還原爐噴嘴裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種還原爐噴嘴裝置，它為一個整體，噴嘴的頂部為錐形，在噴嘴的上部開有主孔，在噴嘴的側面開有斜孔，斜孔與水平方向成一定角度，斜孔的中心在同一個圓周上，斜孔的孔數為3個，每個孔間按120°間距均勻分布，噴嘴的底部為螺紋結構。噴嘴頂部錐形增加噴射阻力使進料混合氣向側孔噴射。主孔(2)為直口，氣速最大，向爐頂噴射物料。側孔(3)降低主孔噴射壓力減少主孔氣流對硅棒的沖擊力，側孔按120°方向均勻分布，朝向分別指對硅棒之間的空隙，不直接沖擊硅棒，同時側孔傾斜一定角度可增加硅棒中部和底部的氣流濃度分布，使爐內氣體濃度長更均勻。
【專利說明】還原爐噴嘴裝置
一、【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種還原爐噴嘴裝置，屬于多晶硅生產領域。
二、【背景技術】
[0002]在多晶硅生產過程中，進料混合氣的流量和流速對多晶硅的生長有很大的影響。在保證達到一定沉積速率的條件下，混合氣流量越大，爐產量越高。反應混合氣體的流速則影響反應爐內的氣體循環和濃度分布情況，較高氣速下爐內氣體形成湍動，有利于硅棒表面的氣相濃度得到更新增加氣體對沉積面的碰撞機會，還有利于爐內氣體濃度的均勻分布。而還原爐進料的流速和流量以及爐內氣場的分布都是由還原爐進料噴嘴的結構決定的。在等同壓力條件下，還原爐噴嘴的孔徑越大，其噴射的物料高度將會逐漸降低，這樣會因為物料的量少而導致硅棒上部，尤其是橫梁部位生長緩慢，甚至出現裂棒。另外，孔徑過大，會導致硅棒表面粗糙，出現塊狀顆粒，容易生成爆米花。還原爐的孔徑越小，其噴射的物料高度會增高，但是氣流速度會加大，這樣就會加大物料對硅棒的沖擊，使其發生搖擺或是硅棒出現凹槽，容易出現倒棒，尤其是出現倒芯。目前多晶硅生產中常出現硅棒生長不均勻，上重下輕或硅棒某處彎曲的情況。
三、實用新型內容
[0003]為解決以上硅棒生長不均勻的問題，本實用新型的目的是提供一種還原爐噴嘴裝置，其既能滿足物料的噴射高度，保證硅芯橫梁的生長，又能減少氣體對硅棒的沖刷而造成的硅棒生長不均勻。
[0004]為實現本實用新型的目的，本實用新型的技術方案是:一種還原爐噴嘴裝置，它為一個整體，噴嘴的頂部為錐形，在噴嘴的上部開有主孔，在噴嘴的側面開有斜孔，斜孔與水平方向成一定角度，斜孔的中心在同一個圓周上，斜孔的孔數為3個，每個孔間按120°間距均勻分布，噴嘴的底部為螺紋結構。
[0005]本實用新型噴嘴側面開孔后，增加氣體噴射的覆蓋面，使爐內物料濃度分布和氣速分布更均勻，從而提高硅棒生長的均勻性。
[0006]四、【專利附圖】
【附圖說明】
[0007]附圖1為本實用新型的結構示意圖。
[0008]其中:1—噴嘴，2主孔，3側孔，4螺紋。
五、【具體實施方式】
[0009]下面結合附圖和實施例對本實用新型做進一步說明。
[0010]參照附圖，本實用新型還原爐噴嘴裝置，它為一個整體，噴嘴I的頂部為錐形，在噴嘴I的上部開有主孔2，在噴嘴I的側面開有斜孔3，斜孔3與水平方向成一定角度，斜孔3的中心在同一個圓周上，斜孔3的孔數為3個，每個孔間按120°間距均勻分布，噴嘴I的底部為螺紋4結構。[0011]本實用新型為一個整體件，下部螺紋4可將噴嘴I和還原爐底盤內螺紋氣孔相連，采用螺紋連接方式方便更換。噴嘴頂部錐形增加噴射阻力使進料混合氣向側孔噴射。主孔2為直口，氣速最大，向爐頂噴射物料。側孔3降低主孔噴射壓力減少主孔氣流對硅棒的沖擊力，側孔按120°方向均勻分布，朝向分別指對硅棒之間的空隙，不直接沖擊硅棒，同時側孔傾斜一定角度可增加硅棒中部和底部的氣流濃度分布，使爐內氣體濃度長更均勻。有效解決硅棒底部和中部生長的凹彎現象。
【權利要求】
1.一種還原爐噴嘴裝置，它為一個整體，其特征在于:噴嘴(I)的頂部為錐形，在噴嘴(I)的上部開有主孔(2)，在噴嘴⑴的側面開有斜孔(3)，斜孔(3)與水平方向成一定角度，斜孔(3)的中心在同一個圓周上，斜孔(3)的孔數為3個，每個孔間按120°間距均勻分布，噴嘴(I)的底部為螺紋(4)結構。
【文檔編號】C01B33/027GK203411333SQ201320403868
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年6月28日 優先權日:2013年6月28日
【發明者】韋武杰, 史超, 薛濤 申請人:陜西天宏硅材料有限責任公司