專利名稱：磁控源和磁控濺射設備、以及磁控濺射方法
技術領域：
本發明涉及半導體設備制造技術領域，特別涉及一種磁控源、磁控濺射設備以及磁控濺射方法。
背景技術：
磁控濺射技術廣泛地應用于集成電路、液晶顯示器、薄膜太陽能及LED等領域。所謂濺射是指利用荷能粒子(例如氬離子)轟擊固體表面，從而引起表面各種粒子，如原子、 分子或團束從該物體表面逸出的現象。如圖1所示，為現有磁控濺射設備的示意圖。該磁控濺射設備包括高真空工藝腔的腔體1、位于所述腔體1之內的用以承載晶片的靜電卡盤9 和抽氣口 10。其中，腔體1由腔室主體2和調整板(adaptor)8組成，其中，腔室主體2由底座和周壁構成。在高真空工藝腔1之上設有被濺射的靶材3、以及隔離部件4構成的密封腔室，密封腔室和靶材3之間充滿去離子水7，其中，該隔離部件4采用絕緣材料構成，例如石英等，其使去離子水7與其他部件絕緣。磁控管6設置在密封腔室內，且磁控管6在電機5 的作用下做高速的旋轉。在該磁控濺射設備中，等離子體產生于密封腔室中。等離子體的正離子被陰極負電所吸引，轟擊密封腔室中的靶材3，撞出靶材3的原子，并沉積到晶片上。在非反應濺射的情況下，氣體是惰性氣體，例如氬氣。在反應濺射中，則可采用反應氣體和惰性氣體一起使用。隨著半導體技術的不斷發展，超大規模集成電路目前都以Cu互連為主。在Cu互連的制備過程中，采用PVD (Physical Vapor D印osition，物理氣相沉積)的方式進行通孔的填充成為了 Cu互連的關鍵步驟。目前提高PVD通孔填充效果的方法主要有兩種，一種是離子化的金屬(IMP)的方法，一種是自離化的等離子(SIP)的方法。自離化的等離子的方法主要是采用一個小型但是強力的磁控管，作用于一個靶材的小的區域上，這樣可以在單位面積上產生較高的功率密度，這樣可以增加金屬的離化率， 離化了的金屬可以在靜電卡盤上加載的電壓的吸引下較準直的運動，從而提高通孔的填充效果。另外，為了提高靶材腐蝕和工藝的均勻性還需要一個掃描機構使磁控管能覆蓋整個靶材。如圖2所示，為現有磁控管的掃描機構示意圖。該掃描機構包括軸1、齒輪2-4、磁控管5以及配重6-7。電機通過軸1帶動齒輪3沿著齒輪2做以軸1為中心的圓周運動， 齒輪4在齒輪3的帶動下做自轉運動，從而帶動磁控管5和配重6沿著齒輪4做自轉運動。 配重6和7為了平衡整個傳動裝置，防止由于力矩產生的不平衡，從而增加傳動的穩定性。 圖3顯示了現有磁控管的掃描軌跡示意圖。但是，現有技術的缺點在于，由于磁控管的運動源僅由一個電機提供，因此磁控管在靶材邊緣和靶材中心之間的運動速度無法單獨控制，因此靶材的利用率和金屬離化率都有待提高。
發明內容
本發明的目的旨在至少解決上述技術缺陷之一，特別是解決靶材的利用率和金屬離化率低的問題。為解決現有技術中的至少一個問題，本發明一方面提出了一種磁控源，包括靶材；磁控管，所述磁控管位于所述靶材之上；和控制所述磁控管移動的掃描機構，所述掃描機構包括軌道，所述磁控管沿所述軌道確定的方向可移動；第一驅動機構，所述第一驅動機構與所述軌道相連以驅動所述軌道在與所述靶材平行的平面上旋轉；和第二驅動機構， 所述第二驅動機構相對于所述第一驅動機構獨立，所述第二驅動機構驅動所述磁控管沿由所述軌道確定的方向移動。在本發明的一個實施例中，所述第一驅動機構包括第一電機，所述第一電機通過輸出軸與所述軌道相連。所述第二驅動機構包括連桿機構和第二電機，所述連桿機構的一端與所述軌道相固定，而另一端卡合在所述軌道中，所述軌道與所述連桿機構的另一端在正交于所述輸出軸的第二方向上彼此相對地可滑動。所述第二電機與所述連桿機構相連， 并驅動所述連桿機構轉動以驅動所述磁控管沿由所述軌道確定的方向相對于輸出軸平移。在本發明的一個實施例中，所述連桿機構包括轉動桿和從動桿，所述轉動桿的第一端固定在所述軌道的一端，所述第二電機與所述轉動桿相連以驅動所述轉動桿轉動；所述從動桿的第一端與所述轉動桿的第二端可樞轉地相連，所述從動桿的第二端可滑動地卡合在所述軌道中且適于與所述磁控管相連。在本發明的一個實施例中，所述輸出軸與所述轉動桿的第一端相固定，且所述從動桿的第二端通過固定桿與所述磁控管相連。在本發明的一個實施例中，還包括第一密封箱，所述第一密封箱容納所述軌道和連桿機構。在本發明的一個實施例中，所述連桿機構包括轉動桿和從動桿，所述轉動桿的第一端固定在所述軌道的一端，所述第二電機與所述轉動桿相連以驅動所述轉動桿轉動；所述從動桿的第一端與所述轉動桿的第二端可樞轉地相連，所述從動桿的第二端與所述輸出軸相連，且所述軌道相對于所述從動桿的第二端可滑動，其中磁控管固定在軌道的另一端。在本發明的一個實施例中，磁控管通過固定桿固定在所述軌道的另一端。在本發明的一個實施例中，還包括第二密封箱，所述第二密封箱容納所述連桿機構以及所述軌道的一部份，所述軌道的另一部分和所述磁控管位于所述第二密封箱之外， 所述第二密封箱與所述軌道之間設有密封圈。在本發明的一個實施例中，所述軌道以第一角速度旋轉，所述轉動桿以第二角速度旋轉，其中，所述第一角速度與所述第二角速度的比值不是整數，從而能使磁控管能更好地覆蓋靶材。在本發明的一個實施例中，所述轉動桿的長度與所述從動桿的長度之比為預設值，所述預設值為在所述轉動桿的長度與從動桿的長度之和固定且所述第一角速度和第二角速度固定時、靶材利用率最高時對應的轉動桿的長度與從動桿的長度的比值，從而獲得最好的效果。通過本發明實施例可以分別對軌道的轉動角速度和磁控管在由軌道確定的方向上的移動速度進行控制，從而能夠提高靶材利用率，并且增加單位面積上的功率密度以提高金屬離化率。本發明另一方面還提出了磁控濺射設備，包括腔體；抽氣口，通過所述抽氣口對所述腔體抽真空；靜電卡盤，所述靜電卡盤設置在所述腔體中用于承載晶片；磁控源，所述磁控源為根據以上所述的磁控源；和隔離部件，其中，所述磁控源的靶材設置在所述腔體上部，且所述隔離部件設置在靶材之上以與所述靶材限定出適于容納去離子水的密封腔室。本發明再一方面還提出了一種利用磁控濺射設備進行磁控濺射的方法，所述磁控濺射設備包括磁控管和控制所述磁控管移動的掃描機構，所述掃描機構包括軌道，所述磁控管沿所述軌道確定的方向可移動，所述方法包括以下步驟所述掃描機構以第一角速度驅動所述軌道在與靶材平行的平面上旋轉；和所述掃描機構以第二速度驅動所述磁控管沿由所述軌道確定的方向移動。在本發明的一個實施例中，所述掃描機構包括提供第一角速度驅動的第一驅動機構和提供第二速度驅動的第二驅動機構。在本發明的一個實施例中，所述第二驅動機構包括轉動桿、從動桿和驅動所述轉動桿轉動的第二電機，所述第二電機以第二角速度驅動所述轉動桿，以使所述轉動桿帶動所述從動桿轉動驅動所述磁控管沿由所述軌道確定的方向以第二速度移動。在本發明的一個實施例中，所述第一角速度與所述第二角速度的比值不是整數。在本發明的一個實施例中，還包括以下步驟在所述轉動桿的長度與從動桿的長度之和為固定值時，以所述轉動桿的長度與所述從動桿的長度之比為變量進行模擬；和選擇靶材利用率最高時對應的轉動桿的長度與從動桿的長度的比值，并根據所述選擇的比值和所述固定值計算所述轉動桿的長度與從動桿的長度。通過上述磁控濺射設備和磁控濺射方法可以有效地提高靶材利用率，并且增加單位面積上的功率密度，從而提高金屬離化率。本發明附加的方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐了解到。
本發明上述的和/或附加的方面和優點從下面結合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中圖1為現有磁控濺射設備的示意圖；圖2為現有磁控管的掃描機構示意圖；圖3為現有磁控管的掃描軌跡示意圖；圖4和5為本發明實施例一的連桿機構和軌道的示意圖；圖6a、6b和6c為本發明實施例采用不同第一角速度時磁控管仿真的軌跡分布示意圖；圖7為本發明實施例靶材利用率與轉動桿臂長之間的關系示意圖；圖8為本發明實施例靶材利用率最高時對應的磁控管的掃描軌跡示意圖；圖9為本發明實施例一的采用磁控源的磁控濺射設備的結構示意圖；圖10和11為本發明實施例二的連桿機構和軌道的結構示意圖；和圖12為本發明實施例二的采用磁控源的磁控濺射設備示意圖。
具體實施例方式下面詳細描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發明，而不能解釋為對本發明的限制。本發明實施例提出了一種磁控源，該磁控源包括靶材、磁控管和控制磁控管移動的掃描機構。磁控管位于靶材之上。掃描機構包括軌道、第一驅動機構和第二驅動機構。其中，磁控管沿軌道確定的方向可移動，第一驅動機構與軌道相連以驅動軌道在與靶材平行的平面上旋轉，第二驅動機構相對于第一驅動機構獨立，且第二驅動機構驅動磁控管沿由軌道確定的方向移動。其中，第一驅動機構包括第一電機，第一電機通過輸出軸與軌道相連。第二驅動機構包括連桿機構和第二電機，連桿機構的一端與軌道相固定，而連桿機構的另一端卡合在軌道中，其中，軌道與連桿機構的另一端在正交于輸出軸的第二方向上彼此相對地可滑動， 且第二電機與連桿機構相連，并驅動連桿機構轉動以驅動磁控管沿由軌道確定的方向相對于輸出軸平移。在本發明實施例中，可以分別對軌道的轉動角速度和磁控管在由軌道確定的方向上的移動速度進行控制，從而能夠提高靶材利用率，并且增加單位面積上的功率密度以提
高金屬離化率。另外，在本發明的實施例中，上述連桿機構可通過多種方式實現，例如雙連桿或三連桿等方式，以下就以具體的方式進行介紹。但是需要說明的是，以下實施例僅為本發明的優選實施方式，并不是說本發明僅能通過以下方式實現，本領域技術人員可通過增加連桿數量或者改變連桿連接關系的方式對以下實施例進行等同的變化或者修改，這些均應包含在本發明的保護范圍之內。實施例一如圖4和5所示，為本發明實施例一的連桿機構和軌道的結構示意圖。如圖4、5 中所示，所述連桿機構包括轉動桿Iio和從動桿120。轉動桿110的第一端固定在軌道130 的一端，第二電機(圖中未示出)與轉動桿110相連，且轉動桿110在第二電機的控制下以第二角速度ω2轉動，而軌道130在第一電機(圖中未示出)的控制下以第一角速度ω 旋轉。從動桿120的第一端與轉動桿110的第二端可樞轉地相連以形成雙連桿結構，從動桿120的第二端卡合在軌道130之中且可沿軌道130滑動，這樣轉動桿110即可帶動從動桿120轉動以使磁控管5可以沿由軌道確定的方向進行往復運動。其中，磁控管150通過固定桿140與從動桿120的第二端通過軸連接。在上述實施例中，在根據第一電機控制軌道130旋轉的同時，磁控管150在從動桿120的控制下沿軌道130做往復運動，從而能夠使得磁控管150覆蓋整個靶材。在本發明的一個優選實施例中，該磁控源還可包括第一密封箱，第一密封箱容納軌道130、轉動桿110和從動桿120，從而能夠更好地保護軌道130、轉動桿110和從動桿 120。在本發明的另一個優選實施例中，當第一角速度ω 1和第二角速度ω2的比值不是整數時，磁控管150能更好地覆蓋靶材，另外，第一角速度ω 1和第二角速度ω 2的比值越不能被整除，覆蓋效果越好。在此所述的越不能被整除是指第一角速度ω 1除以第二角速度ω2以后所得結果的小數點后位數越多則表示該比值越不能被整除。例如，如圖6a_c 所示，為本發明實施例采用不同第一角速度時磁控管仿真的軌跡分布示意圖。其中，在該實施例中，轉動桿的臂長為rl = 2. 0，從動桿的臂長為r2 = 3. 0，第二角速度ω2為3 π /200。 圖6a中ω 1為3 π /700，圖6b中ω 1為3 π /800，圖6c中ω 1為3 π /900，從圖中的對比可以看出，當第一角速度ω 1和第二角速度ω 2的比值越不能整除時，該磁控管150越能覆蓋整個靶材。另外，在本發明的其他優選實施例中，轉動桿臂長和從動桿臂長之和為固定值，其中，該固定值與靶材的半徑有關。在該實施例中，可通過實驗獲得轉動桿臂長和從動桿臂長的不同比值下與靶材利用率的關系，如圖7所示，為本發明實施例靶材利用率與轉動桿臂長之間的關系示意圖。其中，第一角速度ω 為3π/21，第二角速度ω2為3π/23，從圖中可以看出轉動桿臂長rl = 1. 5時具有較高的靶材利用率。因此，可通過試驗獲得靶材利用率最高時對應的轉動桿臂長和從動桿臂長之比，并將其作為預設值設置轉動桿臂長和從動桿臂長，從而獲得最好的效果。如圖8所示，為本發明實施例靶材利用率最高時對應的磁控管的掃描軌跡示意圖，從圖中可以看出，相對于圖3本發明實施例能夠獲得更均勻的掃描軌跡。如圖9所示，為本發明實施例一的采用磁控源的磁控濺射設備示意圖。該磁控濺射設備包括腔室主體220、調整板觀0、抽氣口 2100、靜電卡盤四0、由隔離部件240構成的密封腔室、密封腔室中設有的去離子水270、以及上述實施例一的磁控源。其中，該隔離部件 240采用絕緣材料構成，例如石英等，其使去離子水270與其他部件絕緣。腔室主體220和調整板280配合以限定出高真空工藝腔的腔體210，抽氣口 2100設置在腔體210的底部，用于對高真空工藝腔抽真空。靜電卡盤290設置在腔體210之中，用于承載晶片。位于高真空工藝腔210上部的靶材230和密封腔室。通過本發明實施例的磁控濺射設備，提高靶材的利用率和金屬離化率。實施例二如圖10和11所示，為本發明實施例二的連桿機構和軌道的示意圖。如圖所示，連桿機構包括轉動桿310和從動桿320。轉動桿310的第一端固定在軌道330之上，從動桿 320的第一端與轉動桿310的第二端可樞轉地相連。另外，第一電機通過輸出軸連接在軌道 330的中間部分，且該輸出軸與從動桿320的第二端相連，軌道330相對于從動桿320的第二端可滑動，磁控管350通過固定桿340固定在軌道330的另一端。其中，通過第一電機使得軌道330以第一角速度ω 1旋轉，通過第二電機使得轉動桿310以第二角速度ω2轉動。 這樣，通過轉動桿310的轉動可以帶動從動桿320轉動，從而使得從動桿320帶動軌道330 沿軌道330的徑向移動，最終導致固定在軌道330 —端固定的磁控管350沿軌道330的徑向移動。同樣在該實施例中，優選地，當第一角速度ω 1和第二角速度ω2的比值不是整數時，磁控管350能更好地覆蓋靶材。另外，可通過試驗獲得靶材利用率最高時對應的轉動桿臂長和從動桿臂長之比，并根據轉動桿臂長和從動桿臂長之比對轉動桿310和從動桿320 進行設置。在本發明的優選實施例中，該磁控源還包括第二密封箱。第二密封箱容納連桿機構以及軌道330的一部分，軌道330的另一部分和磁控管350位于第二密封箱之外，且第二密封箱與軌道330之間設有密封圈，從而能夠更好地保護連桿機構和部分的軌道。
如圖12所示，為本發明實施例二的采用磁控源的磁控濺射設備示意圖。該磁控濺射設備包括高真空工藝腔的腔體410、抽氣口 4100、靜電卡盤490、由隔離部件440構成的密封腔室、密封腔室中設有去離子水470、上述實施例二的磁控源。其中，該隔離部件440采用絕緣材料構成，例如石英等，其使去離子水470與其他部件絕緣。其中，腔體410包括腔室主體420和調整板480，抽氣口 4100設置在腔體410的底部。靜電卡盤490設置在腔體 410之中，用于承載晶片。位于腔體410上部的靶材430和密封腔室。通過本發明實施例的磁控濺射設備，提高了靶材的利用率和金屬離化率。通過本發明實施例可以分別對軌道和連桿機構的轉動角速度分別進行控制，從而能夠提高靶材利用率，并且增加單位面積上的功率密度以提高金屬離化率。本發明實施例另一方面還提出了利用磁控濺射設備進行磁控濺射的方法，其中， 該磁控濺射設備包括磁控管和控制磁控管移動的掃描機構。在掃描機構中包括軌道，磁控管沿軌道確定的方向可移動。該方法主要在于對掃描機構進行控制，使得掃描機構以第一角速度ω 1驅動軌道在與靶材平行的平面上旋轉，同時掃描機構還可以以第二速度驅動磁控管沿由軌道確定的方向移動，從而使得磁控管能夠很好地覆蓋整個靶材，從而提高靶材利用率。在本發明的一個實施例中，掃描機構包括提供第一角速度驅動的第一驅動機構和提供第二速度驅動的第二驅動機構。其中，第二驅動機構包括轉動桿、從動桿和驅動轉動桿轉動的第二電機，第二電機以第二角速度驅動所述轉動桿，以使轉動桿帶動從動桿轉動驅動磁控管沿由軌道確定的方向以第二速度移動。優選地，第一角速度與第二角速度的比值不是整數，從而能使磁控管能更好地覆蓋靶材。優選地，在本發明實施例中，還包括設置轉動桿長度和從動桿長度的步驟，具體包括在轉動桿的長度與從動桿的長度之和為固定值時，以轉動桿的長度與從動桿的長度之比為變量進行模擬，并選擇靶材利用率最高時對應的轉動桿的長度與從動桿的長度的比值，以及根據選擇的比值和固定值計算轉動桿的長度與從動桿的長度。通過上述磁控濺射設備和磁控濺射方法可以有效地提高靶材利用率，并且增加單位面積上的功率密度，從而提高金屬離化率。盡管已經示出和描述了本發明的實施例，對于本領域的普通技術人員而言，可以理解在不脫離本發明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發明的范圍由所附權利要求及其等同限定。
權利要求
1.一種磁控源，其特征在于，包括 靶材；磁控管，所述磁控管位于所述靶材之上；和控制所述磁控管移動的掃描機構，所述掃描機構包括 軌道，其中，所述磁控管沿所述軌道確定的方向可移動；第一驅動機構，所述第一驅動機構與所述軌道相連以驅動所述軌道在與所述靶材平行的平面上旋轉；和第二驅動機構，所述第二驅動機構相對于所述第一驅動機構獨立，所述第二驅動機構驅動所述磁控管沿由所述軌道確定的方向移動。
2.如權利要求1所述的磁控源，其特征在于，所述第一驅動機構包括 第一電機，所述第一電機通過輸出軸與所述軌道相連。
3.如權利要求2所述的磁控源，其特征在于，所述第二驅動機構包括連桿機構，所述連桿機構的一端與所述軌道相固定，而另一端卡合在所述軌道中，其中，所述軌道與所述連桿機構的另一端在正交于所述輸出軸的第二方向上彼此相對地可滑動；和第二電機，所述第二電機與所述連桿機構相連，并驅動所述連桿機構轉動以驅動所述磁控管沿由所述軌道確定的方向相對于所述輸出軸平移。
4.如權利要求3所述的磁控源，其特征在于，所述連桿機構包括轉動桿，所述轉動桿的第一端固定在所述軌道的一端，所述第二電機與所述轉動桿相連以驅動所述轉動桿轉動；和從動桿，所述從動桿的第一端與所述轉動桿的第二端可樞轉地相連，所述從動桿的第二端可滑動地卡合在所述軌道中且適于與所述磁控管相連。
5.如權利要求4所述的磁控源，其特征在于，所述輸出軸與所述轉動桿的第一端相固定，且所述從動桿的第二端通過固定桿與所述磁控管相連。
6.如權利要求4所述的磁控源，其特征在于，還包括 第一密封箱，所述第一密封箱容納所述軌道和連桿機構。
7.如權利要求3所述的磁控源，其特征在于，所述連桿機構包括轉動桿，所述轉動桿的第一端固定在所述軌道的一端，所述第二電機與所述轉動桿相連以驅動所述轉動桿轉動；和從動桿，所述從動桿的第一端與所述轉動桿的第二端可樞轉地相連，所述從動桿的第二端與所述輸出軸相連，且所述軌道相對于所述從動桿的第二端可滑動，其中磁控管固定在軌道的另一端。
8.如權利要求7所述的磁控源，其特征在于，磁控管通過固定桿固定在所述軌道的另一端。
9.如權利要求7所述的磁控源，其特征在于，還包括第二密封箱，所述第二密封箱容納所述連桿機構以及所述軌道的一部份，所述軌道的另一部分和所述磁控管位于所述第二密封箱之外，所述第二密封箱與所述軌道之間設有密封圈。
10.如權利要求4或7所述的磁控源，其特征在于，所述軌道以第一角速度旋轉，所述轉2動桿以第二角速度旋轉，其中，所述第一角速度與所述第二角速度的比值不是整數。
11.如權利要求4或7所述的磁控源，其特征在于，所述轉動桿的長度與所述從動桿的長度之比為預設值，所述預設值為在所述轉動桿的長度與從動桿的長度之和固定且所述第一角速度和第二角速度固定時、靶材利用率最高時對應的轉動桿的長度與從動桿的長度的比值。
12.一種磁控濺射設備，其特征在于，包括腔體；抽氣口，通過所述抽氣口對所述腔體抽真空；靜電卡盤，所述靜電卡盤設置在所述腔體中用于承載晶片；磁控源，所述磁控源為根據權利要求1-11任一項所述的磁控源；和隔離部件；其中，所述磁控源的靶材設置在所述腔體上部，且所述隔離部件設置在靶材之上以與所述靶材限定出適于容納去離子水的密封腔室。
13.一種利用磁控濺射設備進行磁控濺射的方法，其特征在于，所述磁控濺射設備包括磁控管和控制所述磁控管移動的掃描機構，所述掃描機構包括軌道，所述磁控管沿所述軌道確定的方向可移動，所述方法包括以下步驟所述掃描機構以第一角速度驅動所述軌道在與靶材平行的平面上旋轉；和所述掃描機構以第二速度驅動所述磁控管沿由所述軌道確定的方向移動。
14.如權利要求13所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述掃描機構包括提供第一角速度驅動的第一驅動機構和提供第二速度驅動的第二驅動機構。
15.如權利要求14所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述第二驅動機構包括轉動桿、 從動桿和驅動所述轉動桿轉動的第二電機，其中，所述第二電機以第二角速度驅動所述轉動桿，以使所述轉動桿帶動所述從動桿轉動驅動所述磁控管沿由所述軌道確定的方向以第二速度移動。
16.如權利要求15所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述第一角速度與所述第二角速度的比值不是整數。
17.如權利要求15所述的磁控濺射方法，其特征在于，還包括以下步驟在所述轉動桿的長度與從動桿的長度之和為固定值時，以所述轉動桿的長度與所述從動桿的長度之比為變量進行模擬；和選擇靶材利用率最高時對應的轉動桿的長度與從動桿的長度的比值，并根據所述選擇的比值和所述固定值計算所述轉動桿的長度與從動桿的長度。
全文摘要
磁控源和磁控濺射設備、以及磁控濺射方法，本發明公開了一種磁控源，包括靶材；磁控管，所述磁控管位于所述靶材之上；和控制所述磁控管移動的掃描機構，所述掃描機構包括軌道，所述磁控管沿所述軌道確定的方向可移動；第一驅動機構，所述第一驅動機構與所述軌道相連以驅動所述軌道在與所述靶材平行的平面上旋轉；和第二驅動機構，所述第二驅動機構相對于所述第一驅動機構獨立，所述第二驅動機構驅動所述磁控管沿由所述軌道確定的方向移動。通過本發明實施例可以分別對軌道的轉動角速度和磁控管在由軌道確定的方向上的移動速度進行控制，從而能夠提高靶材利用率，并且增加單位面積上的功率密度以提高金屬離化率。
文檔編號C23C14/35GK102400106SQ20101027753
公開日2012年4月4日 申請日期2010年9月8日 優先權日2010年9月8日
發明者劉旭, 吳桂龍, 李楊超, 耿波 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司