等離子顯示面板及其制造方法

專利名稱：：等離子顯示面板及其制造方法
技術領域：
：本發明涉及一種等離子顯示面板。尤其涉及電介質層的碳濃度具有特征的等離子顯示面板。另外，本發明還涉及這樣的等離子顯示面板的制造方法。
背景技術：
：近年來，大型的薄型顯示器的市場正在擴大。特別是顯示為高精細而且可以大型化的等離子顯示面板的技術革新正在積極地推進。等離子顯示面板由對向配置的前面板和背面板構成。前面板及背面板的邊緣部份被密封處理。在前面板與背面板之間形成的放電空間封入放電氣體(氦或氖等)。前面板通常由玻璃基板、由掃描電極及維持電極構成的顯示電極、電介質層和保護層構成。更具體而言，在前基板中，(i)在玻璃基板的一個主面上以條紋狀形成顯示電極；(ii)形成電介質層，使其覆蓋該顯示電極；接著，(iii)在電介質層上形成保護層。另一方面，背面板通常由玻璃基板、地址電極、電介質層、隔壁和熒光體層(紅色、綠色以及藍色的熒光體層)構成。更具體而言，在背面板中，(i)在玻璃基板的一個主面上以條紋狀形成地址電極；(ii)形成電介質層，使其覆蓋該地址電極。進而，在背面板中，(iii)在電介質層上隔著一定間隔形成多個隔壁；(iv)在電介質層上，在相鄰的隔壁間形成有熒光體層。在這樣的等離子顯示面板中，利用在放電空間中施加電壓產生的紫外線，激發各色的熒光體層。通過激發各熒光體層，使紅色、綠色以及藍色發光，另一方面，實現彩色圖像顯示。電介質層可以發揮電容器的功能。對于前面板的電介質層而言，為了實現出色的發電效率而要求具有高的電容器性能，同時還需要施加電壓時的出色的耐絕緣擊穿性能(例如參照專利文獻1及專利文獻2)。特別近年來，對更高精細且低消耗電力的等離子顯示面板的需求正在提高，對放電氣體的高能量化或掃描線數的增加等的開發正在推進。如果想要實現這樣的高精細化，則電極間的間距變窄，施加電壓時電極一電介質間變得容易發生絕緣擊穿。因此，電介質層的內部以及表面需要剝脫或裂紋等物理缺陷少。另夕卜，面板開口部的面積降低引起面板亮度減少，而為了改善這種狀況，不得不形成高純度且低介電常數的電介質層。尤其不得不處理電介質的燒成時與電極的副作用引起電介質層變色成黃色的黃變現象的問題。專利文獻l:特表2003—518318號公報專利文獻2:特開平11一195382號公報
發明內容本發明正是鑒于所述情況而提出的。就是說，本發明的課題是提供一種具備實際上不存在裂紋以及黃變等的電介質層的等離子顯示面板。為了解決所述課題，本發明提供一種等離子顯示面板，其中，所述等離子顯示面板具有在第1基板上設置有第1電極和第1電介質層和保護層的前面板，以及在第2基板上設置有第2電極和第2電介質層和熒光體層的背面板而成，在前面板中，在第1基板上設置第1電極，在第1基板上設置第1電介質層并使其覆蓋第1電極，在第1電介質層上設置有保護層，另外，在背面板中，在第2基板上設置第2電極，在第2基板上設置第2電介質層并使其覆蓋第2電極，在第2電介質層上設置熒光體層，配置前面板與背面板并使保護層與熒光體層相向，在前面板與背面板之間設置有放電空間，其特征在于，至少第1電介質層的碳濃度(或碳成分濃度)約為1.0X103ppm以上而且約為l.OX105ppm以下。在本說明書中，"碳濃度"實際上是指用后述的"二次離子質量分析法(SIMS)"測定的電介質層中的碳(C)量。在此，優選碳來自與在電介質層中存在的硅氧垸骨架結合的烷基或亞烷基。另外，在本說明書中，"至少第1電介質層的碳濃度"實際上是指"第1電介質層的碳濃度或第1及第2電介質層的各電介質層的碳濃度"。本發明的特征在于，殘存于第1電介質層的碳的濃度或殘存于第1及第2電介質層的各電介質層的碳的濃度為1.0X103ppm以上而且1.0X105ppm以下。由于這樣碳的濃度成為1.0X103ppm以上而且1.0X105ppm以下，所以在電介質層中，實際上不存在裂紋或剝脫等物理缺陷，電介質層的黃變也被抑制。在某種優選方式中，第1電介質層的碳濃度或第1及第2電介質層的各電介質層的碳濃度為1.0X10pm以上而且1.0Xl()Sppm以下。另外，在另一個優選方式中，第1電介質層為由下層(與電極接觸的層)和上層(與保護層接觸的層)構成的2層結構，下層的碳濃度為1.0X10pm以上而且1.0X104ppm以下，上層的碳濃度為1.0X103ppm以上而且l.OX105ppm以下。這種情況下，與電極接觸的下層的碳濃度的特征在于，特別有助于防止黃變。本說明書中的"2層結構"不僅是指可明確區分上層和下層的形態，還包括不能明確區分上層和下層的形態(例如上層和下層間的界面不明確的形態)。在另一個優選方式中，在第1電介質層與第1電極之間設置有碳濃度為104ppm以下(即，0104ppm)的電介質層。這樣，可以得到更有效地防止黃變的等離子顯示面板。另外，請注意，該方式可以與所述的2層結構的第1電介質層的下層(與電極接觸的層)的碳濃度成為l.OX10pm以下的方式同樣對待。另外，在本發明中，還提供如上所述的等離子顯示面板的制造方法。該制造方法的特征在于，在形成前面板的電介質層及背面板的電介質層的至少一方時，包括如下工序而成，艮P，(1)向形成有電極的基板上供給包含有機溶劑及玻璃成分(在硅氧烷骨架上結合有烷基或亞烷基的玻璃成分)而成的電介質原料的工序，以及(2)對提供的電介質原料施加熱處理的工序，利用熱處理得到的電介質層的碳濃度成為1.0X103ppm以上而且1.0X105ppm以下。本發明的制造方法的特征在于，使用包含烷基或亞垸基與硅氧垸骨架(或硅氧烷鍵)結合的玻璃成分而成的電介質原料。在所述玻璃成分中，優選垸基相對硅氧烷骨架的Si原子的摩爾比為1以上，更優選為13。另外，這樣的烷基的碳原子數優選為16。在本發明的制造方法中使用的電介質原料含有玻璃成分及有機溶劑而成。但是，電介質原料根據需要也可以進一步含有粘合劑樹脂而成。在本發明的等離子顯示面板中，由于電介質層的碳濃度實際上不會導致在電介質層中發生剝脫或裂紋等物理缺陷，所以能夠帶來可以對應高精細化的出色的耐絕緣性能。換言之，即使施加高電壓，電介質層也不會發生絕緣擊穿，等離子顯示面板的高精細化成為可能。進而，由于電介質層的碳濃度引起的能夠在電介質層中產生的黃變實際上得以抑制，所以可以避免面板開口部的面積降低引起的面板亮度的減少。因而，利用本發明，可以進行高精細顯示，可以得到低消耗電力且高效率的等離子顯示面板。圖1是示意性地表示本發明的PDP的截面圖。圖2是示意性地表示本發明的PDP的截面立體圖。圖3是表示電介質層厚度的碳濃度依賴性的曲線圖。圖4是示意性地表示具有突起部(巻邊(edgecurl))的電極的截面圖。圖5是示意性地表示曝光以及顯影形成的電極的截面圖。圖6示意性地表示在燒成曝光以及顯影形成的電極時發揮作用的力的截面圖。圖7示意性地表示在燒成曝光以及顯影形成的電極時發揮作用的合力的截面圖。圖8是表示電介質層的耐熱溫度的碳濃度依賴性的曲線圖。圖9是表示黃變的碳濃度依賴性的曲線圖。圖10是示意性地表示2層結構的電介質層的截面圖。圖11是在"電介質層厚度的碳濃度依賴性的確認試驗"中使用的浸漬涂敷裝置的模式圖。圖12是在"黃變現象的碳濃度依賴性的確認試驗"中使用的成膜裝置的模式圖。圖13是可以在電介質原料糊的涂敷中使用的裝置的模式圖。圖中，IO—前面板，ll一第l基板，12—第1電極，13—第1電介質層，13a—下層(第1電介質層的下層)，13b—上層(第1電介質層的上層)，14一保護層，20—背面板，21—第2基板，22—第2電極，23—第2電介質層，23a—下層(第2電介質層的下層)，23b—上層(第2電介質層的上層)，25—隔壁，26R—紅色的熒光體層，26G—綠色的熒光體層，26B—藍色的熒光體層，30—放電空間，31—放電單元，40—PDP，12a一透明電極，12b—黑層(總線電極)，12c—白層(總線電極)，124—顯影后的黑層，125—顯影時黑層被削去的區域，126—抵消的白層一黑層間的力，127—向玻璃基板的合力，128—向白層內部收縮的力，129—向白層寬方向中央部牽引白層表面部的力，50—浸漬涂敷裝置，51—升降單元，52—玻璃基板，53—容器，60—成膜裝置，61—真空腔，62_基板，63一氣體導入口，64—成膜靶，65—四重極質量分析計，71—容器，72—泵，73—噴嘴，74—基板。具體實施例方式以下，對本發明的等離子顯示面板及其制造方法進行詳細說明。[本發明的等離子顯示面板的構成]首先，對本發明的等離子顯示面板(以下也稱為"PDP")進行說明。圖1及圖2示意性地表示本發明的PDP(圖1是PDP的模式截面圖，圖2是PDP的模式截面立體圖)。PDP40由對向配置的前面板10和背面板20構成。前面板10及背面板20的邊緣部份例如被低熔點玻璃料玻璃材料等密封構件密封處理。放電氣體(氦、氖或氙等)被封入在前面板10與背面板20之間形成的放電空間。參照圖1及圖2，說明本發明的PDP40的構成。本發明的PDP40具有在第1基板11上設置有第1電極12、第1電介質層13和保護層14的前面板IO，以及在第2基板21上設置有第2電極22、第2電介質層23和熒光體層(26R、26G、26B)的背面板20而成。在前面板10中，在第1基板11上設置第1電極12，在第1基板11上設置第1電介質層13并使其覆蓋第1電極12，在第1電介質層13上設置保護層14，在背面板20中，在第2基板21上設置第2電極22，在第2基板21上設置第2電介質層23并使其覆蓋第2電極22,在第2電介質層23上設置熒光體層(26R、26G、26B)。配置前面板10與背面板20并使保護層14與熒光體層(26R、26G、26B)相向。在前面板10與背面板11之間形成放電空間30(或放電單元31)。對本發明的PDP的構成及相關的PDP的制造方法進行詳細說明。本發明的PDP的前面板10具有第1基板11、第1電極12、第1電介質層13以及保護層14而成。第1基板11是透明且具有絕緣性的基板(厚度例如約為1.0mm約3mm左右)。第1基板11例如為用浮動(float)法等制造的浮動式玻璃基板。另外，第1基板11也可以為堿石灰玻璃基板、鉛堿硅酸玻璃基板或硼硅酸鹽玻璃基板。多個第1電極12在第1基板11上以條紋狀平行地配置。第1電極12例如優選為由掃描電極及維持電極構成的顯示電極(厚度例如約為1約50/xm左右)。這種情況下，掃描電極及維持電極分別由氧化銦(ITO)或氧化錫(Sn02)等所形成的透明導電膜即透明電極(使在熒光體層產生的可見光透過的電極)以及在這種透明電極上形成的總線電極(用于降低顯示電極的電阻，向透明電極的長徑方向賦予電導性的電極)構成。第1電介質層13被設置成覆蓋在第1基板11的表面形成的第1電極12。該第1電介質層13為涂敷及熱處理主要由玻璃成分及有機溶劑構成的電介質原料糊得到的氧化膜(特別是氧化硅膜)。如上所述或如后所詳述，本發明的PDP的第1電介質層13的特征在于，其碳濃度為103ppm以上而且105ppm以下。第1電介質層13的厚度優選約為5jLi約50pm。在第1電介質層13上形成保護層14(厚度例如約為0.5約1.5/mi左右)。保護層14是為了保護第1電介質層13不受放電的沖擊(更具體而言，"利用等離子的離子沖擊")而設置的。保護層14例如由氧化鎂(MgO)構成。另外，保護層14例如可以使用電子束蒸鍍法、CVD法或濺射法等形成。本發明的PDP的背面板20具有第2基板21、第2電極22、第2電介質層23以及熒光體層(26R、26G、26B)而成。第2基板21優選為透明且具有絕緣性的基板(厚度例如約為1.0mm約3mm左右)。第2基板21例如為用浮動法等制造的浮動玻璃基板。另外，第2基板21也可以為堿石灰玻璃基板、鉛堿硅酸玻璃基板、硼硅酸鹽玻璃基板或各種陶瓷基板。多個第2電極22在第2基板21上以條紋狀平行地形成。第2電極22例如為地址電極(或數據電極)(厚度例如約為1約4/mi左右)。地址電極是為了選擇性地使各放電單元放電而設置的。該地址電極使用網板印刷法由以銀為主要成分的電導性糊成膜。另外，也可以利用金屬型涂敷法或印刷法涂敷以銀為主要成分的電導性糊，然后在約10(TC約20(TC下使其干燥，接著，利用進行曝光顯影的光刻法形成圖案來成膜。該地址電極在涂敷及干燥后最終被賦予約400約70(TC的燒成。第2電介質層23被設置成覆蓋在第2基板21的表面形成的第2電極22。該第2電介質層23為涂敷及熱處理主要由玻璃成分及有機溶劑構成的電介質原料糊得到的氧化膜(特別是氧化硅膜)。如上所述或如后所詳述，第2電介質層23的特征在于，碳濃度為103ppm以上而且105ppm以下。第2電介質層23的厚度優選約為5/x約50pm。在第2電介質層23上形成熒光體層(26R、26G、26B)(厚度例如約為5約50/mi左右)。熒光體層(26R、26G、26B)是為了將利用放電放射的紫外線轉換成可見光線而設置的。該熒光體層(26R、26G、26B)以紅色、綠色以及藍色的熒光體層作為構成單元，分別被隔壁25隔開。隔壁25是為了對應每個地址電極22劃分放電空間而形成的。在此，熒光體層(26R、26G、26B)利用金屬型涂敷法、印刷法、分配法(f、^7^y;0或噴墨法等涂敷熒光體粉末、粘合劑樹脂(例如聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、甲基丙烯酸酯聚合物、丙烯酸酯聚合物等)以及有機溶劑(例如甲乙酮等酮類、甲苯等芳香族烴類、丙二醇一甲醚等二醇醚類等)構成的糊原料，接著，賦予約IO(TC的干燥，來形成。對熒光體粉末進行說明。例如，紅色的熒光體粉末可以為由￥203:Eu、YV04:Eu、Y203S:Eu等構成的粉末。綠色的熒光體粉末可以為由Zn2Ge02:M、BaAl12019:Mn、LaP04:Tb等構成的粉末。藍色的熒光體粉末可以為由Sr5(P04)3C1:Eu、BaMg2Al14024:Eu等構成的粉末。隔壁25在第2電介質層23上形成為條紋狀或井字形狀。隔壁25利用金屬型涂敷法或印刷法涂敷含有低熔點玻璃材料(例如氧化鉛一氧化硼一氧化硅系、氧化鉛一氧化硼一氧化硅一氧化鋅系等玻璃粉末)、填充劑(例如氧化物陶瓷等)、粘合劑樹脂(例如聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、甲基丙烯酸酯聚合物、丙烯酸酯聚合物等)以及有機溶劑(例如甲乙酮等酮類、甲苯等芳香族烴類、丙二醇一甲醚等二醇醚類等)而成的糊原料，賦予約10(TC20(TC的干燥，然后利用進行曝光顯影的光刻法形成圖案，接著，賦予約40(TC約70(TC的燒成來形成。另外，隔壁25也可以使用噴砂法、蝕刻法或成型法等形成。前面板10與背面板20配置成保護層14與熒光體層(26R、26G、26B)相向。在前面板10與背面板20之間形成放電空間30。更具體而言，前面板10與背面板20夾持放電空間對向配置，以使前面板10的掃描電極以及維持電極與背面板20的地址電極22正交。在將對向配置的前面板10與背面板20固定的狀態下，加熱，進行使前面板10與背面板20密封接合的密封處理，然后邊加熱邊進行將放電空間30內的氣體排氣的排氣烘焙處理。最終，向放電空間30內封入放電氣體，使PDP40完成。作為放電氣體，可以為氦、氖、氬或氤等稀有氣體。該放電氣體以400600Torr的壓力被封入放電空間30內。在完成的PDP40中，被隔壁25隔開的地址電極22與顯示電極12交叉的放電空間30發揮放電單元31的功能。換言之，排列成矩陣狀的放電單元構成圖像顯示區域。在該PDP40中，通過從外部驅動電路向顯示電極選擇性地施加視頻信號電壓，可以使放電氣體放電。利用該放電產生的紫外線可以激發各色的熒光體層，所以從熒光體層產生紅色、綠色以及藍色的可見光，這樣，實現彩色圖像顯示。接著，對本發明的PDP的電介質層的碳濃度進行詳細說明。(電介質層厚度的碳濃度依賴性)圖3表示在后述的實施例中得到的"表示電介質層厚度的碳濃度依賴性的曲線圖"。在該曲線圖中，顯示了電介質層的碳濃度(ppm)與電介質層的極限膜厚(/mi)之間的相關關系。在此所述的"極限膜厚"實際上是指成為在電介質層中產生剝脫或裂紋等物理缺陷的分界線的電介質層厚度。"剝脫"是指電介質層從基板或電極等PDP要素剝脫的現象狀態。例如，以在曲線圖中所示的a點為例進行說明。電介質層具有a點的碳濃度(約1.0X105ppm)的情況下，以約2/mi的厚度為邊界，如果電介質層厚度大于該邊界，則變得容易產生剝脫或裂紋等物理缺陷，相反，如果電介質層的厚度小于該邊界，則變得難以發生該物理缺陷。從該說明可以更好地理解，極限膜厚隨著電介質層中含有的碳量變多而增加的圖3的曲線圖。在此，如上所述，被稱為電介質層的構件是構成為覆蓋電極。但是，實際上，如圖4所示，有時在電極上存在突起部(巻邊)。該突起部可以在電極的燒成過程中產生。對此進行更詳細地說明。近年來，為了提高畫面的對比度，將總線電極形成為成為顯示側的黑層(與透明電極接觸的層)和在其上配置的白層的二層結構。黑層涂敷黑色的電極糊而形成，白層在其上涂敷電導性的電極糊形成。作為黑色的電極糊，可以使用配合銅一鐵(Cu—Fe系)、銅一鉻系(Qi—Cr)系等黑色復合氧化物而成的樹脂組合物。具體而言，從這些電極糊形成的總線電極是在各層上涂敷、形成圖案(曝光以及顯影)以及進行之后的燒成來形成的。此時，將黑層與白層一起進行曝光顯影的情況下，光不會充分地到達下層，下層的固化可能變得不充分。所以，固化不充分的下層與上層相比，顯影時被除去的量變多，在顯影后的狀態下，相對上層的寬度，下層的寬度變小。這樣的總線電極的顯影后的截面模式圖如圖5所示。如果燒成如圖所示的電極，則如圖6所示，利用熱收縮，在白層及黑層中，各個收縮的力發揮作用。結果，產生如圖7所示的合力。此時，在顯影后殘留黑層的區域124中，如圖6所示，燒成時白層與黑層的界面的力互相抵消。結果，作為合力，如圖7所示，在白層表面部，向玻璃基板ll的方向的較大力127發揮作用。另外，在顯影時黑層被削去的區域125中，如圖6所示，不會被黑層限制，產生向白層內部收縮的力128。這些力發揮作用的結果，如圖7所示，利用在白層表面發揮作用的向玻璃基板11的方向的較大合力127與向白層內部收縮的力128的合力，在白層表面部，向寬度方向的中央部牽拉其端部的力129發揮作用。如果該力129發揮作用，則在白層中產生大的撓曲，同時電極寬度方向端部巻起。因而，電極寬度方向端部向上方發生大的突起，最終，產生如圖4所示的突起部(巻邊)。為了用電介質層覆蓋具有這樣的突起部的電極，必須使電介質層厚度至少約為0.5/mi以上，優選必須約為1.0/mi以上。換言之，從具有巻邊的電極的覆蓋性的觀點出發，需要電介質層厚度至少約為0.5/mi以上，優選所需的電介質層厚度至少約為1.0/mi以上。如果考慮到該所需的電介質層厚度，則從圖3的曲線圖可以說，需要電介質層中的碳濃度約為l.OX103ppm以上，優選所需的電介質層中的碳濃度約為1.0X104ppm以上。更具體而言，從電極的覆蓋性的觀點出發，如果想要電介質層厚度至少約為0.5/mi以上，則基于圖3的曲線圖，需要電介質層中的碳濃度約為1.0X103ppm以上。就是說，低于約1.0X103ppm的碳濃度的情況下，變得容易產生剝脫或裂紋等物理缺陷。同樣，從電極的覆蓋性的觀點出發，如果想要電介質層厚度至少約為1.0/mi以上，則基于圖3的曲線圖，需要電介質層中的碳濃度約為1.0X104ppm以上。(電介質層的耐熱溫度的碳濃度的依賴性)圖8表示在后述的實施例中得到的"電介質層的耐熱溫度的碳濃度依賴性的曲線圖"。在該曲線圖中，表示電介質層的碳濃度(ppm)與電介質層的極限耐熱溫度(°C)的相關關系。在此所述的"極限耐熱溫度"實際上是指成為在電介質層中產生剝脫或裂紋等物理缺陷的分界線的電介質層的耐熱溫度rc)。例如，以在曲線圖中所示的b點為例進行說明。電介質層具有b點的碳濃度(約1.0X103ppm)的情況下，以約54(TC為邊界，如果電介質層溫度大于該邊界，則變得容易產生剝脫或裂紋等物理缺陷，相反，如果電介質層的溫度小于該邊界，則變得難以產生該物理缺陷。從該說明可以更好地理解，極限耐熱溫度隨著電介質層中含有的碳量變多而降低的圖8的曲線圖。在本說明書中，在PDP的制造中，熒光體層的燒成溫度約為47(TC，同時密封接合前面板與背面板的密封處理時的溫度也約為470°C。因而，可以說電介質層所必要的耐熱溫度至少約為450°C。如果考慮到該耐熱溫度，則從圖8的曲線圖可知，電介質層中的碳濃度必須約為1.0X105ppm以下。換言之，如果考慮到約45(TC這樣電介質層所要求的耐熱溫度，則基于圖8的曲線圖，電介質層中的碳濃度必須為1.0X10pm以下。就是說，多于1.0Xl()Sppm的碳濃度的情況下，變得容易產生剝脫或裂紋等物理缺陷。在本說明書中，本發明的PDP的第1電介質層的碳濃度或者第1及第2電介質層的各電介質層的碳濃度約為1.0X103ppm以上而且約l.OX105ppm以下，優選約為1.0X103ppm以上而且約l.OX104ppm以下。因而，在本發明的電介質層中，可以抑制剝脫或裂紋等物理缺陷的發生，可以向PDP帶來可以對應高精細化的出色的耐絕緣性能。(黃變現象的碳濃度依賴性)圖9表示在后述的實施例中得到的"表示黃變現象的碳濃度依賴性的曲線圖"。在該曲線圖中，表示電介質層的碳濃度(ppm)與在電介質層中產生的黃變現象的相關關系。在此所述的"黃變"是指成為電介質層(或成為電介質層的原料的糊材料)與電極(特別是銀電極)的反應引起的電介質層變色成黃色的現象。縱軸的"b值"是通常被已知作為表示電介質層變色成黃色的程度的指標的色度計的測定值。"b值"表示在曲線圖側其絕對值越變大，則黃色的程度越大。在圖9所示的曲線圖中，可以理解電介質層中含有的碳量變得越多，b值越增加。已知不影響PDP的顯示功能的b值為3以下。就是說，如果b值為3以下，則可以防止電介質的黃變現象引起的PDP的顯示功能降低，相反，如果b值大于3，則PDP的顯示功能降低。如果考慮到該求得的b值(即"3以下")，則基于圖9的曲線圖，電介質層中的碳濃度必須約為1.0X10pm以下。換言之，如果將3以下的b值的數值作為基準，則從圖9的曲線圖中，可知電介質層的碳濃度必須約為1.0X10pm以下，在多于該值的碳濃度的情況下，黃變現象可能會引起PDP的顯示功能降低。因而，從抑制物理缺陷的觀點出發，如果與得到的所述"1.0Xl(^ppm以上而且1.0X105ppm以下"的碳濃度一起考慮，則通過使電介質層的碳濃度成為"l.OX103ppm以上而且l.OX104ppm以下"，不僅可以防止剝脫或裂紋等電介質層的物理缺陷，而且還可以防止電介質層的黃變現象。在本說明書中，特別是對于前面板的第1電介質層而言，如圖10所示，優選為由下層(與電極接觸的層)13a和上層(與保護層接觸的層)13b構成的2層結構。進而，優選下層13a的碳濃度為1.0X103ppm以上而且1.0X104ppm以下，上層13b的碳濃度為1.0X103ppm以上而且1.0X105ppm以下。這種情況下，在與第1電極(特別是由銀構成的電極)接觸的下層中，可以有效地防止該電極引起的黃變現象，而且在不與電極接觸的上層中，可以防止剝脫或裂紋等物理缺陷。結果，不僅向PDP帶來出色的耐絕緣性能，而且還可以有效地防止面板亮度的減少。另外，下層的厚度優選為0.1/mi以上而且10/mi以下。上層的厚度優選為5/mi以上而且40jLim以下。下層13a的碳濃度也可以為1.0X10ipm以下。這種情況下，可以得到更有效地防止黃變現象的PDP。在第1電介質層中含有的碳或者第1及第2電介質層的各電介質層中含有的碳優選來自與以下所示的硅氧烷骨架(直鏈狀、環狀或三維網眼狀的硅氧垸骨架)結合的烷基。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>(R1、R2:烷基或氫原子，m:1以上的整數)這種情況下，烷基的碳原子數優選為16。例如,.烷基可以為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基等。這些烷基可以單獨或含有2種以上。另外，與玻璃成分的硅氧烷骨架結合的官能團只要是含有碳原子的基團，則可以不特別限定于烷基，例如也可以為亞烷基(亞甲基、亞乙基、亞丙基或亞丁基等)。接著，對制造本發明的PDP的方法進行說明。該制造方法在形成前面板的電介質層及背面板的電介質層的至少一方時，包括以下工序而成，艮P，(1)向形成有電極的基板上供給含有有機溶劑及玻璃成分而成的電介質原料的工序，該電介質原料是所述玻璃成分的硅氧烷骨架上結合有烷基或亞烷基的電介質原料，以及(2)對電介質原料施加熱處理的工序。該制造方法的特征在于，使用含有特別是如以下所示烷基結合于硅氧垸骨架的玻璃成分而成的電介質原料。基于該特征，利用熱處理得到的電介質層的碳濃度成為i.ox103ppm以上而且1.0X105ppm以下。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>(R1、R2:烷基或氫原子，m:1以上的整數)在工序(1)中使用的電介質原料的玻璃成分的硅氧垸骨架可以為直鏈狀、環狀或三維網眼狀。在玻璃成分中，垸基相對硅氧烷骨架的Si原子的摩爾比優選為至少1以上即可，更優選為13。另外，這樣的垸基的碳原子數優選為16。烷基例如為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基即可(可以單獨或含有2種以上這些烷基)。另外，結合于玻璃成分的硅氧垸骨架的官能團只要是含有碳原子的基團即可，不特別限定于烷基，例如可以為亞烷基(亞甲基、亞乙基、亞丙基或亞丁基等)。在工序(1)中使用的電介質原料含有玻璃成分及有機溶劑而成。但是，電介質原料可以根據需要進一步含有粘合劑樹脂。在本說明書中，例如玻璃成分除了聚烷基硅氧烷等具有硅氧垸骨架的材料以外，優選含有二氧化硅(Si02)等玻璃材料(例如玻璃料(glassfrit))。進而，玻璃成分為了降低這樣的二氧化硅的Tg(玻璃化轉變溫度)，而優選含有從氧化鈉(Na20)、氧化鉀(K20)、氧化鎂(MgO)、氧化鋇(BaO)、氧化鉛(PbO)以及氧化硼(B203)構成的組中選擇的至少一種以上的典型元素的氧化物而成。有機溶劑可以為甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、異丁醇、乙二醇、丙二醇、松油醇等醇類，甲乙酮、環己酮等酮類，甲苯、二甲苯、四甲基苯等芳香族烴類，溶纖劑、甲基溶纖素、卡必醇、甲基卡必醇、丁基卡必醇、丙二醇一甲醚、二丙二醇一甲醚、三甘醇一乙醚等二醇醚類，醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙酸溶纖劑、丁基溶纖劑乙酸酯、乙酸卡必醇酯、丁基卡必醇乙酸酯、丙二醇一甲醚乙酸酯等醋酸酯類，辛垸、癸烷等脂肪族烴，石油醚、石腦油、溶劑石腦油等石油系溶劑等，它們可以單獨或組合使用2種以上。另夕卜，粘合劑樹脂例如可以為聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、甲基丙烯酸酯聚合物、丙烯酸酯聚合物、丙烯酸酯一甲基丙烯酸酯共聚物、ce—甲基苯乙烯聚合物以及甲基丙烯酸丁酯樹脂等，它們可以單獨或組合使用2種以上。所述的電介質原料的各種成分的比例只要是在得到典型的PDP電介質層時使用的通常的比例即可，沒有特別限制。例如舉一實例，則在電介質原料由玻璃成分和有機溶劑構成的情況下，玻璃成分為40重量％以上而且60重量％以下，只要有機溶劑在60重量％以下而且40重量％以上即可。另外，電介質原料由玻璃成分和有機溶劑和粘合劑樹脂構成的情況下，例如玻璃成分約為55重量％，有機溶劑約為40重量％，粘合劑樹脂約為5重量％即可。在工序(1)中供給電介質原料的"形成有電極的基板上"是指對于前面板的形成而言，"形成有第1電極的第1基板"。具體而言，前面板的"形成有電極的基板"是指例如"形成有顯示電極的玻璃基板"。同樣，對于背面板的形成而言，"形成有電極的基板上"是指"形成有第2電極的第2基板"。具體而言，背面板的"形成有電極的基板"是指例如"形成有地址電極的玻璃基板"。在工序(1)中，電介質原料向"形成有電極的基板上"的供給可以使用浸漬涂敷法(利用實施例詳細說明)、使用如圖13所示的裝置的涂敷方法(在圖示的方式中，可以通過控制泵72的注射器動作速度，借助配管及噴嘴73，在基板74上涂敷加入到容器71內的電介質原料)、輥涂法、金屬型涂敷法、旋涂法或刮刀涂布法等各種方法。利用這樣的方法，在基板上將電介質原料形成為薄膜狀。膜厚只要是能夠得到需要的電介質層厚度的膜厚即可，沒有特別限制，例如為l20^m左右。在工序(2)中，被供給的電介質原料被施加熱處理。在此所述"熱處理"實際上是指干燥處理及/或燒成處理等加熱處理。這樣的加熱處理只要是得到PDP的電介質層的通常條件即可，沒有特別限制。例如，在約100約30(TC的干燥溫度條件下，干燥時間約為1約2小時，在約400約50(TC的燒成溫度條件下，燒成時間約為1約2小時。以上對本發明的實施方式進行了說明，但本發明不限定于此，可以進行各種改變，這一點對于本領域技術人員而言能夠容易地理解。例如，在本發明中，利用干燥或燒成等熱處理制作電介質層，但不限定于此。例如，也可以使用濺射法、CVD、PVD、EB蒸鍍法、等離子槍蒸鍍法或溶膠凝膠法等，也能夠同樣地制作可以抑制物理缺陷及黃變現象的電介質層。[實施例]《電介質層厚度的碳濃度依賴性的確認試驗》為了得至lj"電介質層的碳濃度(ppm)"與"電介質層的極限膜厚(/xm)"的相關關系而進行了試驗。在試驗時，在玻璃基板(日本電氣硝子制，LXWXH:12.5cmX12.5cmXl.8cm)上，以薄膜狀提供電介質原料糊。接著，在15(TC下對薄膜狀的電介質原料賦予10分鐘的干燥，然后在500'C下賦予1小時的燒成，從薄膜狀的原料糊制作電介質層。基于以下4種原料糊，將這樣的試驗分別改變薄膜厚度(即"膜厚")來實施，由此確認能夠得到不存在剝脫或裂紋的正常的電介質層的厚度(即，電介質層的"極限膜厚")。此時，通過對電介質層中含有的碳濃度(C濃度)定量化，得到極限膜厚與碳濃度之間的相關關系。在玻璃基板上形成的薄膜的膜厚控制使用圖11所示的裝置50，用浸漬涂敷法進行。具體而言，將安裝于升降單元51的玻璃基板52浸漬于含有電介質原料糊的容器53中，然后以一定的速度從容器53撈起玻璃基板52。在此，如果撈起速度大，則玻璃基板與原料糊的表面張力變得比重力更具支配性，在玻璃基板上形成的薄膜的膜厚變大。另一方面，如果撈起速度小，則重力的一方成為支配性，薄膜的膜厚變小。利用該原理，調節撈起速度，控制膜厚。膜厚的測定利用電子顯微鏡觀察(SEM)，觀測截面部，通過定量化從玻璃基板與電介質層的界面到電介質層表面的距離來進行。對電介質層的碳濃度，使用二次離子質量分析法(SIMS)，作為測定二次離子，分析了原子量m/e二12的CT。作為定量化的手法，準備預先注入一定量的C離子的氧化物樣品作為標準樣品，從以基體元素(氧)強度為基準的C分布曲線算出C的靈敏度系數，進行定量。其中，在每一次測定所作成的C離子注入樣品的分布曲線的強度低的情況下，同樣地準備注入一定量Si的標準樣品，預先求得C和Si的各靈敏度系數的比率。這種情況下，從在通常的定量時實測的Si的注入分布曲線求得Si靈敏度系數，對應預先確認的比率，比例換算C的靈敏度系數，進行C的定量。作為具體的分析裝置，使用ATOMIKA制的型式SIM4500，測定條件是一次離子種為Cs+，入射角度30度、5.0keV的離子能、一次離子電流量18nA、電子束掃描長度18/xm。在試驗中使用的4種電介質原料糊(按照垸基組以及垸氧基組的量少的順序，稱為A樣品、B樣品以及C樣品)如下所示。TEOS樣品…通常被用作含有烷氧化物(alkoxide)的溶膠的四乙氧基硅烷(TEOS)單體，即，以100重量X的比例含有TEOS的原料糊^i^…由二氧化硅及聚垸基硅氧烷所形成的固體成分，和異丙醇、甲醇以及異丁醇所形成的有機溶媒成分構成的糊原料^^…由二氧化硅及聚烷基硅氧烷所形成的固體成分，和異丙醇、甲醇以及異丁醇所形成的有機溶媒成分構成的糊原料C樣品承，由二氧化硅及聚烷基硅氧烷所形成的固體成分，和異丙醇、甲醇以及異丁醇所形成的有機溶媒成分構成的糊原料*人樣品、B樣品以及C樣品的固體成分濃度(重量％)的比率如下所述A樣品固體成分濃度B樣品固體成分濃度C樣品固體成分濃度二20:50:60表示在本確認試驗中得到的"電介質層的碳濃度(ppm)"與"電介質層的極限膜厚(/xm)"的相關關系的曲線圖如圖3所示。從該曲線圖可以理解，隨著電介質層中的碳濃度變大，極限膜厚增加。這樣，作為隨著碳濃度增加而極限膜厚也增加的要因，由于在Si原子以及O原子彼此結合形成的網眼狀的硅氧垸骨架上存在烷基(垸基組)，膜層的機械柔韌性，耐久性增加，產生緩和電介質層與玻璃基板中的熱膨脹差引起產生的膜應力的效果，所以可以得到沒有剝脫和裂紋的良好的膜。《電介質層的耐熱溫度的碳濃度依賴性的確認試驗》為了得到"電介質層的碳濃度(ppm)"與"電介質層的耐熱溫度(°C)"的相關關系而進行了試驗。在進行試驗時，在玻璃基板上以薄膜狀提供電介質原料糊。接著，對薄膜狀的原料混合物賦予干燥之后，通過賦予燒成，從薄膜狀的電介質原料糊制作電介質層。對所述的原料糊分別改變燒成溫度同時實施這樣的試驗，由此確認可以得到不存在剝脫或裂紋的正常的電介質層的溫度(gP，電介質層的"極限耐熱溫度")。另夕卜，此時，通過對電介質層中含有的碳濃度(C濃度)進行定量化，得到耐熱溫度與碳濃度的相關關系。另外，與《電介質層厚度的碳濃度依賴性的確認試驗》同樣地利用二次離子質量分析法(SIMS)求得電介質層的碳濃度。表示在本確認試驗中得到的"電介質層的碳濃度(ppm)"與"電介質層的極限耐熱溫度rc)"的相關關系的曲線圖如圖8所示。從該曲線圖可以理解，隨著電介質層中的碳濃度變大，極限耐熱溫度降低。這樣，作為隨著碳濃度增加而極限耐熱溫度降低的要因，可以推斷為，隨著燒成溫度增加，電介質結構內的熱分解被加速，垸基(烷基組)從Si原子及O原子彼此結合形成的網眼狀的硅氧烷骨架脫離，由此產生膜剝脫或裂紋。《黃變現象的碳濃度依賴性的確認試驗》為了得到"電介質層的碳濃度(ppm)"與"在電介質層中產生的黃變現象"的相關關系而進行試驗。在試驗時，準備多個堿石灰玻璃基板，在各基板上，用燒成法，依次形成顯示電極及電介質層(作為電介質原料糊使用所述的TEOS樣品及A樣品)。另外，在基板上形成顯示電極之后，還進行使用圖12所示的裝置60，用濺射法，成膜Si02膜的試驗(為圖9的曲線圖中所述的D樣品的情況，但請注意，Si02膜可以與電介質層(主要成分氧化硅)看成視為相同)。在成膜時，從真空腔61的氣體導入口63導入各種氣體，相對62的基板，成膜64的成膜靶。此時，安裝四極子質量分析計(Qmass)65，以使能夠觀察到腔61內的氣體分壓。成膜條件是功率lkW、濺射壓力l.OPa、氣體流量(Ar/O2=100/10sccm)、基板溫度250350°C、膜的厚度l/mi。相對得到的電介質層，使用色度計(日本電色制，型式NF999)，通過算出b值(表示變化成黃色的程度的指標)，進行黃變的評價。表示在本確認試驗中得到的"電介質層的碳濃度(ppm)"和"b值"的相關關系的曲線圖如圖9所示。從該曲線圖可以理解，隨著電介質層的碳濃度變大，b值增加。尤其可以理解，為了成為對PDP的顯示功能沒有障礙的3以下的b值，碳濃度必須成為1.0X10pm以下。以下對"隨著電介質層中的碳濃度變大，b值增加的要因"進行詳細說明。通常，作為在面板中產生黃變不良現象的要因，推斷構成電極的銀與電介質在燒成處理中發生反應。特別在銀凝集成為膠體的情況下，通常已知發生黃變。在電介質中大量含有垸基(垸基組)等含碳基的情況下，它們在燒成中，鍵被切斷，揮發(散逸)，在電介質的結構中產生空穴，所以活性的銀離子向該空穴擴散。然后，隨著燒成過程中的溫度降低，銀離子的動作縮小，周邊孤立的銀之間凝集，結果發生黃變現象。因而，電介質中的碳濃度如果小至104ppm以下，則這樣的銀離子能夠擴散的空穴變少，結果，能夠防止銀離子的擴散，能夠抑制黃變。順便說一下，在黃變現象的確認試驗中，確認了在成膜SiO膜時，即使在使用利用TEOS氣體的CVD法的情況下，也可以得到相同的結果。作為這種情況下的成膜條件，在腔內流入O2=700sccm、He=150sccm、TEOS=0.251/min的氣體，將壓力調節至5.9Pa，然后利用RF=700W、BIAS=100W的功率進行放電。產業上的可利用性在本發明的PDP的電介質層中，實際上不存在剝脫或裂紋等物理缺陷，另外，也可以有效地防止黃變，所以本發明有助于可以進行高精細顯示且低消耗電力的高效率的PDP的制造。權利要求1.一種等離子顯示面板，其具有在第1基板上設置有第1電極和第1電介質層和保護層的前面板，以及在第2基板上設置有第2電極和第2電介質層和熒光體層的背面板而成，在所述前面板中，在第1基板上設置有第1電極，在第1基板上以覆蓋第1電極的方式設置有第1電介質層，在第1電介質層上設置有所述保護層，在所述背面板中，在第2基板上設置有第2電極，在第2基板上以覆蓋第2電極的方式設置有第2電介質層，在第2電介質層上設置有所述熒光體層，以所述保護層與所述熒光體層相向的方式配置所述前面板與所述背面板，在所述前面板與所述背面板之間設置有放電空間，其特征在于，至少第1電介質層的碳濃度為103ppm以上且105ppm以下。2.根據權利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，第1電介質層為由下層和上層構成的2層結構，所述下層與第1電極接觸，所述上層與所述保護層接觸，所述下層的碳濃度為103ppm以上且104ppm以下，所述上層的碳濃度為103ppm以上且105ppm以下。3.根據權利要求1或2所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述碳來自第1電介質層及/或第2電介質層中的與硅氧垸骨架結合的垸基或亞烷基。4.根據權利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，在第1電介質層與第1電極之間進一步具有碳濃度為104ppm以下的電介質層而成。5.—種制造方法，其是等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，在形成前面板的電介質層及背面板的電介質層的至少一方時，包括以下工序而成，(1)向形成有電極的基板上供給含有有機溶劑及玻璃成分而成的電介質原料的工序，該電介質原料中的所述玻璃成分的硅氧垸骨架與烷基或亞烷基結合，以及(2)對所述電介質原料施加熱處理的工序，利用所述熱處理得到的電介質層的碳濃度為103ppm以上且105ppm以下。6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述玻璃成分中，所述烷基相對所述硅氧垸骨架的Si原子的摩爾比為13。7.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述烷基的碳原子數為16。8.根據權利要求57中任意一項所述的制造方法，其特征在于，所述電介質原料進一步含有粘合劑樹脂而成。全文摘要本發明提供一種具有不存在裂紋及黃變等的電介質層的等離子顯示面板，其具有在第1基板上設置有第1電極和第1電介質層和保護層的前面板，以及在第2基板上設置有第2電極和第2電介質層和熒光體層的背面板而成，在前面板中，在第1基板上設置第1電極，在第1基板上設置第1電介質層并使其覆蓋第1電極，在第1電介質層上設置有保護層，另外，在背面板中，在第2基板上設置第2電極，在第2基板上設置第2電介質層并使其覆蓋第2電極，在第2電介質層上設置熒光體層，配置前面板與背面板并使保護層與熒光體層相向，在前面板與背面板之間設置有放電空間，其特征在于，至少第1電介質層的碳濃度為1.0×10³ppm以上而且1.0×10⁵ppm以下。文檔編號H01J9/02GK101303953SQ200810096738公開日2008年11月12日申請日期2008年5月9日優先權日2007年5月11日發明者井上浩伸,奧村智洋,山下英毅,畑中基申請人:松下電器產業株式會社