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石墨基碳化硅氣相沉積的板式換熱器的制作方法

文檔序號:11617318閱讀:265來源:國知局

本發明涉及一種板式換熱器的材料和結構。



背景技術:

常用的板式換熱器是由一系列波紋形狀的金屬片疊裝而成的高效換熱器,各個板片之間形成薄的矩形通道,在矩形通道內外流過不同溫度的兩種介質進行熱交換。

申請號為2006100312653的發明公開了一種碳化硅納米管的制備方法,其包括以下步驟:(1)石墨片基板清洗,干燥;(2)基板催化劑溶液浸泡催化劑為fe、co、ni等金屬有機化合物,助催化劑為含硫有機化合物;(3)化學氣相沉積氣源化合物為含si-c鍵且可氣化的有機化合物,載氣為氮氣或氫氣或氨氣或其中至少兩種的混合氣,載氣/氣源化合物之摩爾比為4.5-7.0,氣相沉積溫度為800~1100℃,沉積時間0.8-1.5h;(4)純化處理。該發明提供了一種碳化硅氣相沉積的技術,工藝參數比較苛刻,不適合大體積的制品使用。

專利申請號為2012101606467的改性酚醛-石墨板式換熱器,該板片是由改性酚醛樹脂和石墨粉兩部分配制而成,其改性酚醛樹脂是由酚醛樹脂、環氧樹脂、丁腈橡膠、聚乙烯醇縮丁醛、石油磺酸、t31試劑、玻璃纖難、無水乙醇按比例配制而成,再將上述改性酚醛樹脂與石墨粉進行捏合、擠出、粉碎、模壓固化制成改性酚醛-石墨板式換熱器的板片。該發明雖然耐腐蝕性較好,但是基體是石墨粉體,力學強度較低。



技術實現要素:

發明目的:

提供一種耐腐蝕性高、力學性能耗、制造工藝簡單的石墨基碳化硅氣相沉積的板式換熱器。

技術方案:

本發明的石墨基碳化硅氣相沉積的板式換熱器,由全石墨材料制成,其中含有板式換熱管路(矩形通道),在板式換熱管路的內壁具有氣相沉積的sic薄層。

該板式換熱器,采用下列工藝步驟的制造方法制造而成:

1)采用石墨材料制成板式換熱器,具有石墨管殼和其內部的石墨換熱管路;

2)利用石墨材料本身導電發熱的特點,在石墨換熱管路的兩端施加電壓,由于石墨換熱管路自身具有電阻,通電后會產生電阻熱。通電加熱至850-950℃(氣相沉積時的氣體溫度可能更高,因為沉積到固體表面時溫度下降很快,而本發明直接加熱固體材料,升溫快速,溫度穩定性較好,溫度變化范圍較小,沉積的碳化硅成分比較純凈,分布比較均勻。優選890-920℃左右),在換熱管路中通入sic的氣相原材料,在換熱管路的內部產生氣相sic,沉積在內壁形成0.2-0.85微米厚度的sic沉積薄層,該厚度能夠具有良好的耐腐蝕性,又具有較高的附著力;

3)斷電降溫冷卻,使得sic薄層牢固地沉積在石墨換熱管路的內壁,使得石墨表面的微孔封閉,形成sic保護層。優選斷電后在換熱管路的一端繼續通入sic的氣相原材料,加快降溫速度,同時又不會帶進其它成分污染熱換管路內壁,形成連續的sic保護層。

有益效果:

本發明的板式換熱器矩形通道中具有比普通石墨更好的耐化學介質腐蝕性能,能供多種介質的冷媒通過成為加熱升溫了的熱介質,矩形通道的外部供熱的水汽通過,形成降溫后的冷凝水。

本發明的制造方法,利用自身石墨材料作為加熱載體,工藝設施簡單,加熱溫度控制精確,沉積質量好,沉積碳化硅效率高,而且成型溫度較低,消耗能源較少。而且三廢排放少,副產物少,環保性能較好。

附圖說明

圖1是本發明的一種橫截面結構示意圖;

圖中,1-熱水入口;2-管程;3-殼體;4-殼程;5-冷凝水出口;6-sic薄層;7-板式換熱管路。

具體實施方式

如圖1所示的石墨基碳化硅氣相沉積的板式換熱器,由全石墨材料制成,其中含有石墨管殼(包圍形成殼程,配套有熱水入口和冷凝水出口)和其內部的石墨換熱管路,板式換熱管路具有矩形通道(管程),在板式換熱管路的內壁具有氣相沉積的0.2-0.85微米厚度的sic薄層。

該板式換熱器采用下列工藝步驟的制造方法制造而成:

1)采用石墨材料制成板式換熱器;

2)在石墨換熱管路的兩端施加電壓,通電后會產生電阻熱,通電加熱至890-920℃,在換熱管路中通入sic的氣相原材料,在換熱管路的內部產生氣相sic;

3)斷電降溫冷卻,斷電后在換熱管路的一端繼續通入sic的氣相原材料,加快降溫速度,使得sic薄層牢固地沉積在石墨換熱管路的內壁形成0.2-0.85微米厚度的連續的sic沉積薄層。



技術特征:

技術總結
本發明提供了一種石墨基碳化硅氣相沉積的板式換熱器及其制造方法,由全石墨材料制成,其中含有板式換熱管路,在板式換熱管路的內壁具有氣相沉積的SiC薄層。該板式換熱器采用下列工藝步驟的制造方法制造而成:采用石墨材料制成板式換熱器,在石墨換熱管路的兩端施加電壓加熱至850?950℃,在換熱管路中通入SiC的氣相原材料在換熱管路的內部產生氣相SiC沉積薄層。本發明的板式換熱器矩形通道中具有比普通石墨更好的耐化學介質腐蝕性能,利用自身石墨材料作為加熱載體,工藝設施簡單,沉積碳化硅效率高。

技術研發人員:仇曉豐;楊穎
受保護的技術使用者:貴州蘭鑫石墨機電設備制造有限公司
技術研發日:2017.05.22
技術公布日:2017.08.04
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