專利名稱：Bd控擋片的回收利用方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體工藝，尤其涉及一種BD控擋片的回收利 用方法。
背景技術：
BD是一種低K值介電材料，其中K為介電系數，其英文全稱為 Black Diamond (黑金剛)，而BD控擋片是指覆蓋有BD材料的晶圓 (Wafer),在晶片行業俗稱為"BD控擋片"，BD控擋片是BD層和硅 基底的總稱，BD層是黑金剛材料。BD控擋片在90納米及以下晶片 制程中大量應用。由于BD控擋片的價格較貴，如果不能回收，則提 高生產成本，目前關于BD控擋片的回收利用逐漸成為晶元代工廠成 本控制的重要內容。
目前采用化學機械研磨法對BD控擋片回收再利用，但是這--方 法的主要問題是容易對硅基底造成劃傷，表面缺陷難于控制，這樣造 成無法再次利用，也就是說利用該方法的回收率較低。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種BD控擋片的回收利用方 法，它可以提高BD控擋片的回收率。
為了解決以上技術問題，本發明提供了一種BD控擋片的回收利 用方法，它包括如下步驟第一步，對BD控擋片進行單晶元濕法刻蝕；第二步，進行千法灰化；第三步，對BD控擋片再次進行單晶元 濕法刻蝕。
因為本發明結合了單晶元濕法刻蝕和干法灰化，這樣不但可以去 除硅基底面的BD層，而且又能很好得控制硅基底表面的表面缺陷， 主要因為單晶元濕法刻蝕和干法灰化相結合，具有高的黑金剛對硅的刻蝕選擇比，即容易刻蝕黑金剛而不容易刻蝕單晶硅，所以能很好地控制硅基底表面的表面缺陷。按照回收成功的標準Wafer表面大于 0. 12微米的表面顆粒總數小于100顆，大于1微米的表面顆粒總數 小于10顆計算，回收成功率可以達到92%。
下面結合附圖和具體實施方式
對本發明作進一步詳細說明。 圖1是本發明的BD控擋片的回收流程示意圖。
具體實施例方式
如圖1所示，它是本發明的BD控擋片的回收流程示意圖。它包括如下步驟
第一步，對BD控擋片進行單晶元濕法刻蝕；其中，濕法蝕刻是 采用含臭氧的去離子水和體積比49%的氫氟酸依次在BD控擋片表面 處理5-15秒，并且可以視情況重復進行處理。
第二步，進行干法灰化；其中，干法灰化的工藝參數是，溫度是 250攝氏度；射頻功率是250瓦，氧氣的流量是9500sccm，反應腔的 壓強是650 mT，反應的時間是60秒。
第三步，對BD控擋片再次進行單晶元濕法刻蝕；其中，濕法蝕刻是采用含臭氧的去離子水和體積比49%的氫氟酸依次在BD控擋片 表面處理10-20秒，并且可以視情況重復進行處理。
在中芯國際公司的90納米銅制程采用本發明方法，即經過兩道 單晶元濕法蝕刻和一道干法灰化工藝制程，成功的將5860微米厚的 BD控擋片回收利用。回收成功率可以達到92% (回收成功的標準 Wafer表面大于0. 12微米的表面顆粒總數小于100顆，大于1微米 的表面顆粒總數小于10顆)，回收利用的次數可以達到10次。
這一新技術在工業化量產中得到了實際應用，極大的節約了生產 成本。未來可以改善的是盡量減少由于干法灰化機器的波動對回收成 功率帶來的影響，將回收成功率推向更高的水平。
權利要求
1. 一種BD控擋片的回收利用方法；其特征在于，它包括如下步驟第一步，對BD控擋片進行單晶元濕法刻蝕；第二步，進行干法灰化；第三步，對BD控擋片再次進行單晶元濕法刻蝕。
2、 如權利要求1所述的BD控擋片的回收利用方法，其特征在 于，第一步所述的濕法蝕刻是采用含臭氧的去離子水和體積比49%的 氫氟酸依次在BD控擋片表面處理5-15秒。
3、 如權利要求1所述的BD控擋片的回收利用方法，其特征在 于干法蝕刻；第二步所述的干法灰化的工藝參數是溫度是250攝氏 度；射頻功率是250瓦，氧氣的流量是9500sccm，反應腔的壓強是 650 mT，反應的時間是60秒。
4、 如權利要求1所述的BD控擋片的回收利用方法，其特征在 于，第三步所述的濕法蝕刻是采用含臭氧的去離子水和體積比49%的 氫氟酸依次在BD控擋片表面處理10-20秒。
全文摘要
本發明公開了一種BD控擋片的回收利用方法，它可以提高BD控擋片的回收率。它包括如下步驟第一步，對BD控擋片進行單晶元濕法刻蝕；第二步，進行干法灰化；第三步，對BD控擋片再次進行單晶元濕法刻蝕。
文檔編號H01L21/00GK101206993SQ20061014740
公開日2008年6月25日 申請日期2006年12月18日 優先權日2006年12月18日
發明者尚海艇, 張水友, 李建茹, 高昀成 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司