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旋轉陰極機構的制作方法

文檔序號:3256190閱讀:296來源:國知局
專利名稱:旋轉陰極機構的制作方法
技術領域
本發明涉及濺射鍍膜工藝,尤其是頻濺射鍍膜工藝中用于濺射的陰極即濺射靶, 具體地說是一種旋轉陰極機構。
技術背景
目前,在中頻濺射鍍膜工藝中常用于濺射的兩個陰極(也叫濺射靶),通常為并排的兩個平面靶,尺寸和外形全部相同,這兩個靶常稱為孿生靶。孿生靶在濺射室中懸浮安裝,在濺射過程中,兩個靶周期性輪流作為陰極與陽極。由于采用的濺射靶材的工作方式是固定,濺射靶材消耗的形狀是按照磁場的正弦值成比例的,會形成一個上寬下窄的蝕刻形狀,使得靶材的消耗不均勻,因此靶材一次利用率為15%左右。同時由于靶材利用率低, 在鍍膜生產過程中靶材消耗速度快,當靶材消耗結束時,必須要停產,更換靶材,造成生產周期比較短、設備利用率不高等不足
發明內容
本發明的目的是針對現有的濺射靶所存在的靶材消耗不均勻、利用率低和消耗速度快的問題,提出一種新型旋轉陰極機構,通過在濺射過程中旋轉靶材,使得靶材在整區域的消耗能夠均勻的進行刻蝕,將靶材一次利用率提高到> 80%以上;同時可以有效減少打弧和靶面掉渣,工藝穩定性好。
本發明的技術方案是一種旋轉陰極機構,它包括靶旋轉機構、靶支架、冷卻水管和依次安裝在冷卻水管外側的極靴、多個條形磁鐵、靶材,上述套管的一側裝有一端蓋,另一端安裝靶旋轉機構和靶支架,所述的條形磁鐵和靶材之間套裝不銹鋼管。
本發明的極靴的外側設有多個定位槽,相應的多個條形磁鐵分別安裝在極靴的定位槽內。
本發明的條形磁鐵的組合方式是每路條形磁鐵的朝向相同,按S-N-S-N排布在不銹鋼管內。
本發明的條形磁鐵為四個,均勻分布在極靴外壁的定位槽內。
本發明的冷卻水管的一端為冷卻水進口,另一端為冷卻水出口。
本發明的有益效果本發明為一種新型機構,通過在濺射過程中旋轉靶材,使得靶材在整區域的消耗能夠均勻的進行刻蝕,將靶材一次利用率提高到> 80%以上;同時可以有效減少打弧和靶面掉渣,工藝穩定性好。
本發明由若干根長條形永磁體沿靶軸線方向排成數列,可以產生對稱分布的細條型封閉跑道。因此靶所具有的性能與平面矩形磁控原理基本相同,它吸收了平面矩形靶的優點,其特點是1、沉積的膜厚均勻;2、沉積速率高、濺射效率高;3、可在較大范圍內沉積牢固、均勻性好的膜;4、通過靶的勻速旋轉運動,可使靶材的利用率大大提高;5、由于靶的旋轉運動,能很好的避免打火掉渣現象。


圖1是本發明的主視結構示意圖。
圖2是本發明的剖面結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的說明。
如圖1所示,一種旋轉陰極機構,它包括靶旋轉機構4、靶支架3、冷卻水管8和依次安裝在冷卻水管8外側的極靴7、多個條形磁鐵6、靶材5,上述套管的一側裝有一端蓋9, 另一端安裝靶旋轉機構4和靶支架3,所述的條形磁鐵6和靶材5之間套裝不銹鋼管。
本發明的極靴7的外側設有多個定位槽,相應的多個條形磁鐵6分別安裝在極靴 7的定位槽內;如圖2所示,條形磁鐵6的組合方式是每路條形磁鐵的朝向相同,按S-N-S-N 排布在不銹鋼管內;條形磁鐵6為四個,均勻分布在極靴7外壁的定位槽內。
本發明的冷卻水管8的一端為冷卻水進口 1,另一端為冷卻水出口 2。
本發明為一種新型機構,通過在濺射過程中旋轉靶材,使得靶材在整區域的消耗能夠均勻的進行刻蝕,將靶材一次利用率提高到> 80%以上;同時可以有效減少打弧和靶面掉渣,工藝穩定性好。
本發明未涉及部分均與現有技術相同或可采用現有技術加以實現。
權利要求
1.一種旋轉陰極機構,其特征是它包括靶旋轉機構(4)、靶支架(3)、冷卻水管(8)和依次安裝在冷卻水管(8)外側的極靴(7)、多個條形磁鐵(6)、靶材(5),上述套管的一側裝有一端蓋(9),另一端安裝靶旋轉機構(4)和靶支架(3),所述的條形磁鐵(6)和靶材(5)之間套裝不銹鋼管。
2.根據權利要求1所述的旋轉陰極機構,其特征是所述的極靴(7)的外側設有多個定位槽,相應的多個條形磁鐵(6)分別安裝在極靴(7)的定位槽內。
3.根據權利要求2所述的旋轉陰極機構,其特征是所述的條形磁鐵(6)的組合方式是每路條形磁鐵的朝向相同,按S-N-S-N排布在不銹鋼管內。
4.根據權利要求2所述的旋轉陰極機構,其特征是所述的條形磁鐵(6)為四個,均勻分布在極靴(7 )外壁的定位槽內。
5.根據權利要求1所述的旋轉陰極機構,其特征是所述的冷卻水管(8)的一端為冷卻水進口(1),另一端為冷卻水出口(2)。
全文摘要
一種旋轉陰極機構,它包括靶旋轉機構(4)、靶支架(3)、冷卻水管(8)和依次安裝在冷卻水管(8)外側的極靴(7)、多個條形磁鐵(6)、靶材(5),上述套管的一側裝有一端蓋(9),另一端安裝靶旋轉機構(4)和靶支架(3),所述的條形磁鐵(6)和靶材(5)之間套裝不銹鋼管。本發明為一種新型機構,通過在濺射過程中旋轉靶材,使得靶材在整區域的消耗能夠均勻的進行刻蝕,將靶材一次利用率提高到≥80%以上;同時可以有效減少打弧和靶面掉渣,工藝穩定性好。
文檔編號C23C14/34GK102560386SQ20121006755
公開日2012年7月11日 申請日期2012年3月14日 優先權日2012年3月14日
發明者曹俊, 朱殿榮 申請人:無錫康力電子有限公司
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