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一種熱釋電材料及其制備方法

文檔序號:1878943閱讀:447來源:國知局
一種熱釋電材料及其制備方法
【專利摘要】本發明涉及熱釋電材料,特指一種熱釋電材料及其制備方法。本發明通過部分草酸鹽工藝路線制備PMNT陶瓷,抑制焦綠石相形成、增加陶瓷致密度、提高壓電材料綜合電學性能;低成本制備的PMNT陶瓷呈現出與熱釋電單晶PMNT、PZNT相當或更加優良的熱釋電性能,克服了壓電單晶生長困難、成本高、周期長的問題;PMNT陶瓷的優良介電、熱物理、熱釋電和力學性能,適用于制作熱釋電探測器,可以提高熱釋電探測器的綜合性能,改善熱釋電探測器的制作工藝,有望在非制冷紅外探測和成像器件方面獲得應用。
【專利說明】一種熱釋電材料及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及熱釋電材料,特指一種熱釋電材料及其制備方法,通過部分草酸鹽工藝路線制備Pb (Mg1/3Nb2/3) O3-PbTiO3 (PMNT)陶瓷,低成本制備的PMNT陶瓷呈現出與熱釋電單晶相當或更加優良的熱釋電性能,克服了壓電單晶生長困難、成本高、周期長的問題;使用低成本制備的PMNT陶瓷制作熱釋電探測器,可以提高熱釋電探測器的綜合性能,有望在非制冷紅外探測和成像器件方面獲得應用。
【背景技術】
[0002]海灣戰爭以來,美國軍方使用的紅外焦平面列陣器件的夜視(成像)功能,驚動了國際紅外科學界,引發了全球范圍紅外探測器件研制的迅猛發展;室溫下使用的熱釋電器件作為一類重要的非制冷紅外探測器,由于成本低、響應廣、無需制冷、結構緊湊、使用方便,在軍用、商用和民用的紅外探測器中顯示出重要的地位。
[0003]熱釋電材料是熱釋電探測器的核心元件,它的性能的優劣直接決定紅外探測的效果。目前應用的熱釋電材料,鉭酸鋰(LT)熱釋電系數小、電容率低,不適合探測器陣列中的小面積探測器,且熱擴散系數太大,難以提高熱釋電探測器的橫向熱時間常數;硫酸三甘氨酸(TGS)單晶容易水解,需要密封,且介電損耗較大、探測優值不高,居里溫度較低(49°C左右),加工使用不方便;鈮鐵鋯酸鉛(PZ-FN)、改性鈦酸鉛(PT)等各種陶瓷材料的探測優值不聞。
[0004]大尺寸、高質量的弛豫鐵電單晶PMNT和Pb (Znl73Nb273) O3-PbTiO3 (PZNT)的生長成功,是鐵電領域50年來的“一次激動人心的突破” ;PMNT、PZNT單晶的生長成功為開發材料新的物理性能、拓展和促進單晶的應用打下了堅實的基礎;近年來,羅豪甦、方必軍等發現PMNT, PZNT單晶具有較大的熱釋電系數和較高的熱電探測優值,介電損耗小,熱擴散系數小,化學性質穩定,有望在`非制冷紅外探測和成像器件方面獲得應用;然而,由于弛豫鐵電單晶的組成比較復雜,熔體析晶時存在鈣鈦礦與焦綠石兩相的競爭,PbO的高溫熔體對Pt坩堝會產生嚴重的腐蝕,PMNT和PZNT單晶性能最佳的準同型相界附近組成分凝、相變和疇變比較敏感,導致大尺寸的單晶難以制備;熱釋電材料的性能局限,限制了熱釋電探測器的使用范圍,因此,需要開拓新思路低成本制備綜合性能優異的新型熱釋電材料。
[0005]本發明通過部分草酸鹽工藝路線制備PMNT陶瓷,抑制焦綠石相形成、增加陶瓷致密度、提高壓電材料綜合電學性能;低成本制備的PMNT陶瓷呈現出與熱釋電單晶PMNT、PZNT相當或更加優良的熱釋電性能,克服了壓電單晶生長困難、成本高、周期長的問題;PMNT陶瓷的優良介電、熱物理、熱釋電和力學性能,適用于制作熱釋電探測器,可以提高熱釋電探測器的綜合性能,改善熱釋電探測器的制作工藝,有望在非制冷紅外探測和成像器件方面獲得應用。

【發明內容】

[0006]本發明通過部分草酸鹽工藝路線制備PMNT陶瓷;采用電荷積分法測量PMNT陶瓷的熱釋電系數,測量介電性能、比熱等與熱釋電應用相關的性能,綜合分析評價低成本制備的PMNT陶瓷的熱釋電性能及其在紅外探測器上的應用前景。結果表明,部分草酸鹽工藝路線制備的PMNT陶瓷呈現良好的熱釋電性能,有望在紅外探測和成像方面得到廣泛的應用。
[0007]本發明的主要內容包括:
一種熱釋電材料,其特征在于:所述熱釋電材料的分子式為(1-x)Pb(Mgl73Nb273)O3-XPbTiO3, x=0.2-0.8,電流響應優值/為 419.1-899.5 pm/V,電壓響應優值Z7v為0.0160-0.0571 m2/C,探測優值Z7d為2.80-16.92M Pa-"2。
[0008]通過部分草酸鹽工藝路線制備PMNT陶瓷;計量比均勻混合的MgO、Nb2O5, TiO2在950-1150°C煅燒2-4h制備B-位前驅體;B_位前驅體分散在草酸水溶液中制備成懸浮液,計量比的 Pb (CH3COO)2 ? 3H20 配制成 1.5 mol/L 的水溶液,控制 Pb (CH3COO)2 = H2C2O4=1: 1.5 ;將Pb (CH3COO)2溶液緩慢滴入上述懸浮液中,形成PbC2O4均勻包覆B-位前驅體的粉體;沉淀洗滌、過濾、煅燒后加入適量的聚乙烯醇(PVA)造粒,壓制成型制備陶瓷毛坯;通過傳統的陶瓷工藝,在1150-1250°C燒結2-4h制備PMNT陶瓷,燒結時陶瓷毛坯四周覆蓋同組成、同質量的原料混合物作為焙燒粉以減少鉛的揮發。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]為了對本發明作更詳細的描述,現結合實施例與圖簡介如下:
圖1部分草酸鹽工藝路線制備的PMNT陶瓷的比熱與溫度的關系;
圖2部分草酸鹽工藝路線制備 的PMNT陶瓷的介電常數、介電損耗與頻率的關系;
圖3部分草酸鹽工藝路線制備的PMNT陶瓷的熱釋電系數與溫度的關系;
表1部分草酸鹽工藝路線制備的PMNT陶瓷的介電、比熱及熱釋電性能。
【具體實施方式】
[0010]實施例:
通過部分草酸鹽工藝路線制備不同組成的(1-X) Pb (Mg1/3Nb2/3) O3-XPbTiO3 (PMNT,x=0.2-0.8)陶瓷。按照化學計量比稱量Mg0、Nb205、Ti02,濕法研磨混合均勻,在1000°C煅燒3h制備B-位前驅體,B-位前驅體破碎、粉磨后分散在草酸水溶液中制備成懸浮液,草酸水溶液的濃度為2mol/L ;稱量計量比的Pb (CH3COO)2 *3H20配制成1.5mol/L的水溶液,以上兩個溶液中,控制Pb (CH3COO)2IH2C2O4=1: 1.5 ;將Pb (CH3COO) 2溶液緩慢滴入上述懸浮液中,形成PbC2O4均勻包覆B-位前驅體的沉淀;沉淀洗滌、過濾,在750°C煅燒2h,得到鈣鈦礦結構的PMNT粉體;煅燒產物破碎、粉磨后,加入鈣鈦礦結構的PMNT粉體3wt%的聚乙烯醇(PVA)造粒,用傳統的壓制成型制備陶瓷毛坯,成型壓力300MPa,保壓時間Imin ;通過傳統的陶瓷工藝,在1150-1250°C燒結2-4h制備PMNT陶瓷,燒結時陶瓷毛坯四周覆蓋同組成、同質量的原料混合物作為焙燒粉提供富鉛的燒結氣氛,以減少反應燒結過程中鉛的揮發。
[0011]反應燒結法和部分草酸鹽工藝路線制備的PMNT陶瓷經研磨、拋光后,獲得光滑、平行的表面。
[0012]用Perkin Elmer Pyris DSC 8000差示掃描量熱儀測定PMNT陶瓷的比熱,測定過程在空氣氣氛中、以10°C /min的升溫速率進行,比熱標定用紅寶石作為標準樣品;圖1給出PMNT陶瓷的比熱隨溫度的變化關系。室溫附近,0.8PMN-0.2PT、0.67PMN-0.33PT和
0.6PMN-0.4PT陶瓷的比熱分別為0.284,0.285和0.297 J/g.°C。隨著溫度的升高,PMNT陶瓷的比熱逐漸增大。
[0013]拋光后的PMNT陶瓷兩面鍍燒銀電極(550°C燒銀30min)用于電性能測量。電性能測量之前PMNT陶瓷需要經過極化處理,極化條件:硅油浴中,加熱至100-120°C,施加20kV/cm的電場極化15min ;維持10kV/cm的電場,冷卻至室溫,極化后的PMNT陶瓷在IkHz的介電性能用TH2826精密LCR數字電橋測定;圖2給出PMNT陶瓷的介電性能與頻率的關系,在100-2000HZ范圍內,部分草酸鹽工藝路線制備的PMNT陶瓷的介電常數、介電損耗都呈現良好的頻率穩定性,特別有利于在熱釋電領域的應用。
[0014]通過電荷積分法、利用計算機控制的PY2熱釋電測試系統測量PMNT陶瓷升溫過程的熱釋電系數,溫度測定精度0.0re,電荷測定精度io_nc ;熱釋電材料的性能好壞通常用電流響應優值電壓響應優值Z7v^/ (CvS^r)、探測優值弋二/7/ [CfvCe0 Atand)1'2]來
評價,其中為熱釋電系數,G為體積比熱(J/m3 ?!() = S.SSdxlCT12/?/;?!為真空電容率,SV為相對介電常數;圖3給出PMNT陶瓷的熱釋電系數與溫度的關系,表1給出PMNT陶瓷與
熱釋電應用相關的性能指標;部分草酸鹽工藝路線制備的PMNT陶瓷具有較大的熱釋電系數,室溫附近,0.8PMN-0.2PT、0.67PMN-0.33PT和0.6PMN-0.4PT陶瓷的熱釋電系數分別為927.1、2006.9和363.6MC/K*m2。隨著溫度的升高,熱釋電系數隨著組成的不同呈現不同的變化特征;通過上述公式計算出熱釋電響應優值發現(表1),部分草酸鹽工藝路線制備的PMNT陶瓷具有與熱釋電單晶PMNT、PZNT相當或更加優良的熱釋電性能,與PMNT、PZNT單晶相比,PMNT陶瓷性能穩定,易于加工,成本低廉,利用PMNT陶瓷作為熱-電轉換的響應元,可以改善熱釋電探測器的制作工藝,提高熱釋電探測器的綜合性能,有望在便攜式、非制冷紅外探測和成像器件方面獲得應用。
[0015]表1.
【權利要求】
1.一種熱釋電材料,其特征在于:所述熱釋電材料的分子式為(1-X)Pb(Mgl73Nb273)O3-XPbTiO3, x=0.2-0.8,電流響應優值/為 419.1-899.5 pm/V,電壓響應優值Z7v為0.0160-0.0571 m2/C,探測優值Z7d為2.80-16.92P Pa氣
2.如權利要求1所述的一種熱釋電材料的制備方法,其特征在于包括如下步驟:計量比均勻混合的MgO、Nb2O5、TiO2在950-1150°C煅燒2_4h制備B-位前驅體;B_位前驅體分散在草酸水溶液中制備成懸浮液,計量比的Pb(CH3COO)2 ? 3H20配制成1.5mol/L的水溶液,控制Pb (CH3COO) 2: H2C2O4=1: 1.5 ;將Pb (CH3COO) 2溶液緩慢滴入上述懸浮液中,形成PbC2O4均勻包覆B-位前驅體的沉淀;沉淀洗滌、過濾、煅燒后的粉體中加入聚乙烯醇造粒,壓制成型制備陶瓷毛坯;通過傳統的陶瓷工藝,在1150-1250°C燒結2-4h制備PMNT陶瓷,燒結時陶瓷毛坯四周覆蓋同組成、同質量的原料混合物作為焙燒粉以減少鉛的揮發。
3.如權利要求2所述的一種熱釋電材料的制備方法,其特征在于:所述的草酸水溶液的濃度為2mol/L。
4.如權利要求2所述的一種熱釋電材料的制備方法,其特征在于:所述沉淀洗滌、過濾、煅燒中煅燒條件為在750°C煅燒2h。
5.如權利要求2所述的一種熱釋電材料的制備方法,其特征在于:所述聚乙烯醇的添加量為粉體的3wt%。
6.如權利要求2所述的一種熱釋電材料的制備方法,其特征在于:所述壓制成型指:用傳統的壓制成型制備陶 瓷毛坯,成型壓力300MPa,保壓時間lmin。
【文檔編號】C04B35/622GK103601489SQ201310337428
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年8月6日 優先權日:2013年8月6日
【發明者】方必軍, 錢昆, 丁建寧 申請人:常州大學
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