技術編號：9889954
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。功率MOSFET典型應用于需要功率轉換和功率放大的器件中。對于功率轉換器件來說，市場上可買到的代表性的器件就是雙擴散MOSFET (DM0SFET)。在一個典型的晶體管中，大部分的擊穿電壓BV都由漂移區承載，為了提供較高的擊穿電壓BV，漂移區要輕摻雜。然而，輕摻雜的漂移區會產生高導通電阻Rdson。對于一個典型的晶體管而言，Rdson與BV2.5成正比。因此，對于傳統的晶體管，隨著擊穿電壓BV的增加，Rdson也急劇增大。超級結是一種眾所周知的半導體器件。...
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