專利名稱：偏轉線圈及其制造方法
技術領域：
本發明涉及安裝在具備一字排列式電子槍的彩色陰極射線管的偏轉線圈以及其制造方法。
背景技術：
專利文獻1中記載的偏轉線圈，是安裝在具備一字排列式電子槍的彩色陰極射線管的偏轉線圈，用于修正屏幕面上產生的所謂會聚不良(反転トリレンマ)而構成的部件。
該偏轉線圈，裝載的一對垂直偏轉線圈分別具備2組從產生枕形磁場用的線圈(以下稱為PC線圈)和產生桶形磁場用的線圈(以下稱為B線圈)分割纏繞的一對線圈，其中的2個PC線圈與反極性并聯連接的兩個二極管串聯連接。
特別的，在水平偏轉線圈為鞍形線圈、垂直偏轉線圈為環形線圈而構成鞍形·環形偏轉線圈(以下稱為ST型偏轉線圈)的情況下，該垂直偏轉線圈，如圖15所示(相當于專利文獻1的第6圖)，相對磁芯130沿其圓周方向，按B線圈145、PC線圈146、B線圈145順序纏繞。
在該圖中，磁芯130內側的保持其的隔板104和其內側的水平偏轉線圈144被共同表示。
纏繞在磁芯130上的B線圈145以及PC線圈146，纏繞在該環形上的部分的中間部分位置上設置并分割中間抽頭148、147，并且，利用該中間抽頭148、147接線。
具體地，B線圈145由中間抽頭148和從B線圈145的最兩端引出的引線149、PC線圈146由中間抽頭147接線(引線149在專利文獻1的第6圖中被省略)。
特開平1-225045號公報發明內容公知的是ST型偏轉線圈的垂直偏轉線圈是多層層疊纏繞而成(例如，特開平7-249386號公報，特開平5-325830號公報中記載)，由此確保作為偏轉線圈的必要特性。
垂直偏轉線圈102多層層疊纏繞的情況下的示例如圖16所示。
該圖為示意的剖面圖，B線圈145的電線的剖面用白圈表示，PC線圈146的電線的剖面用黑圈表示。并且，線圈145、146各自的纏繞開始的線用符號S表示，纏繞結束的線用符號F表示。另外，省略磁芯130內側的卷線剖面。
從該圖可知，垂直偏轉線圈102多層層疊纏繞的情況下，PC線圈146和2個B線圈145必須相對于磁芯130各自獨立層疊纏繞，設置中間抽頭147、148。換言之，在設置中間抽頭147、148的情況下，必須至少將B線圈145分割成兩個，各自獨立多層層疊纏繞。
但是，該纏繞方法顯著的問題是存在振蕩(リンギング)這一不適合的現象。
該振蕩為屏幕面上輝線的波動，如圖17所示的，屏幕面201上的左端周期性地產生深淺條紋202。對此現象的產生原因進行說明。
由磁芯130內側配置的水平偏轉線圈144(參照圖15)產生的磁場，通過磁芯130的內部，從而在垂直偏轉線圈102中產生水平偏轉周期的感應電壓。
該感應電壓根據垂直偏轉線圈102的線間的分布電容進行充放電而產生振動電流，由此電流形成振蕩磁場，產生光柵振蕩。特別是在水平偏轉電流的頻率成分高的水平回掃期間之后的畫面左端，該現象的發生變得顯著。
對此，利用圖18進行詳細敘述。
虛線的箭頭701表示磁芯130的內部的畫面左側偏轉時的水平偏轉磁場的方向。
B線圈145-L從起點S側中間抽頭148開始作為第1層從電線12向電線11纏繞，接著作為第2層從電線22向電線21纏繞，進而作為第3層再從電線32向電線31纏繞，終點F側延伸出中間抽頭149。
另一方面，B線圈145-R從起點S側中間抽頭149開始作為第1層從電線14向電線13纏繞，接著作為第2層從電線24向電線23纏繞，進而作為第3層再從電線34向電線33纏繞，終點F側延伸出中間抽頭148。
此時，對于產生于B線圈145-L(圖左側的線圈)的感應電壓，如果纏繞結束線149的電位作為基準0(零)，每1層的感應電壓(即，電線31～32間、電線21～22間、電線11～12間的各感應電壓)設為Vc，則第3層的電線32以及第2層的電線21的電位為相同電位、均為+Vc，第2層的電線22與第1層的電線11的電位為相同電位、均為+2Vc，第1層的電線12的電位為+3Vc。
同樣地，對于產生于B線圈145-R(圖右側的線圈)的感應電壓，如果纏繞開始線149的電位作為基準0(零)，每1層的感應電壓設為Vc，則第1層的電線13以及第2層的電線24的電位為相同電位、均為+Vc，第2層的電線23以及第3層的電線34的電位為+2Vc，第3層的電線33的電位為+3Vc。
因此，各層間的相鄰的電線間產生Vc的電位差，增大了線間分布電容，產生了顯著的振蕩。
即，為了修正會聚不良，PC線圈146和兩個B線圈145分割纏繞后，隨著B線圈145的分布電容的增加，出現了振蕩顯著產生的問題，為了解決此問題尋求偏轉線圈。
因此，本發明的目的是提供能夠在修正會聚不良的同時抑制振蕩的偏轉線圈以及其制造方法。
為了解決上述問題，本申請發明具有以下構成。
即，技術方案1的發明為一種偏轉線圈，具備一對鞍形水平偏轉線圈1、環狀的磁芯3以及纏繞于該磁芯3的一對環形垂直偏轉線圈2，所述垂直偏轉線圈2具有產生桶形磁場的第1線圈5和產生枕形磁場的第2線圈6，所述第2線圈6與相互反極性并聯連接的兩個二極管11串聯連接，所述第1線圈5與所述第2線圈6以及所述二極管11并聯連接而形成偏轉線圈，其特征在于包含所述第1線圈5沿所述磁芯3的電線纏繞范圍(E1、E2、E1)的中央的規定范圍作為比所述電線纏繞范圍(E1、E2、E1)的兩端部側更稀疏纏繞的稀疏纏繞范圍(E2)，在大致該稀疏纏繞范圍(E2)中，所述第2線圈6纏繞到所述第1的線圈5上。
并且，技術方案2的發明如技術方案1記述的偏轉線圈(50)，其特征在于所述第1線圈5由電線多層纏繞而成，由所述鞍形水平偏轉線圈1的水平偏轉磁場701產生的所述各層間相鄰的電線(12、21、31)(12、22、32)的感應電壓成為大致同電位(0、Vc)。
并且，本申請發明具有以下步驟。
即，一種制造技術方案1或2所述的偏轉線圈50的偏轉線圈的制造方法，其特征在于，包括將所述第1線圈5連續纏繞在所述磁芯3，使得在所述規定范圍E2內纏繞稀疏的第1線圈纏繞步驟，和在大致所述規定范圍E2的所述第1線圈5上纏繞所述第2線圈6的第2線圈纏繞步驟。
根據本發明，可以產生在修正會聚不良的同時可以抑制振蕩的效果。
圖1為本發明的偏轉線圈的實施例的橫剖面圖。
圖2為說明本發明的偏轉線圈的實施例中裝載的電路的電路圖。
圖3為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第1圖。
圖4為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第2圖。
圖5為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第3圖。
圖6為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第4圖。
圖7為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第5圖。
圖8為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第6圖。
圖9為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第7圖。
圖10為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第8圖。
圖11為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第9圖。
圖12為表示本發明的偏轉線圈的實施例的外觀透視圖。
圖13為說明具有稀疏地纏繞的部分的線圈的一例的圖。
圖14為說明本發明的偏轉線圈的實施例的感應電壓的圖。
圖15為說明現有的偏轉線圈的橫剖面圖。
圖16為說明現有的偏轉線圈的垂直偏轉線圈的概略剖面圖。
圖17為說明振蕩的圖。
圖18為說明現有的偏轉線圈的感應電壓的圖。
具體實施例方式
利用圖1～圖14根據優選實施例說明本發明的實施方式。
圖1為本發明的偏轉線圈的實施例的橫剖面圖。
圖2為說明本發明的偏轉線圈的實施例中裝載的電路的電路圖。
圖3為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第1圖。
圖4為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第2圖。
圖5為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第3圖。
圖6為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第4圖。
圖7為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第5圖。
圖8為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第6圖。
圖9為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第7圖。
圖10為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第8圖。
圖11為說明本發明的偏轉線圈的制造方法的實施例的第9圖。
圖12為表示本發明的偏轉線圈的實施例的外觀透視圖。
圖13為說明具有稀疏地纏繞的部分的線圈的一例的圖。
圖14為說明本發明的偏轉線圈的實施例的感應電壓的圖。
圖12A為實施例的偏轉線圈50的概略透視圖，圖12B為概略側面圖。
根據該圖，該偏轉線圈50具備一對鞍形水平偏轉線圈1、1，環狀的磁芯3，纏繞于該磁芯3的一對環形垂直偏轉線圈2、2，分別在水平偏轉線圈1和磁芯3的內側和外側保持絕緣的漏斗狀的隔板4以及具有后述電路12的基板13。
隔板4的后方側的端部(圖的右側)形成頸部4A，該頸部4A連接在圖中未示出的陰極射線管的頸部，偏轉線圈50安裝在陰極射線管。
一對的垂直偏轉線圈2、2分別具備兩組由PC線圈6和B線圈5組成的一對線圈，該PC線圈6和B線圈5如圖2所示電路12那樣連接。
即，PC線圈6、6與反極性并聯連接的兩個二極管11、11串聯連接的同時，該串聯連接的PC線圈6、6以及二極管11、11與串聯連接的B線圈5、5并聯連接。
并且，該電路12中，與各線圈并聯，連接該線圈兩端的泄放(ダンピング)電阻的同時，連接著調整B線圈5、5的各自的電流比率的電位器(ボリユ一ム)12VR。隨著該電流比率調整，能夠修正屏幕面的所謂Yv收斂失真。
并且，與一對二極管11并聯且設定該二極管導通時序的電阻12RD。
因此，該電路12的構成為，流過電路的垂直偏轉電流值成為規定值時二極管11導通，B線圈5、5的電流值減少，PC線圈6、6的電流值增加。
由此，屏幕面的上下區域的磁場成為枕形，可以修正會聚不良。
接著，利用圖1詳細敘述纏繞在上述環狀磁芯3的一對垂直偏轉線圈2。
圖1為圖12(B)的D-D橫剖面圖，省略了隔板4和水平偏轉線圈1。并且，環狀磁芯3被該圖的上下各自分割的線圈纏繞，一對垂直偏轉線圈2成為點對稱。
因此，在以下的說明中作為代表對上側的垂直偏轉線圈2進行說明。
該垂直偏轉線圈2具備上述B線圈5，即，產生桶形磁場用的線圈5(以下稱為B線圈5)，以及上述PC線圈6，即，產生枕形磁場用的線圈6(以下成為PC線圈6)。
該圖中，用白圈表示B線圈5的電線的剖面，用黑圈表示PC線圈6的電線的剖面，線圈5、6各自纏繞開始的線以符號5S、6S表示，纏繞結束的線以符號5f、6f表示。
B線圈5在水平軸X為0°時，對于磁芯3在大于從該水平軸X測得的角度θ1小于角度θ2的范圍E1中緊密纏繞；在大于角度θ2的范圍E2中稀疏纏繞。
PC線圈6在B線圈5上面，在大于從水平軸X測得的角度θ2小于角度θ3的范圍E3中緊密纏繞；在大于角度θ3的范圍E4中稀疏纏繞。
此處所說“緊密纏繞”是指相鄰的纏繞線排列纏繞，且彼此略接觸的意思，“稀疏纏繞”是指相鄰的纏繞線彼此分離而纏繞的意思。
因此，“稀疏纏繞”包含例如圖13中范圍E2的連接線L4那樣的纏繞。該圖13是稀疏纏繞B線圈5的范圍E2的一例。
回到圖1，從B線圈5，引出其纏繞開始線5S和纏繞結束線5f，從PC線圈6，引出其纏繞開始線6S和纏繞結束線6f。這些纏繞開始線5S、6S以及纏繞結束線5f、6f如圖2所示連線構成電路12。
在此實施例中，B線圈5、PC線圈6共纏繞3層。
例如，B線圈5中，從圖左方第1層的纏繞開始點BS1沿圖的箭頭TR方向(順時針)纏繞，從第1層的纏繞結束點BF1(圖的右方)纏繞回第2層的纏繞開始點BS2(圖的左方)。
該纏繞方向在各層同樣，對于PC線圈6也同樣。
此處的返回線在該圖中省略，詳細內容后述。
這樣，B線圈5沒有中間抽頭、且沒有被分割為多個線圈而作為一個線圈纏繞。利用圖14對該B線圈5的感應電壓進行說明。
在此圖中，虛線的箭頭701表示屏蔽畫面左側偏轉時的磁芯3內部的水平偏轉磁場的方向。
對于該狀態下B線圈5產生的感應電壓，如果纏繞開始線5s的電位作為基準0(零)，范圍E1中每層的感應電壓為Vc，則第1層的電線11的電位為0(零)，電線12以及電線13的電位為相同電位、均為+Vc，電線14為0(零)。
第2層的電線21與第1層的電線14為相同電位0(零)，電線22以及電線23的電位為同電位、均為+Vc，電線24為0(零)。
同樣，第3層的電線31的電位為0(零)，電線32以及電線33的電位為相同電位、均為+Vc，電線34的電位為0(零)。
即，因為各層的電位分布相等，各層間相鄰的電線間大致同電位。其結果，線間分布電容變得非常小，振蕩的產生量變得非常少。
并且，本發明者發現，將B線圈5纏繞到環狀磁芯3時，該B線圈5的規定范圍E2的纏繞比其他范圍E1的纏繞稀疏時，由于該稀疏纏繞的規定范圍E2上PC線圈6重疊纏繞，與現有的B線圈和PC線圈分割沿著磁芯的表面并聯纏繞(配置)的情況相比較，由互感所導致的振蕩變得非常少。
進而經過潛心研究，發明者們發現了規定上述規定范圍E1的角度θ2的優選范圍。
即，優選的是，角度θ2在水平軸X為0°時的50°±5°范圍內時，能夠顯著抑制振蕩的產生。角度θ2為50°時，能夠將振蕩的產生抑制到最小。
如上所述，根據該實施例，由自感而導致的振蕩產生變得非常小，且由互感導致的振蕩產生也變得非常小，因此能夠既修正會聚不良，振蕩的產生又變得非常少。
<制造方法>
接下來，利用圖3～圖11對上述實施例的垂直偏轉線圈2的繞線方法進行說明。
圖3～圖11為從偏轉線圈50的頸部4A(參照圖12)側看環狀磁芯3的圖。向環狀磁芯3的纏繞，通過如下所示在分割環狀磁芯3后對于半分割的磁芯3a的步驟來進行。在各圖中，用箭頭表示纏繞電線的前端側(由此開始纏繞的一側)。
(步驟A)<參照圖3>
磁芯3a的一邊側(圖3的左側)作為開始線5s，由此沿順時針方向纏繞電線。
此時，如該圖，在從水平軸X(0°)經過規定角度θ1的點BS1到規定角度θ2的點BTa的區域E1中密集纏繞，在大于角度θ2的區域E2(點BTa-點BTb之間)中比區域E1較稀疏的纏繞。
(步驟B)<參照圖4>
將電線纏繞到磁芯3a的另一邊側(圖4的右側)的規定角度θ1的位置BF1，繞回到一邊側的角度θ1的第2層的位置BS2。此時，點BF1與BS1之間的電線成為沿著磁芯表面的返回線L1。
(步驟C)<參照圖5>
重復(步驟A)和(步驟B)，纏繞電線直到達到規定的層疊數n。由此形成B線圈5。
(步驟D)<參照圖6>
纏繞到規定層疊數的步驟C之后，從電線的角度θ1的纏繞結束的位置BFn引出很長成為引出電線L2。該引出電線L2因為要纏繞繼續引出的PC線圈6，所以在此不切斷。
(步驟E)<參照圖6>
引出電線L2松弛地回到BTa。
該點Bta也是PC線圈6的纏繞開始點PCS，兩點大概一致即可。
(步驟F)<參照圖7、圖8>
電線從點PCS沿順時針方向纏繞到與點BTb大致相同的點PCF。該實施例中，在中央的范圍E4中電線稀疏地纏繞。
該纏繞在先纏繞的B線圈5的范圍E2的部分層疊。
在圖7以后的圖中，B線圈5的緊密纏繞的部分用陰影表示，省略稀疏纏繞部分的電線。
(步驟G)<參照圖8、圖9>
電線從點PCF再次回到點PCS。此時，從點PCF回到點PCS的電線成為通過B線圈5的外側的返回線L3。
(步驟H)<參照圖10>
重復(步驟F)和(步驟G)，纏繞電線直到達到規定的層疊數m。由此形成PC線圈6。電線纏繞m層后，從點PCF引出電線。
(步驟I)<參照圖11>
切斷從(步驟D)引出的電線L2，分成作為PC線圈6側的開始線的線6s，和成為B線圈5側的結束線的線5f。
并且，這些線5s、5f和(步驟A)中的纏繞開始線5s、(步驟H)中的引出電線6f作為各線圈的引線作末端處理。
由于根據以上的步驟形成垂直偏轉線圈(B線圈5及PC線圈6)2，所以用本方法得到的4根引線如圖2所示電路12那樣連線，制造偏轉線圈即可。
根據本實施例的方法，由于垂直偏轉線圈2的B線圈5沒有被分割為多個線圈，所以即使將其纏繞多層，自感也非常小。
因此，從水平偏轉線圈1泄漏的磁場，即使由該自感導致的感應電動勢作用，該感應電動勢很小，因此產生的振蕩量非常小。
另一方面，對于磁芯3a，首先纏繞B線圈5，在該B線圈5的規定范圍E2比其他的范圍E1稀疏地纏繞，因為在該規定范圍E1上PC線圈6重疊纏繞，與以前那樣的B線圈5與PC線圈6分割沿磁芯3a表面排列纏繞的情況相比，由互感產生的振蕩變得非常少。
本發明的實施例不限于上述結構以及步驟，在未脫離本發明要旨的范圍的都可以稱為變形例。
B線圈5的層疊纏繞數n以及PC線圈6的層疊纏繞數m根據偏轉線圈的特性可以自由設定。
并且，決定密集纏繞B線圈5的范圍E1的角度θ1以及角度θ2也都可以自由地設定。但是，如上所述，優選的是，角度θ2設定在相對由水平軸X開始50°±5°的范圍內，最為優選的是，設定為50°。
并且，在稀疏纏繞B線圈5的情況下，相鄰纏繞線之間的間隔可以適當地設定。
并且，對于B線圈5，說明了緊密纏繞范圍E1的例子，但是在該范圍內稀疏纏繞，將范圍E2比范圍E1更稀疏地纏繞也可以。
權利要求
1.一種偏轉線圈，具備一對鞍形水平偏轉線圈、環狀磁芯和纏繞在該磁芯上的一對環形垂直偏轉線圈；所述垂直偏轉線圈具有產生桶形磁場的第1線圈和產生枕形磁場的第2線圈；所述第2線圈與相互反極性并聯連接的兩個二極管串聯連接，所述第1線圈與所述第2線圈以及所述二極管并聯連接形成偏轉線圈，其特征在于包含所述第1線圈沿所述磁芯纏繞電線范圍的中央的規定范圍作為比所述電線纏繞范圍的兩端側更稀疏纏繞的稀疏纏繞范圍，在該略稀疏纏繞范圍中，將所述第2線圈纏繞在所述第1線圈上。
2.根據權利要求1所述的偏轉線圈，其中，所述第1線圈由電線多層纏繞而成，由所述鞍形水平偏轉線圈的水平偏轉磁場產生的所述各層間相鄰電線的感應電壓成為大致相同電位。
3.一種制造如權利要求1或2所述的偏轉線圈的偏轉線圈的制造方法，其特征在于，具有將所述第1線圈連續纏繞在所述磁芯，使得在所述規定范圍內纏繞稀疏的第1線圈纏繞步驟，以及在大致所述規定范圍的所述第1線圈上纏繞所述第2線圈的第2線圈纏繞步驟。
全文摘要
本發明提供一種可以修正會聚不良的同時抑制振蕩的偏轉線圈，具備一對水平偏轉線圈(1)和纏繞于環狀磁芯(3)的一對環形垂直偏轉線圈(2)，垂直偏轉線圈(2)具有產生桶形磁場的第1線圈(5)和產生枕形磁場的第2線圈(6)，該第2線圈與相互反極性并聯連接的兩個二極管(11)串聯連接，第1線圈與第2線圈以及二極管并聯連接，包含第1線圈纏繞范圍的中央的規定范圍(E2)比第1線圈的兩端部側(E1)更稀疏地纏繞，在該稀疏纏繞范圍中，將第2線圈纏繞到第1線圈上。
文檔編號H01J29/76GK1612285SQ20041008489
公開日2005年5月4日 申請日期2004年11月1日 優先權日2003年10月31日
發明者島田雅之, 龜和田郁夫, 富山王夫, 野澤崇浩 申請人:日本勝利株式會社