用于化學氣相沉積的雙室反應器的制造方法

用于化學氣相沉積的雙室反應器的制造方法
【專利摘要】本發明涉及用于化學氣相沉積的雙室反應器。更特別地，本發明涉及一種用于進行膜沉積的裝置，包括一個或多個工藝管，熱源，一個或多個反應物氣體歧管，和一個或多個排氣歧管。一個或多個工藝管限定了第一反應空間和第二反應空間。第二反應空間不與第一反應空間氣體連通。同時，該熱源可移動從而當能量源在第一位置時，將能量引入第一反應空間的至少一部分中，以及當能量源在第二位置時，將能量引入第二反應空間的至少一部分中。一個或多個反應物氣體歧管用于將第一反應物氣流引入第一反應空間，以及將第二反應物氣流引入第二反應空間。最后，一個或多個排氣歧管用于從第一反應空間和第二反應空間排出氣體。
【專利說明】用于化學氣相沉積的雙室反應器
【技術領域】
[0001]本發明總體上涉及用于化學處理的裝置和方法，以及更特別地，涉及用于化學氣相沉積的反應器。
【背景技術】
[0002]化學氣相沉積(CVD)廣泛用于半導體工業以及其他工業以在基材上形成非揮發性固態膜。在典型的CVD過程中，將給定組成和流量的反應物氣體引入基材位于其中的反應空間。這里，反應物在氣相中和/或與基材進行化學反應以在基材上形成膜。接著，將反應副產物排出反應空間。
[0003]管式爐CVD系統(水平或立式)通常用于通過CVD沉積膜。在典型的管式爐CVD系統中，柱狀石英或氧化鋁工藝管用作反應室。工藝管被包含電阻加熱的加熱元件(例如加熱線圈)的加熱爐所圍繞，所述加熱元件用于加熱位于工藝管內的基材。化學反應物一般從管的一端流入工藝管，以及未反應的反應物和反應副產物從工藝管的相對端排出。
[0004]然而，盡管管式爐CVD系統應用廣泛，但是其可遭受若干缺點。一個缺點是，對快速熱處理(RTP)的限制，所述快速熱處理要求快的加熱和/或冷卻速率。將管式爐CVD系統用于RTP的一個方法是使用可沿著工藝管的長度而滑動的長的工藝管和爐子，盡管在此背景部分提及了這種方法，但不承認其是現有技術。快速加熱過程可通過將預加熱的爐子移到圍繞工藝管內基材而實現，并且快速冷卻過程可通過將爐子從基材位于工藝管之處移開而實現。但是，當進行膜沉積過程并且將熱爐移向冷位置時，一些吸附在工藝管的該位置處的壁上的分子可由于快速升溫而解吸。這些解吸的分子可污染和/或破壞沉積在基材上的膜。這種方法的其他缺點是，系統生產量顯著受冷卻、裝載和卸載基材所需要的時間的影響。
[0005]由于前述原因，需要這樣一種CVD反應器，其可實現高的加熱和冷卻速率、高的生產量并且不會污染或破壞產品膜。

【發明內容】

[0006]本發明的實施方案通過提供用于由CVD沉積膜的新裝置及其使用方法解決了上文確定的需求。
[0007]根據本發明的一個方面，用于進行膜沉積的裝置包括一個或多個工藝管、熱源、一個或多個反應物氣體歧管、和一個或多個排氣歧管。一個或多個工藝管限定了第一反應空間和第二反應空間。第二反應空間不與第一反應空間氣體連通。同時，當能量源在第一位置時，移動熱源以將能量引入第一反應空間的至少一部分中，以及當能量源在第二位置時，將能量引入第二反應空間的至少一部分中。一個或多個反應物氣體歧管用于將第一反應物氣流引入第一反應空間，以及將第二反應物氣流引入第二反應空間。最后，一個或多個排氣歧管用于將氣體從第一反應空間和從第二反應空間排出。
[0008]根據本發明的另一方面，使用反應器沉積膜。將第一基材放置在第一反應空間內，同時在不與第一反應空間氣體連通的第二反應空間內進行膜沉積。接著將第一反應物氣體引入第一反應空間中并且將熱源移動到第一位置以將能量引到第一反應空間的至少一部分中。隨后，將第二基材放置到第二反應空間內，同時在第一反應空間內進行膜沉積。在第二基材于合適放置時，將第二反應物氣流引入到第二反應空間中并且將熱源移動到第二位置以將能量引到第二反應空間的至少一部分中。
[0009]根據本發明的再一方面，制造的產品包含在裝置內沉積的膜。該裝置包括一個或多個工藝管、熱源、一個或多個反應物氣體歧管、和一個或多個排氣歧管。一個或多個工藝管限定了第一反應空間和第二反應空間。這樣，第二反應空間不與第一反應空間氣體連通。當能量源在第一位置時，移動熱源以將能量引到第一反應空間的至少部分中，以及當能量源在第二位置時，將能量引到第二反應空間的至少部分中。一個或多個反應物氣體歧管用于將第一反應物氣流引入第一反應空間，以及將第二反應物氣流引入第二反應空間。最后，一個或多個排氣歧管用于將氣體從第一反應空間和從第二反應空間排出。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]參考下文描述、所附的權利要求和附圖，將更好地理解本發明的這些和其他特征、方面和優點，其中:
[0011]圖1顯示了根據本發明說明性實施方案的CVD反應器的至少一部分的側面正視圖；
[0012]圖2A顯示了在圖1的CVD反應器實施方案中的工藝管的端部正視圖；
[0013]圖2B顯示了在圖1的CVD反應器實施方案中的工藝管的截面圖；
[0014]圖3A顯不了在圖1的CVD反應器實施方案中一個內部氣體管的端部正視圖；
[0015]圖3B顯不了在圖1的CVD`反應器實施方案中一個內部氣體管的截面圖；
[0016]圖4顯示了在圖1的CVD反應器實施方案中一個端部適配器的部分截面圖；
[0017]圖5A顯示了用于與根據本發明的說明性實施方案的圖1的CVD反應器實施方案一起使用的說明性反應物氣體歧管的框圖；
[0018]圖5B顯示了使用與根據本發明的說明性實施方案的圖1的CVD反應器實施方案一起使用的說明性排氣歧管的框圖；
[0019]圖6A和6B顯示了使用根據本發明的說明性實施方案的圖1的CVD反應器實施方案進行膜沉積的方法的流程圖；
[0020]圖7顯示了根據本發明說明性的實施方案的替代性工藝管裝置的截面圖；和
[0021]圖8A-8C顯示了根據本發明的說明性實施方案的三個替代性的內部氣體輸送管裝置的側面正視圖。
[0022]發明詳述
[0023]將參考說明性實施方案來描述本發明。出于這種原因，可對這些實施方案進行多種修改并且其結果將仍在本發明的范圍中。關于這里所描述的特定實施方案，不意在或不應推論為限制性的。
[0024]如這里所使用的術語“膜沉積”意在包含通常所稱的膜沉積、膜生長、和膜合成。因此，術語“膜沉積”將包含:形成與其所沉積于其上的各自基材在組成和/或結晶度方面不同的膜，和形成基本上與其所沉積的各自基材的組成和結晶度相匹配的膜。[0025]圖1顯示了根據本發明的說明性實施方案的CVD反應器100的至少部分的側部正視圖。CVD反應器100包括帶有加熱元件104的熱源102，所述加熱元件限定了中空柱形的受熱空間106。柱形工藝管108穿過這種受熱空間106。
[0026]圖2A顯示了工藝管108的端部正視圖，而圖2B顯示了沿著圖2A中所說明的平面切開的工藝管108的截面圖。工藝管108具有兩個開放端。在工藝管108的中部，分隔體110用于將左邊反應空間112與右邊反應空間114分開，由此產生可稱之為“雙室” CVD反應器的反應器。分隔體110為氣密的，意味著左邊反應空間112不與右邊反應空間114氣體連通。左邊基材支撐件116和左邊基材118設置在左邊反應空間112中。類似地，右邊基材支撐120和右邊基材122設置在右邊反應空間114中。
[0027]通過將左端適配器124和右端適配器126分別與左邊反應物氣體歧管128、右邊反應物氣體歧管130，左邊排氣歧管132，和右邊排氣歧管134結合使用便利了將反應物氣流引入左邊和右邊反應空間112，114并且將未使用的反應物氣體和反應副產物從這些反應空間112，114中排出。對于左邊反應空間112，制造左邊反應物氣體歧管128以將反應物氣流穿過左邊氣體入口 136引入左端適配器124，這里所述反應物氣體傳到設置在左邊反應空間112內的左邊內部氣體管138處。在進入左邊內部氣體管138后，在被釋放到左邊反應空間112前，反應物氣流基本上沿著左邊反應空間112的整體長度而輸送。圖3A顯示了左邊內部氣體管138的端部正視圖，而圖3B顯示了左邊內部氣體管138的截面圖。第一開口 300接收反應物氣流而第二開口 302將反應物氣流排入左邊反應空間112。同時，在左邊反應空間112內的氣體穿過也構造在左端適配器124中的左邊氣體排出口 140被排出，這里氣體涌入左邊排氣歧 管132中。這樣，在左邊反應空間112內建立了越過左邊基材118的從右到左模式的氣流，如圖1中的箭頭所示。以類似的方式，使用右邊反應物氣體歧管130、右邊排氣歧管134、右入口 142、右邊內部氣體管144、和右邊氣體排出口 146在右邊反應空間114內建立了越過右邊基材122的從左到右模式的反應物氣流(也如圖1中的箭頭所示)。
[0028]仍參考圖1，熱源102由兩個平行的導軌148 (由于圖中視角，僅其中的一個可見)可滑動地支撐。這兩個平行的導軌148又由兩個例如固定到地上(未明確示出)的導軌支撐件150支撐。由此，熱源102可沿著工藝管108的縱軸移動。注意，左和右端適配器124，126也通過適配器支撐件152由導軌148可滑動地支撐。這些適配器支撐件152也可沿著導軌移動，給予CVD反應器100改變左和右端適配器124，126之間的距離的能力，并且因此容納不同長度的工藝管。同時，適配器支撐件152也可調整自身高度使得CVD反應器100可容納不同直徑的工藝管。為了方便這些高度變化，每一適配器支撐件152可包含各自組的伸縮式接合管，所述伸縮式連接管可通過排列的孔和插腳、氣動驅動、液壓驅動等(未明確不出)以不同的延伸長度固定。
[0029]在圖4中的部分截面圖中顯示了左端部適配器124的額外細節。右端適配器126基本類似并且因此為了說明書的簡要，這里未詳細描述。左端適配器124包含水冷法蘭400和帶有左法蘭404,右法蘭406,上法蘭408和下法蘭410的交叉異徑管(cross reducer)402。下部法蘭410用作左邊氣體入口 136的一部分，而上部法蘭408用作左邊氣體排出口140的一部分。為了將工藝管108接合于左端適配器124，工藝管108的左端穿過水冷法蘭400并且穿過交叉異徑管402的右法蘭406，但是不阻擋左邊氣體入口 136和左邊氣體排出140。將右O型圈412放置在水冷法蘭400和右法蘭406之間。接著，使用螺栓414將交叉異徑管402穩固地連接于水冷法蘭400。這樣，在水冷法蘭400和右法蘭406上的角(angle)用于將右邊O型圈412相對于工藝管108的外壁上壓制以在左端適配器124和工藝管108之間產生氣密密封。交叉異徑管402的左法蘭404由盲法蘭416覆蓋。中心環418和左O型圈420設置在盲法蘭416和交叉異徑管402之間從而也密封其間的間隙。使用夾具422將盲法蘭416固定于交叉異徑管402。通過收緊和松開夾具422，盲法蘭416可容易地固定于交叉異徑管402或從交叉異徑管402移開，表現為用于加載和卸載左邊基材118的便捷的門。柔性管424用于將左邊氣體入口 136與左邊內部氣體管138相連。這種連接的柔性也促進了使用不同直徑的工藝管。
[0030]如上文所說明的，通過使用兩個分開的反應物氣體歧管128，130和兩個分開的排氣歧管132，134促進了將反應物氣流引入左邊和右邊反應空間112，114以及將未使用的反應物氣體和反應副產物從說明性的CVD反應器100內的這些反應空間112，114中排出。圖5A顯示了兩個反應物氣體歧管128，130中代表性的一個(在該情況下為左邊反應物氣體歧管128)的示意圖。在本說明性的實施方案中，左邊反應物氣體歧管128包含兩個反應物氣體源502，然而反應物氣體源的這種特定數量很大程度上是任意的并且帶有較少或較多量的反應物氣體源的氣體歧管仍落入本發明的范圍中。每個反應物氣體源502與各自的質量流量控制器504氣體連通，所述氣體控制器用于調節從所述反應物氣體源502進入左邊氣體入口 136的氣體流量。
[0031]圖5B又顯示了兩個排氣歧管132、134中代表性的一個(在該特定的情況下為左邊排氣歧管132)的示意圖。這里，任何離開左邊反應空間112的氣體在進入節流閥508之前會穿過壓力傳感器506 (例如壓力控制器)。壓力傳感器506測量壓力并且通過常規電子反饋機制來控制節流閥508的打開以調節左邊反應空間112內的預設壓力。一旦經過節流閥508，氣體接著穿過阱510(例如液氮阱)，接著由旋轉機械泵512泵送，然后被送到排氣514。旋轉機械泵512用于將左邊反應空間112內的相應壓力降低到低于大氣壓。如果認為需要，可提供化學洗滌器(未明確示出)。`
[0032]使用分開的反應物氣體歧管128、130和分開的排氣歧管132、134用于左邊和右邊反應空間112、114具有為這些反應空間112、114的每個提供獨立工藝控制的優點。也就是說，可認為圖5A和5B中顯示的數個組件可視情況而定在反應物氣體歧管128、130和排氣歧管132、134之間共享以幫助設計的經濟性。例如，考慮反應物氣體歧管128、130可共享共同的反應物氣體源，或排氣歧管132、134可共享共同的旋轉機械泵。實際上，如果不要求對反應空間112、114的每個進行獨立工藝控制，則可完全不必隔開反應物氣體歧管128、130和排氣歧管132、134。作為替代，通用的反應物氣體歧管和通用的排氣歧管可足以服務兩個反應空間112、114。
[0033]熱源102的加熱元件104可包含一個或多個電阻加熱的絲元件，其纏繞(即圍繞)在中空柱形加熱空間106周圍并且由絕緣基體(例如耐火金屬氧化物或纖維耐火金屬氧化物)支撐。因此，熱源102形成有時稱之為“CVD管式爐”的裝置。如果需要，可沿著加熱空間106的縱軸布置數個單獨的線圈以產生可獨立控制的加熱區域。這種區域例如有時對于解決反應物損耗作用是有用的。對于溫度調節，可將來自反應空間112、114內的熱電偶(未明確示出)的信號返回到用于熱源102的電源(例如可編程的電源)以保持預定的溫度設定點。受熱空間106的長度例如可為約100厘米(cm) -約120 (cm)，而直徑可為約8cm，然而這些尺寸是純說明性的。如根據這里的教導本領域的技術人員將理解地是，熱源102可為任何給定應用所需的任何尺寸。
[0034]CVD反應器100的各種元件可很大程度上由常規的材料形成。工藝管108和內部氣體管138、144例如可包含材料，例如但不限于石英或氧化鋁。基材支撐件116、120可包含材料，例如但不限于石英、氧化鋁或金屬。端部適配器124、126，兩個平行導軌148，兩個導軌支撐件150，和兩個適配器支撐152可包含金屬，例如但不限于鋁或不銹鋼。橡膠元件例如0型圈412、420可由高溫彈性體例如橡膠制成。形成反應物氣體歧管128、130和排氣歧管132、134的質量流量控制器504、節流閥508、泵512等等可來源于商業渠道(例如MKSInstruments, Inc.(Andover, MA, USA))。
[0035]圖6A和6B共同顯示了用于根據本發明的說明性實施方案，使用CVD反應器100進行膜沉積的方法600的流程圖。
[0036]在圖6A的步驟602中，將左基材118裝載到左邊反應空間112內，并且將右基材122裝載到右反應空間114內。隨后，在步驟604中，使用左邊反應物氣體歧管128和左邊排氣歧管132在左邊反應空間112內產生所需的反應物氣體流量和壓力。在此時，在步驟606中，移動熱源102使得左邊反應空間112包括左基材118的部分落入熱源102的受熱空間106中。因此，將左基材118加熱到所需的反應溫度。在步驟608中，將在左邊反應空間112中剛剛建立的反應條件維持足以允許在左基材118上發生所需的膜沉積的足夠時間。
[0037]現參照圖6B，方法600開始于步驟610，其中右邊反應物氣體歧管130和右邊排氣歧管134用于在右邊反應空間 114內產生所需的反應物氣體流量和壓力。在步驟612中，接著移動熱源102使得右 邊反 應空間114的包括右邊基材122的部分落入熱源102的受熱空間106中，因此允許將右 邊基材122加熱到所需的反應溫度。在步驟614中，再次將在右邊反應空間114內的剛剛建立的反應條件維持足以允許在右邊基材122上發生所需的膜沉積的足夠時間。但是，非簡單閑置，而是使過程繼續，在右邊反應空間114內進行膜沉積的同時給予左邊反應空間112內的左基材118足夠的時間以冷卻并且接著由另一個(例如裸露的)左基材118來更換。這樣，步驟614包含在一個基材上的兩種膜沉積(在該情況中，在右邊反應空間114內的右基材122)以及另一個基材的同時冷卻和更換(在該情況中，在左邊反應空間112內的左基材118)。
[0038]在步驟616-620中連續進行這種模式的同時處理和裝載/卸載基材118。當完成步驟614時，方法600進行到步驟616。在步驟616中，在左邊反應空間112內以與步驟604相似的方式再次建立反應物流量和壓力。在步驟618中，以與步驟606相似的方式再次將熱源102移動跨過左邊基材118。最后，在步驟620中，允許在左邊反應空間112內發生膜沉積，而在右邊反應空間114內允許冷卻右邊基材122并且將其更換。接著，方法600返回到步驟610并且如果需要的話則繼續步驟610-620。
[0039]如上文說明，在說明性的CVD反應器100中，左邊反應物氣體歧管128和左邊排氣歧管132服務于左邊反應空間112，而右邊反應物氣體歧管130和右邊排氣歧管134服務于右邊反應空間114。因此，在每個反應空間112、114內可以以非常不同的過程參數的膜沉積過程，甚至當以上文參照圖6A和6B提出的方式來進行該過程時。
[0040]根據本發明的各方面的裝置，例如CVD反應器100可手動、使用自動化、或通過其一些結合來操作。例如，如果需要則可考慮通過使用機器人完成基材118、122到反應空間112、114內的裝載和卸載。此外，熱源102的移動可通過一個或多個電動機或其他形式的驅動力來完成。這種自動化例如廣泛用于例如當制造集成電路時的半導體領域。因此，一旦從這里提出的教導來理解本發明的各方面，則對于本領域的技術人員而言，這種自動化將是熟知的并且不需要在本文中詳細說明。在多個已經可獲得的公開物中也描述了這種自動化，所述公開物包括例如一個實例，K.Mathia, Robotics for ElectronicsManufacturing:Principles and Applications in Cleanroom Automation, CambridgeUniversity Press, 2010,這里所述文章通過引用結合到本文中。
[0041]根據本發明一些各方面的實施方案提供了相對于常規單室管式CVD反應器的多個優點。例如，通過提供帶有例如可通過單個熱源102分開加熱的兩個獨立的反應空間112,114的工藝管108，說明性的CVD反應器100，以及更一般地，根據本發明各方面的裝置提供了與可由常規CVD反應器可實現的產量相比更大的產量。更具體地，通過使用根據本發明各方面的CVD反應器，以及在一個反應空間內進行膜沉積過程，而同時在另一個反應空間內冷卻基材并將其更換，當CVD反應器沒有進行膜沉積時，會花費顯著較少的時間。再者，根據本發明各方面的CVD反應器可避免與將熱源移動到剛剛發生膜沉積的相同反應空間的冷區域相關的膜污染和損壞的問題，如在單反應空間的RTP管式CVD反應器(見【背景技術】)中可發生的一樣。最后，根據本發明各方面的CVD反應器不產生顯著大于常規單室管式CVD反應器的物理尺寸(footprint)，其也不消耗顯著更大量的每次運行能量。
[0042]應當再次強調地是，上文描述的本發明的裝置和方法的實施方案僅是說明性的。其他實施方案可使用不同類型和布置的元件以實施所描述的功能。在所附權利要求范圍內的這些多種替代性的實施方案對于本領域的技術人員是明了的。
[0043]如一個實施例，盡管說明性的CVD反應器100使用帶有分隔體110的單個工藝管108以限定左邊和右邊反應空間112、114，但根據本發明各方面的替代性的實施方案也可使用兩個分開的工藝管。圖7顯示了根據本發明的說明性實施方案的替代性的工藝管裝置700的至少部分的截面圖。在這種替`代性的實施方案中，左邊工藝管702限定了左邊反應空間704，而不同的右邊工藝管706限定了右邊反應空間708。如圖中說明，左邊工藝管702包括與容納在右邊工藝管706中的陽接頭712交疊的陰接頭710。因此，兩個工藝管702、706布置成直線以方便熱源如熱源102的直線式移動。實際上，通過極少量進一步改變，兩個工藝管702、706可替換CVD反應器100內的單個工藝管108。
[0044]如另一個實施例，圖8A-8C顯示了根據本發明的說明性實施方案的可替換CVD反應器100內的左邊和右邊內部氣體管138、144的三個替代性的內部氣體輸送管裝置的側部正視圖。與在圖1和3B中顯示的內部氣體管138、144相比，在圖8A中顯示的內部氣體管800具有彎折的端部，而在圖8B中顯示的內部氣體管802具有“L”形狀。在圖8C中顯示的替代性的內部氣體管806為簡單的直形管而沒有彎曲或彎折。
[0045]雖然說明性CVD反應器100內的熱源102使用電阻加熱的加熱元件104，但是根據本發明各方面的替代性實施方案可使用數個替代性的熱能源。這些替代性的源包括但不限于使用高強度輻射燈的輻射加熱和電感應加熱。在多個已可獲得的公開物中描述了這些加熱選擇和其他適當的選擇，所述公開物包括A.C.Jones, ChemicalVapour Deposition:Precursors,Processes and Applications,Royal Society ofChemistry, 2009,這里所述文章通過引用結合到本文中。為了在CVD反應器100內使用高強度輻射燈，熱源102可裝配有多個由電壓/電流調節器驅動的輻射燈(例如鎢絲燈)。理想地是，輻射燈將產生通過輻射加熱有效加熱基材118、122和/或基材支撐件116、120同時通過工藝管108的壁傳播而吸收極少的光譜。可在熱源102中結合入反射器以幫助通過輻射燈提供均勻的照明。作為替代，如果需要電感應加熱，熱源102可由一個或多個圍繞加熱空間106的電線圈構成并且由射頻(rf)發生器驅動。電線圈可構造為能夠循環冷卻液體的管以幫助其冷卻。因此，在加熱空間106內形成的強磁場可引起布置在受熱空間內的任何導電性元件(例如基材118、120和/或基材支撐件116、120)的感應加熱。視情況而定，熱電偶和/或高溫計可用于反饋溫度指示性信號到電壓/電流調節器或高頻發射器，以再次保持預定的溫度設定點。[0046]這里所公開的所有技術特征可由用于相同、等效或類似目的的替代性的技術特征而代替，除非另有明文規定。因此，所公開的每個特征僅是通用系列的等效或類似技術特征的一個例子，除非另有明文規定。
[0047]在未明確記載進行特定功能的“工具”或進行特定功能的“步驟”的權利要求中的任何元件不被解釋為如35 U.S.C.§112，
【權利要求】
1.一種用于進行膜沉積的裝置，該裝置包含: 一個或多個工藝管，該一個或多個工藝管限定了第一反應空間和第二反應空間，第二反應空間不與第一反應空間氣體連通； 熱源，該熱源能夠移動使得當能量源在第一位置時，將能量引入第一反應空間的至少一部分中，以及當能量源在第二位置時，將能量引入第二反應空間的至少一部分中； 一個或多個反應物氣體歧管，該一個或多個反應物氣體歧管用于將第一反應物氣流引入第一反應空間，以及將第二反應物氣流引入第二反應空間；和 一個或多個排氣歧管，該一個或多個排氣歧管用于從第一反應空間和第二反應空間排出氣體。
2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述裝置對于如下有效:當裝置在第二反應空間內進行膜沉積時允許更換第一反應空間內的基材，以及當裝置在第一反應空間內進行膜沉積時允許更換第二反應空間內的基材。
3.根據權利要求1所述的裝置，其中所述熱源包含電阻加熱的加熱元件。
4.根據權利要求3所述的裝置，其中所述電阻加熱的加熱元件限定了適合于如下的線圈:當熱源在第一位置時，環繞第一反應空間的至少一部分，以及當熱源在第二位置時，環繞第二反應空間的至少一部分。
5.根據權利要求1所述的裝置，其中所述熱源包含加熱燈。
6.根據權利要求1所述的裝置，其中所述熱源包含電線圈，所述電線圈用于:當熱源在第一位置時，在第一反應空間的至少一部分中產生磁場，以及當熱源在第二位置時，在第二反應空間的至少一部分中產生磁場。`
7.根據權利要求1所述的裝置，其中所述熱源包含多個能獨立控制區域。
8.根據權利要求1所述的裝置，其中所述熱源由一個或多個導軌支撐，熱源能在所述導軌上傳送。
9.根據權利要求1所述的裝置，其中所述一個或多個工藝管由單個工藝管組成，該單個工藝管帶有將第一反應空間和第二反應空間分開的分隔體。
10.根據權利要求1所述的裝置，其中所述一個或多個工藝管由第一工藝管和第二工藝管組成，第二工藝管不同于第一工藝管并且它們排列成直線。
11.根據權利要求1所述的裝置，其中所述一個或多個工藝管包含石英和氧化鋁中的至少一者。
12.根據權利要求1所述的裝置，其中所述一個或多個反應物氣體歧管用于引起第一反應物氣流和第二反應物氣流具有顯著不同的組成。
13.根據權利要求1所述的裝置，其中所述一個或多個排氣歧管用于為第一反應空間和第二反應空間確定顯著不同的各自壓力。
14.根據權利要求1所述的裝置，其中所述一個或多個排氣歧管用于將第一反應空間和第二反應空間內的各自壓力降低為低于大氣壓。
15.根據權利要求1所述的裝置，還包含第一內部氣體管線，該第一內部氣體管線至少部分地布置在第一反應空間內并且適合于接收第一反應物氣流以及在將第一反應物氣流釋放到第一反應空間內之前，沿著第一反應空間的長度輸送第一反應物氣流。
16.根據權利要求15所述的裝置，還包含第二內部氣體管線，該第二內部氣體管線至少部分地布置在第二反應空間內并且適合于接收第二反應物氣流以及在將第二反應物氣流釋放到第二反應空間內之前，沿著第二反應空間的長度輸送第二反應物氣流。
17.根據權利要求1所述的裝置，還包含第一端適配器，該第一端適配器密封式接合于一個或多個工藝管中的一個并且包含: 第一裝載口，該第一裝載口適合于允許將第一基材裝載到第一反應空間中； 第一氣體進入口，該第一氣體進入口與一個或多個反應物氣體歧管和第一反應空間中的一者氣體連通；和 第一氣體排出口，該第一氣體排出口與一個或多個排氣歧管和第一反應空間中的一者氣體連通。
18.根據權利要求17所述的裝置，其中所述第一端適配器由一個或多個導軌支撐，第一端適配器能在所述導軌上移動。
19.根據權利要求18所述的裝置，其中所述第一端適配器相對于一個或多個導軌的高度能調節。
20.根據權利要求17所述的裝置，還包含第二端適配器，該第二端適配器密封式接合于一個或多個工藝管中的一者并且包含: 第二裝載口，該第二裝載口適合于允許將第二基材裝載到第二反應空間中； 第二氣體進入口，該第二氣體進入口與一個或多個反應物氣體歧管和第二反應空間中的一者氣體連通；和 第二氣體排出口，該第二氣體 排出口與一個或多個排氣歧管和第二反應空間中的一者氣體連通。
21.一種用于在反應器內進行膜沉積的方法，該方法包含步驟: 將第一基材放置到第一反應空間內，同時在第二反應空間內進行膜沉積，第二反應空間不與第一反應空間氣體連通； 將第一反應物氣流引入第一反應空間； 將熱源移到第一位置以將能量引到第一反應空間的至少一部分中； 將第二基材放置到第二反應空間內，同時在第一反應空間內進行膜沉積； 將第二反應物氣流引入第二反應空間；和 將熱源移到第二位置以將能量引到第二反應空間的至少一部分中。
22.—種生產的產品，所述生產的產品包含在裝置內沉積的膜，所述裝置包含: 一個或多個工藝管，該一個或多個工藝管限定了第一反應空間和第二反應空間，第二反應空間不與第一反應空間氣體連通； 熱源，該熱源能移動從而當能量源在第一位置時將能量引入第一反應空間的至少一部分中，以及當能量源在第二位置時，將能量引入第二反應空間的至少一部分中； 一個或多個反應物氣體歧管，該一個或多個反應物氣體歧管用于將第一反應物氣流引入第一反應空間，以及將第二反應物氣流引入第二反應空間；和 一個或多個排氣歧管，該一個或多個排氣歧管用于從第一反應空間和第二反應空間排出氣體。
【文檔編號】C23C16/44GK103510066SQ201210363547
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年9月27日 優先權日:2012年6月21日
【發明者】李雪松 申請人:李雪松