性能，特別是在惰性氣氛的2200°C以內條件下其強度和模量隨溫度升高而增加的優異性能，使其在航空航天領域具有廣闊的應用前景。然而，C/C復合材料在超過450°C的有氧環境就會被氧化，氧化質量損失導致其強度下降，限制了其實際應用。因此，解決C/C復合材料高溫防氧化問題是充分利用其性能的關鍵。
提高C/C復合材料抗氧化性能主要有兩種途徑一種是基體改性技術；一種是表面涂層技術。研究表明，基體改性技術只適用于低溫段對C/C材料的氧化保護。而涂層技術則能夠解決C/C材料的高溫氧化問題。目前研究較多的C/C復合材料高溫抗氧化涂層有SiC[Y.L. Zhang, H.J. Li, Q. G. Fu. A C/SiC gradient oxidation protective coating forcarbon/carboncomposites. Surf. Coaf. Techol.，2006, 20 I :3491-3495.]、CrSi2 [Fu Qian-Gangj LiHe-Junj Shi Xiao-Hong.A SiC whisker-toughenedSiC-CrSi2Oxidation protectivecoating for carbon/carbon composites, April.Surf. Sci.，2007，253:3757-3760.]、Si-Mo [Zhi-Qiao Yan，Xiang Xiong, Peng Xiao, FengChen，Hong-Bo Zhang,Bai-Yun Huang. A multilayer coating of dense SiC alternatedwith porous Si-Mofor the oxidation protection of carbon/carbon composites, Carbon，2008，46 (I):149-153. ]、Si-MoSi2[Yu_Lei Zhang，He-Jun Li, Xi-Yuan Yao. Oxidationprotection of C/SiC coated carbon/carbon composites with Si-Mo coating athightemperature, Corros. Sci.，2011，53:2075-2079. ]、Mo-Si_N[Z. H. Lai，J. C. Zhuj J.H. Jeon. Phase constitutions of Mo-Si-N anti-oxidation multi-layer coatings on C/C composites by fused slurry. Mater. Sci. Eng. A，2009，499:267-270.]和 Si-Mo-SiO2 [Z.Q. Yan, X. Xiong, P. Xiao, et al. Si-Mo_Si02oxidation protectivecoatings prepared byslurry paintingfor C/C-SiC composites. Surf. Coaf. Techol.，2008，202:4734-4740.]等，黃劍鋒等還研究了以SiC為過渡層的其它復合涂層，如SiC_B4C/SiC/Si02[JunLi，Ruiying Luoj Chen Lin. Oxidation resistance of agradient self-healingcoatingfor cabon/carbon composites,Carbon, 2007，45:2471-2478]、SiC/Y2SiO5[Argirusis Chr. , Damjanovic T. , Borchardt G. . Yttriumsilicate coating systemfor oxidation protection of C/C-Si-SiC composites:Electrophoretic depositionand oxygen self-diffusion measurements, Journal of theEuropean CeramicSociety，2007，27 (2-3) :1303-1306.]和 SiC/MoSi2-CrSi2_Si [Li-He-Jun，Feng Taoj FuQian-Gang. Oxidation and erosionresistance of MoSi2-CrSi2-Si/SiC coated C/Ccomposites in static and aerodynamicoxidation environment，Carbon，2012，48:1636-1642.]等。然而，上述涂層還達不到1600-2500°C高速離子流沖刷條件下的實際應用要求，碳/碳復合材料的高溫抗氧化陶瓷涂層在高速燃氣沖刷環境下易脫落及氧化保護時間短。

發明內容
本發明的目的在于提供一種Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層的制備方法。所制備的復合涂層致密、內聚力良好且高溫抗氧化性能優異的Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層，可以延長在燃氣沖刷動態環境下對C/C復合材料的防氧化保護時間。為達到上述目的，本發明采用的技術方案是步驟I :采用包埋法在C/C復合材料基體表面制備SiC多孔內涂層
I)首先，取市售分析純的Si粉、C粉和B2O3粉，按Si粉C粉B203粉= (3^5) : (4飛):(I. 5^2. 0)的質量比配制包埋粉料，然后將預處理后的碳/碳復合材料放入石墨坩堝，并將其埋入包埋粉料中；2)其次，將石墨坩堝放入立式真空爐中，通入氬氣作為保護氣體，控制立式真空爐的升溫速度為3(T50°C /min，將爐溫從室溫升至170(Tl800°C后，保溫0. 5 Ih后隨爐自然冷卻，用無水乙醇將完成包埋的碳/碳復合材料超聲清洗I. 5 2h，超聲功率為40(T500W ；3)最后，在7(T80°C的電熱鼓風干燥箱中干燥得到帶有SiC多孔內涂層的碳/碳復合材料；步驟2 :采用復合表面活性劑對Y4Si3O12晶須進行表面改性I)將十二烷基苯磺酸鈉配制成濃度為0. 5^0. 7mol/L的溶液，將Y4Si3O12晶須(見專利“一種Y4Si3O12晶須的制備方法”(專利申請號201210140071. 2))浸泡在溶液中，超聲輻射7(T90min，超聲功率為20(T400W，然后過濾并分離出Y4Si3O12晶須；2)將分離所得的Y4Si3O12晶須與異丙醇按Y4Si3O12晶須異丙醇=(8 12g)(15(T300ml)的比例配制成懸浮液，然后向懸浮液中按(0. 3^0. 5) g/mL加入碘，攪拌得到混合液；步驟3 :采用超聲電泳選擇性組裝沉積獲得Y4Si3O12晶須釘扎層I)將步驟2制得的混合液置于超聲電沉積裝置中，以步驟I制備的帶有多孔SiC內涂層的C/C復合材料為陰極，以石墨為陽極，進行電沉積，超聲功率控制為40(T500W，沉積電壓為5(T60V，沉積電流為0. 2^0. 3A，沉積時間為13 20min ；2)沉積結束后，將陰極的復合材料取下，用蒸餾水洗滌3飛次，在8(T12(TC干燥，即在帶有多孔SiC內涂層的碳/碳復合材料上得到Y4Si3O12晶須嵌入SiC孔隙的Y4Si3O12晶須釘扎層；步驟4 :采用水熱電泳沉積法制備Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層I)取l(T30g莫來石粉體懸浮于10(T300ml的異丙醇中，磁力攪拌l(T30h,隨后加A 0. 12^0. 16g的碘,磁力攪拌l(T30h,制備成懸浮液；2)以步驟3制得的帶有Y4Si3O12晶須嵌入SiC孔隙的Y4Si3O12晶須釘扎層的C/C復合材料作為沉積基體，固定沉積基體于陰極，陽極選用石墨板，將懸浮液倒入水熱電泳沉積反應釜中，控制填充比為60 70%，加熱到16(T20(TC后保溫，調整沉積電壓為20(T260V進行水熱電泳沉積，沉積IOlOmin后停止通電，待試樣冷卻后取出，置于10(Tl2(rC的烘箱中干燥，得到帶有Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層的C/C復合材料試樣。所述的Si粉、C粉和B2O3粉的粒度為40 50 U m。所述的C/C復合材料預處理包換以下步驟I)取飛機剎車片用的2D-碳/碳復合材料，將其加工成45 X 45 X 45^50 X 50 X 50mm3的立方體，并對其進行打磨倒角的表面處理，倒角為50 60° ；2)然后分別用去離子水和無水乙醇各超聲清洗:T5次，每次清洗超聲時間為5(T80min，超聲功率為16(T200W，最后在7(T80°C的電熱鼓風干燥箱中干燥。所述的莫來石粉體的粒度為40 50 u m。由于Y4Si3012、莫來石、SiC三者具有良好的物化相容性、潤濕性和接近的熱膨脹系數[C. Friedrich, R. Gadow, M. Speicher. Protective multilayercoatings forcarbon-carbon composites, Surf. Coat. Technol. , 2002, 151-152:405-411.]，因此相互之·間能充分鋪展，封填缺陷。此外，Y4Si3O12的熱膨脹系數(4. 3 X KT6IT1)與SiC (4. 5 X KT6IT1)較為接近，能有效防止涂層高溫開裂和脫落的問題。同時采用晶須增韌的復合材料式的涂層設計，其能增強內外涂層、基體與內涂層間的結合力，有效利用復合原理，優勢互補，在提高抗沖刷剪切應力作用的同時還可大大提高抗氧化性能。不僅有效延長了其在高溫燃氣沖刷氣氛中穩定工作的時間，且制備工藝將大大提高涂層的致密性、納米涂層內聚力和內外涂層之間的結合力，避免了后續處理。有益效果①本發明采用Y4Si3O12晶須增韌莫來石的復合材料式的涂層結構設計利用復合原理，利用莫來石和Y2SiO5晶須兩種材料的優勢和長處，在提高復合涂層抗沖刷剪切應力作用的同時還可以大大提高其抗氧化性能。②本發明工藝操作可控、溫度低、制備周期短，同時其還有機結合了水熱、超聲、電泳和電弧放電等相關技術的優點，可以獲得致密、內聚力強且界面結合良好的涂層。③這種新型Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層與其他涂層相比，能有效提高抗氧化溫度，可以獲得在1500°C的高溫燃氣動態沖刷條件下對C/C復合材料450h的防氧化保護，氧化失重率小于0. 62%。


圖I為實施例I制備的Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層表面的SEM照片。
具體實施例方式下面結合實施例及附圖對本發明作進一步說明。實施例I :步驟I :C/C復合材料預處理I)取飛機剎車片用的2D-碳/碳復合材料，將其加工成50 X 50 X 50mm3的立方體，并對其進行打磨倒角的表面處理，倒角為55° ;2)然后分別用去離子水和無水乙醇各超聲清洗3次，每次清洗超聲時間為80min，超聲功率為200W，最后在70°C的電熱鼓風干燥箱中干燥；步驟2 :采用包埋法在C/C復合材料基體表面制備SiC多孔內涂層
I)首先，取市售分析純的粒度為4(T50iim的Si粉、C粉和B2O3粉，按Si粉C粉B2O3粉=3 5 1.8的質量比配制包埋粉料，然后將預處理后的碳/碳復合材料放入石墨坩堝，并將其埋入包埋粉料中；2)其次，將石墨坩堝放入立式真空爐中，通入氬氣作為保護氣體，控制立式真空爐的升溫速度為30°C /min，將爐溫從室溫升至1700°C后，保溫Ih后隨爐自然冷卻，用無水乙醇將完成包埋的碳/碳復合材料超聲清洗2h，超聲功率為500W ；3)最后，在80°C的電熱鼓風干燥箱中干燥得到帶有SiC多孔內涂層的碳/碳復合材料；步驟3 :采用復合表面活性劑對Y4Si3O12晶須進行表面改性I)將十二烷基苯磺酸鈉配制成濃度為0. 7mol/L的溶液，將Y4Si3O12晶須(見專利“一種Y4Si3O12晶須的制備方法”(專利申請號201210140071. 2))浸泡在溶液中，超聲輻射90min，超聲功率為200W，然后過濾并分離出Y4Si3O12晶須； 2)將分離所得的Y4Si3O12晶須與異丙醇按Y4Si3O12晶須異丙醇=8g :230ml的比例配制成懸浮液，然后向懸浮液中按0. 5g/mL加入碘,攪拌得到混合液；步驟4 :采用超聲電泳選擇性組裝沉積獲得Y4Si3O12晶須釘扎層I)將步驟3制得的混合液置于超聲電沉積裝置中，以步驟2制備的帶有多孔SiC內涂層的C/C復合材料為陰極，以石墨為陽極，進行電沉積，超聲功率控制為500W，沉積電壓為50V，沉積電流為0. 1A，沉積時間為13min ；2)沉積結束后，將陰極的復合材料取下，用蒸餾水洗滌5次，在80°C干燥，即在帶有多孔SiC內涂層的碳/碳復合材料上得到Y4Si3O12晶須嵌入SiC孔隙的Y4Si3O12晶須釘扎層；步驟5 :采用水熱電泳沉積法制備Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層I)取IOg粒度為40 50 ii m的莫來石粉體懸浮于200ml的異丙醇中，磁力攪拌IOh,隨后加入0. 14g的碘,磁力攪拌IOh,制備成懸浮液；2)以步驟4制得的帶有Y4Si3O12晶須嵌入SiC孔隙的Y4Si3O12晶須釘扎層的C/C復合材料作為沉積基體，固定沉積基體于陰極，陽極選用石墨板，將懸浮液倒入水熱電泳沉積反應釜中，控制填充比為70%，加熱到200°C后保溫，調整沉積電壓為230V進行水熱電泳沉積，沉積30min后停止通電，待試樣冷卻后取出，置于110°C的烘箱中干燥，得到帶有Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層的C/C復合材料試樣。由圖I可以看出Y4Si3O12晶須同向鋪展并穿插于莫來石涂層中，復合涂層均勻致密，沒有裂紋。實施例2 步驟I :C/C復合材料預處理I)取飛機剎車片用的2D-碳/碳復合材料，將其加工成45 X 45 X 45mm3的立方體，并對其進行打磨倒角的表面處理，倒角為60° ;2)然后分別用去離子水和無水乙醇各超聲清洗4次，每次清洗超聲時間為50min，超聲功率為180W，最后在75°C的電熱鼓風干燥箱中干燥；步驟2 :采用包埋法在C/C復合材料基體表面制備SiC多孔內涂層I)首先，取市售分析純的粒度為4(T50iim的Si粉、C粉和B2O3粉，按Si粉C粉B2O3粉=4 6 2的質量比配制包埋粉料，然后將預處理后的碳/碳復合材料放入石墨坩堝，并將其埋入包埋粉料中；2)其次，將石墨坩堝放入立式真空爐中，通入氬氣作為保護氣體，控制立式真空爐的升溫速度為50°C /min，將爐溫從室溫升至1750°C后，保溫0. 5h后隨爐自然冷卻，用無水乙醇將完成包埋的碳/碳復合材料超聲清洗I. 5h，超聲功率為400W ；3)最后，在75°C的電熱鼓風干燥箱中干燥得到帶有SiC多孔內涂層的碳/碳復合材料；步驟3 :采用復合表面活性劑對Y4Si3O12晶須進行表面改性I)將十二烷基苯磺酸鈉配制成濃度為0. 5mol/L的溶液，將Y4Si3O12晶須(見專利 “一種Y4Si3O12晶須的制備方法”(專利申請號201210140071. 2))浸泡在溶液中，超聲輻射70min，超聲功率為300W，然后過濾并分離出Y4Si3O12晶須；2)將分離所得的Y4Si3O12晶須與異丙醇按Y4Si3O12晶須異丙醇=IOg 150ml的比例配制成懸浮液，然后向懸浮液中按0. 3g/mL加入碘,攪拌得到混合液；步驟4 :采用超聲電泳選擇性組裝沉積獲得Y4Si3O12晶須釘扎層I)將步驟3制得的混合液置于超聲電沉積裝置中，以步驟2制備的帶有多孔SiC內涂層的C/C復合材料為陰極，以石墨為陽極，進行電沉積，超聲功率控制為400W，沉積電壓為55V，沉積電流為0. 3A，沉積時間為17min ；2)沉積結束后，將陰極的復合材料取下，用蒸餾水洗滌3次，在100°C干燥，即在帶有多孔SiC內涂層的碳/碳復合材料上得到Y4Si3O12晶須嵌入SiC孔隙的Y4Si3O12晶須釘扎層；步驟5 :采用水熱電泳沉積法制備Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層I)取20g粒度為40 50 ii m的莫來石粉體懸浮于IOOml的異丙醇中，磁力攪拌20h,隨后加入0. 16g的碘,磁力攪拌20h,制備成懸浮液；2)以步驟4制得的帶有Y4Si3O12晶須嵌入SiC孔隙的Y4Si3O12晶須釘扎層的C/C復合材料作為沉積基體，固定沉積基體于陰極，陽極選用石墨板，將懸浮液倒入水熱電泳沉積反應釜中，控制填充比為65%，加熱到180°C后保溫，調整沉積電壓為260V進行水熱電泳沉積，沉積20min后停止通電，待試樣冷卻后取出，置于120°C的烘箱中干燥，得到帶有Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層的C/C復合材料試樣。實施例3 步驟I :C/C復合材料預處理I)取飛機剎車片用的2D-碳/碳復合材料，將其加工成48 X 48 X 48mm3的立方體，并對其進行打磨倒角的表面處理，倒角為50° ;2)然后分別用去離子水和無水乙醇各超聲清洗5次，每次清洗超聲時間為60min，超聲功率為160W，最后在80°C的電熱鼓風干燥箱中干燥；步驟2 :采用包埋法在C/C復合材料基體表面制備SiC多孔內涂層I)首先，取市售分析純的粒度為4(T50iim的Si粉、C粉和B2O3粉，按Si粉C粉B2O3粉=5 41.5的質量比配制包埋粉料，然后將預處理后的碳/碳復合材料放入石墨坩堝，并將其埋入包埋粉料中；2)其次，將石墨坩堝放入立式真空爐中，通入氬氣作為保護氣體，控制立式真空爐的升溫速度為40°C /min，將爐溫從室溫升至1800°C后，保溫Ih后隨爐自然冷卻，用無水乙醇將完成包埋的碳/碳復合材料超聲清洗2h，超聲功率為450W ；3)最后，在70°C的電熱鼓風干燥箱中干燥得到帶有SiC多孔內涂層的碳/碳復合材料；步驟3 :采用復合表面活性劑對Y4Si3O12晶須進行表面改性I)將十二烷基苯磺酸鈉配制成濃度為0. 6mol/L的溶液，將Y4Si3O12晶須(見專利“一種Y4Si3O12晶須的制備方法”(專利申請號201210140071. 2))浸泡在溶液中，超聲輻射80min，超聲功率為400W，然后過濾并分離出Y4Si3O12晶須；2)將分離所得的Y4Si3O12晶須與異丙醇按Y4Si3O12晶須異丙醇=12g 300ml的比例配制成懸浮液，然后向懸浮液中按0. 4g/mL加入碘,攪拌得到混合液；
步驟4 :采用超聲電泳選擇性組裝沉積獲得Y4Si3O12晶須釘扎層I)將步驟3制得的混合液置于超聲電沉積裝置中，以步驟2制備的帶有多孔SiC內涂層的C/C復合材料為陰極，以石墨為陽極，進行電沉積，超聲功率控制為450W，沉積電壓為60V，沉積電流為0. 2A，沉積時間為20min ；2)沉積結束后，將陰極的復合材料取下，用蒸餾水洗滌4次，在120°C干燥，即在帶有多孔SiC內涂層的碳/碳復合材料上得到Y4Si3O12晶須嵌入SiC孔隙的Y4Si3O12晶須釘扎層；步驟5 :采用水熱電泳沉積法制備Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層I)取30g粒度為40 50 U m的莫來石粉體懸浮于300ml的異丙醇中，磁力攪拌30h,隨后加入0. 12g的碘,磁力攪拌30h,制備成懸浮液；2)以步驟4制得的帶有Y4Si3O12晶須嵌入SiC孔隙的Y4Si3O12晶須釘扎層的C/C復合材料作為沉積基體，固定沉積基體于陰極，陽極選用石墨板，將懸浮液倒入水熱電泳沉積反應釜中，控制填充比為60%，加熱到160°C后保溫，調整沉積電壓為200V進行水熱電泳沉積，沉積IOmin后停止通電，待試樣冷卻后取出，置于100°C的烘箱中干燥，得到帶有Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層的C/C復合材料試樣。
權利要求
1.一種Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層的制備方法，其特征在于 步驟I:采用包埋法在C/C復合材料基體表面制備SiC多孔內涂層 O首先，取市售分析純的Si粉、C粉和B2O3粉，按Si粉C粉=B2O3粉= (3^5) : (4飛):(I. 5^2. O)的質量比配制包埋粉料，然后將預處理后的碳/碳復合材料放入石墨坩堝，并將其埋入包埋粉料中； 2)其次，將石墨坩堝放入立式真空爐中，通入氬氣作為保護氣體，控制立式真空爐的升溫速度為3(T50°C /min，將爐溫從室溫升至170(Tl800°C后，保溫O. 5 Ih后隨爐自然冷卻，用無水乙醇將完成包埋的碳/碳復合材料超聲清洗I. 5 2h，超聲功率為40(T500W ； 3)最后，在7(T80°C的電熱鼓風干燥箱中干燥得到帶有SiC多孔內涂層的碳/碳復合材料； 步驟2 :采用復合表面活性劑對Y4Si3O12晶須進行表面改性 1)將十二烷基苯磺酸鈉配制成濃度為O.5^0. 7mol/L的溶液，將Y4Si3O12晶須浸泡在溶液中，超聲輻射7(T90min，超聲功率為20(T400W，然后過濾并分離出Y4Si3O12晶須； 2)將分離所得的Y4Si3O1^須與異丙醇按Y4Si3O12晶須異丙醇=(8 12g) (15(T300ml)的比例配制成懸浮液，然后向懸浮液中按(O. 3^0. 5)g/mL加入碘，攪拌得到混合液； 步驟3 :采用超聲電泳選擇性組裝沉積獲得Y4Si3O12晶須釘扎層 1)將步驟2制得的混合液置于超聲電沉積裝置中，以步驟I制備的帶有多孔SiC內涂層的C/C復合材料為陰極，以石墨為陽極，進行電沉積，超聲功率控制為40(T500W，沉積電壓為5(T60V，沉積電流為O. 2 O. 3Α，沉積時間為13 20min ； 2)沉積結束后，將陰極的復合材料取下，用蒸餾水洗滌3飛次，在8(T12(TC干燥，即在帶有多孔SiC內涂層的碳/碳復合材料上得到Y4Si3O12晶須嵌入SiC孔隙的Y4Si3O12晶須釘扎層； 步驟4 :采用水熱電泳沉積法制備Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層 1)取10 30g莫來石粉體懸浮于10(T300ml的異丙醇中，磁力攪拌l(T30h,隨后加入O.12"O. 16g的碘,磁力攪拌l(T30h,制備成懸浮液； 2)以步驟3制得的帶有Y4Si3O12晶須嵌入SiC孔隙的Y4Si3O12晶須釘扎層的C/C復合材料作為沉積基體，固定沉積基體于陰極，陽極選用石墨板，將懸浮液倒入水熱電泳沉積反應釜中，控制填充比為60 70%，加熱到16(T200°C后保溫，調整沉積電壓為20(T260V進行水熱電泳沉積，沉積IOlOmin后停止通電，待試樣冷卻后取出，置于10(Tl2(rC的烘箱中干燥，得到帶有Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層的C/C復合材料試樣。
2.根據權利要求I所述的Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層的制備方法，其特征在于所述的Si粉、C粉和B2O3粉的粒度為40 50 μ m。
3.根據權利要求I所述的Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層的制備方法，其特征在于所述的C/C復合材料預處理包換以下步驟 1)取飛機剎車片用的2D-碳/碳復合材料，將其加工成45X 45 X 45 50 X 50 X 50mm3的立方體，并對其進行打磨倒角的表面處理，倒角為5(Γ60° ； 2)然后分別用去離子水和無水乙醇各超聲清洗:Γ5次，每次清洗超聲時間為5(T80min，超聲功率為16(T200W，最后在7(T80°C的電熱鼓風干燥箱中干燥。
4.根據權利要求I所述的Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層的制備方法，其特征在于所述的莫來石粉體的粒度為4(Γ50 μ m。
全文摘要
一種Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層的制備方法，首先，采用包埋法在C/C復合材料基體表面制備SiC多孔內涂層，然后制備Y4Si3O12晶須并采用復合表面活性劑對Y4Si3O12晶須進行表面改性得到混合液；采用表面制備有SiC多孔內涂層的C/C復合材料和混合液超聲電泳選擇性組裝沉積獲得Y4Si3O12晶須釘扎層，最后采用水熱電泳沉積法制備Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層。Y4Si3O12晶須增韌莫來石復合涂層與其他涂層相比，能有效提高抗氧化溫度，可以獲得在1500℃的高溫燃氣動態沖刷條件下對C/C復合材料450h的防氧化保護，氧化失重率小于0.62%。
文檔編號C04B35/81GK102951920SQ20121045800
公開日2013年3月6日 申請日期2012年11月14日 優先權日2012年11月14日
發明者黃劍鋒, 楊柳青, 曹麗云, 王雅琴, 費杰 申請人:陜西科技大學