一種絕緣體上二維薄膜材料的制備方法
【專利摘要】本發明涉及材料【技術領域】，具體涉及一種絕緣體上二維薄膜材料的制備方法。所述制備方法，包括如下步驟：（1）根據需求選擇合適的絕緣襯底；（2）對絕緣襯底的表面和/或待轉移至絕緣襯底的體材料的表面進行活化處理；（3）將絕緣襯底與體材料進行表面接觸，施加外物理場使二維薄膜材料從體材料表面剝離下來，覆蓋到絕緣襯底的表面。使用本發明制備的二維薄膜材料鋪展均勻，并可避免多次轉移以及中間層材料造成的缺陷以及環境污染等問題。同時，本發明與硅基器件大規模制造工藝通融，可使高性能二維薄膜材料器件的制造研發沿用大規模平面印刷工藝，工藝流程簡單可控，重復性好，可用于自動化宏量生產。
【專利說明】一種絕緣體上二維薄膜材料的制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及材料【技術領域】，具體涉及一種絕緣體上二維薄膜材料的制備方法。
【背景技術】
[0002]歷史紀元與材料有著密切關聯:從石器時代，到青銅時代，到鋼鐵時代，到近60年來的娃紀元。自2004年Geim等人發現穩定存在的單原子層碳材料石墨烯以來，關于石墨烯等二維薄膜材料的研究不斷取得重要的進展。功能薄膜材料的不斷進步推動著電子信息科學的迅速發展，傳統電子信息科學的功能材料硅，在尺寸小于IOnm線寬時，因尺度效應等物理因素的影響，其器件性能的突破受到極大制約，這迫使人們去探索新材料。碳元素構成的物質，石墨烯的優異性能對傳統的硅基電子信息科學產生了巨大的沖擊，可能替代硅成為下一代的電子材料。受此啟發，其他二維薄膜材料的制備和性質研究也日益成為學術界和產業界關注的重點。
[0003]石墨烯是碳原子通過共價鍵形成的單層二維蜂窩狀晶格結構的碳質材料，廣義的石墨烯二維晶體介于1-9個原子層之間，厚度約在0.3~3nm之間。以石墨烯為首的二維薄膜材料的研究成果層出不窮，如單原子層BN、MoS2, WS2、NeSe2甚至單原子層硅(silicene)等等。不同類型的二維薄膜材料具有與其三維母體非常不同的性質，也各自擁有不同的基礎研究和應用開發優勢。如石墨烯的特異光學、電學、熱力學以及機械性能，使其在微電子、量子物理、材料、化學等領域都表現出許多令人振奮的性能和潛在的應用前景。因其獨特的晶體結構，石墨烯的遷移率可達20，000cm2/V *s,通過尺寸控制能隙可構建高性能的場效應晶體管。石墨烯的高透射率，使它成為透明導電薄膜的首選材料，可以取代氧化銦錫(ITO)、摻氟氧化錫(FTO)等傳統薄膜材料，并且表面改性后的石墨烯不但可作為電子受體應用于有機光電器件中，還可用于超級電容器的電極材料。石墨烯還具有優異的力學、熱學等性能以及高比表面積，在復合材料領域的應用潛力也相當深厚
[0004]大尺寸的二維薄膜材料將為下一代光電器件、能量存儲領域的研究提供核心功能材料。而對于這些引人入勝的材料而言，目前必須要面對的問題，也是其能否實現價值飛躍的基礎，則是如何實現高質量二維薄膜的宏量制備，以及如何將這些二維結構高效、無損的轉移到滿足應用需求的襯底材料上。
[0005]目前已有的二維薄膜材料制備方法包括有:機械剝離法、碳化硅(SiC)外延法、化學氣相沉積(CVD)法、氧化還原法、液相或氣相剝離法等等。雖然這其中已有部分方法可以實現宏量制備，但為了滿足應用需求，使材料附著于絕緣襯底上，絕大多數轉移方式都是通過多種媒介、多步轉移工藝完成，并且需要大量的化學品或嚴格的制備條件，宏量轉移的襯底范圍也受到很大限制。面向應用以及進一步的物性探索，如何向特種襯底的無損、宏量、低成本轉移，仍是這些方法走向器件及其他應用面臨的最大發展瓶頸。
【發明內容】
[0006]本發明的目的在于提供一種絕緣體上二維薄膜材料的制備方法，以確保制備的材料尺寸、厚度等具有較好的可控性，同時保持較高產率和質量。
[0007]為了達到上述目的，本發明采用的技術方案如下:
[0008]一種絕緣體上二維薄膜材料的制備方法，包括如下步驟:
[0009](I)根據需求選擇合適的絕緣襯底；
[0010](2)對所述絕緣襯底的表面和/或待轉移至所述絕緣襯底的體材料的表面進行活化處理；
[0011](3)將所述絕緣襯底與所述體材料進行表面接觸，施加外物理場使二維薄膜材料從所述體材料表面剝離下來，覆蓋到所述絕緣襯底的表面。
[0012]進一步地，所述絕緣襯底的材料為Si02、Si3N4, MgO、BN、SiON、FSG, AIN、云母、硼化玻璃、藍寶石、石英、硅膠中的一種，或已進行光刻圖形化的Si02、Si3N4, MgO、BN、SiON、FSG,AIN、云母、硼化玻璃、藍寶石、石英、硅膠中的一種。
[0013]進一步地，所述體材料為石墨、BN、MoS2,WS2、NeSe2, Bi2, Sr2CaCu2O, NiCl2 中的一種，或已進行光刻圖形化的石墨、BN、MoS2、WS2、NeSe2、Bi2、Sr2CaCu2O, NiCl2中的一種。
[0014]進一步地，所述步驟(2)中對所述絕緣襯底的表面和/或待轉移至所述絕緣襯底的體材料的表面進行活化處理的方法為化學或物理處理方法，包括:化學溶液處理、等離子體轟擊、加熱、光照。
[0015]進一步地，當對所述絕緣襯底的表面或所述體材料的表面中的一面進行活化處理時，使經過活化處理的表面帶有與所述活化處理的表面接觸的另一表面產生親和作用的極性官能團。
[0016]進一步地，當對所述絕緣襯底的表面和所述體材料的表面進行活化處理時，兩個被活化處理的表面可進行同種或者不同種的表面修飾，使兩個表面帶有產生親和作用的極性官能團。
[0017]進一步地，所述步驟(2)中，在對所述絕緣襯底的表面和/或待轉移至所述絕緣襯底的體材料的表面進行活化處理之前，還包括如下步驟:通過膠帶吸附所述體材料的表層材料，裸露出新鮮的體材料表面，獲得干凈的晶體表面。
[0018]進一步地，所述步驟(3)中從體材料表面剝離下來的二維薄膜的厚度包括:單原子層薄膜材料至9原子層薄膜材料。
[0019]與現有技術相比，本發明的有益效果是:
[0020]本發明通過表面改性技術，單次將二維薄膜材料從體材料轉移至絕緣襯底表面，直接在絕緣體襯底上獲得單層或者多層石墨烯等二維薄膜材料。使用本發明制備的二維薄膜材料鋪展均勻，并可避免多次轉移以及中間層材料造成的缺陷以及環境污染等問題。同時，本發明與硅基器件大規模制造工藝通融，可使高性能二維薄膜材料器件的制造研發沿用大規模平面印刷工藝，工藝流程簡單可控，重復性好，可用于自動化宏量生產。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021]圖1為本發明中絕緣襯底以及體材料的表面活化處理示意圖；
[0022]圖2為通過本發明實施例制備的SiO2絕緣襯底上石墨烯薄膜的光學照片；
[0023]圖3為通過本發明實施例制備的石墨烯薄膜的拉曼光譜；
[0024]圖4為通過本發明實施例制備的的MoS2薄膜的原子力顯微鏡測試圖；[0025]圖5為通過本發明實施例制備的的MoS2薄膜的原子力顯微鏡測試結果。
【具體實施方式】
[0026]以下結合附圖對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。
[0027]一種絕緣體上二維薄膜材料的制備方法，包括如下步驟:
[0028](I)根據需求選擇合適的絕緣襯底；絕緣襯底的材料為Si02、Si3N4、Mg0、BN、Si0N、FSG、AIN、云母、硼化玻璃、藍寶石、石英、硅膠中的一種，或已進行光刻圖形化的Si02、Si3N4、MgO、BN、SiON、FSG, AIN、云母、硼化玻璃、藍寶石、石英、硅膠中的一種；
[0029](2)通過膠帶吸附體材料的表層材料，裸露出新鮮的體材料表面，獲得干凈的晶體表面，方便對體材料的表面進行活化處理；體材料為石墨、BN、MoS2, WS2、NeSe2,Bi2、Sr2CaCu2O, NiCl2中的一種，或已進行光刻圖形化的石墨、BN、MoS2' WS2、NeSe2, Bi2'Sr2CaCu2O, NiCl2 中的一種；
[0030](3)對絕緣襯底的表面和/或待轉移至絕緣襯底的體材料的表面進行活化處理，經活化處理后的表面帶有包括-C00H，-OH, -NH2, -SH, -NO2, -NO, -OR在內的氫鍵、共價鍵等極性官能團，使待接觸的絕緣襯底表面和體材料表面產生親和作用；活化處理的方法為化學或物理處理方法，包括:化學溶液處理、等離子體轟擊、加熱、光照；
[0031]當對絕緣襯底的表面或體材料的表面中的一面進行活化處理時，使經過活化處理的表面帶有與所述活化處理的表面接觸的另一表面產生親和作用的極性官能團，從而促使另一表面極化產生誘導偶極，通過偶極誘導偶極相互作用使對應兩處表面產生親和作用；
[0032]當對絕緣襯底的表面和體材料的表面進行活化處理時，兩個被活化處理的表面可進行同種或者不同種的表面修飾，使兩個表面帶有產生親和作用的極性官能團；如圖1所示，體材料I表面經活化處理后 附著極性官能團2，絕緣襯底4表面經活化處理后附著極性官能團5，極性官能團2和極性官能團5發生親和反應3 ；
[0033](3)將絕緣襯底與體材料進行表面接觸，施加外物理場使二維薄膜材料從體材料表面剝離下來，剝離下來的二維薄膜的厚度包括:單原子層薄膜材料至9原子層薄膜材料，覆蓋到絕緣襯底的表面形成絕緣體上二維薄膜材料。
[0034]實施例1:
[0035]在4英寸(IOO)Si硅片表面生長熱氧化生長300nm SiO2薄膜作為絕緣襯底，選用厚度1_的高定向熱解石墨作為制備二維薄膜材料的體材料，制備步驟如下:
[0036]( I) SiO2薄膜表面活化處理
[0037]將帶有SiO2薄膜的硅片放入Piranha溶液后煮沸，煮沸時間I~20分鐘，靜置冷卻后用去離子水沖洗，并于室溫用N2干燥；該過程中，強氧化性的Piranha溶液使SiO2薄膜帶上羥基活性基團；
[0038](2)高定向熱解石墨表面活化處理
[0039]首先通過膠帶吸附高定向熱解石墨表層材料，裸露出新鮮的石墨材料表面，之后采用等離子體處理高定向熱解石墨表面，等離子體處理壓強為0.01Pa~lOOPa，氣體選擇
O2,O2流量為:10~lOOsccm，離子體電源頻率為13.56MHz~5GHz，輸出功率可為300~5000W，等離子體處理時間可為0.01s~100s，該過程中，等離子體處理使高定向熱解石墨帶上羥基活性基團；
[0040](3)石墨體材料與SiO2襯底發生親和作用
[0041]使高定向熱解石墨和襯底相互接觸，此過程中采用真空環境輔助接觸面緊密結合，擴大最后的二維薄膜材料制備面積，真空度為10_7Pa~1000Pa ;此過程中二者表面所帶羥基活性基團發生親和作用，氫鍵作用使接觸面結合作用增強；
[0042](4)石墨烯薄膜材料轉移至SiO2襯底表面
[0043]采用橫向或者縱向作用力作用于高定向熱解石墨和襯底，使二者分離，因高定向熱解石墨中原子層由范德瓦爾斯力結合，弱于石墨與襯底之間的結合力，分離過程中石墨烯二維薄膜材料201附著于SiO2襯底101表面，如圖2所示；
[0044](5)用顯微鏡以及拉曼光譜儀檢測石墨烯薄膜的存在和層數
[0045]用本發明提供的方法制備的絕緣體上石墨烯薄膜材料可用顯微鏡以及拉曼光譜儀檢測石墨烯薄膜的存在和層數，層數在I~9之間，可用來制備高遷移率場效應晶體管；使用本發明制備的石墨烯薄膜拉曼測試結果如圖3所示。
[0046]實施例2:
[0047]在4英寸(IOO)Si硅片表面生長熱氧化生長300nm SiO2薄膜作為絕緣襯底，選用厚度1_的高定向熱解石墨作為制備二維薄膜材料的體材料，制備步驟如下:
[0048]( I) SiO2薄膜表面活化處理
[0049]將帶有SiO2薄膜`的硅片放入Piranha溶液后煮沸，煮沸時間I~20分鐘，靜置冷卻后用去離子水沖洗，并于室溫用N2干燥；該過程中，強氧化性的Piranha溶液使SiO2薄膜帶上羥基活性基團；
[0050](2)石墨體材料與SiO2襯底發生親和作用
[0051]使高定向熱解石墨和襯底相互接觸，此過程中采用真空環境輔助接觸面緊密結合，擴大最后的二維薄膜材料制備面積，真空度為10_7Pa~1000Pa;此過程中，SiO2薄膜上的羥基活性基團促使高定向熱解石墨的表面極化產生誘導偶極，通過偶極誘導偶極相互作用使SiO2薄膜表面與石墨表面產生親和作用；
[0052](3)石墨烯薄膜材料轉移至SiO2襯底表面
[0053]采用橫向或者縱向作用力作用于高定向熱解石墨和襯底，使二者分離，因高定向熱解石墨中原子層由范德瓦爾斯力結合，弱于石墨與襯底之間的結合力，分離過程中石墨烯二維薄膜材料附著于SiO2襯底表面；
[0054](4)用顯微鏡以及拉曼光譜儀檢測石墨烯薄膜的存在和層數
[0055]用本發明提供的方法制備的絕緣體上石墨烯薄膜材料可用顯微鏡以及拉曼光譜儀檢測石墨烯薄膜的存在和層數，層數在I~9之間，可用來制備高遷移率場效應晶體管，用本發明制備的石墨烯薄膜拉曼測試結果如圖3所示。
[0056]實施例3:
[0057]在4英寸(IOO)Si硅片表面生長熱氧化生長300nm SiO2薄膜作為絕緣襯底，選用厚度1_的高定向熱解石墨作為制備二維薄膜材料的體材料，制備步驟如下:
[0058]( I) SiO2薄膜表面活化處理
[0059]將帶有SiO2薄膜的硅片放入1000ml乙醇溶液后，滴入3_氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)溶液，APTES溶液量為5~100ml，之后攪拌該混合溶液I~10小時，攪拌溫度10~50°C，然后乙醇清洗SiO2薄膜襯底，去離子水清洗SiO2薄膜襯底，并于室溫用N2吹干后，置于烘箱中烘烤，烘烤溫度50~200°C，烘烤時間0.1~5小時；該過程中，APTES溶液使SiO2薄膜帶上氨基活性基團；
[0060](2)高定向熱解石墨表面活化處理
[0061]將高定向熱解石墨放入1000ml乙醇溶液后，滴入3_氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)溶液，APTES溶液量為5~100ml，之后攪拌該混合溶液I~10小時，攪拌溫度10~50°C，然后乙醇清洗高定向熱解石墨，去離子水清洗高定向熱解石墨，并于室溫用N2吹干后，置于烘箱中烘烤，烘烤溫度50~200°C，烘烤時間0.1~5小時；該過程中，APTES溶液使高定向熱解石墨帶上氨基活性基團；
[0062](3)石墨體材料與SiO2襯底發生親和作用[0063]使高定向熱解石墨和襯底相互接觸，過程中采用真空環境輔助接觸面緊密結合，擴大最后的二維薄膜材料制備面積，真空度為KT7Pa~lOOOPa，此過程中二者表面所帶羥基活性基團發生親和作用，氨基相互作用使接觸面結合作用增強；
[0064](4)石墨烯薄膜材料轉移至SiO2襯底表面
[0065]采用橫向或者縱向作用力作用于高定向熱解石墨和襯底，使二者分離，因高定向熱解石墨中原子層由范德瓦爾斯力結合，弱于石墨與襯底之間的結合力，分離過程中石墨烯二維薄膜材料附著于SiO2襯底表面；
[0066](5)用顯微鏡以及拉曼光譜儀檢測石墨烯薄膜的存在和層數
[0067]用本發明的方法制備的絕緣體上石墨烯薄膜材料可用顯微鏡以及拉曼光譜儀檢測石墨烯薄膜的存在和層數，層數在I~9之間，可用來制備高遷移率場效應晶體管，用本發明制備的石墨烯薄膜拉曼測試結果如圖3所示。
[0068]實施例4:
[0069]在4英寸(IOO)Si硅片表面生長熱氧化生長300nm SiO2薄膜作為絕緣襯底，選用厚度1_的高定向熱解石墨作為制備二維薄膜材料的體材料，制備步驟如下:
[0070](I)高定向熱解石墨表面活化處理
[0071]將高定向熱解石墨放入1000ml乙醇溶液后，滴入3_氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)溶液，APTES溶液量為5~100ml，之后攪拌該混合溶液I~10小時，攪拌溫度10~50°C，然后乙醇清洗高定向熱解石墨，去離子水清洗高定向熱解石墨，并于室溫用N2吹干后，置于烘箱中烘烤，烘烤溫度50~200°C，烘烤時間0.1~5小時；該過程中，APTES溶液使高定向熱解石墨帶上氨基活性基團；
[0072](2)石墨體材料與SiO2絕緣襯底發生親和作用
[0073]使高定向熱解石墨和SiO2絕緣襯底相互接觸，過程中采用真空環境輔助接觸面緊密結合，擴大最后的二維薄膜材料制備面積，真空度為10_7Pa~lOOOPa，此過程中，高定向熱解石墨表面的氨基活性基團促使SiO2絕緣襯底的表面極化產生誘導偶極，通過偶極誘導偶極相互作用使石墨表面與SiO2薄膜表面產生親和作用；
[0074](3)石墨烯薄膜材料轉移至SiO2襯底表面
[0075]采用橫向或者縱向作用力作用于高定向熱解石墨和襯底，使二者分離，因高定向熱解石墨中原子層由范德瓦爾斯力結合，弱于石墨與襯底之間的結合力，分離過程中石墨烯二維薄膜材料附著于SiO2襯底表面；[0076](4)用顯微鏡以及拉曼光譜儀檢測石墨烯薄膜的存在和層數
[0077]用本發明的方法制備的絕緣體上石墨烯薄膜材料可用顯微鏡以及拉曼光譜儀檢測石墨烯薄膜的存在和層數，層數在I~9之間，可用來制備高遷移率場效應晶體管，用本發明制備的石墨烯薄膜拉曼測試結果如圖3所示。
[0078]實施例5:
[0079]在4英寸(IOO)Si硅片表面生長熱氧化生長290nm SiO2薄膜作為絕緣襯底，選用厚度0.5mm的MoS2礦石作為制備二維薄膜材料的體材料,制備步驟如下:
[0080]( I) SiO2薄膜表面活化處理
[0081]將帶有SiO2薄膜的硅片放入Piranha溶液后煮沸，煮沸時間I~20分鐘，靜置冷卻后用去離子水沖洗，并于室溫用N2干燥；該過程中，強氧化性的Piranha溶液使SiO2薄膜帶上羥基活性基團；
[0082](2) MoS2C石材料表面活化處理
[0083]首先通過膠帶吸附MoS2礦石表層材料，裸露出新鮮的MoS2材料表面，之后采用等離子體處理MoS2材料表面，等離子體處理壓強為0.01Pa~lOOPa，氣體選擇02，O2流量為:10~lOOsccm，離子體電源頻率為13.56MHz~5GHz，輸出功率可為300~5000W，等離子體處理時間可為0.01s~IOOs ;該過程中，等離子體處理使MoS2材料表面帶上羥基活性基團；
[0084](3) MoS2體材料與SiO2襯底發生親和作用
[0085]使MoS2礦石材料和襯底相互接觸，過程中采用真空環境輔助接觸面緊密結合，擴大最后的二維薄膜材料制備面積，真空度為10_7Pa~1000Pa ;該過程中二者表面所帶羥基活性基團發生親和作用，氫鍵作用使接觸面結合作用增強；
[0086](4) MoS2薄膜材料轉移至SiO2襯底表面
[0087]采用橫向或者縱向作用力作用于MoS2礦石材料和襯底，使二者分離，因MoS2礦石材料中原子層由范德瓦爾斯力結合，弱于MoS2與襯底之間的結合力，分離過程中MoS2 二維薄膜材料附著于SiO2襯底表面；
[0088](5)用顯微鏡及原子力顯微鏡檢測二維MoS2薄膜材料的存在及層數
[0089]用本發明的方法制備的絕緣體上MoS2薄膜材料可用顯微鏡及原子力顯微鏡檢測MoS2薄膜的存在及層數，層數在I~10之間，可用來制備高速高效極低功耗電子器件；用本發明制備的2~3層厚的MoS2薄膜原子力顯微鏡測試圖，如圖4所示，MoS2薄膜原子力顯微鏡測試結果如圖5所示，圖5中的厚度起伏，示意的是圖4中虛線截面厚度測試結果。
[0090]本發明通過表面改性技術，單次將二維薄膜材料從體材料轉移至絕緣襯底表面，直接在絕緣體襯底上獲得單層或者多層石墨烯等二維薄膜材料。使用本發明制備的二維薄膜材料鋪展均勻，并可避免多次轉移以及中間層材料造成的缺陷以及環境污染等問題。同時，本發明與硅基器件大規模制造工藝通融，可使高性能二維薄膜材料器件的制造研發沿用大規模平面印刷工藝，工藝流程簡單可控，重復性好，可用于自動化宏量生產。
[0091]以上所述僅為本發明的優選實施例而已，并不用于限制本發明，對于本領域的技術人員來說，本發明可以有各種更改和變化。凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種絕緣體上二維薄膜材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: (1)根據需求選擇合適的絕緣襯底； (2)對所述絕緣襯底的表面和/或待轉移至所述絕緣襯底的體材料的表面進行活化處理； (3)將所述絕緣襯底與所述體材料進行表面接觸，施加外物理場使二維薄膜材料從所述體材料表面剝離下來，覆蓋到所述絕緣襯底的表面。
2.如權利要求1所述的絕緣體上二維薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述絕緣襯底的材料為Si02、Si3N4、Mg0、BN、Si0N、FSG、AIN、云母、硼化玻璃、藍寶石、石英、硅膠中的一種，或已進行光刻圖形化的Si02、Si3N4、Mg0、BN、Si0N、FSG、AIN、云母、硼化玻璃、藍寶石、石英、硅膠中的一種。
3.如權利要求1所述的絕緣體上二維薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述體材料為石墨、BN、MoS2> WS2> NeSe2、Bi2、Sr2CaCu2O> NiCl2中的一種，或已進行光刻圖形化的石墨、BN、MoS2' WS2、NeSe2' Bi2、Sr2CaCu2O, NiCl2 中的一種。
4.如權利要求1所述的絕緣體上二維薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中對所述絕緣襯底的表面和/或待轉移至所述絕緣襯底的體材料的表面進行活化處理的方法為化學或物理處理方法，包括:化學溶液處理、等離子體轟擊、加熱、光照。
5.如權利要求1所述的絕緣體上二維薄膜材料的制備方法，其特征在于，當對所述絕緣襯底的表面或所述體材料的表面中的一面進行活化處理時，使經過活化處理的表面帶有與所述活化處理的表面接觸的另一表面產生親和作用的極性官能團。
6.如權利要求1所述的·絕緣體上二維薄膜材料的制備方法，其特征在于，當對所述絕緣襯底的表面和所述體材料的表面進行活化處理時，兩個被活化處理的表面可進行同種或者不同種的表面修飾，使兩個表面帶有產生親和作用的極性官能團。
7.如權利要求1所述的絕緣體上二維薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，在對所述絕緣襯底的表面和/或待轉移至所述絕緣襯底的體材料的表面進行活化處理之前，還包括如下步驟:通過膠帶吸附所述體材料的表層材料，裸露出新鮮的體材料表面，獲得干凈的晶體表面。
8.如權利要求1所述的絕緣體上二維薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中從體材料表面剝離下來的二維薄膜的厚度包括:單原子層薄膜材料至9原子層薄膜材料。
【文檔編號】C01B31/04GK103570001SQ201210252143
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年7月19日 優先權日:2012年7月19日
【發明者】解婧, 張陽, 羅巍, 李超波, 夏洋 申請人:中國科學院微電子研究所