專利名稱：一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種太陽能電池的鍍膜設備，具體涉及一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備。
背景技術：
在各種硅太陽電池中，晶體硅電池一直占據著最重要的地位近年來，增加設備產能一直是設備開發者追求的目標。板式鍍膜設備主要依靠增加反應腔室的長度和寬度來增加產能，但是增加反應腔室的長度和寬度會造成更加龐大的設備，且更大的鍍膜面積導致片間均勻性更加不穩定，大大增加設備制造難度及成本。
發明內容
本發明的目的就是針對上述問題而提出的一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備，可以同時對上下兩層硅片進行減反射膜制備，在不增加反應腔室長度和寬度的情況下使得產能翻倍，適用于產業化生產。本發明的一種晶體娃太陽能電池鍍膜設備技術方案為，包括反應腔室和娃片載板，硅片載板為雙層硅片載板位于反應腔室中部，另外還包括反應腔室上方的上進氣孔，下方的下進氣孔，反應腔室兩側的排氣孔，硅片載板上方的上等離子源及硅片載板下方的下等離子源，與排氣孔外接的真空泵和均勻分布在在反應腔室上下內表面的加熱裝置。雙層娃片載板為石墨板,分為上載板和下載板，上載板設有與娃片形狀一致的均勻鏤空，鏤空大小略小于硅片，鏤空上方承載硅片，用此載板可以對硅片上表面進行減反射膜制備；下載板均勻鏤空，鏤空形狀與硅片形狀一致，鏤空大小略大于硅片，在下載板下邊緣設置掛鉤，硅片水平置于掛鉤上，用此載板可以對硅片下表面進行減反射膜制備。上等離子源位于硅片載板上方，下等離子源位于硅片載板下方，上下等離子源均可單獨控制，可根據工藝情況分別調整其工藝參數。上進氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方，下進氣孔位于硅片載板以及下等離 子源下方，上下進氣孔可單獨控制，可以通入不同的氣體及氣體流量。排氣孔位于反應腔室側面，與娃片載板處于同一水平面，娃片載板上方和下方反應產生的氣體均從排氣孔排出，排氣孔外接真空泵，以保證反應腔室一定的真空度。該晶體硅太陽能電池鍍膜設備對硅片上表面鍍膜的反應流程為鍍膜工藝進行時，加熱裝置將腔體溫度加熱至所需溫度，反應氣體通過上進氣孔進入反應腔室，上等離子源對反應氣體進行解離，解離狀態下氣體將發生反應，鍍制在雙層硅片載板上載板的硅片上表面，真空泵將反應廢氣通過排氣孔抽走，并保證反應腔室的真空度。該晶體硅太陽能電池鍍膜設備對硅片下表面鍍膜的反應流程為鍍膜工藝進行時，加熱裝置將腔體溫度加熱至所需溫度，反應氣體通過下進氣孔進入反應腔室，下等離子源對反應氣體進行解離，解離狀態下氣體將發生反應，鍍制在雙層硅片載板下載板的硅片下表面，真空泵將反應廢氣通過排氣孔抽走，并保證反應腔室的真空度。
本發明的有益效果是本發明的一種晶體硅太陽能電池鍍膜設備，包括反應腔室和硅片載板，硅片載板為雙層硅片載板，另外還包括上進氣孔，下進氣孔，排氣孔，上等離子源及下等離子源，真空泵和加熱裝置。雙層硅片載板上、下載板均設有與硅片形狀一致的均勻鏤空，上載板鏤空大小略小于硅片，鏤空上方承載硅片，用此載板可以對硅片上表面進行減反射膜制備；下載板鏤空大小略大于硅片，在下載板下邊緣設置掛鉤，硅片水平置于掛鉤上，用此載板可以對硅片下表面進行減反射膜制備。上進氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方，下進氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方，上、下進氣孔，上、下等離子源均可單獨控制，根據工藝情況分別調整其工藝參數，通入不同的氣體及氣體流量。排氣孔位于反應腔室側面，與娃片載板處于同一水平面，娃片載板上方和下方反應產生的氣體均從排氣孔排出，排氣孔外接真空泵，以保證反應腔室一定的真空度。 使用該設備可以同時對上下兩層硅片進行減反射膜制備，在不增加反應腔室長度和寬度的情況下使得產能翻倍，每層石墨板可放置硅片五排九列，雙層硅片鍍膜一次可以實現5*9*2 (五排九列兩層)共90片硅片的鍍膜，在相同的時間內實現了產能翻倍，適用于產業化生產。
圖I所示為本發明的垂直剖面 圖2所示為上載板設計；
圖3所示為下載板設計。圖中，I.上進氣孔，2.下進氣孔，3.排氣孔，4.加熱裝置，5.上等離子源，6.下等離子源，7.上載板，8.下載板，9.硅片，10.反應腔室，11.掛鉤，12.真空泵。
具體實施例方式 為了更好地理解本發明，下面結合附圖和實例來說明本發明的技術方案，但是本發明并不局限于此。本發明的一種晶體娃太陽能電池鍍膜設備技術方案為，包括反應腔室10和娃片載板，娃片載板為雙層娃片載板位于反應腔室10中部,另外還包括反應腔室10上方的上進氣孔1，下方的下進氣孔2，反應腔室10兩側的排氣孔3，硅片載板上方的上等離子源5及硅片載板下方的下等離子源6，與排氣孔3外接的真空泵12和均勻分布在在反應腔室10上下內表面的加熱裝置4。雙層娃片載板為石墨板,分為上載板7和下載板8,上載板7設有與娃片9形狀一致的均勻鏤空，鏤空大小略小于硅片9，鏤空上方承載硅片9，用此載板可以對硅片9上表面進行減反射膜制備；下載板8均勻鏤空，鏤空形狀與硅片9形狀一致，鏤空大小略大于硅片9，在下載板8下邊緣設置掛鉤11，硅片9水平置于掛鉤11上，用此載板可以對硅片9下表面進行減反射膜制備。上等離子源5位于硅片載板上方，下等離子源6位于硅片載板下方，上下等離子源均可單獨控制，可根據工藝情況分別調整其工藝參數。上進氣孔I位于硅片載板和上等離子源5上方，下進氣孔2位于硅片載板和下等離子源6下方，上下進氣孔可單獨控制，可以通入不同的氣體及氣體流量。
排氣孔3位于反應腔室10側面，與硅片載板處于同一水平面，硅片載板上方和下方反應產生的氣體均從排氣孔10排出，排氣孔10外接真空泵12，以保證反應腔室10 —定
的真空度。本發明的晶體硅太陽能電池鍍膜設備對硅片9上表面鍍膜的反應流程為鍍膜工藝進行時，加熱裝置4將腔體溫度加熱至所需溫度，反應氣體通過上進氣孔I進入反應腔室，上等離子源5對反應氣體進行解離，解離狀態下氣體將發生反應，鍍制在雙層硅片載板上載板7的硅片9上表面，真空泵12將反應廢氣通過排氣孔3抽走，并保證反應腔室10的
真空度。本發明的晶體硅太陽能電池鍍膜設備對硅片9下表面鍍膜的反應流程為鍍膜工藝進行時，加熱裝置4將腔體溫度加熱至所需溫度，反應氣體通過下進氣孔2進入反應腔室10，下等離子源6對反應氣體進行解離，解離狀態下氣體將發生反應，鍍制在雙層硅片載板 下載板8的硅片9下表面，真空泵12將反應廢氣通過排氣孔3抽走，并保證反應腔室10的
真空度。實施例I :
將上載板7、下載板8放置硅片9，之后將上載板7置于下載板8上，上進氣孔I、下進氣孔2通入氣體硅烷和氨氣，硅烷流量為500SCCm，氨氣流量為1900SCCm，加熱裝置4將反應腔室10溫度加熱至390攝氏度，上等離子源5、下等離子源6功率為3200 ，上載板7、下載板8移動速度為156cm/min，可以實現雙層硅片9鍍膜，上下硅片9膜層厚度均為85nm左右，折射率為2. 05左右,符合生產工藝要求。每層石墨板可放置娃片五排九列,雙層娃片鍍膜一次可以實現5*9*2 (五排九列兩層)共90片硅片的鍍膜，在相同的生產時間內實現了產能翻倍。
權利要求
1.一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備，包括反應腔室和硅片載板，其特征在于，硅片載板為雙層硅片載板位于反應腔室中部，另外還包括反應腔室上方的上進氣孔，下方的下進氣孔，反應腔室兩側的排氣孔，硅片載板上方的上等離子源及硅片載板下方的下等離子源，與排氣孔外接的真空泵和均勻分布在在反應腔室上下內表面的加熱裝置。
2.根據權利要求I所述的ー種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備，其特征在于雙層硅片載板為石墨板，分為上載板和下載板，上載板設有與硅片形狀一致的均勻鏤空，鏤空大小略小于硅片，鏤空上方承載硅片；下載板均勻鏤空，鏤空形狀與硅片形狀一致，鏤空大小略大于硅片，在下載板下邊緣設置掛鉤，硅片水平置于掛鉤上。
3.根據權利要求I所述的ー種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備，其特征在于上等離子源位于硅片載板上方，下等離子源位于硅片載板下方。
4.根據權利要求I所述的ー種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備，其特征在于上進氣 孔位于硅片載板以及上等離子源上方，下進氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方。
5.根據權利要求I所述的ー種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備，其特征在于排氣孔位于反應腔室側面，與硅片載板處于同一水平面，排氣孔外接真空泵。
全文摘要
本發明涉及一種太陽能電池的鍍膜設備，具體涉及一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備，包括反應腔室，雙層硅片載板，上進氣孔，下進氣孔，排氣孔，上等離子源及下等離子源，真空泵，加熱裝置，該設備可以同時對上下兩層硅片進行減反射膜制備，使得設備產能增大，適用于工業化生產。
文檔編號C23C16/455GK102677020SQ20121015912
公開日2012年9月19日 申請日期2012年5月22日 優先權日2012年5月22日
發明者任現坤, 劉鵬, 姚增輝, 姜言森, 孫繼峰, 張麗麗, 張同星, 張春艷, 張黎明, 徐振華, 李剛, 李玉花, 杜敏, 王兆光, 程亮, 賈河順 申請人:山東力諾太陽能電力股份有限公司