專利名稱：鍍膜裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種鍍膜裝置，尤其涉及一種對具有不同弧面曲率的工件進行鍍膜的鍍膜裝置。
背景技術：
在物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)的過程中，祀材原子或離子沉積在基材上成膜，但是因為具有不同弧面曲率的工件特殊的結構和形狀，如常規鍍膜方式難以實現的具有弧面結構的小尺寸工件，在進行離子鍍膜時，由于上述具有不同弧面曲率的工件具有弧面和曲部位，導致該類工件表面通常曲率較大，因此，電荷極易在尖端和端面位置聚集，產生尖端放電，改變了該類工件表面的磁場強度分布，使得對該類工件進行離子鍍膜的困難較大，直接影響了產品的鍍膜品質和良率。
發明內容
有鑒于此，有必要提供一種能對具有不同弧面曲率的工件進行鍍膜的鍍膜裝置。
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一種鍍膜裝置，該鍍膜裝置包括磁性部件、固定部及一離子源，該離子源可濺射出用于鍍膜的離子，該工件固定于該固定部上，該磁性部件與該離子源以待鍍膜的工件為中心相對設置，與待鍍膜工件之間形成一指向待鍍膜工件的旋轉聚焦加速磁場，用于引導離子向工件方向飛濺。本發明利用安裝在該鍍膜裝置中承載臺上的磁性部件產生一均勻有規律的旋轉聚焦磁場，鍍膜的飛濺離子在磁場作用下加速向工件聚焦并沉積在工件上，從而克服了因具有不同弧面曲率結構的工件存在的端面和弧面曲面部位所形成尖端放電，導致離子鍍膜困難的問題。
圖1是本發明一較佳實施例鍍膜裝置示意圖。圖2是本發明另一較佳實施例鍍膜裝置示意圖。圖3是對圖1、2較佳實施例鍍膜裝置的俯視圖。主要元件符號說明
權利要求
1.一種鍍膜裝置，其特征在于:該鍍膜裝置包括磁性部件、固定部及一離子源，該離子源可濺射出用于鍍膜的離子，該固定部用以固定一待鍍膜工件，該磁性部件與該離子源以待鍍膜的工件為中心相對設置，與待鍍膜工件之間形成一指向待鍍膜工件的旋轉聚焦加速磁場，用于引導離子向工件方向飛濺。
2.如權利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于:所述磁性部件為一圓盤形，其上設有一磁體，分別為N級和S級，該圓盤為中心旋轉，在旋轉的過程中，該磁性部件可從N極到S極產生磁場。
3.如權利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于:所述磁性部件為一產生磁場的線圈，該磁力線圈固定在一個旋轉的圓盤上，通過該磁力線圈通電，產生一個磁場。
4.如權利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于:所述固定部包括一固定桿，并通過該固定桿將工件固定于該固定部上。
5.如權利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于:待鍍膜的工件具有弧面曲面的長條形。
6.如權利要求1所述的 鍍膜裝置，其特征在于:該離子源與工件之間設有偏壓電源。
全文摘要
一種鍍膜裝置，該鍍膜裝置包括磁性部件、固定部及一離子源，該離子源可濺射出用于鍍膜的離子，該工件固定于該固定部上，該磁性部件與該離子源以待鍍膜的工件為中心相對設置，與待鍍膜工件之間形成一指向待鍍膜工件的旋轉聚焦加速磁場，用于引導離子向工件方向飛濺。從而克服了因具有弧面曲率不同結構的工件，其存在的端面和弧面曲面部位所形成尖端放電，導致離子鍍膜困難的問題。
文檔編號C23C14/35GK103160792SQ20111041157
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月12日 優先權日2011年12月12日
發明者黃登聰, 彭立全 申請人:鴻富錦精密工業(深圳)有限公司, 鴻海精密工業股份有限公司