專利名稱：光刻裝置、器件制造方法、由此制造的器件及可控構圖部件的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種光刻裝置，一種器件制造方法、用該方法制造的器件以及用于對輻射光束構圖的可控構圖部件。
背景技術：
光刻裝置是將期望的圖案施加到基底靶部上的一種機器。光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造、平板顯示器和包括微細結構的其他器件。在常規的光刻裝置中，構圖部件或者可以稱為掩模或中間掩模版，它可以用于產生相應于IC(或其他器件)的一個單獨層上的電路圖案，該圖案可以成像在具有輻射敏感材料層(抗蝕劑)的基底(例如硅晶片或玻璃板)的靶部(例如包括一部分，一個或者多個管芯)上。
代替掩模，構圖部件包括單獨可控元件的陣列，該可控元件用于形成電路圖案。在基底靶部上產生的圖案可以在數字域中形成，然后需要將其轉換成單獨元件的相應的精確限定狀態。期望的是能夠以較高的速度更新元件的狀態。可以使用靜電力來控制可控元件的位置(即狀態)。例如，通過向一個或多個鄰接可動元件布置的控制電極施加合適的控制電壓可以實現移動。這樣，將期望圖案轉換成合適的元件狀態包括從數字數據產生多個模擬控制電壓，每個控制電壓相應于對應的元件。期望的是以一種方式獲得這種數模轉換，使得可控構圖部件中的所有元件的狀態以較快的速度更新，同時具有較低的功耗、較低的復雜性、高的可靠性、機械強度和電氣強度，以及較低的成本。
陣列包含大量的元件，例如達到大約2,500,000個單獨元件，或者包含更大數量的元件。如果通過將相應的多個數值順序轉換成模擬控制值，依次更新元件狀態(配置)，在總體上需要高的構圖部件的更新速度時，就會導致多個問題。
利用遠離構圖部件的DAC(數-模轉換器)，可以實現將數字控制信號(表示期望的元件狀態)轉換成模擬控制電壓，然后通過一個或多個模擬輸入通道將模擬電壓提供給單個單元。每個通道可以是傳輸線，由于施加到傳輸線上相對高的電壓，就不可能使模擬電壓的特性終止。
單獨可控元件的陣列可以是對熱敏感的。一種已知的架式(shelf)DAC和放大器的組合包含30V、1GHz的運算放大器，其靜態電流大約為10mA。對于1000個通道來說這需要300W的功率輸出。該靜態功率主要以熱的形式耗散，如果DAC和驅動放大器的組合布置成靠近陣列以減小傳輸線的長度，就會使元件陣列產生故障。ASIC設計通常更加有效，但是也會耗散相當數量的功率。
使用結合了運算放大器的DAC電路的另一個問題是處于高頻的反饋回路通常包含很大串聯電感(相應于運算放大器的出端阻抗)。由于與具有大電容元件的每個元件的輸入耦合，這可能得到LC諧振器，其易于導致不期望的響聲。這樣就會延長向每個元件施加電壓的穩定時間，從而減小陣列的更新速度。
術語“寫動作”可以定義為包括為單個元件提供合適的控制電壓的一個步驟或一連串步驟。根據一種可能的更新技術，對于單元陣列中的一列元件來說，需要的寫動作的最大次數等于不同可能電壓值的最大數量(假定需要相同電壓的那些單元在同一時刻被供給該電壓)。因此，用于對一列中的所有元件進行編程的時間必須足夠長，以便獲得所有可能的模擬電壓值。對于一個8位系統，需要256次寫動作。
每個模擬輸入通道所需的速度取決于每個通道提供的元件數量和陣列的更新速度。用于制造平板顯示器的光刻裝置的更新速度為大約50kHz(給出大約20μs的更新周期)。單獨可控元件陣列具有大約100,000個宏像素，每個宏像素由大約25個元件組成。每個宏像素可以作為單個單元進行控制。除了大約20μs更新周期，每個元件的機械穩定需要大約10μs。對于精確度，提供給每個元件的模擬電壓必須允許充分的時間以穩定到其校正值的大約0.4％內(對于八位數字信號來說)。該穩定時間取決于輸出電壓范圍、電壓輸出的轉換速度、最大輸出電流和負載電容。對于典型的電壓范圍是25V的運算放大器來說，每個模擬電壓需要大約100ns的穩定時間。因此要在10μs內給所有100,000個宏像素編程將需要大約1000個模擬通道。
由于需要大量的輸入與陣列連接，因此具有1000個模擬輸入通道是不期望的。這將導致制造陣列的成本增加。附加地，這種大量的輸入可能導致可靠性問題、高的功耗、所需的板空間增大以及通道間交叉干擾的問題。
對于某些光刻處理，需要單獨進行控制的元件的數量可能更多，例如2,500,000個元件。將來這個數字可能會增大到超過10,000,000個元件。附加地，所需的更新速度也可能增大，從而改進光刻裝置的處理能力。很明顯，繼續采用上面的技術的話，所需模擬輸入的數量很快就會變得難以處理。
因此需要的是一種利用更加有效和有效率的構圖部件的系統和方法。
發明內容
根據本發明的一個實施例，提供一種光刻裝置，包括提供輻射光束的照射系統，具有用于將圖案賦予給光束截面的單獨可控元件陣列的可控構圖部件，布置成控制構圖部件的控制系統，支撐基底的基底臺，和將帶圖案的光束投影到基底靶部的投影系統。構圖部件包括多個單元，每個單元包括單獨可控元件中相應的一個和相應的局部控制電路，該控制電路可控制成產生相應的控制電壓，控制電壓可確定相應可控元件的配置。控制系統適合于輸出電壓信號。該裝置還包括布置成向每個單元提供電壓信號的供給通道。控制系統還適合于向多個局部控制電路提供控制信號。每個局部控制電路包括將電路與供給通道連接的第一相應的可控開關裝置和多個相應的其他電子元件，每個局部控制電路響應于控制信號從電壓信號產生相應的控制電壓。
根據本發明的另一個實施例，提供一種器件制造方法，包括以下步驟提供基底，使用照射系統提供輻射光束，使用包括單獨可控元件陣列的可控構圖部件以將圖案賦予給光束的截面，然后將帶圖案的光束投影到基底靶部，其中構圖部件包括多個單元，每個單元包括單獨可控元件中相應的一個和相應的局部控制電路，該控制電路可控制成產生相應的控制電壓，控制電壓可確定相應的可控元件的配置，每個局部控制電路包括第一相應的可控開關裝置和多個相應的其他電子元件。該方法還包括向每個單元提供電壓信號，向多個局部控制電路提供控制信號，每個局部控制電路響應于控制信號從電壓信號產生相應的控制電壓。
根據本發明的又一個實施例，提供一種光刻裝置，包括提供輻射光束的照射系統，具有用于將圖案賦予給光束截面的單獨可控元件陣列的可控構圖部件，布置成控制構圖部件的控制系統，支撐基底的基底臺，和將帶圖案的光束投影到基底靶部的投影系統。該控制系統布置成產生確定相應可控元件的配置的相應控制電壓。控制系統包括數模轉換器，其布置成順序接收相應于期望控制電壓的多位數字信號，將該數字信號分成至少兩個較短的數字信號，然后將每個較短的數字信號提供給相應的多路信號分離器。每個多路信號分離器布置成控制與多個電壓輸入線連接的開關。由第一多路信號分離器控制的第一組開關的輸出相對另一組開關的輸出成比例，所有的輸出連接在一起以形成控制電壓，并且該裝置還包括布置成向每個相應元件提供各個控制電壓的通道。
根據本發明的又一個實施例，提供一種器件制造方法，包括以下步驟提供基底，使用照射系統提供輻射光束，使用包括單獨可控元件陣列的可控構圖部件以將圖案賦予給光束的截面，然后將帶圖案的輻射光束投影到基底靶部，其中控制系統布置成產生相應的控制電壓，控制電壓可確定相應的可控元件的配置。該方法還包括控制系統順序接收相應于期望控制電壓的多位數字信號，將該數字信號分成至少兩個較短的數字信號，將每個較短的數字信號提供給相應的多路信號分離器，每個多路信號分離器控制與多個電壓輸入線連接的多個開關，由第一多路信號分離器控制的第一組開關的輸出相對另一組開關的輸出成比例，所有的輸出連接在一起以形成控制電壓，然后將控制電壓提供給單獨可控元件陣列。
根據本發明的又一個實施例，提供一種光刻裝置，包括提供輻射光束的照射系統，具有用于將圖案賦予給光束截面的單獨可控元件陣列的可控構圖部件，布置成控制構圖部件的控制系統，支撐基底的基底臺，和將帶圖案的光束投影到基底靶部的投影系統。構圖部件包括多個單元，每個單元包括單獨可控元件中相應的一個和相應的DAC電路。控制電路布置成向每個DAC提供相應的數字信號，每個DAC電路布置成從相應的數字信號產生相應的模擬控制電壓，該相應的模擬控制電壓可確定單元中相應可控元件的配置。
根據本發明的又一個實施例，提供一種器件制造方法，包括以下步驟提供基底，使用照射系統提供輻射光束，使用包括單獨可控元件陣列的可控構圖部件以將圖案賦予給光束的截面，然后將帶圖案的光束投影到基底靶部，其中構圖部件包括多個單元，每個單元包括單獨可控元件中相應的一個和相應的DAC電路。該方法還包括向每個DAC電路提供相應的數字信號，使用每個DAC電路從相應的數字信號產生相應的模擬控制電壓。相應的模擬控制電壓可確定單元中相應的可控元件的配置。
根據本發明的又一個實施例，提供一種包括多個可控元件陣列的可控構圖部件，其用于將圖案賦予給輻射光束的截面，其中構圖部件包括多個單元，每個單元包括單獨可控元件中相應的一個和相應的DAC電路，每個DAC電路適合于接收相應的數字信號，并從該相應的數字信號產生相應的模擬控制電壓，該相應的模擬控制電壓可確定單元中相應可控元件的配置。
根據本發明的又一個實施例，提供一種包括多個可控元件陣列的可控構圖部件，其用于將圖案賦予給輻射光束的截面，其中構圖部件包括多個單元，每個單元包括單獨可控元件中相應的一個和相應的局部控制電路，該控制電路可控制成產生相應的控制電壓，該控制電壓可確定相應可控元件的配置，每個局部控制電路包括第一相應的可控開關裝置和多個相應的其他電子元件，該可控開關裝置操作成將電路與供給通道連接，以便向每個單元提供電壓信號，每個局部控制電路適合于接收控制信號，并從電壓信號產生相應的控制電壓。
根據本發明的又一個實施例，提供一種使用根據上述實施例的方法或裝置制造的器件。
根據本發明的又一個實施例，提供一種使用根據上面描述的實施例的方法或裝置制造的FPD(平板顯示器)。
根據本發明的又一個實施例，提供一種在如上所述的光刻裝置中使用的可控構圖部件。
下面參考附圖詳細描述本發明的進一步實施例、特征和優點，以及本發明各個實施例的結構和操作。
在此結合的附圖構成說明書的一部分，它和說明書一起說明了本發明的一個或多個實施例，并用于解釋本發明的原理和使本領域技術人員制造和使用本發明。
圖1示出了根據本發明的一個實施例的光刻裝置。
圖2示出了根據本發明的一個實施例的分布式數模轉換器。
圖3示出了根據本發明的一個實施例的電荷收集電路。
圖4示出了根據本發明的一個實施例的電荷收集電路陣列。
圖5示出了根據本發明的一個實施例在圖3中結合了取樣和保持電路的電荷收集電路。
圖6示出了根據本發明的一個實施例使用單個傾斜的電源電壓的元件改編程序的原理。
圖7示出了根據本發明的一個實施例的時分交換的模擬電壓編程電路。
圖8示出了根據本發明的一個實施例的脈寬調制模擬電壓編程電路。
圖9示出了根據本發明的一個實施例的數模轉換器。
現在參考附圖描述本發明。在附圖中，相似的參考數字表示相似或功能類似的元件。附加地，參考數字中最左邊的數字可以確定其中參考數字第一次出現的附圖。
具體實施例方式
概述本發明的一個或多個實施例包括提供一種系統或方法，其增加了被同時編程的元件數量以增大陣列的更新速度。附加地，減小了陣列所需的高速模擬輸入的數量。減小了陣列的復雜程度，和增大了陣列的最大更新速度。此外，陣列中元件的數量可以容易地進行擴充。與模擬的技術方案相比，在使用本發明的某些實施例提供的數字技術方案的實例中，需要的功率更低。這樣可以在制造CMOS電路中獲得更大的靈活性，所述CMOS電路布置在陣列中每個單獨可控元件上。
在一個實例中，構圖部件可以分成多組單元，光刻裝置包括多個供給通道。每個供給通道可以布置成向相應單元的組中的每個單元提供電壓信號。這樣可以減小為了單獨對每個單元尋址而需要的構圖部件的輸入的數量。每個控制電壓包括允許對相應可控元件的配置進行精細控制的模擬電壓值。電壓信號包括一組不同的電壓，每個局部控制電路包括相應的積分電路，其響應于控制信號進而通過對從一組電壓中的至少一個選擇的相應電壓積分來產生相應的控制電壓。該組不同電壓中的每個電壓等于由一個數字除的全刻度電壓，該數字小于或等于數字信號中位數，該數字信號相應于每個單元的期望控制電壓。這樣可以大大地減小需要用于為每個可控元件設定控制電壓的寫步驟的數量。
在一個實例中，控制信號包括數字地址輸入，該數字地址輸入布置成當電壓信號處于相應于該單元的數字信號中數位位置的較高電壓電平時較高。這允許每個單元的期望控制電壓在該組不同電壓中從所需的電壓級增大。
在一個實例中，多個相應的電子元件包括具有第一和第二端子的電容器、具有第一和第二輸入和輸出的運算放大器，第二輸入接地，連接在運算放大器的第一輸入和輸出之間的第二電容器，所述電子元件還包括第二可控開關裝置，其具有其中第一電容器的第二端子接地的選擇位置和其中第一電容器的第二端子與運算放大器的第一輸入連接的取消選擇位置。第一可控開關裝置具有其中第一電容器的第二端子與電壓信號連接的選擇位置和其中第一電容器的第一端予接地的取消選擇位置。每個局部控制電路布置成使得第一和第二可控開關裝置的操作由數字地址輸入控制，從而當數字地址輸入較高時，可控開關裝置處于選擇位置，第一電容器被充電到電壓信號的電壓，當數字地址輸入較低時，可控開關裝置處于取消選擇位置，存儲在第一電容器上的電荷被轉移到第二電容器，在每組不同電壓的電壓信號之后，在電荷放大器的輸出上的電壓包括用于相應可控元件的控制電壓。
在一個實例中，每個局部控制電路還包括第三可控開關裝置，其電氣地布置成與由復位信號控制的第二電容器并聯，從而當第一和第二可控開關裝置處于取消選擇位置，大體上清除了存儲在電容器上的電荷，以及控制電壓大體上減小到零伏特時，關閉第三可控開關裝置。這樣就可以在元件陣列以新的控制電壓進行編程之前清除每個可控元件的控制電壓。
在一個實例中，每個局部控制電路還包括具有第一端子和接地的第二端子的第三電容器；和連接在運算放大器的輸出和第三電容器的第一端子之間的第四可控開關裝置；其中選擇性地閉合第四可控開關裝置以將第三電容器充電到運算放大器的輸出電壓，該第三電容器上的電壓包括用于該單元的相應可控元件的控制電壓。這樣可以減小在每個編程循環期間向可控元件施加的控制電壓的不必要的變化。第三電容器包括相應可控元件的輸入電容。
可替換地，控制信號包括數字地址輸入和相應于每個單元的期望控制電壓的數字信號，每個局部控制電路布置成響應于數字地址輸入接收其相應的數字信號。本發明的可替換實施例可以采用純粹的數字技術方案以所需控制電壓的對每個可控元件編程。在該純粹的數字技術方案中，局部控制電路以低電壓例如大約1.8v進行操作。因此，由控制電路耗散的功率量最小。這樣可以減小在可控構圖部件中產生的熱量。
在一個實例中，第一相應的可控開關裝置通過第四電容器連接在供給通道和地面之間，第一相應的可控開關裝置由中間控制信號控制，第四電容器上的電壓包括用于相應可控元件的控制電壓。第四電容器包括相應可控元件的輸入電容。
在一個實例中，電壓信號包括其大小布置成在預定的時間間隔上逐漸改變的電壓，每個局部控制電路響應于控制信號，以通過在該周期內控制相應的第一可控開關裝置的操作的定時，確定相應的控制電壓。這就提供了一種簡單的技術方案，其通過在適當的時間為每個可控元件獨立地分出共同的時間變量輸入信號，用于對大量可控元件的控制電壓大體上同時進行編程。多個相應的其他電子元件包括減法計數器，其布置成接收數字信號、等待一段從預定的時間間隔開始與數字信號的數值成比例的時間間隔，然后打開第一可控開關裝置。
在一個實例中，從預定時間開始閉合第一可控開關裝置。該方法允許第四電容器長時間充電到電壓信號的水平。可替換地，第一可控開關裝置布置成在其重新打開之前不久閉合。在后一種情況中，第四電容器上的電壓在每個編程循環期間變化不大。
可替換地，電壓信號包括大小大體上不變的電壓，每個局部控制電路包括相應的PWM信號發生器，其布置成控制第一相應的可控開關裝置，來自控制系統的控制信號布置成確定每個PWM控制信號的工作循環。這可以從單個電壓信號對向每個可控元件施加的控制電壓進行精細控制。
在本發明的某些實施例中，電壓信號包括一組不同的電壓，每個局部控制電路包括相應的積分電路。通過響應于控制信號從該組電壓中至少一個選擇的相應電壓進行積分可以產生相應的控制電壓。
可替換地，控制信號包括其大小設置成在預定的時間間隔上逐漸改變的電壓。通過在該間隔內響應于控制信號控制相應的第一可控開關裝置的操作的定時，可以確定相應的控制電壓。
在一個實例中，電壓信號包括大小大體上不變的電壓，每個局部控制電路包括相應的PWM信號發生器，其布置成控制相應的第一可控開關裝置。響應于來自控制系統的控制信號可以確定每個PWM控制信號的工作循環。
在各種實例和實施例中的DAC比已知的DAC的功耗更小。這樣可以更加靠近陣列地制造DAC，而不會由于過熱而發生故障。需要每個通道具有較小的容積。由于不需要緩沖放大器，上述這兩方面至少都是部分的。
在一個實例中，每個開關通過電阻與其相應的電壓輸入線連接，與第一組開關連接的電阻比與其他組開關連接的電阻更大。
示例性系統和方法圖1示意性地表示了根據本發明的一個具體實施例的光刻裝置。該裝置包括照射系統IL、構圖部件PD、基底臺WT、控制器CR和投影系統PS。
照射系統(照射器)IL配置成調節輻射光束B(例如UV輻射)。
構圖部件PD(例如單獨可控元件陣列)調制投影光束。一般地，單獨可控元件陣列的位置相對投影系統PS固定。但是，它可以代替地與定位裝置連接，該定位裝置配置成根據某些參數精確定位單獨可控元件陣列。
基底臺WT構造成支撐基底(例如涂敷抗蝕劑的基底)W，并與配置成根據某些參數精確定位基底的定位裝置PW連接；投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS配置成將由單獨可控元件陣列調制的輻射光束投影到基底W的靶部C(例如包括一個或多個管芯)上。
照射系統可以包括各種類型的光學部件，例如包括用于引導、整形或者控制輻射的折射光學部件、反射光學部件、磁性光學部件、電磁光學部件、靜電光學部件或其它類型的光學部件，或者其任意組合。
這里使用的術語“構圖部件”應廣義地解釋為可以用于調節輻射光束的截面從而例如在基底靶部中形成圖案的任何裝置。應該注意，賦予給輻射光束的圖案可以不與基底靶部中的期望圖案精確一致，例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征。類似地，最終在基底上形成的圖案可以和在任何情況下在單獨可控元件陣列上直接形成的圖案不一致。在這樣的布置中可以是這種情況，其中在給定的時間間隔或給定的曝光次數中形成基底的每部分上形成的最終圖案，在所述時間間隔中單獨可控元件陣列和/或基底的相關位置會改變。
一般地，在基底靶部上形成的圖案與在靶部中形成的器件(如集成電路或平板顯示器)的特殊功能層(例如平板顯示器中的濾色層或平板顯示器中的薄膜晶體管層)相對應。這種構圖部件的實例包括例如中間掩模版、可編程反射鏡陣列、激光二極管陣列、發光二極管陣列、光柵光閥和LCD陣列。
構圖部件的圖案在電子裝置(例如計算機)的輔助下進行編程，構圖部件例如包括多個可編程元件(例如在上文中提到的所有器件，除了中間掩模版)，在此它們可以共同地稱為“對比器件”(contrastdevices)。在一個實例中，構圖部件包括至少10個可編程元件，例如至少100個、至少1000個、至少10000個、至少100000個、至少1000000個或至少10000000個可編程元件。
可編程反射鏡陣列包括具有粘彈性控制層和反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置的基本原理例如是反射表面的尋址區域將入射光反射為衍射光，而非尋址區域將入射光反射為非衍射光。使用一個適當的空間濾光器，從反射的光束中濾除所述非衍射光，只保留衍射光到達基底。按照這種方式，光束根據可尋址表面的尋址圖案而產生圖案。
作為一種替換方案，應該理解，濾光器可以濾除衍射光，而保留非衍射光到達基底。
也可以以相應的方式使用衍射光學MEMS器件(微電子機械系統器件)陣列。在一個實例中，衍射光學MEMS器件包括多個反射條帶，該反射條帶相對彼此變形從而形成光柵，光柵將入射光反射為衍射光。
可編程反射鏡陣列的另一實施例利用微小反射鏡的矩陣排列，通過施加適當的局部電場，或者通過使用壓電致動裝置，使得每個反射鏡能夠獨立地關于一軸傾斜。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，使得已尋址反射鏡以與未尋址的反射鏡不同的方向將入射的輻射光束反射；按照這種方式，根據矩陣可尋址反射鏡的定址圖案對反射光束進行構圖。可以用適當的電子裝置執行所需的矩陣定址。這里提到的有關反射鏡陣列的更多信息可以從例如美國專利US5,296,891和US5,523,193，以及PCT專利申請WO98/38597和WO98/33096中獲得，在此將這些文獻引入作為參考。
另一個實例PD是可編程LCD陣列。在美國專利US 5,229,872中給出了一個這種結構的實例，在此將該文獻引入作為參考。
光刻裝置包括一個或多個對比器件。例如，它可以具有多個單獨可控元件陣列，每個可控元件可以彼此獨立地進行控制。在這種布置中，一些或者所有單獨可控元件陣列具有至少一個共同的照射系統(或部分照射系統)、用于單獨可控元件陣列的共同的支撐結構和/或共同的投影系統(或部分投影系統)。
在一個實例中，例如圖1中示出的實施例，基底W大體上為圓形，視需要地具有凹槽和/或沿其部分周邊具有整平的邊緣。在一個實例中，基底為多邊形形狀，例如矩形。
在其中基底大體上為圓形的實例中，包括多個實例，其中基底直徑為至少25mm，例如至少50mm、至少75mm、至少100mm、至少125mm、至少150mm、至少175mm、至少200mm、至少250mm、或至少300mm。在一個實例中，基底直徑為至多500mm、至多400mm、至多350mm、至多300mm、至多250mm、至多200mm、至多150mm、至多100mm或至多75mm。
在其中基底大體上為多邊形例如矩形的實例中，包括多個實例，其中基底的至少一邊(例如至少2邊或至少3邊)的長度為至少5cm(例如至少25cm、至少50cm、至少100cm、至少150cm、至少200cm或至少250cm)。
在一個實例中，基底的至少一邊的長度為至多1000cm，例如至多750cm、至多500cm、至多350cm、至多250cm、至多150cm或至多75cm。
在一個實例中，基底W是晶片，例如半導體晶片。在一個實例中，晶片材料選自由Si、SiGe、SiGeC、SiC、Ge、GaAs、InP和InAs構成的組。在一個實例中，晶片是III/V族化合物半導體晶片。在一個實例中，晶片是硅晶片。在一個實施例中，基底是陶瓷基底。在一個實例中，基底是玻璃基底。在一個實例中，基底是塑料基底。在一個實例中，基底是透明的(對于人的裸眼來說)。在一個實例中，基底是有色的。在一個實例中，基底沒有顏色。
基底的厚度可以變化，在某種程度上，它取決于例如基底材料和/或基底尺寸。在一個實例中，厚度是至少50μm，例如至少100μm、至少200μm、至少300μm、至少400μm、至少500μm或至少600μm。在一個實例中，基底的厚度是至多5000μm，例如至多3500μm、至多2500μm、至多1750μm、至多1250μm、至多1000μm、至多800μm、至多600μm、至多500μm、至多400μm或至多300μm。
在曝光之前或之后，可以在例如涂布顯影裝置(通常將抗蝕劑層施加于基底上并將已曝光的抗蝕劑顯影的一種工具)、計量工具和/或檢驗工具中對這里提到的基底進行處理。在一個實例中，抗蝕劑層布置在基底上。
這里使用的術語“投影系統”應廣義地解釋為包含各種類型的投影系統，包括折射光學系統，反射光學系統、反折射光學系統、磁性光學系統、電磁光學系統和靜電光學系統，或其任何組合，如適合于所用的曝光輻射，或者適合于其他方面，如浸液的使用或真空的使用。這里任何術語“投影透鏡”的使用可以認為與更普通的術語“投影系統”同義。
投影系統將圖案成像在單獨可控元件陣列上，使得圖案附著地形成在基底上。可替換地，投影系統可以成像輔助源，對于該輔助源單獨可控元件陣列中的元件用作光閘。在這方面，投影系統包括聚焦元件陣列，例如微透鏡陣列(即MLA)或菲涅耳透鏡陣列，例如用于形成輔助源和將光點成像到基底上。在一個實例中，聚焦元件陣列(例如MLA)包括至少10個聚焦元件，例如至少100個聚焦元件、至少1000個聚焦元件、至少10000個聚焦元件、至少100000個聚焦元件或至少1000000個聚焦元件。在一個實例中，構圖部件中單獨可控元件的數量等于或大于聚焦元件陣列中聚焦元件的數量。在一個實例中，聚焦元件陣列中聚焦元件的一個或多個(例如1000個或更多，大多數或者每一個)與單獨可控元件陣列中的一個或多個單獨可控元件光學相聯，例如與單獨可控元件陣列中的2個或多個單獨可控元件相聯，例如3個或更多、5個或更多、10個或更多、20個或更多、25個或更多、35個或更多，或者50個或更多。在一個實例中，例如通過使用一個或多個致動裝置，MLA至少在朝向基底和背離基底的方向是可動的(例如使用致動裝置)。能夠使MLA朝向和背離基底移動例如可以允許在不移動基底的情況下調焦。
如這里圖1中所示，該裝置是反射型(例如采用反射性單獨可控元件陣列)。或者，該裝置可以是透射型(例如采用透射性單獨可控元件陣列)。
光刻裝置可以具有兩個(雙平臺)或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩模臺)。在這種“多平臺式”裝置中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進行準備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。
光刻裝置還可以是這樣一種類型，其中至少部分基底由具有相對高的折射率的“浸液”如水覆蓋，從而填充投影系統和基底之間的空間。浸液也可以應用于光刻裝置中的其他空間，例如應用于構圖部件和投影系統之間。浸液技術在本領域中是公知的，其用于增加投影系統的數值孔徑。這里使用的術語“浸液”不表示結構如基底必須浸沒在液體中，而是表示液體在曝光期間位于投影系統和基底之間。
再次參考圖1，照射器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。在一個實例中，輻射源提供的輻射具有至少5nm的波長，例如至少10nm、至少50nm、至少100nm、至少150nm、至少175nm、至少200nm、至少250nm、至少275nm、至少300nm、至少325nm、至少350nm或至少360nm。在一個實例中，由輻射源SO提供的輻射具有至多450nm的波長，例如至多425nm、至多375nm、至多360nm、至多325nm、至多275nm、至多250nm、至多225nm、至多200nm或至多175nm。在一個實例中，輻射具有的波長包括436nm、405nm、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm和/或126nm。在一個實例中，輻射包括大約為365nm或大約355nm的波長。在一個實例中，輻射包括寬頻帶的波長，例如包括365、405和436nm。可以使用355nm的激光源。輻射源和光刻裝置可以是獨立的機構，例如當輻射源是受激準分子激光器時。在這種情況下，不認為輻射源構成了光刻裝置的一部分，輻射光束借助于光束輸送系統BD從源SO傳輸到照射器IL，所述光束輸送系統例如包括合適的定向反射鏡和/或擴束器。在其它情況下，輻射源可以是光刻裝置的組成部分，例如當源是汞燈時。源SO和照射器IL，如果需要連同光束輸送系統BD一起可以稱作輻射系統。
照射器IL包括調節裝置AD，用于調節輻射光束的角強度分布。一般地，至少可以調節在照射器光瞳平面上強度分布的外和/或內徑向量(通常分別稱為σ-外和σ-內)。此外，照射器IL可以包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。照射器可以用于調節輻射光束，以使輻射光束在其橫截面上具有期望的均勻度和強度分布。照射器IL或與其相聯的附加部件也可以布置成將輻射光束分成多個子光束，該子光束例如每個都能夠與單獨可控元件陣列中的一個或多個單獨可控元件相聯。例如可以使用二維衍射光柵將輻射光束分成多個子光束。在該描述中，術語“輻射的光束”和“輻射光束”包括但不限于其中光束由多個這種輻射子光束組成的情況。
輻射光束B入射到構圖部件PD(如單獨可控元件陣列)上，并由構圖部件進行調制。由構圖部件PD反射之后，輻射光束B通過投影系統PS，該投影系統將光束聚焦在基底W的靶部C上。在定位裝置PW和位置傳感器IF2(例如干涉測量裝置、線性編碼器或電容傳感器等等)的輔助下，可以精確地移動基底臺WT，從而例如在輻射光束B的光路中定位不同的靶部C。在使用定位裝置的地方，可以使用用于單獨可控元件陣列的定位裝置，從而例如在掃描期間精確校正構圖部件PD相對光束B的光路的位置。
在一個實例中，利用長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)可以實現基底臺WT的移動，其中圖1中未明確示出長行程模塊和短行程模塊。在一個實例中，該裝置沒有用于移動基底臺WT的短行程模塊。也可以使用類似的系統定位單獨可控元件陣列。應該理解，投影光束B可替換地/附加地是可移動的，同時目標臺和/或單獨可控元件陣列具有固定的位置，從而提供所需的相關運動。這種布置有助于限制裝置的尺寸。作為另一種替換方案，該方案例如能夠應用于平板顯示器的制造、基底臺WT的定位，并且能夠固定投影系統PS，基底W布置成相對基底臺Wt移動。例如，基底臺WT具有一系統，該系統用于以大體上不變的速度在基底上方掃描基底W。
如圖1所示，輻射光束B可以通過分束器BS引向構圖部件PD，該分束器配置成使得輻射首先由分束器反射，然后引向構圖部件PD。應該認識到輻射光束B也可以不使用分束器而引向構圖部件。在一個實例中，輻射光束以0至90°之間的角度θ引向構圖部件，所述角度例如在5至85°之間、在15至75°之間、在25至65°之間或者在35至55°之間(圖1中示出的實施例為90°)。構圖部件PD調制輻射光束B，并使其反射回分束器BS，該分束器將調制過的光束傳輸到投影系統PS。但是應該理解，可以使用可替換的布置使輻射光束B引向構圖部件PD，然后引向投影系統PS。特別地，如果使用透射型構圖部件時，可以不需要例如如圖1所示的布置。
所示的裝置可以按照幾種模式使用1.在步進模式中，單獨可控元件陣列和基底基本保持不動，而賦予輻射光束的整個圖案被一次投影到靶部C上(即單次靜態曝光)。然后沿X和/或Y方向移動基底臺WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步進模式中，曝光區的最大尺寸限制了在單次靜態曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在掃描模式中，當賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C時，同步掃描單獨可控元件陣列和基底(即單次動態曝光)。基底相對于單獨可控元件陣列的速度和方向通過投影系統PS的放大(縮小)和圖像反轉特性來確定。在掃描模式中，曝光區的最大尺寸限制了在單次動態曝光中靶部的寬度(沿非掃描方向)，而掃描動作的長度確定了靶部的高度(沿掃描方向)。
3.在脈沖模式中，單獨可控元件陣列基本保持不動，使用脈沖輻射源將整個圖案投影到基底W的靶部C上。基底臺WT以基本不變的速度移動，使得投影光束B掃描橫跨基底W的線。在輻射系統的脈沖之間根據需要更新單獨可控元件陣列上的圖案，所述脈沖定時成使得在基底W上所需的位置處曝光連續的靶部C。因此，投影光束B可以在基底W上方掃描以曝光用于基底條帶的整個圖案。重復該處理，直到整個基底W逐條線地曝光。
4.在連續掃描模式，其基本上與脈沖模式相同，除了相對調制過的輻射光束B以大體上不變的速度掃描基底，然后當投影光束B掃描過基底W并使其曝光時更新單獨可控元件陣列上的圖案。可以使用大體上不變的輻射源或脈沖輻射源，并使其與單獨可控元件陣列上的圖案的更新同步。
5.在像素網格成像模式中，通過隨后對由光點發生器形成的光點進行曝光，可以在基底W上形成圖案，所述光點指向構圖部件PD。已曝光的光點具有大體上相同的形狀。光點以大體上為網格的方式印制在基底W上。在一個實例中，光點尺寸大于印制的像素網格的節距，但是比曝光光點網格小得多。通過改變印制的光點的強度，可以獲得圖案。在曝光閃光之間，可以改變光點上的強度分布。
還可以采用上述使用模式的組合和/或變化，或者采用完全不同的使用模式。
根據本發明的一個實施例，提供一種控制器CR，用于提供具有模擬電壓值的單獨可控元件陣列以控制每個元件。該控制器CR具有數字控制信號，其表示陣列(一組元件)中每個元件的期望模擬元件的控制信號電壓。
在一個實例中，可以認為控制器CR是分布式數模轉換器(DAC)的形式。通過分布DAC，可以減小需要傳遞給陣列的模擬數據的量。
圖2示出了根據本發明的一個實施例的分布式DAC的示意性表示。單獨可控元件陣列中的每個元件(未示出)形成單元30的一部分，其與相聯的局部控制電路31組合。每個控制電路31向相聯的元件提供元件控制信號。
圖2示出了3×3的單元陣列，但是應該理解該陣列可以更大。陣列中的每個單元30具有第一輸入信號32，其包括模擬輸入。該模擬輸入32可以提供給陣列中的每個單元，或者具有少量的輸入，每個輸入用于一列或一組單元30。在各個實例中，模擬輸入32可以是DC電壓饋送或者是隨時間變化的電壓信號，連續地或者在不連續的步驟中變化。
模擬輸入32可以從遠處提供。可替換地，它可以在布置于靠近單元的陣列上的電路中產生。每個單元30還具有第二輸入33，其包括地址輸入。根據本發明的一個特定實施例，該地址輸入33實際上是多個地址輸入線。地址輸入33可提供數字地址信息，局部控制電路31可使用該地址信息從模擬輸入32為相聯的元件導出元件控制信號。根據本發明的特定實施例，每個單元30可以有一個或多個其他輸入(通常顯示為輸入34)。這些其他輸入例如是復位輸入、其他的數字控制輸入或任何其他類型的輸入。
在一個實例中，控制器CR被分成兩部分單個的數位參考模擬電壓發生器和電荷收集器陣列。單獨可控元件陣列中的每個元件具有相聯的電荷收集器，其包括局部控制電路31。該電荷收集器直接鄰接每個元件或在每個元件后面實施。
在一個實例中，數位參考發生器依次產生相應于數字信號內的每個可能數位值的參考模擬電壓，其表示每個元件的所需模擬元件控制信號。每個數位參考模擬電壓是最大可能(全刻度)電壓的一小部分。例如，對于8位的系統來說，陣列中每個元件的期望配置由8位數字表示。該數位參考模擬電壓是最高有效位(MSB)的全刻度/2，以及最低有效位(LSB)的全刻度/256。可以看出，通過將期望數位的數位參考模擬電壓(例如用數字信號1表示的那些模擬電壓，該數字信號表示每個元件的所需模擬電壓)累加在一起，然后獲得256個模擬電壓中的任何一個，這256個模擬電壓在0伏特和全刻度的255/256伏特之間變化。可能的模擬電壓以全刻度/256伏特的規則增量增加。數位參考發生器依次向一列/多列的組中的所有單元(或者可替換地向整個陣列的電荷收集器)提供每個數位參考模擬電壓。
在一個實例中，每個電荷收集器布置成接收每個數位的數位參考模擬電壓，假定對于與該電荷收集器相聯的元件來說數字信號中的值為1。電荷收集器是否接收所提供的每個數位參考模擬電壓取決于向電荷收集器提供的控制數字地址信號(相應于地址輸入33)。對于布置在各列中的單元陣列，每個電荷收集器具有相應于列數和行數的兩個數字地址輸入。為了對列中的單元編程，該列的列地址輸入設定成高。對于所提供的每個數位參考電壓，如果該單元需要該數位參考電壓，那么相應于該電荷收集器的行地址輸入設定成高。通過組合列和行地址輸入，可以單獨地增加列中的每個電荷收集器。對于每列或多列的組來說，可以同時更新單元的每個數位。因此，對于8位系統來說，以適當的模擬電壓對一列/多列中的每個單元編程需要八個循環。
圖2也表示了根據本發明的一個實施例的可控構圖部件。該可控構圖部件包括單元30的陣列，每個單元包括一個或多個相應的可控元件和相應的局部DAC電路31。相應的數字控制信號34被提供給每個單元，然后由DAC31轉換成相應的模擬控制電壓，單元可使用該模擬控制電壓確定(即設定)其相應可控元件的狀態。除了通過供給線34提供其數字信號(表示期望的元件狀態)之外，通過通道32向每個DAC提供模擬參考電壓。
圖3示出了根據本發明的一個實施例的電荷收集器的實現。該電荷收集器由四個輸入控制分別相應于列選擇輸入和行選擇輸入的兩個地址輸入1、2，數位參考模擬電壓3的輸入和復位輸入4。數位參考模擬電壓3的輸入和復位輸入4是列中所有電荷收集器共有的。它們也可以是陣列中所有電荷收集器共有的。
在一個實例中，以等于單個數位的電壓對列中的每個單元編程，就存在由三個不同的步驟構成的寫循環(a)將數位參考模擬電壓設定成所需的電壓電平；(b)在當前的列中選擇需要相應數位的所有單元；以及(c)取消選擇所有單元。
在一個實例中，以相應于整個數字信號的模擬電壓對一列(或多列的組/整個陣列)中的所有單元編程，就存在包括其數量等于數字信號中的數位的數目的多個寫循環的編程循環，所述數字信號表示每個元件的期望模擬元件控制信號。
在一個實例中，在第一數位的編程循環的開始，向與電荷收集器相聯的元件提供的輸出電壓Vo設定成0伏特。電容器C1和C2上的電荷為0伏特。在寫循環的第一步，數位參考電壓發生器將數位參考模擬電壓輸出3上的電壓設定成第一數位所需的值。它可以是MSB，或者寫循環從任意數位開始。對于8位的系統，相應于數字信號中的每個數位所提供的數位參考模擬電壓可以如表1所示的進行計算。
表1
在步驟一中，取消選擇當前列的所有電荷選擇器，即開關S1和S2處于如圖3所示的位置。S1接地，數位參考電壓輸入3不與電荷收集器連接。S2與電荷放大器5連接。將當前位的數位參考電壓通過外部電路(未示出)提供給數位參考電壓輸入3。
在步驟二中，當前列中需要該數位的數位參考電壓的這些單元通過數字地址輸入1和2進行選擇。對于整個列，列地址輸入1設定成高。對于要求當前數位參考電壓的單元，行地址輸入2設定成高。與門6可提供輸出，如果兩個輸入為高，則該輸出為高。與門6的輸出可控制開關S1和S2的位置。當與門6的輸出為高時，開關S2切換到接地，S1切換到數位參考電壓輸入3。因此，電容器C2連接在數位參考輸入3和地之間，并被充電到輸入3上的電壓。
在步驟3中，最簡單地是通過將列地址輸入1設定為低，取消選擇當前列的所有單元。可替換地，所有的線地址輸入2都可以設定成低。開關S1和S2回復到其初始位置。現在電容器C1連接在地和電荷放大器5的多個輸入之一之間。電荷放大器5用于改變其輸出電壓，直到電荷放大器5的輸入之間沒有差分電壓，由此將電容器C1上的電荷移動到電容器C2上。電荷放大器5處的輸出電壓將升高到Vo＝C2/C1xVb(其中Vb是數位參考電壓)。
為了在編程循環中對下一個數位編程，新的寫循環從步驟一開始，下一個數位參考模擬電壓設定在輸入3上，同時所有單元保持取消選擇。此外在需要該數位參考時選擇所有單元。當取消選擇單元時，將電容器C1上的任何電荷轉移到每個電荷收集器的C2上。其結果是根據數位參考電壓的當前值使輸出電壓Vo增大一定的數量。通過這種方式，為每個元件的數字信號的的每個數位順序形成輸出電壓Vo。該過程一直持續直到列中的每個元件所需的元件控制信號由相聯的電荷收集器形成。該模擬電壓可控制元件的配置，通常在完成編程循環之后使該模擬電壓在預定的時間保持不變。
在對每個單元以新的模擬電壓編程之前，所有的單元必須被復位使得電荷收集器的輸出電壓Vo回到零伏特。通過在所需時刻觸發與該列中每個電荷收集器連接的復位輸入4就可以實現。當取消選擇列中的所有單元(即開關S1和S2處于如圖3所示的位置)時可以完成。復位輸入4閉合開關S3。閉合開關S3會使電容器C2短路，從而輸出電壓Vo被施加到電荷放大器5的輸入之一上。電荷放大器用于減小輸出電壓Vo，直到在電荷放大器5的兩個輸入之間沒有差分電壓。輸出電壓Vo減小到零伏特。清除電容器C1上存儲的任何電荷。
在寫循環的步驟3(取消選擇該列中的所有單元)中，模擬數位參考電壓仍然設定為以前的值，并將其施加到輸入3上。然后該參考電壓可以用于對另一列中的單元編程，即通過選擇第二列中的那些單元，這些單元在取消選擇第一列中所有單元的同時需要當前數位參考電壓。通過這種方式，兩列的寫循環可以部分重疊，從而可以減小對列中所有單元編程所需的時間。有效地，對于編程循環的每個數位來說寫循環的步驟1由所有的列共用，并且對于當前數位每個列僅僅需要步驟1和2。
圖4示出了根據本發明的一個實施例的幾個電荷收集器的示意性表示。圖4中，僅僅示出了16個電荷收集器(4×4陣列)，但是應該理解，其可以容易地按比例增加或減少。每個電荷收集器如圖3所示。列地址輸入1單獨地分別標記為C1-C4。行地址輸入分別標記為L1-L4。
在一個實例中，為了對整個陣列編程，其編程循環如下。通過施加復位輸入4使整個陣列復位，同時電荷收集器處于如所示出的取消選擇狀態。向復位輸入4施加短時間的脈沖(其可以是正的或負的)。這可以確保每個電荷收集器的輸出Vo為如上所述的零伏特，以及大體上沒有電荷存儲在電容上。接著，將第一數位的數位參考模擬電壓設定在輸入3上。通過向輸入C1施加選擇電壓來選擇列C1。應該理解向每個列或行輸入施加的選擇電壓可以是正的或負的。通過向相聯的行輸入施加合適的輸入，選擇需要設定的第一數位的列C1中的每個單元。然后通過使每個之前選擇的單元的行輸入上的電壓反向，或者通過使C1上的列輸入電壓反向，取消選擇列C1。與此同時選擇另一列例如C2。然后對該列繼續寫循環。在當前的數位參考模擬電壓已經施加到整個陣列上合適的單元時，取消選擇所有的單元，并向輸入3施加下一數位的數位參考模擬電壓。繼續該過程，直到使用陣列上所有的數位對所有的單元編程。
在一個實例中，對于N位的數字信號來說，可以按下式計算對每個電荷收集器的輸出Vo處的模擬電壓進行編程所需的寫動作的次數寫動作的次數＝數位的數量×列的數量+1(對于復位)+數位的數量(用于設定數位參考模擬電壓)W＝B×C+1+B選擇相位每列每數位需要一個時鐘周期。取消選擇相位每數位需要一個時鐘周期。整個陣列的復位相位需要一個時鐘周期。
通過增大每列的行數(由此減小列數)，可以減小對整個陣列編程所需的寫動作的次數。可替換地，可以一次對多個或者所有的列進行編程。但是，所有這些選項的結果都是增大了能夠單獨尋址每個單元所需的數字地址輸入的數量。通過同時更新兩列使寫動作的次數減半將使所需地址線的數量加倍。
在一個實例中，為了進一步減小在編程循環中寫動作的次數，可以在使用之前的數位參考電壓取消選擇最后一列中的單元的同時，設定數位參考模擬電壓。編程循環中的第一數位參考模擬電壓可以在對之前編程循環中的最后一個數位的復位操作期間進行設定。這樣可以節省的寫動作的次數等于進行編程的數位的數量，即寫動作的次數現在是W＝B×C+1每當改變向輸入3施加的數位參考電壓時，都需要為穩定電壓花費有限的時間。這就會增加在每個編程循環中花費的時間。在一個實例中，通過將陣列分成兩個或多個部分，可以增大設定數位參考電壓可利用的時間。陣列的每個部分具有單獨的數位參考電壓輸入3，并單獨進行編程。當取消選擇陣列的各個部分中的最后一列時，更新每個數位參考電壓輸入。減小陣列的每一部分中的列數。因此，減小了更新陣列的每一部分所需的寫動作的次數。從而，增大了用于更新數位參考電壓的時間。
圖5示意性地示出了根據本發明的一個實施例對如圖3所示的電荷收集電路的修改。對于某些類型的元件，不期望的是在下一個元件控制信號的更新期間改變元件的模擬控制信號。這對于MEMS反射鏡型的元件尤其是不期望的。元件控制信號中不需要的變化可能導致對反射鏡的鉸接元件的磨損增大。在如上所述的示例性編程循環中，對于元件控制信號沒有從一個編程循環改變到下一個編程循環的元件，仍然會得到減小到零伏特然后回到同一電壓電平的Vo(等同于元件控制信號)。圖5的電路通過在電荷收集器的輸出Vo和元件之間引入取樣和保持電路可以解決該問題。
在一個實例中，取樣和保持電路包括開關S4和電容器Cm。Cm表示每個單獨可控元件的容量，例如SLM反射鏡陣列的反射鏡容量。當在全部編程循環的末期穩定模擬電壓輸出Vo時，閉合開關S4。將電容器Cm充電到電荷收集器Vo的輸出電壓。然后打開開關S4，斷開電容器Cm與電荷收集器的連接。結果，施加到元件的元件控制信號在下一個編程循環期間不會改變，直到Vo達到其終值。只要相繼的重新編程循環之間的時間足夠短，就可以防止電容器Cm的有效電容放電，施加到元件的電壓將不會改變，直到下次閉合開關S4。有必要確保在復位操作之前進行取樣。為此有必要使用另一個時鐘循環，其中在編程循環中寫動作的次數是W＝B×C+2。
根據本發明的一個實施例，如圖5所示的取樣和保持電路可以應用于任何局部控制電路。在一個實例中，它允許更新每個單元的控制電壓，同時相聯的單獨可控元件設定在之前的控制電壓的狀態。這意味著對于典型的FPD應用來說，例如，通過使該更新與可控元件的穩定時間重疊，可利用20μs的全部重新編程循環時間來更新控制電壓。
根據本發明的一個實施例，使編程循環最優化的另一個修改是實施具有非線性響應的電荷放大器。陣列中元件的位敏度通常對元件控制信號具有近似的二次響應。因此，對于高的施加電壓，所需的分辨率較小。對于具有二次響應的電荷放大器(即電荷收集器)來說，可以減小所需數位的數量。
根據本發明的另一個實施例，從單個模擬輸入32更新陣列中的每個元件。該輸入可傳輸連續變化的、或細微分級的離散信號，該離散信號覆蓋了整個所需的電壓范圍。輸入在更新每個單元的模擬電壓可利用的時間內向上逐漸增大到所需的范圍。輸入可以是從外部導出到陣列的模擬電壓。該輸入電壓可以是三角形或鋸齒形波形。
圖6示出了根據本發明的一個實施例具有電壓輸出的低功率CMOS數模轉換器，該電壓輸出與陣列的內部時鐘同步。該DAC可以在陣列的局部實施或者可以是外部輸入。Tperiod是用于更新每個元件的模擬電壓的時間。Vmax是可以施加到元件的最大電壓。在該圖中，t1是其中在陣列的每一元件的保持電容上要存儲正確電壓電平的時間。通過閉合連接在輸入電壓和保持電容之間的模擬開關，給保持電容充電，并在輸入電壓處于正確輸入電壓的至少一個有效位中的時間內再次打開所有開關，可以存儲該電壓。對于在大約10μs(通常是平板顯示器)的重新編程時間內在零伏特和最大電壓之間變化的輸入電壓來說，該輸入電壓具有用于每個元件8位的數字信號表示給保持電容充電可利用的時間t1是大約10μs/256＝39ns。在一個實例中，對于其可利用的重新編程時間為大約240μs的光刻裝置來說，t1是大約240μs/256＝938ns。
在一個實例中，給保持電容充電可利用的時間越少，使模擬開關、傳播延遲(用于控制開關)同步以及保持電容的充電時間常數的要求越嚴格。通過在模擬電壓輸入從0V開始升高時閉合所有開關，以及在輸入電壓達到所需電壓時打開所有開關可以部分地克服這個問題。這需要更多的時間來給保持電容充電，從而使充電時間常數更高。對于接通電阻和更高的歐姆信號線可以使用具有更高值的開關。可能存在不期望的電壓副作用，該施加到單獨可控元件上的電壓會在所有的編程循環中不必要地變化，通過提供具有取樣和保持電路的電路可以避免這個問題。該取樣和保持電路包括另一開關和每個單元的電容。
圖7示出了根據本發明的一個實施例的每個元件的局部控制電路，用于從單個模擬輸入導出所需的模擬電壓。每個元件通過單個模擬開關11與單個輸入10連接。電壓輸入10可以等同于圖2中的模擬輸入32。電容器Cm即保持電容連接在開關11和地面之間。電容器Cm上的電壓隨著輸入10上的電壓的增大而增大。模擬開關11保持閉合，直到輸入10上的電壓達到期望的值。此時打開開關11，使得電容器Cm上的電壓保持不變。陣列中每一元件的開關11可以在不同的點打開，使得每個電容器Cm上的電壓從一個單元變化到下一個單元。每個電容器Cm上的電壓包括用于控制該元件的元件控制信號。
開關11打開的時間由減法計數器12控制。減法計數器12具有電源17。電源電壓通常為大約1.8V。減法計數器12具有三個輸入例如運行在25MHz的時鐘輸入13，地址輸入14(等同于圖2中的地址輸入33)和數字信號輸入15。地址輸入14實際上包括兩個或多個地址輸入，例如如果元件以行和列的方式布置和尋址。當選擇地址輸入14時，下變頻器接收輸入15上相應于該單元的所需模擬電壓的數字信號。該數字信號用于驅動減法計數器12，使得在其由時鐘輸入13從/向數字信號的值驅動以一定的速度倒計之后，將線16上的輸出信號傳給開關11并閉合開關。通過這種方式，對于每個元件來說存儲在電容器Cm上的電壓可以由在輸入15上向每個減法計數器提供的數字信號單獨地進行控制。
如圖6所示，在一個實例中，當輸入10上的電壓逐漸增大到其最大值時，該電壓不復位到零伏特，可替換地該電壓可在下一個編程周期中回落到零伏特。對于這種選擇，每個元件的減法計數器12需要從一時間間隔倒計，該時間間隔等于最大時間間隔Tperiod減去提供到輸入15上的數字信號的值。
圖8示出了本發明的另一個實施例，其中施加到陣列中每個元件上的模擬電壓由單個模擬開關20確定，該模擬開關由脈寬調制(PWM)信號驅動。模擬開關20與DC電壓源21(等同于圖2中的模擬輸入32)連接，該DC電源電壓21例如是大約10V或大約25V。電容器Cm連接在開關20和地面之間。電容器Cm上的電壓包括相聯元件的元件控制信號。PWM信號通過線22提供給開關20。響應于PWM信號打開和閉合模擬開關20。當閉合開關20時，電容器Cm開始充電到電源電壓。PWM信號中工作循環的變化(高PWM信號和低PWM信號之間的比率)可以確定存儲在電容器Cm上的電壓。
在一個實例中，PWM信號由脈寬調制器23產生。脈寬調制器23具有三個輸入例如運行在大約5MHz的時鐘輸入24，地址輸入25(等同于圖2中的地址輸入33)和數字信號輸入26。脈寬調制器23由電源27提供動力。電源電壓通常是大約1.8V。地址輸入25實際上包括兩個或更多個地址輸入，例如如果元件以行和列的方式布置和尋址。當選擇地址輸入25時，脈寬調制器23接收輸入26上相應于該元件的所需模擬電壓的數字信號。該數字信號用于驅動脈寬調制器23，使得在線22上的PWM信號輸出具有與輸入26上的數字信號成比例的工作循環。通過這種方式，對于每個元件來說存儲在電容器Cm上的電壓可以由在輸入26上向每個脈寬調制器23提供的數字信號單獨地進行控制。
隨著一個且相同不變的參考電壓施加到陣列中的每個單元上以及單獨提供的時鐘頻率，通過改變工作循環可以改變輸出電壓的電平。如果連續提供PWM信號，取樣和保持電路可以不是必須的。通過使用更大的電容可以減小電容器Cm上電壓的任何波動的大小。如果時鐘頻率比單獨可控元件(例如可控反射鏡元件)的機械共振頻率更高，那么元件本身可用作機械濾波器。通常可控反射鏡元件具有大約1MHz的機械共振頻率。如果波動比該共振頻率更高，那么反射鏡將不能夠遵循PWM輸出電壓的高頻變化，因此其位置將由輸出電壓的平均值限定。
由于可利用的重新編程的時間有限，例如大約10μs，因此通過結合數字輸入鎖存器以增大處理能力，可以改變如圖7和8所示的控制電路。該數字輸入信號(圖7中的15和圖8中的26)布置成接收多位數字信號，例如8位信號，其相應于存儲在電容器Cm上的電壓。通過在數字信號輸入上結合數字鎖存器，例如8位的鎖存器，當前的數字信號用于減法計數器或者脈寬調制器，而將下一個數字信號載入鎖存器。這減小了在每個重新編程循環開始將數字信號載入減法計數器或PWM所需的時間。
應該理解，如圖7和8所示的電路可以認為是局部DAC電路，每個電路都適合于結合體現本發明的可編程構圖部件的一個相應單元。這是因為每個電路布置成參考模擬輸入電壓(參考電壓)21、10，接收數字控制信號和產生相應的模擬輸出電壓。
圖9示出了本發明的另一個實施例，其中提供另一種形式的DAC，用于驅動向陣列中的元件提供模擬電壓的模擬通道。電容器Cm對應于陣列中元件的電容。DAC40通過傳輸線41向陣列提供模擬輸出信號。
將每個電容器Cm充電到合適的電壓。存儲在已充電的電容器中的能量等于1/2xCxV2，其中C是電容量，V是施加在電容器上的電壓。陣列中每個電容器都需要在每個更新周期中充電到其下一個電壓設定點。
在一個實例中，用于改進DAC中的功耗的第一選擇是向DAC提供其可能需要的所有潛在輸出電壓，而不是DAC從單個電源電壓內部產生每個輸出電壓。在每個更新循環期間，DAC可以依次連接每個電源電壓。當在相繼的電壓設定點之間切換時，切換中耗散的能量等于1/2xCx(ΔV)2，其中ΔV是兩個相繼電壓之間的差值。為了方便與傳統的DAC設計進行比較，功耗可以表達為差分電壓乘以轉移的電荷。該電荷轉移與電源電壓相同，其大約為30V，但是傳統放大器的差分電壓通常更大。對于圖9的電路，差分電壓等于步長。
但是，對于8位的數字信號，可能需要256個參考電壓，這是不期望的。如果進一步增大數字信號的精度，那么所需參考電壓的數量很快就將變得不可實現。作為一種替換方案，施加到數字輸入線43上的8位數字信號可以分成向兩個4位多路信號分離器44和45提供的兩個4位信號。每個4位多路信號分離器44、45具有分別與16個開關46、47連接的16個輸出。每個開關通過一個電阻與單一參考電壓連接。開關46、47布置成使得每個參考電壓與每組16開關中的單一開關連接。這些開關通常是MOSFET，并如所指出的那樣進行描述。
為了清楚，僅示出了三個參考電壓線和兩組三個開關。其余的電壓線13、電阻和開關用圓點表示。向每個電壓參考輸入施加的電壓與下一個參考相差1/16的全刻度電壓Vref。Vref可以是3V。每個參考電壓輸入可以下降3V。厚的銅線可以為參考電壓輸入提供足夠低的串聯電阻，使得它們不會影響傳輸線42上的輸出信號。
通過以因子16對多組開關中的一個提供的信號進行標度，將多個開關的輸出累加在一起，可以設置256個不同的輸出水平。示出的所有開關與傳輸線42連接。每個開關通過電阻器48、49與其相應的參考電壓連接。電阻器48和49之間的電阻比可確定每組開關提供的信號標度。在一個實例中，該比例是整數，也可以是2的乘冪例如16。電阻器49的電阻比電阻器48的電阻大約16倍。來自開關46的輸出信號(相應于4個最大有效位)將比來自開關47的輸出信號大大約16倍。因為最小有效位(來自開關47)的出端阻抗比最大有效位的出端阻抗大大約16倍，所以幾乎沒有電流從一個4位DAC流到另一個4位DAC。因此，存在非常小的穩態功耗。
在一個實例中，整個DAC40的出端阻抗的數量級為400Ω。憑經驗發現這可以提供對傳輸線反射足夠快的衰減，以及快速的穩定時間特性。穩定時間取決于低通濾波器，該低通濾波器由出端阻抗和負載電容Cm形成。因此，電阻器48應該是大約400Ω，電阻器49應該是大約6.4Ω。
每個開關的串聯電阻是不可以忽略的，必須考慮進來。這增加了每個開關輸出和電阻器對的總電阻，因此可能會分別影響開關46、47的輸出的混合比。同樣可以使用各種類型具有最小可能的串聯電阻的開關，這些開關也以和電阻器48、49相同的電阻比1∶16進行匹配。通過將開關46和47的溝道區的長度/寬度比設計成用因子16來改變，從而可以利用幾何學實現。
MOSFET的溝道電阻取決于溝道上的電壓。通過布置如所示出的開關和電阻器，電阻器位于參考電壓和開關之間，可以使溝道電壓近似相同，從而改進匹配。
在一個實例中，當存在有限模擬電路時，可以使DAC40的功耗最小，并且在內部不產生參考電壓或有源元件。該數字電路除了開關46、47的門驅動器以外可運行在低電壓電平。
在一個實例中，DAC40可提供一個輸出電流范圍，其可以從零到最大電流以256個相同的步長進行改變。該輸出電流給每個元件處的電容器Cm充電。如果需要，通過在DAC的輸出和并聯于電容器Cm的地之間布置電阻器，可以將輸出電流轉換成電壓輸出。
在一個實例中，對于要在所需值的大約0.1％內置位的信號來說，傳輸線上的信號置位時間等于7τ，其中τ可以從低通濾波器的階越響應導出，該低通濾波器由DAC40的出端阻抗和負載電容器Cm形成。階越響應是1-e(-t/τ)。τ＝R×C本領域技術人員很容易理解，其中本發明的實例和/或實施例涉及表示在每個元件處所需的模擬電壓的數字信號，所述模擬電壓包括8位信號，數字信號實際上可以是任意長度。其中數字信號描述為設定成高或低，很容易理解的是，可以顛倒這些任意值。還應該理解，在本發明的實例和/或實施例中，待曝光的圖案可以在數字域中產生，然后以足夠高的更新速度將其轉換成陣列中所有單獨可控元件的精確限定狀態。
變換鏈路(conversion chain)中的步驟之一是數模轉換。陣列元件可以由靜電力物理地進行控制，靜電力涉及具有一定精度(例如8位)的電壓電平。對于這種轉換，需要能夠產生具有256個不同水平的模擬電壓。本發明的一個或多個實施例旨在提供轉換技術，使得對于較低的功耗能夠獲得更高的更新速度，并具有較低復雜度的外部和芯片級驅動電子設備。一個或多個實施例也能夠提供更高的可靠性，改進的機械和電氣強度，以及較低的成本。
在某些實施例中，數模(電壓)轉換盡可能地移動到變換電路的末端。在某些實施例中，這可以通過在每個陣列元件下方布置DAC和以低電壓電平(釋放出較低的功率、在串擾、干涉方面的較佳性能等等)的數字信號工作來實現。
在其他實施例中，為了減小功耗和減小模擬信號的同步要求，同時更新所有陣列元件，這些陣列元件在下一次曝光圖案期間具有一種且相同的狀態。這在各個實施例中是期望的，其中可以具有有限數量的狀態，例如256或1024個狀態，具有更大數量的陣列元件，例如大約10,000,000個或更多。該技術可以利用一種新的芯片級CMOS結構，更加具體地是利用一種新的尋址算法。
盡管上面已經描述了本發明的各種實施例，但是應該理解，它們僅僅是作為實例而不是作為限制提供的。對本領域技術人員來說顯而易見的是，在不脫離本發明的精神和范圍的條件下，可以進行各種形式和細節上的變化。因此，本發明的寬度和范圍并不受任何一個上述示例性實施例的限制，而僅受后面的權利要求及其等同物的限制。
應該理解，具體實施方式
不包括發明內容和摘要部分可以用于解釋權利要求。發明內容和摘要部分可以列出一個或多個實施例，但是如由本發明人設想的本發明的所有示例性實施例并不都是為了以任何方式限制本發明和隨附的權利要求。
權利要求
1.一種光刻裝置，包括提供輻射光束的照射系統；包括對光束構圖的單獨可控元件陣列的可控構圖部件；輸出電壓信號和控制構圖部件的控制系統；將帶圖案的光束投影到基底靶部的投影系統；以及連接控制系統和構圖部件的供給通道，其中構圖部件包括多個單元，每個單元包括單獨可控元件中相應的一個和相應的局部控制電路，該控制電路控制成產生相應的控制電壓，控制電壓確定相應可控元件的配置，供給通道向每個單元提供電壓信號，控制系統向多個局部控制電路提供控制信號，每個局部控制電路包括將電路與供給通道連接的第一相應的可控開關裝置和多個相應的其他電子元件，和每個局部控制電路響應于控制信號從電壓信號產生相應的控制電壓。
2.如權利要求1所述的光刻裝置，其中將構圖部件分成多組單元；和提供多個供給通道，多個供給通道中的每個供給通道布置成向相應組的單元中的每個單元提供電壓信號。
3.如權利要求1所述的光刻裝置，其中每個相應的控制電壓包括模擬電壓值。
4.如權利要求1所述的光刻裝置，其中電壓信號包括一組不同的電壓，每個局部控制電路包括相應的積分電路，其響應于控制信號而通過對來自該組電壓中的至少一個選擇的相應電壓積分來產生相應的控制電壓。
5.如權利要求4所述的光刻裝置，其中在該組不同電壓中的每個電壓等于由一個數字除的全刻度電壓，該數字小于或等于數字信號中數位的數量，該數字信號相應于每個單元的期望控制電壓。
6.如權利要求4所述的光刻裝置，其中控制信號包括數字地址輸入，該數字地址輸入布置成對于單元中相應的一個來說，當電壓信號處于相應于在相應單元的數字信號中較高的數位位置的電壓電平時較高。
7.如權利要求1所述的光刻裝置，其中在每個局部控制電路中的附加電子元件包括具有第一和第二端子的電容器；具有第一和第二輸入和輸出的運算放大器，第二輸入接地；連接在運算放大器的第一輸入和輸出之間的第二電容器；以及第二可控開關裝置，其具有其中第一電容器的第二端子接地的選擇位置和其中第一電容器的第二端子與運算放大器的第一輸入連接的取消選擇位置；第一可控開關裝置具有其中第一電容器的第二端子與電壓信號連接的選擇位置和其中第一電容器的第一端子接地的取消選擇位置；每個局部控制電路布置成使得第一和第二可控開關裝置的操作由數字地址輸入控制，其中，當數字地址輸入較高時，可控開關裝置處于選擇位置，第一電容器被充電到電壓信號的電壓；當數字地址輸入較低時，可控開關裝置處于取消選擇位置，存儲在第一電容器上的電荷被轉移到第二電容器，以及在每組不同電壓的電壓信號之后，在電荷放大器的輸出上的電壓包括用于相應可控元件的控制電壓。
8.如權利要求7所述的光刻裝置，其中每個局部控制電路還包括第三可控開關裝置，其電氣地布置成與由復位信號控制的第二電容器平行，從而當第一和第二可控開關裝置處于取消選擇位置時，閉合第三可控開關裝置，大體上使存儲在電容器上的任何電荷減小到零，以及使控制電壓大體上減小到零伏特。
9.如權利要求7所述的光刻裝置，其中每個局部控制電路還包括具有第一端子和接地的第二端子的第三電容器；連接在運算放大器的輸出和第三電容器的第一端子之間的第四可控開關裝置；其中選擇性地閉合第四可控開關裝置以將第三電容器充電到運算放大器的輸出電壓，該第三電容器上的電壓包括用于該單元的相應可控元件的控制電壓。
10.如權利要求9所述的光刻裝置，其中第三電容器包括相應可控元件的輸入電容。
11.如權利要求1所述的光刻裝置，其中控制信號包括數字地址輸入；和相應于每個單元的期望控制電壓的數字信號，每個局部控制電路響應于數字地址輸入接收其數字信號中相應的一個。
12.如權利要求11所述的光刻裝置，其中第一相應的可控開關裝置通過第四電容器連接在供給通道和地之間，第一相應的可控開關裝置由中間控制信號控制；第四電容器上的電壓包括用于相應可控元件的控制電壓。
13.如權利要求12所述的光刻裝置，其中第四電容器包括相應可控元件的輸入電容。
14.如權利要求11所述的光刻裝置，其中電壓信號包括其大小在預定的時間間隔上逐漸改變的電壓；以及每個局部控制電路響應于控制信號，以通過在該預定時間間隔內控制相應的第一可控開關裝置的操作的定時，從而確定相應的控制電壓。
15.如權利要求14所述的光刻裝置，其中每個局部控制電路的多個相應的其他電子元件包括減法計數器，其布置成接收數字信號、根據數字信號的數值從預定的時間間隔開始等待一段時間間隔，然后打開第一可控開關裝置。
16.如權利要求15所述的光刻裝置，其中第一可控開關裝置從預定的時間間隔開始閉合。
17.如權利要求11所述的光刻裝置，其中電壓信號包括大小大體上不變的電壓；每個局部控制電路包括相應的(脈寬調制)PWM信號發生器，其布置成產生PWM控制信號以控制第一相應的可控開關裝置；以及來自控制系統的控制信號布置成確定每個PWM控制信號的工作循環。
18.一種器件制造方法，包括以下步驟使用多個單元提供具有多個單獨可控元件陣列的構圖部件，多個單元中的每個單元包括單獨可控元件中相應的一個和相應的局部控制電路；為每個局部控制電路提供第一相應的可控開關裝置和多個相應的其他電子元件；使用每個局部控制電路產生相應的控制電壓；使用相應的控制電壓確定相應可控元件的配置；向每個單元提供電壓信號；向多個局部控制電路提供控制信號；和每個局部控制電路響應于控制信號從電壓信號產生相應的控制電壓；使用可控構圖部件對輻射光束構圖；以及將帶圖案的輻射光束投影到基底的靶部上。
19.如權利要求18所述的方法，其中從一組不同的電壓形成電壓信號；每個局部控制電路進一步地從相應的積分電路形成；以及通過響應于控制信號對從該組電壓中至少一個選擇的相應電壓積分，產生相應的控制電壓。
20.如權利要求18所述的方法，其中電壓信號包括其大小在預定的時間間隔上逐漸改變的電壓；以及通過在該預定的時間間隔內響應于控制信號控制相應的第一可控開關裝置的操作的定時，確定相應的控制電壓。
21.如權利要求18所述的方法，其中電壓信號包括大小大體上不變的電壓；每個局部控制電路包括相應的脈寬調制(PWM)信號發生器，其產生PWM控制信號，從而控制相應的第一可控開關裝置；以及響應于來自控制系統的控制信號確定每個PWM控制信號的工作循環。
22.一種使用如權利要求18所述的方法制造的器件。
23.一種使用如權利要求18所述的方法制造的FPD。
24.一種光刻裝置，包括提供輻射光束的照射系統；包括對光束構圖的單獨可控元件陣列的可控構圖部件；控制構圖部件和產生相應的控制電壓的控制系統，該控制電壓確定相應可控元件的配置，控制系統包括，多個開關，多個電壓輸入線，通過多個電壓輸入線與多個開關連接的多個多路信號分離器，和數模轉換器(DAC)，該DAC響應于期望的控制電壓順序接收多位數字信號，將該數字信號分成至少兩個較短的數字信號，然后將每個較短的數字信號提供給相應的多路信號分離器，由多個多路信號分離器中的第一多路信號分離器控制的第一組多個開關的輸出相對多個開關中的另一組開關的輸出成比例，所有的輸出連接在一起以形成控制電壓；向每個相應元件提供各個控制電壓的通道；以及將帶圖案的光束投影到基底靶部的投影系統。
25.如權利要求24所述的光刻裝置，其中每個開關通過電阻與其相應的電壓輸入線連接，與第一組開關連接的電阻比與其他組開關連接的電阻更大。
26.一種器件制造方法，包括使用包括單獨可控元件陣列的可控構圖部件以對輻射光束構圖；將帶圖案的光束投影到基底靶部；和使用控制系統產生相應的控制電壓，該控制電壓確定相應的可控元件的配置，該使用步驟包括，順序接收相應于控制系統中相應控制電壓的多位數字信號；將該數字信號分成至少兩個較短的數字信號；將每個較短的數字信號提供給多個多路信號分離器中的相應多路信號分離器；使用相應的多路信號分離器控制與多個電壓輸入線連接的多個開關，由多個多路信號分離器中的第一多路信號分離器控制的第一組開關，使得其輸出與另一組開關的輸出成比例；所有的輸出連接在一起以形成控制電壓；以及將控制電壓提供給單獨可控元件陣列。
27.如權利要求26所述的方法，其中每個開關通過電阻與其相應的電壓輸入線連接，與第一組開關連接的電阻比與其他組開關連接的電阻更大。
28.一種使用如權利要求26所述的方法制造的器件。
29.一種使用如權利要求26所述的方法制造的FPD。
30.一種光刻裝置，包括提供輻射光束的照射系統；包括多個單元的可控構圖部件，多個單元中的每個單元包括單獨可控元件陣列中的相應的單獨可控元件和相應的數模轉換器(DAC)電路，單獨可控元件陣列對光束構圖；控制系統，其布置成向每個DAC電路提供相應的數字信號以控制構圖部件，每個DAC電路布置成從相應的數字信號產生相應的模擬控制電壓，該相應的模擬控制電壓用于確定單元中相應可控元件的配置；以及將帶圖案的光束投影到基底靶部的投影系統。
31.一種器件制造方法，包括以下步驟提供包括多個單元的構圖部件，多個單元中的每個單元包括單獨可控元件陣列中相應的單獨可控元件和相應的DAC電路；向每個DAC電路提供相應的數字信號；使用每個DAC電路從相應的數字信號產生相應的模擬控制電壓，相應的模擬控制電壓用于確定單元中相應的可控元件的配置；使用可控構圖部件對光束構圖；以及將帶圖案的光束投影到基底靶部。
32.一種使用如權利要求31所述的方法制造的器件。
33.一種使用如權利要求31所述的方法制造的FPD。
34.一種可控構圖部件，其包括對輻射光束構圖的多個可控元件陣列，其中構圖部件包括多個單元，多個單元中的每個單元包括單獨可控元件陣列中相應的單獨可控元件，和相應的數模轉換器(DAC)電路，每個DAC電路接收相應的數字信號，并從該相應的數字信號產生相應的模擬控制電壓，該相應的模擬控制電壓用于確定單元中相應的單獨可控元件的配置。
35.一種可控構圖部件，其包括對輻射光束構圖的多個可控元件陣列，其中構圖部件包括多個單元，每個單元包括單獨可控元件中相應的一個，和相應的局部控制電路，該控制電路產生相應的控制電壓，該控制電壓確定相應的可控元件的配置，每個局部控制電路包括第一相應的可控開關裝置，該可控開關裝置將局部控制電路與供給通道連接，以便向每個單元提供電壓信號，和多個相應的其他電子元件，每個局部控制電路接收控制信號，并從電壓信號產生相應的控制電壓。
全文摘要
本發明包括光刻裝置和使用構圖部件的器件制造方法，該光刻裝置和器件制造方法增加了被同時編程的單獨可控元件的數量，以便增大單獨可控元件陣列的更新速度。減小了陣列所需的高速模擬輸入的數量。減小了陣列的復雜程度，并增大了陣列的最大更新速度。此外，陣列中元件的數量可以容易地進行擴充。構圖部件可以分成多組單元，光刻裝置包括多個供給通道。每個供給通道可以布置成向相應單元組中的每個單元提供電壓信號。這樣可以減小為了單獨對每個單元尋址而需要的構圖部件的輸入的數量。
文檔編號H01L21/00GK1892432SQ200610093679
公開日2007年1月10日 申請日期2006年6月14日 優先權日2005年6月15日
發明者M·C·雷杰能, A·馬卡羅威, L·G·M·克塞爾斯, S·尼天諾夫, P·W·J·M·坎帕, K·H·智洛夫 申請人:Asml荷蘭有限公司