專利名稱：表面處理裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及在真空環境下向半導體晶片或玻璃基板等被處理體照射電子束，進行抗蝕劑(resist)和絕緣膜改性的表面處理裝置。
背景技術：
目前，在半導體器件的制造領域中，在使用抗蝕劑將電路圖案轉印到半導體晶片W上的平板印刷處理以后，使抗蝕劑硬化，進行提高該抗蝕劑的機械強度的固化處理。在進行該固化處理時，抗蝕劑的硬化是通過電子束(EB)照射使抗蝕劑改性而實現的。
圖4是在現有的固化處理時使用的電子束照射裝置(表面處理裝置)的說明圖。
在圖4中，電子束照射裝置50，內部包括處理室51，對半導體晶片W進行固化處理；載置臺52，設在處理室51中且載放半導體晶片W；多個電子束發射管(EB)53，裝在處理室51的上壁上與載置臺52相對；氣體導入口55，將處理室51內部的氮等抑制性氣體和用于產生紫外線的氬氣等處理氣體導入。另外，半導體晶片W載放在置于處理室51內的載置臺52上，與多個EB管53相對而配置。
EB管53由圓筒狀的真空容器、和設在真空容器一端的蓋部件構成，在真空容器內部具有都被施加高電壓的燈絲(filament)和柵極(grid)。而且，從被高電壓加熱的燈絲釋放出熱電子，該釋放出的該熱電子被從柵極產生的加速電壓加速成為電子束，該電子束穿過該上述蓋部件照射到EB管53外。
在此電子束照射裝置50中，通過電子束從EB管53照射到半導體晶片W上的抗蝕劑而使抗蝕劑硬化(例如參照專利文獻1)。
一般地說，在固化處理當中硬化的抗蝕劑，其材質和厚度是多種多樣的，對于抗蝕劑的材質和厚度來說，由于加速電壓的強度電子束的能量變得過大，電子束穿過抗蝕劑而侵入到半導體晶片W上的抗蝕劑下層，使該下層進行了希望之外的處理，結果往往使位于下層的器件和絕緣膜等的性質發生變化。
因此，現在，正在開展研究各種電子減速控制方法，試圖降低電子束的能量，對電子束中的電子進行減速控制。
在這樣的電子減速控制方法中，作為公知的方法，已知有如下方法，即，在EB管和載置臺之間安裝中間電極，在該中間電極上施加規定的直流電壓，這樣在中間電極的周圍在使電子減速方向上就發生電場，由此以使電子減速。
(專利文獻)特開2002-182000號公報(圖3)然而，在上述EB管和載置臺之間設置施加規定的直流電壓的中間電極的方法中，需要用于施加直流電壓的電源；和處理室內部連接上述電源和中間電極的配線，特別是在處理室內部，為了防止在上述配線中發生異常的放電，有必要采取絕緣措施，所以表面處理裝置的結構就會復雜化。
本發明的目的就是提供一種結構簡單、還可降低電子束的能量的表面處理裝置。
發明內容
為了實現上述目的，權利要求1中所述的表面處理裝置包括在內部處理被處理體的處理室；安裝在該處理室內部且放置上述被處理體的載置臺；和在上述處理室的上方與上述載置臺相對地設置、且向上述被處理體照射電子束的電子束照射機構，其特征在于，在該表面處理裝置中，具有設置在上述電子束照射機構和上述載置臺之間，且產生自電場的自電場發生器。
根據權利要求1中所述的表面處理裝置，由于具有設置在電子束照射機構和載置臺之間，且產生自電場的自電場發生器，所以可對電子束中的電子產生庫侖力，由該庫侖力降低電子束的能量。
權利要求2中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求1中所述的表面處理裝置中，上述自電場發生器的至少與上述電子束照射機構相對的相對面是由電浮動部件構成。
根據權利要求2中所述的表面處理裝置，由于自電場發生器的至少與上述電子束照射機構相對的相對面是由電浮動部件構成，在該部件上帶有電荷，能夠由該所帶的電荷產生自電場，自電場發生器無需施加電壓，而且可使表面處理裝置的結構簡單化。
權利要求3中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求1或2中所述的表面處理裝置中，上述自電場發生器具有電子通過孔。
根據權利要求3中所述的表面處理裝置，由于自電場發生器具有電子通過孔，通過在該電子通過孔中產生的自電場能夠收斂電子束，而且可提高固化處理等的表面處理效率。
權利要求4中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求3中所述的表面處理裝置中，在上述相對面上的上述電子通過孔的開口率在50％以上。
根據權利要求4的表面處理裝置，由于在相對面上的電子通過孔的開口率在50％以上，所以能夠用物理的方式控制電子束的照射量，而且能夠降低到達被處理體上的電子束的能量。
權利要求5中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求4中所述的表面處理裝置中，開口率在80％以上。
根據權利要求5中所述的表面處理裝置，由于在相對面上的電子通過孔的開口率在80％以上，所以能夠把到達被處理體的電子束的能量降低到不會降低表面處理效率的程度。
如權利要求6中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求3～5中任何一項所述的表面處理裝置中，上述自電場發生器為板狀體，而且上述電子通過孔是狹縫。
根據權利要求6中所述的表面處理裝置，由于自電場發生器為板狀體，而且電子通過孔是狹縫，所以該自電場發生器容易形成，而且可使表面處理裝置的結構更加簡化。
權利要求7中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求3～5中任何一項的表面處理裝置中，上述自電場發生器是網狀體。
根據權利要求7的表面處理裝置，由于自電場發生器是網狀體，所以能夠使通過該自電場發生器的電子束的分布均一化。
權利要求8中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求1～7中任何一項的表面處理裝置中，上述自電場發生器包括由導體構成的內部部件和覆蓋該內部部件的由絕緣體構成的外部部件。
根據權利要求8中所述的表面處理裝置，由于自電場發生器包括由導體構成的內部部件和覆蓋該內部部件的、由絕緣體構成的外部部件，所以能夠構成將外部部件作為電介質的電容，而且能夠使儲存在電介質中的電荷產生自電場，在能夠確實降低電子束的能量的同時，也能夠確實地使表面處理裝置簡化。
權利要求9中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求8的表面處理裝置中，上述自電場發生器具有將上述內部部件接地的導線。
根據權利要求9中所述的表面處理裝置，由于自電場發生器具有將上述內部部件接地的導線，所以能夠將在上述電容器中的電極電位保持一定，而且使儲存在上述電介質中的電荷量保持一定，穩定地降低電子束的能量。
權利要求10中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求9的表面處理裝置中，上述導線具有電容。
根據權利要求10中所述的表面處理裝置，由于導線具有電容，所以能夠適宜地變更在上述電介質中儲存的電荷量，而且能夠很容易地應對固化處理條件的變化。
權利要求11中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求8的表面處理裝置中，上述內部部件是電浮動的。
根據權利要求11中所述的表面處理裝置，由于內部部件是電浮動的，所以無需上述導線，將自電場發生器的結構確實地進行進一步簡化。
權利要求12中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求8～11中任何一項的表面處理裝置中，上述導體是由選自硅、鋁、鐵、不銹鋼、碳、SiC和銅中的一個所構成。
根據權利要求12中所述的表面處理裝置，由于導體是由選自硅、鋁、鐵、不銹鋼、碳、SiC和銅中的一個所構成，所以構成導體的材料容易得到，而且能夠降低表面處理裝置的成本。
權利要求13中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求8～12中任何一項的表面處理裝置中，上述絕緣體是構成上述導體的材料的氧化物。
根據權利要求13中所述的表面處理裝置，由于絕緣體是構成上述導體的材料的氧化物，所以絕緣體很容易制造，而且能夠進一步降低表面處理裝置的成本。
權利要求14中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求1～7中任何一項的表面處理裝置中，上述自電場發生器僅由絕緣體組成。
根據權利要求14中所述的表面處理裝置，由于自電場發生器僅由絕緣體組成，所以自電場發生器可具有能夠儲存電荷的容量，而且能夠由儲存的電荷產生自電場，在能夠確實降低電子束的能量的同時，也能夠確實地使表面處理裝置簡化。
權利要求15中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求14的表面處理裝置中，上述絕緣體是由選自氧化鋁、二氧化硅和石英中的一個所構成。
根據權利要求15中所述的表面處理裝置，由于絕緣體是由選自氧化鋁、二氧化硅和石英中的一個所構成，所以構成絕緣體的材料容易得到，而且能夠降低表面處理裝置的成本。
權利要求16中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求1～7中任何一項的表面處理裝置中，上述自電場發生器由電浮動導體組成。
根據權利要求16中所述的表面處理裝置，由于自電場發生器由電浮動導體組成，所以自電場發生器能夠原封不動地在導體中保留帶電的電荷，能夠由保留的電荷產生自電場，在能夠確實降低電子束的能量的同時，也能夠確實地使表面處理裝置簡化。
權利要求17中所述的表面處理裝置，其特征在于，在權利要求16的表面處理裝置中，上述導體是由選自硅、鋁、鐵、不銹鋼、碳、SiC和銅中的一個所構成。
根據權利要求17中所述的表面處理裝置，由于導體是由選自硅、鋁、鐵、不銹鋼、碳、SiC和銅中的一個所構成，所以構成導體的材料容易得到，而且能夠降低表面處理裝置的成本。
圖1是表示本發明的第一實施方式的表面處理裝置的大致結構圖。
圖2是表示圖1中帶電板的大致結構的圖，(a)是圖1沿箭頭方向所視的帶電板的正面圖，(b)是圖2(a)中沿著II-II線的截面圖。
圖3是表示本發明的第二實施方式的表面處理裝置的大致結構體。
圖4是用于現有的固化處理的電子束照射裝置的說明圖。
具體實施例方式
下面參照
涉及本發明第一實施方式的被處理體表面處理裝置。
圖1表示本發明第一實施方式的表面處理裝置的大致結構圖。該表面處理裝置，將電子束照射到作為被處理體的半導體晶片W等上，進行提高抗蝕劑機械強度的固化處理(表面處理)。
在圖1中，表面處理裝置1包括材質例如由鋁等組成，其內部構成為可氣密地閉塞的圓筒狀的真空室2(處理室)；配置在真空室2的內部，且把半導體晶片W的被處理面向著圖中上方大致水平地放置該半導體晶片W的載置臺3；放置在載置臺3的下面，材質由例如不銹鋼(SUS)組成，可自由伸縮地構成，同時氣密地保持真空室2內部的圓筒狀的波紋管4；配置在波紋管4外側的波紋管外殼5；和配置在真空室2頂部，對于放置在載置臺3上的半導體晶片W照射電子束的電子束照射機構6。
電子束照射機構6由多個排列的電子束管(EB管)6a和與該EB管6a一一對應的配置在該EB管6a前端的照射窗6b組成，在表面處理裝置1中，總共19個EB管6a，以占據與放置在載置臺3上的半導體晶片W大致相同形狀的圓形區域且排列成同心圓狀的方式配置。
此外，由電子束照射機構6射出的電子束，形成與在真空室2內的處理空間中惰性分子反復沖突擴散的放射狀電子流，在本實施方式中，所謂“電子束”就意味著這樣的電子流。
載置臺3構成為，由絲杠和使該絲杠轉動的發動機等組成的升降裝置7帶動，能夠自由地上下移動，在照射電子束時，電子束照射機構6和半導體晶片W之間的距離由升降裝置7進行調節。
在真空室2上，裝有與圖中未顯示的氣體供給源連接的氣體導入管8和與圖中未顯示的真空排氣裝置連接的排氣管9，借此能夠使真空室2內形成呈現規定真空度的規定氣體環境。
另外，加熱器10配置在載置臺3上的半導體晶片W的載置面上，它將半導體晶片W加熱到規定的溫度。而且，在真空室2的側面裝有用于送入取出半導體晶片W的開口部11，同時在該開口部11上裝有活門12，在送入取出半導體晶片W時，打開關閉該活門12，從開口部11送入取出半導體晶片W。
再有，在表面處理裝置1中，為了控制電子束的能量，在載置臺3和電子束照射機構6之間裝有自電場發生裝置(自電場發生器)13。
自電場發生裝置13由多個與照射窗6b一一相對安裝的帶電板13a組成，在表面處理裝置1中，由于如上所述安裝了19個EB管6a，所以自電場發生裝置13就具有19個帶電板13a。在此，載置臺3和電子束照射機構6之間的距離是例如100mm，而各個帶電板13a和照射窗6b之間的距離是例如10mm。
圖2是表示圖1中帶電板13a大致結構的圖，(a)是圖1箭頭方向所視的帶電板13a的正面圖，(b)是圖2(a)中沿著II-II線的截面圖。
在圖2當中，帶電板13a是一個平板狀的物體，在與照射窗6b相對的平面上具有通過電子束的5個狹縫(電子通過孔)13b。該5個狹縫13b的開口總面積與上述相對的平面面積之比(開口率)在例如50％以上，優選在80％以上。
此外，帶電板13a具有由導體組成的內部部件13c、由覆蓋該內部部件的絕緣體組成的外部部件13d、和將內部部件13c接地的導線13e。
在帶電板13a上，內部部件13c的導體由鋁構成，而外部部件13d的絕緣體由氧化鋁(Al2O3)構成，其厚度例如為0.6μm。
在用表面處理裝置1對半導體晶片W進行固化處理時，由氣體導入管8向真空室2內部導入處理氣體，由該處理氣體產生等離子體，此時，通過該等離子體和帶電板13a可構成電容器，該等離子體和內部部件13c作為兩個電極，且外部部件13d作為在兩個電極之間的電介質。
如此一來，當來自電子束照射機構6的電子束照射到半導體晶片W上時，由于電子束的電子流在作為電容器電介質的外部部件13d上儲存電荷，由該儲存的電荷在帶電板13a的周圍產生自電場。由于該自電場是向著電子束照射機構6產生的，就對電子束中的電子在減速的方向上產生庫侖力，該庫侖力使電子束的能量降低。
此時，等離子體的正電位相對于外部部件13d的表面是一定的，而且由于內部部件13c通過導線13e接地，因此在外部部件13d上所帶的電荷量就變成一定的。
根據本發明的第一實施方式的表面處理裝置，由于包括具有放置在電子束照射機構6和載置臺3之間，且由導體組成的內部部件13c；和由覆蓋該內部部件13c的絕緣體組成的外部部件13d的自電場發生裝置13，所以就能構成以真空室2內部的等離子體和內部部件13c作為兩個電極，而且外部部件13d作為兩個電極之間的電介質的電容器，而且，由在電介質上儲存的電荷就能夠產生自電場，而無需在自電場發生裝置13上施加電壓，通過產生的該自電場就可對電子束中的電子產生庫侖力，由該庫侖力就能夠降低電子束的能量。結果，在能夠確實降低電子束能量的同時，還能夠使表面處理裝置1的結構確實地簡化。
由于帶電板13a具有將內部部件13c接地的導線13e，所以就能夠使上述電容器中的電極電位保持一定，而且可將上述電介質中儲存的電荷量保持一定，穩定地降低電子束的能量。
一般說來，當電子束照射到氣體當中時，由于電子流擴散，照射到半導體晶片W上的電子束能量減少，雖然在進行半導體晶片W固化處理當中表面處理效率下降，但在上述表面處理裝置1中，由于帶電板13a具有狹縫13b，所以可通過在該狹縫13b內產生的自電場使通過該狹縫13b的電子流收斂，提高在處理半導體晶片W等上的表面處理效率。
此外，由于帶電板13a只是由具有狹縫的板狀體構成，所以自電場發生裝置13容易形成，而且可使表面處理裝置1的結構更加簡化。
由于帶電板13a相對于照射窗6b的表面上的狹縫13b的開口率在50％以上，所以能夠以物理地控制電子束的照射量，而且能夠降低到達半導體晶片上的電子束能量。
此外，在上述表面處理裝置1當中，距離照射窗6b 10mm設置帶電板13a，由于外部部件13d上所帶電荷在規定位置上產生的電場強度，與從規定位置到外部部件13d之間的距離的平方成反比，所以為了有效地降低電子束的能量，優選在靠近照射窗6b處安裝帶電板13a。
在上述表面處理裝置1中，僅安裝自電場發生裝置13，作為用來控制電子束能量的機構，此外，例如也可以在載置臺3的內部安裝與直流電源連接的內部電極，由施加在內部電極上的直流電壓產生電場，通過該電場就可以與自電場發生裝置13所產生的效果一起有效地降低電子束的能量。
在上述表面處理裝置1中，內部部件13c的導體由鋁組成，外部部件13d的絕緣體由氧化鋁組成，該導體也可以由硅、銅等組成，而該絕緣體也可以由二氧化硅(SiO2)組成，因此，構成這些導體和絕緣體的材料都很容易得到，能夠降低表面處理裝置1的成本，還有，絕緣體可以是構成導體材料的氧化物，因此可以很容易地制造絕緣體，進一步降低表面處理裝置1的成本。
此外，在上述表面處理裝置1中，自電場發生裝置13由平板狀的帶電板13a構成，而自電場發生裝置13也可以由網狀的帶電板構成，因此可使通過該自電場發生裝置13的電子束的分布均一化。
進而，在上述表面處理裝置1中，自電場發生裝置13由多個與照射窗6b一一相對配置的帶電板13a構成，但也可以由包含與19個照射窗6b相對的區域的一個帶電板構成，這樣能夠使自電場發生裝置13的結構更加簡化。
此外，在上述表面處理裝置1中，內部部件13c的電位是接地電位(基準電位)，而導線13e也可以有電容，因此內部部件13c的電位可任意改變，而且可適宜地改變在外部部件13d上儲存的電荷量，容易對應固化處理的條件改變。
進而，內部部件13c也可以電浮動，這樣無需上述導線13e，可確實地使自電場發生裝置13的結構更加簡化。
下面，詳細敘述本發明的第二實施方式的表面處理裝置。
圖3表示本發明第二實施方式的表面處理裝置的大致結構。
該第二實施方式，由于其結構、作用與上述第一實施方式基本相同，所以省略對于重復的結構和作用的說明，以下只對不同的結構和作用進行說明。
在圖3的該第二實施方式的表面處理裝置20中，為了控制電子束的能量，在載置臺3和電子束照射機構6之間設置自電場發生裝置21。
該自電場發生裝置21，其形狀和安裝位置都與在表面處理裝置1中的自電場發生裝置13相同，但各個帶電板21a的結構則不同，帶電板21a僅由絕緣體，例如氧化鋁組成。
在表面處理裝置20中，當電子束從電子束照射機構6照射到半導體晶片W上時，由于帶電板21a與大地絕緣，通過電子束的電子流電荷儲存在帶電板21上，由該儲存的電荷使得在帶電板21a的周圍產生自電場。由于該自電場朝向電子束照射機構6產生，因此對電子束中的電子在減速方向上產生庫侖力，通過該庫侖力降低電子束的能量。
根據本發明的第二實施方式的表面處理裝置，由于包括具有設置在電子束照射機構6和載置臺3之間，而且僅由絕緣體組成的帶電板21a的表面處理裝置20，帶電板21a具有能夠儲存電荷的容量，因此表面處理裝置20能夠產生帶電板21a上儲存的與該容量相稱的電荷的自電場，而且在能夠確實降低電子束能量的同時，也能夠確實地簡化表面處理裝置20的結構。
在上述表面處理裝置20中，帶電板21a的絕緣體由氧化鋁組成，該絕緣體也可以由二氧化硅(SiO2)組成，因此，構成絕緣體的材料容易得到，而且能夠降低表面處理裝置20的成本。
在上述本發明的第二實施方式中，說明了帶電板21a僅由絕緣體構成的例子，可是帶電板21a也可以至少由與電子束照射機構6相對的面上的絕緣體構成，例如在帶電板21a中，相對的表面以外的部分，可以由導體等構成。由此，表面處理裝置20，能在帶電板21a的相對表面上儲存的電荷，可產生朝向電子束照射機構6的自電場，而且表面處理裝置20在確實降低電子束能量的同時，也能夠確實地使其結構簡化。
下面詳細敘述本發明第三實施方式的表面處理裝置。
該第三實施方式，其結構和作用都與上述第二實施方式大體上相同，在此省略附圖，且省略對重復結構和作用的說明，下面對不同的結構和作用進行說明。
本發明的第三實施方式的表面處理裝置，具有僅與上述表面處理裝置20的自電場發生裝置21和各帶電板結構不同的自電場發生裝置，在該自電場發生裝置中，各帶電板由電浮動(絕緣)的導體，例如僅由鋁組成。
在本發明的第三實施方式的表面處理裝置中，電子束從電子束照射機構6照射到半導體晶片W上時，由于帶電板是浮動的，由電子束的電子流使導體帶電的電荷不會流到大地中，而是留在導體內，由該保留的電荷在帶電板周圍產生自電場。由于該自電場是朝向電子束照射機構6產生的，就對電子束中的電子在減速方向上產生庫侖力，該庫侖力會導致電子束能量的降低。
根據本發明的第三實施方式的表面處理裝置，由于包括具有設置在電子束照射機構6和載置臺3之間，而且僅由電浮動的導體組成的帶電板的表面處理裝置，使導體帶電的電荷不會流向大地而是保留在該帶電板上，表面處理裝置可以由該保留的電荷產生自電場，而且在可確實降低電子束能量的同時，還能夠確實地使表面處理裝置簡化。
在上述本發明的第三實施方式的表面處理裝置中，帶電板的導體是由鋁組成的，但該導體也可以由硅、鐵、不銹鋼、碳、SiC以及銅中的任何一種構成，因此，構成絕緣體的材料容易得到，而且能夠降低表面處理裝置的成本。
在上述本發明的第三實施方式中，說明了帶電板僅由電浮動的導體組成的例子，但帶電板也可以至少由對著電子束照射機構6的平面上電浮動的導體構成，例如在帶電板的相對平面以外的部分也可以由絕緣體構成。因此，表面處理裝置能夠通過在帶電板相對的表面儲存電荷而產生朝向電子束照射機構6的自電場，而且此表面處理裝置在可確實降低電子束能量的同時，還能確實地使其結構簡化。
上述第一～第三實施方式的自電場發生裝置所產生的自電場強度，由在該自電場發生裝置中的帶電板和照射窗6b之間的距離來控制，但在帶電板具有電介質的情況下，可以由該電介質的介電常數來控制。
此外，電子束能量的降低率由自電場的強度來控制，也可由帶電板具有狹縫的縱橫比來控制。在此情況下，縱橫比越大，則電子束能量的降低率就越大。進而，電子束能量的降低率也可以由帶電板的開口率控制，在這種情況下，開口率越小，則電子束能量的降低率就越大。
在上述第一～第三實施方式的表面處理裝置中，對半導體晶片W進行固化處理，而在該固化處理中，不僅抗蝕劑發生硬化，在半導體晶片W上涂布的SOG膜(Spin on Glass)也可以硬化，由此能夠使由SOG膜組成的絕緣膜平滑。
在上述第一～第三實施方式的表面處理裝置中，不限于對半導體晶片W進行表面處理，也可以對半導體晶片W以外的液晶顯示裝置用玻璃基板等進行表面處理。
發明的效果如上詳細說明的那樣，根據權利要求1中所述的表面處理裝置，由于具有設置在電子束照射機構和載置臺之間，且產生自電場的自電場發生器，所以可對電子束中的電子產生庫侖力，由該庫侖力使電子束的能量降低。
根據權利要求2中所述的表面處理裝置，由于自電場發生器至少由與電子束照射機構相對的表面上電浮動的部件構成，所以就能夠在該部件上帶有電荷，由該所帶的電荷產生自電場，自電場發生器無需施加電壓，可使表面處理裝置的結構簡化。
根據權利要求3中所述的表面處理裝置，由于自電場發生器具有電子通過孔，所以通過在該電子通過孔中產生的自電場能夠收斂電子束，提高固化處理等的表面處理效率。
根據權利要求4的表面處理裝置，由于在相對的平面中的電子通過孔的開口率在50％以上，所以能夠用物理的方式控制電子束的照射量，而且能夠降低到達被處理體上的電子束的能量。
根據權利要求5中所述的表面處理裝置，由于在相對的平面中的電子通過孔的開口率在80％以上，所以能夠把到達被處理體的電子束的能量降低到不會降低表面處理效率的程度。
根據權利要求6中所述的表面處理裝置，由于自電場發生器是板狀體，而且電子通過孔是狹縫，所以該自電場發生器容易形成，而且使表面處理裝置的結構更加簡化。
根據權利要求7的表面處理裝置，由于自電場發生器是網狀體，所以能夠使通過該自電場發生器的電子束的分布均一化。
根據權利要求8中所述的表面處理裝置，由于自電場發生器包括由導體組成的內部部件和覆蓋該內部部件由絕緣體組成的外部部件組成，所以能夠構成將外部部件作為電介質的電容，而且可使儲存在電介質中的電荷產生自電場，在確實可降低電子束的能量的同時，也可確實地使表面處理裝置的結構簡化。
根據權利要求9中所述的表面處理裝置，由于自電場發生器具有將內部部件接地的導線，所以能夠將在上述電容器中的電極電位保持一定，而且使儲存在上述電介質中的電荷量保持一定，可穩定地降低電子束的能量。
根據權利要求10中所述的表面處理裝置，由于導線具有電容，所以能夠適宜地改變在上述電介質中儲存的電荷量，而且能夠很容易地應對固化處理條件的變化。
根據權利要求11中所述的表面處理裝置，由于內部部件是電浮動的，所以無需上述導線，并可確實地使自電場發生器更加簡化。
根據權利要求12中所述的表面處理裝置，由于導體是由硅、鋁、鐵、不銹鋼、碳、SiC和銅中的其中一個組成，所以構成導體的材料容易得到，而且可降低表面處理裝置的成本。
根據權利要求13中所述的表面處理裝置，由于絕緣體是構成導體的材料的氧化物，所以絕緣體很容易制造，而且可使表面處理裝置的成本進一步降低。
根據權利要求14中所述的表面處理裝置，由于自電場發生器僅由絕緣體構成，所以自電場發生器具有可存儲電荷的容量，而且通過所存電荷產生自電場，在確實可降低電子束的能量的同時，也可確實地使表面處理裝置的結構簡化。
根據權利要求15中所述的表面處理裝置，由于絕緣體是由氧化鋁、二氧化硅和石英中的其中一個組成，所以構成絕緣體的材料容易得到，而且可降低表面處理裝置的成本。
根據權利要求16中所述的表面處理裝置，由于自電場發生器由電浮動的導體組成，所以自電場發生器能夠原封不動地在導體中保留帶電的電荷，能夠由保留的電荷產生自電場，在確實可降低電子束的能量的同時，也可確實地使表面處理裝置的結構簡化。
根據權利要求17中所述的表面處理裝置，由于導體是由硅、鋁、鐵、不銹鋼、碳、SiC和銅中的的其中一個組成，所以構成導體的材料容易得到，而且可確實地使表面處理裝置的成本降低。
權利要求
1.一種表面處理裝置，其特征在于，包括在內部處理被處理體的處理室；安裝在該處理室內部且放置所述被處理體的載置臺；和在所述處理室的上方與所述載置臺相對地設置、且向所述被處理體照射電子束的電子束照射機構，在該表面處理裝置中具有設置在所述電子束照射機構和所述載置臺之間，且產生自電場的自電場發生器。
2.根據權利要求1的表面處理裝置，其特征在于，所述自電場發生器的至少與所述電子束照射機構相對的相對面是由電浮動部件組成的。
3.根據權利要求1或2中所述的表面處理裝置，其特征在于，所述自電場發生器具有電子通過孔。
4.根據權利要求3中所述的表面處理裝置，其特征在于，在所述相對面上的所述電子通過孔的開口率在50％以上。
5.根據權利要求4中所述的表面處理裝置，其特征在于，所述開口率在80％以上。
6.根據權利要求3～5中任何一項的表面處理裝置，其特征在于，所述自電場發生器是板狀體，且所述電子通過孔是狹縫。
7.根據權利要求3～5中任何一項的表面處理裝置，其特征在于，所述自電場發生器是網狀體。
8.根據權利要求1～7中任何一項的表面處理裝置，其特征在于，所述自電場發生器包括由導體構成的內部部件；和覆蓋該內部部件的、由絕緣體構成的外部部件。
9.根據權利要求8的表面處理裝置，其特征在于，所述自電場發生器具有將所述內部部件接地的導線。
10.根據權利要求9的表面處理裝置，其特征在于，所述導線具有電容。
11.根據權利要求8的表面處理裝置，其特征在于，所述內部部件是電浮動的。
12.根據權利要求8～11中任何一項的表面處理裝置，其特征在于，所述導體是由選自硅、鋁、鐵、不銹鋼、碳、SiC和銅中的一個所構成。
13.根據權利要求8～12中任何一項的表面處理裝置，其特征在于，所述絕緣體是構成所述導體的材料的氧化物。
14.根據權利要求1～7中任何一項的表面處理裝置，其特征在于，所述自電場發生器僅由絕緣體構成。
15.根據權利要求14的表面處理裝置，其特征在于，所述絕緣體是由選自氧化鋁、二氧化硅和石英中的一個所構成。
16.根據權利要求1～7中任何一項的表面處理裝置，其特征在于，所述自電場發生器由電浮動的導體構成。
17.根據權利要求16的表面處理裝置，其特征在于，所述導體是由選自硅、鋁、鐵、不銹鋼、碳、SiC和銅中的一個所構成。
全文摘要
本發明提供一種表面處理裝置，它可降低電子束能量，同時，可使結構簡單化。表面處理裝置1，包括在真空室2內部大致水平地放置半導體晶片W的載置臺3、設置在真空室2頂部并且對半導體晶片W照射電子束的電子束照射機構6、和設置在載置臺3和電子束照射機構6之間的自電場發生裝置13。該自電場發生裝置13由多個與電子束照射機構6的照射窗6b一一對應地配置的帶電板13a構成，該帶電板13a為平板狀，在與照射窗6b相對的平面上具有通過電子束的5個狹縫13b，同時，還具有由導體構成的內部部件13c、由覆蓋該內部部件13c的絕緣體構成的外部部件13d和將內部部件13c接地的導線13e。
文檔編號H01J37/30GK1550903SQ20041003729
公開日2004年12月1日 申請日期2004年4月30日 優先權日2003年5月6日
發明者本多稔, 野中龍, 光岡一行, 行 申請人:東京毅力科創株式會社