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信息存儲應用技術
  • 一種閃存顆粒篩選分級方法與流程
    本發明涉及閃存領域,更為具體的,涉及一種閃存顆粒篩選分級方法。、閃存顆粒一般分為消費級、企業級、工業級三類,其中消費級和企業級閃存顆粒一般是標溫顆粒,即應用于~℃的溫度范圍,工業級閃存顆粒則是寬溫顆粒,通常可應用于-~℃的寬溫環境。而閃存廠商提供的寬溫顆粒一般來說都是內部進行篩選測試而擇出...
  • 存儲器的讀取電路的制作方法
    本發明涉及一種存儲器的讀取電路。、阻變隨機存儲器(rram;resistive?random?access?memory)是一種以非導性材料的電阻在外加電場的作用下在高阻態和低阻態之間實現可逆轉換為基礎的新興的非揮發性存儲技術。它具有靜態隨機存儲器的高速讀寫能力、動態隨機存儲器的高集成度,...
  • 傳感器參數恢復方法、傳感器、傳感器芯片及存儲介質與流程
    本申請涉及傳感器,特別涉及一種傳感器參數恢復方法、傳感器、傳感器芯片及存儲介質。、隨著社會的進步,對電子產品的要求越來越高,受限于電子產品的尺寸空間,電路板的設計布局尺寸也受到限制,同時面臨價格、工業應用環境等要求,對電源及相關輔助器件的選型帶來挑戰,尤其體現在傳感器應用領域。傳感器的電子...
  • 一種基于隧穿場效應晶體管的動態隨機存取存儲器陣列及其控制方法
    本發明屬于半導體,具體涉及一種基于隧穿場效應晶體管的動態隨機存取存儲器陣列及其控制方法。、人工智能物聯網(aiot)技術的發展為半導體存儲器提出了更高的要求,aiot邊緣端和節點端的設備均需要低功耗、低成本、相對大規模的存儲器。、然而,傳統的易失型存儲器中,靜態隨機存取存儲器的硬件代價和靜...
  • 一種輪換式交替訪問3D NAND存儲器可靠性并行測試方法與流程
    本發明涉及一種輪換式交替訪問d?nand存儲器可靠性并行測試方法,屬于存儲器可靠性測試。、隨著科技的不斷發展,存儲器在各種電子產品中的應用越來越廣泛,其可靠性問題也日益受到關注。在實踐中,為了測試存儲器的可靠性,通常需要進行長時間的疲勞試驗,以模擬實際應用中的各種情況。這種方法不僅耗時,而...
  • 電流發送器中低輸出電壓擴展的設備和方法與流程
    本公開涉及集成電路,并且更具體地涉及包括電流模式發送器(transmitter)的集成電路。、集成電路用于多種應用。在許多應用中,期望將數據從一個設備發送到另一個設備。能夠以多種方式利用集成電路來發送和接收數據。集成電路可以將數據發送到同一印刷電路板上或其它配置或系統中的其它集成電路。、一...
  • 存儲器設備、具有存儲器設備的存儲器系統及其操作方法與流程
    本發明構思涉及一種存儲器設備、包括該存儲器設備的存儲器系統及其操作方法。、一般地,動態隨機訪問存儲器(dram)執行刷新操作,以維持存儲的數據。也就是說,dram可以通過刷新操作來維持存儲在單元(cell)電容器中的數據。隨著工藝技術的發展(諸如集成度的增加),dram單元間的間隙日益縮小...
  • 新興非易失存算一體系統及其電壓降影響補償方法、電路
    本發明屬于存算一體,更具體地,涉及新興非易失存算一體系統及其電壓降影響補償方法、電路。、新興非易失存算一體系統,即基于新興非易失存儲器件(emerging?nonvolatilememory,envm)的存算一體(processing?in?memory,pim)系統可進行數據存儲和計算操...
  • 使用分段存儲器體系架構的模擬存儲器內計算處理電路的制作方法
    本文的實施例涉及模擬存儲器內(in-memory)計算處理電路,并且具體地涉及用于模擬存儲器內計算的分段存儲器(例如,靜態隨機存取存儲器(sram))體系架構的使用。、參考圖,其示出了模擬存儲器內計算電路的示意圖。電路利用包括以具有n行和m列的矩陣格式布置的存儲器單元的陣列(例如,由標準t...
  • 存儲系統的制作方法
    本發明涉及存儲系統的存儲控制器替換。、近年來,因nand型閃存的大容量化,在存儲系統中保存有大量的數據。另外,要求存儲系統能夠在不對上級應用造成業務影響的情況下將硬件和軟件更換為最新的硬件和軟件。通常,為了更換存儲系統,新存儲系統側的設定和數據遷移過程需要時間。、美國專利第號說明書示出了用...
  • 提高3D NAND系統中的編程操作速度的方法與流程
    本說明書涉及用于編程操作的存儲器設備和方法。具體地,存儲器設備和方法提高了編程操作的效率。、存儲器設備(例如,閃存存儲器芯片)可以通過將電壓(例如,編程電壓)施加到存儲單元來編程存儲器設備的存儲單元。然后,存儲器設備驗證存儲單元是否滿足電壓范圍或所需電壓。例如,存儲器設備可以將一個或多個參...
  • 一種存儲設備壽命預測方法、裝置、設備和存儲介質與流程
    本申請涉及設備壽命預測,特別是涉及一種存儲設備壽命預測方法、裝置、設備和存儲介質。、隨著人工智能、大數據的快速發展,以快閃存儲器為存儲介質的存儲設備如固態硬盤設備快速發展。相對于傳統機械硬盤設備,雖然閃存介質存儲設備具有速度快等優點,但是閃存介質具有閃存壽命限制,閃存介質隨著擦除/編程次數...
  • 動態隨機存儲器測試方法及裝置與流程
    本公開涉及存儲器,具體而言,涉及一種動態隨機存儲器測試方法及裝置。、隨著片上系統(system?on?chip,soc)中存儲器所占的比例越來越大,存儲器的品質對片上系統整體性能的影響也越來越大。在芯片制造完成后,測試是用于檢測存儲器故障的重要環節,例如進行晶圓級測試和封裝級測試。、一些動...
  • 一種三維堆疊結構及控制方法與流程
    本發明涉及微電子,尤其涉及一種三維堆疊結構及控制方法。、隨著半導體技術的發展,縮減芯片制程尺寸所花費的成本越來越難以承受。dic(three?dimensional?integrated?circuit,三維集成電路)堆疊技術能夠在縮小芯片尺寸的同時,還能有效地增強電子產品的功能和實現特有...
  • 用于生成讀時序信號的方法及裝置、EEPROM與流程
    本申請涉及eeprom(electrically?erasable?programmable?read-only?memory,帶電可擦可編程只讀存儲器),例如涉及一種用于生成讀時序信號的方法及裝置、eeprom。、目前,eeprom讀時序電路的實現方式均以rc充電產生延遲的方式生成預充階...
  • SOT-MRAM單元、存儲器及其寫入方法與流程
    本發明涉及磁性存儲器,尤其涉及一種sot-mram單元、存儲器及其寫入方法。、mram(magnetoresistive?random?access?memory,磁性隨機存儲器)為新型的非易失性存儲器,mram位元包括個磁性隧道結(mtj)、個或多個場效應管(mosfet),其中mtj通...
  • 存儲陣列、內容尋址存儲器、電子設備的制作方法
    本申請涉及存儲器,尤其涉及一種存儲陣列、內容尋址存儲器、電子設備。、三態內容尋址存儲器(ternary?content?addressable?memory,tcam)是一種具有讀取、寫入以及搜索等功能的存儲器,其存儲內容包括“”、“”、“x”三種狀態,可根據其存儲內容進行尋址。、在相關技...
  • 用于深度學習人工神經網絡中的模擬神經存儲器的輸出電路的制作方法
    公開了用于深度學習人工神經網絡中的模擬神經存儲器的輸出電路的多個實施方案。、人工神經網絡模擬生物神經網絡(動物的中樞神經系統,特別是大腦),并且用于估計或近似可取決于大量輸入并且通常未知的函數。人工神經網絡通常包括互相交換消息的互連“神經元”層。、圖示出了人工神經網絡,其中圓圈表示神經元的...
  • 存儲陣列及提高存儲陣列的數據讀取準確度的方法與流程
    本公開的實施例涉及集成電路,具體地,涉及存儲陣列及提高存儲陣列的數據讀取準確度的方法。、存儲陣列通常包括多個半導體存儲裝置。位于同一行的半導體存儲裝置可共用一個感測放大器(sa)。在對存儲陣列中的某個半導體存儲裝置發起讀操作時,會首先發送激活命令,然后發送“讀”操作指令。在這個過程中,半導...
  • 具有多個時延集合的存儲器裝置及其操作方法與流程
    本發明大體上涉及存儲器裝置,且更確切地說,涉及具有多個時延集合的存儲器裝置及其操作方法。、在計算系統中經常提供存儲器裝置用于數字信息的存儲。由于存儲器裝置已隨著時間改進,因此提供準許更復雜操作的額外特征或允許按特定使用情況優化存儲器裝置已經變為可能。舉例來說,存儲器裝置可以提供各種操作特征...
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