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集成電路及半導體模塊的制作方法

文檔序號:34656494發布日期:2023-06-30 01:49閱讀:來源:國知局

技術特征:
1.一種集成電路,其特征在于,包括:被施加電源電壓的電源線;電連接到所述電源線的恒定電流源;以及電連接到所述恒定電流源的基準電壓電路。2.如權利要求1所述的集成電路,其特征在于,包括第一電阻,該第一電阻的一端電連接到所述恒定電流源,另一端電連接到所述基準電壓電路。3.如權利要求1所述的集成電路,其特征在于,包括二極管,該二極管的陽極電連接到所述恒定電流源,陰極電連接到所述基準電壓電路。4.如權利要求1所述的集成電路,其特征在于,包括第一齊納二極管,該第一齊納二極管的陰極電連接到所述恒定電流源,陽極接地,并且所述第一齊納二極管與所述基準電壓電路并聯地設置。5.如權利要求1至4中任一項所述的集成電路,其特征在于,所述基準電壓電路是包括雙極元件的帶隙型電路。6.如權利要求1至5中任一項所述的集成電路,其特征在于,確定所述恒定電流源的電流的值,使得在溫度為從所述基準電壓電路流向接地的漏電流產生的規定溫度以上的情況下,從所述基準電壓電路流向接地的電流的值被限制為所述恒定電流源的電流的值。7.如權利要求1至6中任一項所述的集成電路,其特征在于,規定溫度下的由所述恒定電流源提供給所述基準電壓電路的第一電流的電流值小于所述基準電壓電路連接到所述電源線的狀態下在所述規定溫度下的從所述電源線提供給所述基準電壓電路的第二電流的電流值。8.如權利要求1至7中任一項所述的集成電路,其特征在于,所述集成電路包括偏置電流源,所述恒定電流源具有:有所述偏置電流源的偏置電流流過的第一mos晶體管;以及第二mos晶體管,該第二mos晶體管與所述第一mos晶體管一起構成電流鏡電路,并向所述基準電壓電路提供恒定電流。9.如權利要求8所述的集成電路,其特征在于,所述偏置電流源包括:第二齊納二極管;以及第三mos晶體管,該第三mos晶體管基于在所述第二齊納二極管中產生的電壓生成所述偏置電流。10.如權利要求8所述的集成電路,其特征在于,所述偏置電流源包括進行二極管連接的耗盡型mos晶體管。11.如權利要求1至10中任一項所述的集成電路,其特征在于,所述基準電壓電路包括:被提供來自所述恒定電流源的電流的第一電流源;
被提供來自所述恒定電流源的電流并且并聯地電連接到所述第一電流源的第二電流源;被提供來自所述第一電流源的電流的第一雙極晶體管;被提供來自所述第二電流源的電流的第二電阻;以及電連接到所述第二電阻的第二雙極晶體管,所述基準電壓電路輸出所述第二電阻的電壓作為溫度補償后的基準電壓。12.一種半導體模塊,其特征在于,包括如權利要求1至10中任一項所述的集成電路。

技術總結
本發明提供一種集成電路,其包括施加電源電壓的電源線、電連接到所述電源線的恒定電流源、以及電連接到所述恒定電流源的基準電壓電路。路。路。


技術研發人員:赤羽正志
受保護的技術使用者:富士電機株式會社
技術研發日:2022.03.30
技術公布日:2023/6/29
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