電子照相用構件的生產方法和涂布液的制作方法
【專利摘要】提供有助于形成高品質電子照相圖像的電子照相用構件制造方法。具有導電性基體、彈性層和表面層的電子照相用構件的制造方法，其中，電子照相用構件的制造方法具有：第一步驟，在彈性層的表面上形成由用于形成表面層的涂布液制成的涂膜，該涂布液含有可水解硅烷化合物和由通式(2)表示的螯合鈦化合物的水解縮合物；和第二步驟，引起水解縮合物中的環氧基斷裂，由此引起水解縮合物交聯并形成表面層。
【專利說明】電子照相用構件的生產方法和涂布液
【技術領域】
[0001]本發明涉及電子照相用構件的生產方法和用于形成含有聚硅氧烷的膜的涂布液。
【背景技術】
[0002]近年來，伴隨著形成電子照相圖像過程的速度的增加，用于電子照相感光構件和充電構件彼此接觸的時間已變得相對短。這對穩定和確保電子照相感光構件的帶電是不利的。PTLl描述由含有由可水解硅烷化合物和可水解鈦化合物形成的縮合物的表面層涂布液形成的表面層增加相對介電常數并改進充電構件的充電性能。
[0003]引用列表
[0004]專利文獻
[0005]PTLl:日本專利申請特許公開N0.2011-154353
【發明內容】
_6] 發明要解決的問題
[0007]然而，根據PTLl的涂布液由于其原料的特性傾向于易于與水分反應。因此，對于可水解鈦化合物的量和水解中要使用的水的量各自存在合適的范圍。例如，當制備涂布液時的可水解的鈦化合物的量超過用于增加表面層的相對介電常數的合適的范圍時，涂布液易于白濁或引起沉淀。已白濁或已引起沉淀的涂布液的涂膜易于引起起顆粒或厚度不均勻。此外，包括由此類涂膜形成的表面層的充電構件具有由其中相對介電常數不均勻的厚度不均勻得到的部分，這可以用作電子照相感光構件的表面均勻帶電的質疑。
[0008]鑒于前述觀點，本發明的目的是提供能夠提供高品質電子照相圖像的電子照相用構件的生產方法。
[0009]此外，本發明的另一目的是提供用于形成抑制白濁或抑制引起沉淀并且可以抑制例如，涂膜形成時出現的涂膜不均勻的含有聚硅氧烷的膜的涂布液。
[0010]用于解決問題的方案
[0011]根據本發明，提供包括導電性基體、彈性層和表面層的電子照相用構件的生產方法，該方法包括:第一步驟，在彈性層的表面上形成含有由以下通式(I)表示的可水解硅烷化合物和由以下通式(2)表示的螯合鈦化合物的水解縮合物的表面層涂布液的涂膜；和第二步驟，通過水解縮合物中的環氧基的斷裂而使涂膜中的水解縮合物交聯以形成表面層。
[0012]通式(I)
[0013]R1-Si (OR2) (OR3) (OR4)
[0014]通式⑵
[0015]
【權利要求】
1.一種電子照相用構件的生產方法，所述電子照相用構件包括導電性基體、彈性層和表面層，其特征在于，所述方法包括: 第一步驟，在所述彈性層的表面上形成含有由以下通式(I)表示的可水解硅烷化合物和由以下通式(2)表示的螯合鈦化合物的水解縮合物的表面層形成用涂布液的涂膜；和第二步驟，通過所述水解縮合物中的環氧基的斷裂而使所述涂膜中的水解縮合物交聯以形成所述表面層，
在通式(I)中，R1表示由以下通式(3)-(6)的任意一種表示的烴基，和民-1?4各自獨立地表示烴基； 在通式(2)中，R5和R6各自獨立地表示具有I個以上且20個以下碳原子的直鏈或支鏈烷基，和R7-Rltl各自獨立地表示氫原子、具有I個以上且3個以下碳原子的烷基、或具有I個以上且3個以下碳原子的烷氧基； 通式(3)
通式(5)
在通式(3)-(6)中: Rn-R13、R16-R18, R23, R24, R29和R3tl各自獨立地表示氫原子、具有I個以上且4個以下碳原子的烷基、羥基、羧基或氨基； R14、R15, R19-R22^ R27> R28和R33-R36各自獨立地表示氫原子或具有I個以上且4個以下碳原子的烷基； R25> R26> R31和b各自獨立地表不氫原子、具有I個以上且4個以下碳原子的烷氧基、或具有I個以上且4個以下碳原子的烷基；和 n、m、l、q、S和t各自獨立地表示I以上且8以下的整數，p和r各自獨立地表示4以上且12以下的整數，和〃*〃表示與通式(I)中的硅原子的鍵合位置。
2.根據權利要求1所述的電子照相用構件的生產方法，其中: 所述水解縮合物包含所述由通式(I)表示的可水解硅烷化合物，所述由通式(2)表示的螯合鈦化合物，和由以下通式(7)表示的可水解硅烷化合物的水解縮合物: 通式(7)R37-Si (OR38) (OR39) (OR40) 在通式(7)中，R37表示烷基或芳基，和R38-R^1各自獨立地表示烴基。
3.根據權利要求1所述的電子照相用構件的生產方法，其中: 所述水解縮合物包含所述由通式(I)表示的可水解硅烷化合物，所述由通式(2)表示的螯合鈦化合物，和由以下通式(8)表示的可水解鈦化合物的水解縮合物: 通式(8)
T1-(OR41) (OR42) (OR43) (OR44) 在通式⑶中，R41-R44各自獨立地表示烴基。
4.根據權利要求1所述的電子照相用構件的生產方法，其中: 所述水解縮合物包含所述由通式(I)表示的可水解硅烷化合物，所述由通式(2)表示的螯合鈦化合物，由以下通式(7)表示的可水解硅烷化合物，和由以下通式(8)表示的可水解鈦化合物的水解縮合物: 通式(7)
R37-Si (OR38) (OR39) (OR40) 在通式中(7)，R37表示烷基或芳基，和R38-R4tl各自獨立地表示烴基； 通式(8)
T1-(OR41) (OR42) (OR43) (OR44) 在通式⑶中，R41-R44各自獨立地表示烴基。
5.根據權利要求1-4的任意一項所述的電子照相用構件的生產方法，其中所述由通式(2)表示的螯合鈦化合物為二異丙氧基鈦雙(乙酰丙酮)或二異丙氧基鈦雙(乙酰乙酸乙酯)。
6.一種涂布液，所述涂布液用于形成含有聚硅氧烷的膜，其特征在于，所述涂布液包含由以下通式(I)表示的可水解硅烷化合物和由以下通式(2)表示的螯合鈦化合物的水解縮合物: 通式(I)
在通式(I)中，R1表示由以下通式(3)-(6)的任意一種表示的烴基，和民-1?4各自獨立地表示烴基；在通式(2)中，R5和R6各自獨立地表示具有I個以上且20個以下碳原子的直鏈或支鏈烷基，和R7-Rltl各自獨立地表示氫原子、具有I個以上且3個以下碳原子的烷基、或具有I個以上且3個以下碳原子的烷氧基，
在通式(3)-(6)中: Rn-R13、R16-R18, R23、R24, R29和R3tl各自獨立地表示氫原子、具有I個以上且4個以下碳原子的烷基、羥基、羧基或氨基； R14、R15, R19-R22^ R27> R28和R33-R36各自獨立地表示氫原子或具有I個以上且4個以下碳原子的烷基； R25> R26> R31和b各自獨立地表不氫原子、具有I個以上且4個以下碳原子的烷氧基、或具有I個以上且4個以下碳原子的烷基；以及 n、m、l、q、S和t各自獨立地表示I以上且8以下的整數，p和r各自獨立地表示4以上且12以下的整數，和〃*〃表示與通式(I)中的硅原子的鍵合位置。
7.根據權利要求6所述的涂布液，其中，所述由通式(2)表示的螯合鈦化合物為二異丙氧基鈦雙(乙酰丙酮)或二異丙氧基鈦雙(乙酰乙酸乙酯)。
【文檔編號】C08G59/30GK104204961SQ201380018308
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2013年3月15日 優先權日:2012年3月29日
【發明者】鈴村典子, 土井孝之, 益啟貴, 兒玉真隆, 倉地雅大, 黑田紀明 申請人:佳能株式會社