專利名稱：：鋁電解電容器用陰極箔的制造方法
技術領域：
：-本發明涉及陰極箔
技術領域：
，特別涉及鋁電解電容器用陰極箔的制造方法。
背景技術：
：國內陰極箔制造技術大多使用從法國或日本引進的純化學腐蝕工藝，鋁箔成分中Cu^(質量百分含量)為0.10.3%，Mn%、Fe%、Si^等雜質含量(質量百分含量)超過0.1%。在電容器中氯離子對于鋁電解電容器電性能的危害性很大，必須將其濃度控制在較低水平，才能保證電容器的低K值(漏電流)、高可靠性。目前，國內陰極箔制造技術主要采用硝酸溶液來清洗氯離子，雖然可以清除氯離子至電容器要求范圍，但磷酸鹽安定化處理后，形成陰極箔的磷酸鋁膜耐水性能差，其耐水性能只能達到lh，水煮超過lh后腐蝕箔表面容易發暗或者箔片變脆，靜電容量急劇下降。
發明內容本發明的目的在于克服現有技術的不足，而提供一種鋁電解電容器用陰極箔的制造方法，用本方法制備的陰極箔耐水性能高，靜電容量損失小。為實現上述目的，本發明采用的技術方案是鋁電解電容器用陰極箔的制造方法，包括以下步驟4a、前處理前處理具有除油污，去雜質，有利于腐蝕時形成均勻分布的蝕孔的作用，將鋁箔浸泡在濃度為0.52.0%的磷酸溶液中處理，處理溫度為4070'C;b、鹽酸腐蝕將前處理完的鋁箔用1.22.0mol/L的鹽酸進行腐蝕，成為腐蝕箔；c、清洗腐蝕箔用添加有添加劑的硫酸溶液清洗氯離子，硫酸濃度為1.05.0%，清洗溫度為4080'C;用硫酸溶液取代現有技術的硝酸溶液清洗氯離子，在下一步安定化處理中能形成良好的磷酸膜；所述的添加劑為1050ppm的EDTA和N，N-二甲基硫脲，EDTA與N，N-二甲基硫脲的質量比為1:1,添加劑有效防止了溶液中的銅離子在鋁箔表面二次析出，抑制了硫酸溶液對腐蝕箔的過度腐蝕，避免腐蝕箔容量的大幅度損失；在清洗過程中可以觀察到硫酸溶液跟鋁箔反應產生的氣泡，硫酸溶液清洗效果直接影響到下陰極箔耐水性能的好壞，要保證硫酸溶液跟鋁箔有輕微程度的腐蝕反應，但對于腐蝕箔的靜電容量不夠成負面影響；因此為滿足形成良好磷酸鋁膜的前提是:需要用1.05.0X的硫酸濃度和在4080'C的處理溫度；d、安定化處理將經過清洗的腐蝕箔用磷酸銨鹽、亞磷酸鹽、或者多聚磷酸鹽，在溫度為8095'C進行安定化處理，形成陰極箔，具有一層有良好耐水性能的磷酸鋁膜。所述的鋁箔，Al含量wt^》98X,鋁箔厚度為1560微米。所述磷酸銨鹽為磷酸二氫銨。所述亞磷酸鹽為亞磷酸氨。所述多聚磷酸鹽為三聚磷酸銨。本發明的有益效果為本發明包括以下步驟前處理、鹽酸腐蝕、清洗、安定化處理，用硫酸溶液取代現有技術的硝酸溶液清洗氯離子，用硫酸溶液清洗后，在安定化處理過程中形成具有更加良好的磷酸鋁膜的陰極箔，水煮10h后陰極腐蝕箔的靜電容量損失不到10%。具體實施例方式為了更好的理解本發明，下面結合實施例和對比例對本發明作進一步的闡述。對比例1:對比方案使用的鋁箔為22pm的硬質光箔，Al%(質量百分含量)為》98%，厚度為30微米。上述硬質鋁箔在0.5%的磷酸溶液，在溫度為6(TC下，進行10秒前處理；再用1.5mol/L的鹽酸腐蝕鋁箔成為腐蝕箔，鹽酸腐蝕后，在5.0%的硝酸溶液中清洗氯離子，溶液溫度為5(TC;然后，用磷酸二氫銨溶液在溫度為9(TC下進行安定化處理，處理時間為20s，形成陰極箔。對比例2:對比方案使用的鋁箔為22^im的硬質光箔，Al%(質量百分含量)為》98%，厚度為30微米。上述硬質鋁箔在0.5%的磷酸溶液，在溫度為60'C下，進行10秒前處理；再用1.5mol/L的鹽酸腐蝕鋁箔成為腐蝕箔，鹽酸腐蝕后，在5.0%的硝酸溶液中清洗氯離子，溶液溫度為55°C;用磷酸二氫銨溶液在溫度為9(TC下進行安定化處理，處理時間為20s，形成陰極箔。實施例1:本發明實施方案使用的鋁箔、前處理、鹽酸腐蝕條件與對比方案相同。清洗氯離子溶液為硫酸溶液，濃度為2.5%，并加入30ppm的EDTA和N,N—二甲基硫脲，EDTA和N，N—二甲基硫脲的質量比為l:1，在溫度為55'C下處理20s;用磷酸二氫銨溶液在溫度為9(TC下進行安定化處理，處理時間為20s，形成陰極箔。實施例2:本發明實施方案使用的鋁箔、前處理、鹽酸腐蝕條件與對比方案相同。清洗氯離子溶液為硫酸溶液，濃度為2.0%，加入30ppm的EDTA和N，N—二甲基硫脲，EDTA和N，N—二甲基硫脲的質量比為l:1，在溫度為55'C下處理20s;用磷酸二氫銨溶液在溫度為卯'C下進行安定化處理，處理時間為20s，形成陰極箔。實施例3:本發明實施方案使用的鋁箔、前處理、鹽酸腐蝕條件與對比方案相同。清洗氯離子溶液為硫酸溶液，濃度為2.0%,加入30ppm的EDTA和N，N—二甲基硫脲，EDTA和N，N—二甲基硫脲的質量比為l:1，在溫度為65'C下處理20s;用磷酸二氫銨溶液在溫度為90'C下進行安定化處理，處理時間為20s，形成陰極箔。實施例4:本發明實施方案使用的鋁箔、前處理、鹽酸腐蝕條件與對比方案相同。清洗氯離子溶液為硫酸溶液，濃度為1.5%,加入30ppm、的EDTA和N，N—二甲基硫脲，EDTA和N，N—二甲基硫脲的質量比為l:1，在溫度為65'C下處理20s;用磷酸二氫銨溶液在溫度為90'C下進行安定化處理，處理時間為20s，形成陰極箔。對比例及實施例實驗結果見下表:<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>8權利要求1、鋁電解電容器用陰極箔的制造方法，其特征在于包括以下步驟a、前處理將鋁箔浸泡在濃度為0.5～2.0％的磷酸溶液中處理，處理溫度為40～70℃；b、鹽酸腐蝕將前處理完的鋁箔用1.2～2.0mol/L的鹽酸進行腐蝕，成為腐蝕箔；c、清洗腐蝕箔用添加有添加劑的硫酸溶液清洗氯離子，硫酸濃度為1.0～5.0％，清洗溫度為40～80℃；d、安定化處理將經過清洗的腐蝕箔用磷酸銨鹽、亞磷酸鹽、或者多聚磷酸鹽，在溫度為80～95℃進行安定化處理，形成陰極箔。2、根據權利要求1所述的鋁電解電容器用陰極箔的制造方法，其特征在于所述的鋁箔，Al含量wt^》98X，鋁箔厚度為1560微米。3、根據權利要求l所述的鋁電解電容器用陰極箔的制造方法，其特征在于所述步驟c中的添加劑為1050ppm的EDTA和N，N-二甲基硫脲，EDTA與N，N-二甲基硫脲的質量比為1:1。4、根據權利要求1所述的鋁電解電容器用陰極箔的制造方法，其特征在于所述步驟d中磷酸銨鹽為磷酸二氫銨。5、根據權利要求l所述的鋁電解電容器用陰極箔的制造方法，其特征在于所述步驟d中亞磷酸鹽為亞磷酸銨。6、根據權利要求l所述的鋁電解電容器用陰極箔的制造方法，其特征在于所述步驟d中多聚磷酸鹽為三聚磷酸銨。全文摘要本發明涉及陰極箔
技術領域：
，特別涉及鋁電解電容器用陰極箔的制造方法，包括以下步驟前處理、鹽酸腐蝕、清洗、安定化處理，用硫酸溶液取代現有技術的硝酸溶液清洗氯離子，用硫酸溶液清洗后，在安定化處理過程中形成具有更加良好的磷酸鋁膜的陰極箔，水煮10h后陰極腐蝕箔的靜電容量損失不到10％。文檔編號C23F1/20GK101425393SQ200810029810公開日2009年5月6日申請日期2008年7月29日優先權日2008年7月29日發明者江國東申請人:東莞市東陽光電容器有限公司