光感測組件陣列基板及其制造方法

專利名稱：光感測組件陣列基板及其制造方法
技術領域：
本發明是有關于一種光感測裝置，且特別是有關于一種可以應用于顯示器的光感 測組件陣列基板。
背景技術：
光感測組件陣列基板是一種含有多個光感測組件(photosensor)的裝置，其能與 液晶顯示器(Liquid Crystal Display, IXD)整合，而成為一種利用對光線的接收來產生 指令的光感測顯示器(photo sensor display)。這種光感測顯示器可以應用于具有顯示 屏幕的電子裝置(electronic device)，例如手機、計算機以及個人數字助理器(Personal Digital Assistant,PDA)等。使用者可以經由光感測顯示器來輸入指令至上述電子裝置， 以操作電子裝置。目前光感測組件陣列基板所采用的光感測組件并不是透明的，所以在光感測顯示 器中，這些光感測組件通常會配置在黑矩陣(black matrix)的下方，其中黑矩陣具有多個 對應這些光感測組件的入光口，而光感測組件能透過入光口來接收從外界而來的光線。由此可知，在設計上，光感測組件會盡量不與任何像素電極(pixel electrode)重 迭，以防止光感測組件遮擋從像素電極而來的光線，進而避免光感測組件破壞顯示影像的 質量。然而，在現有技術中，為了容納這些光感測組件，多半會增加黑矩陣的面積，但是這樣 卻會造成開口率下降，導致顯示影像的亮度降低。

發明內容
本發明提供一種光感測組件陣列基板，其包括多個透明光感測組件。本發明還提供一種光感測組件陣列基板的制造方法，其用以制造上述光感測組件 陣列基板。本發明提出一種光感測組件陣列基板，其包括一基板、多條掃描線、多條讀取線、 多個開關組件以及多個透明光感測組件。基板具有一平面，而這些掃描線、讀取線、開關組 件與透明光感測組件皆配置在平面上。這些掃描線與這些讀取線彼此交錯，以在平面上形 成多個光穿透區。這些開關組件電性連接這些掃描線與這些讀取線。這些透明光感測組件 位在這些光穿透區內，并且分別電性連接這些開關組件。在本發明一實施例中，各個透明光感測組件包括一第一透明電極、一第二透明電 極以及一透明半導體層。第一透明電極電性連接其中一開關組件。透明半導體層連接于第 一透明電極與第二透明電極之間。在本發明一實施例中，構成這些透明半導體層的材料為多晶銦鎵鋅氧化物 (poly-InGaZn0，poly_IGZ0)、非晶銦鎵鋅氧化物(amorphous IGZ0，a-IGZO)或摻雜型銦鎵 鋅氧化物(doped IGZ0)。在本發明一實施例中，上述光感測組件陣列基板還包括多條共享線(common line)。這些共享線配置在平面上，而各條共享線電性連接多個上述透明光感測組件。
在本發明一實施例中，這些共享線連接這些第二透明電極，并且與這些第一透明 電極部分重迭(overlap)。在本發明一實施例中，上述光感測組件陣列基板還包括一絕緣層，而至少一透明 光感測組件還包括一第三透明電極。透明半導體層位在第三透明電極與第一透明電極之 間，以及位在第三透明電極與第二透明電極之間，而第三透明電極與透明半導體層重迭，并 且電性連接第二透明電極。絕緣層配置在第三透明電極與這些透明半導體層之間。在本發明一實施例中，構成這些第一透明電極、這些第二透明電極以及這些第 三透明電極的材料為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, I TO)或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide, IZ0)。在本發明一實施例中，上述光感測組件陣列基板還包括一柵極絕緣層(gate insulation layer)。柵極絕緣層配置在絕緣層上，并且覆蓋這些掃描線與這些透明光感測 組件。在本發明一實施例中，這些開關組件為多個晶體管。在本發明一實施例中，上述光感測組件陣列基板還包括多條數據線與多個像素單 元(pixel unit)。這些數據線與這些像素單元皆配置在平面上。各條數據線與其中一讀取 線并列，而這些像素單元位在這些光穿透區內，其中這些像素單元電性連接這些數據線與 這些掃描線。本發明還提出一種光感測組件陣列基板的制造方法。首先，在一基板的一平面上 形成多個透明光感測組件。接著，在平面上形成多條掃描線與多條讀取線，其中這些掃描線 與這些讀取線彼此交錯，以在平面上形成多個光穿透區，而這些透明光感測組件位在這些 光穿透區內。之后，在平面上形成多個開關組件，其中這些開關組件電性連接這些掃描線、 這些讀取線以及這些透明光感測組件。在本發明一實施例中，上述形成這些透明光感測組件的方法包括，在平面上形成 多個第一透明電極與多個第二透明電極。接著，在平面上形成多個透明半導體層，其中這些 透明半導體層覆蓋這些第一透明電極與這些第二透明電極。之后，在這些透明半導體層上 形成一絕緣層，其中絕緣層覆蓋這些第一透明電極、這些第二透明電極以及這些透明半導 體層。在本發明一實施例中，還包括對這些透明半導體層進行退火(anneal)。在本發明一實施例中，構成這些透明半導體層的材料為多晶銦鎵鋅氧化物、非晶 銦鎵鋅氧化物或摻雜型銦鎵鋅氧化物。在本發明一實施例中，上述形成這些透明光感測組件的方法還包括，在絕緣層上 形成多個第三透明電極，其中這些第三透明電極與這些透明半導體層重迭。在本發明一實施例中，構成這些第一透明電極、這些第二透明電極以及這些第三 透明電極的材料為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。在本發明一實施例中，在形成這些透明光感測組件之后，還包括形成一柵極絕緣 層于絕緣層上，其中柵極絕緣層覆蓋這些掃描線與這些透明光感測組件。在本發明一實施例中，還包括，在平面上形成多條數據線與多個像素單元，其中這 些像素單元位在這些光穿透區內，并且電性連接這些數據線與這些掃描線。由于本發明采用多個透明光感測組件來偵測光線，而這些透明光感測組件整體上并不會遮擋光線，因此透明光感測組件不僅不會破壞顯示影像的質量，而且還能提高開口 率，增加顯示器顯示影像的亮度。為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式， 作詳細說明如下。


圖IA是本發明一實施例的光感測組件陣列基板的俯視示意圖。圖IB是圖IA中沿線I-I剖面而得的剖面示意圖。圖2A至圖2F是圖IB中光感測組件陣列基板的制造方法的流程示意圖。
具體實施例方式圖IA是本發明一實施例的光感測組件陣列基板的俯視示意圖，而圖IB是圖IA 中沿線I-I剖面而得的剖面示意圖。請參閱圖IA與圖1B，光感測組件陣列基板100能 應用于具有多個像素的顯示器，其例如是液晶顯示器、有機發光二極管(Organic Light EmittingDiode,0LED)顯示器或電子紙(Electronic Paper,E Paper)所采用的顯示器，其 中電子紙所采用的顯示器例如是電泳式顯示器(Electrophoresis Display，EPD)。不過，在其它實施例中，光感測組件陣列基板100也可以應用于顯示器以外的技 術領域，例如光感測組件陣列基板100可以制作成供光筆(light pen)所使用的手寫板 (handwritten board)，所以本發明并不限制光感測組件陣列基板100只能應用于顯示器的 技術領域，其它顯示器以外的技術領域，光感測組件陣列基板100也可應用。光感測組件陣列基板100包括一基板110、多條掃描線120、多條讀取線130、多個 開關組件140以及多個透明光感測組件150。基板110具有一平面112，而這些掃描線120、 讀取線130、開關組件140與透明光感測組件150皆配置在平面112上。這些掃描線120與讀取線130彼此交錯，以在平面112上形成多個光穿透區R1。 詳細而言，這些掃描線120彼此并列，而這些讀取線130彼此并列，因此這些彼此交錯的掃 描線120與讀取線130呈網狀排列，而光穿透區Rl則位在由掃描線120與讀取線130所形 成的網格(lattice)內。當光感測組件陣列基板100應用于具有像素的顯示器時，光感測組件陣列基板 100可為一種主云力組件陣列基板(active component array substrate)或是對向基板 (opposite substrate)，因此光穿透區Rl可為像素顯像區，并能被光線所穿透。換句話說， 光穿透區Rl基本上可以是透明的。此外，上述主動組件陣列基板例如是薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT) 陣列基板，而對向基板可以是具有彩色濾光片的彩色濾光基板(color filter array substrate)，或是色序法液晶顯示器(color sequential LCD)所采用的透光基板，其中此 透光基板并不具有任何彩色濾光片。這些開關組件140電性連接這些掃描線120與這些讀取線130，而在本實施例中， 這些開關組件140可以是多個晶體管，其例如是場效晶體管(Field-Effect Transistor, FET)。當開關組件140為場效晶體管時，各個開關組件140包括一柵極(gate) 142g、一漏極 (drain) 142d、一源極(source) 142s以及一半導體層144(如圖IB所示)。
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承上述，半導體層144連接于漏極142d與源極142s之間，并且與柵極142g重迭， 其中半導體層144并沒有與柵極142g接觸。在同一個開關組件140中，柵極142g連接掃描 線120，漏極142d連接讀取線130，而源極142s連接透明光感測組件150，因此掃描線120 能控制開關組件140的開啟，以使源極142s與漏極142d得以電性導通。這些透明光感測組件150位在這些光穿透區Rl內，并且分別電性連接這些開關組 件140。詳細而言，各個透明光感測組件150可以包括一第一透明電極152d、一第二透明電 極152s以及一透明半導體層154 (請參閱圖1B)，而在同一個透明光感測組件150中，透明 半導體層154連接于第一透明電極152d與第二透明電極152s之間，而第一透明電極152d 電性連接其中一開關組件140。構成這些第一透明電極152d與第二透明電極152s的材料可為銦錫氧化物或銦鋅 氧化物，而構成這些透明半導體層154的材料可以是多晶銦鎵鋅氧化物、非晶銦鎵鋅氧化 物或摻雜型銦鎵鋅氧化物。摻雜型銦鎵鋅氧化物例如是摻雜金屬的銦鎵鋅氧化物，而此金
屬可以是鎂。光感測組件陣列基板100可以包括多條共享線160，而這些共享線160皆配置在平 面112上。各條共享線160電性連接多個透明光感測組件150，例如各條共享線160電性連 接排成一列的透明光感測組件150。這些共享線160電性連接這些第二透明電極152s，并 可透過多個接觸窗(contact window) 162而電性連接第二透明電極152s。共享線160能輸出一共享電壓(common voltage)至透明光感測組件150，而共享 電壓能依序通過第二透明電極152s、透明半導體層154與第一透明電極152d。之后，共享 電壓會從透明光感測組件150輸入至開關組件140。當掃描線120開啟開關組件140時，共 享電壓能依序通過源極142s、半導體層144與漏極142d，并傳遞至讀取線130。這些讀取線130傳遞共享電壓至至少一控制單元(未繪示)，而控制單元例如是芯 片(chip)。當光感測組件陣列基板100被光線(例如由光筆所發出的光線)照射時，控制 單元從其中一條讀取線130所接收到的共享電壓會發生變動。控制單元能根據此變動，判 斷出光線照射于那一個透明光感測組件150。如此，使用者能利用光線對光感測組件陣列基 板100的照射來輸入指令，以操作手機、計算機以及個人數字助理器等電子裝置。另外，這些共享線160可以與這些第一透明電極152d部分重迭。詳細而言，各個 第一透明電極152d可以具有一電容電極Cl，而電容電極Cl位在共享線160的下方，并且 與共享線160重迭。電容電極Cl完全沒有與共享線160接觸，因此共享線160與電容電極 Cl之間可以形成電容。在本實施例中，透明光感測組件150可以是一種光敏晶體管(phototransistor)， 并且還可以是場效晶體管。詳細而言，透明光感測組件150可以包括一第三透明電極152g， 而透明半導體層154位在第三透明電極152g與第一透明電極152d之間，以及位在第三透 明電極152g與第二透明電極152s之間。另外，構成第三透明電極152g的材料也可以是銦 錫氧化物或銦鋅氧化物。在同一個透明光感測組件150中，第三透明電極152g與透明半導體層154重迭， 但并不與透明半導體層154接觸。詳細而言，光感測組件陣列基板100可包括一絕緣層 172 (如圖IB所示)。絕緣層172配置在第三透明電極152g與透明半導體層154之間，因 此絕緣層172能將第三透明電極152g與透明半導體層154隔開，并讓第三透明電極152g
7與透明半導體層154電性絕緣。此外，構成絕緣層172的材料可以是透明絕緣材料，例如二
氧化硅或氮化硅。因此，當透明光感測組件150為場效晶體管時，第一透明電極152d為漏極，第二 透明電極152s為源極，而第三透明電極152g為柵極。另外，在同一個透明光感測組件150 中，第三透明電極152g可以電性連接第二透明電極152s，并可透過一接觸窗156而電性連 接第二透明電極152s，以使第三透明電極152g也能電性連接共享線160。須說明的是，所有透明光感測組件150并不一定全然包括第三透明電極152g，例 如在其它實施例中，可以只有一個或一些透明光感測組件150包括第三透明電極152g，而 其它透明光感測組件150則沒有包括任何第三透明電極152g。除此之外，所有透明光感測 組件150也可以不包括任何第三透明電極152g。由此可知，光感測組件陣列基板100所包括的第三透明電極152g的數量可以為 零，或是僅為一個或多個，因此第三透明電極152g并不是本發明的必要組件，而圖IA與圖 IB所示的第三透明電極152g的數量僅為舉例說明，并非限定本發明。另外，光感測組件陣列基板100可以包括一柵極絕緣層174(如圖IB所示)。柵極 絕緣層174配置在絕緣層172上，并且覆蓋掃描線120、透明光感測組件150以與門極142g， 其中構成柵極絕緣層174的材料可以與絕緣層172相同，例如是二氧化硅或氮化硅等透明 絕緣材料。不過，光感測組件陣列基板100也可以不包括柵極絕緣層174，且絕緣層172可 覆蓋掃描線120與柵極142g，因此圖IB所示的柵極絕緣層174僅為舉例說明，并非限定本 發明。值得一提的是，由于光感測組件陣列基板100可以是主動組件陣列基板，因此當 光感測組件陣列基板100為主動組件陣列基板時，光感測組件陣列基板100可以包括多條 數據線180以及多個像素單元190，其中這些數據線180與像素單元190皆配置在基板110 的平面112上。各條數據線180與其中一條讀取線130并列，而這些像素單元190位在這些光穿 透區R 1內，并且電性連接這些數據線180與掃描線120，其中掃描線120也能控制開啟像 素單元190，以使數據線180所傳遞的像素電壓(pixel voltage)可以輸入至像素單元190中。不過，必須強調的是，光感測組件陣列基板100除了可為主動組件陣列基板之外， 也可以是對向基板，例如彩色濾光基板或色序法液晶顯示器所采用的透光基板，加上光感 測組件陣列基板100還可以應用于顯示器以外的技術領域(例如手寫板)，因此光感測組件 陣列基板100不一定要具備任何數據線180與像素單元190。也就是說，數據線180與像素 單元190皆為光感測組件陣列基板100的選擇性組件，而不是必要組件。以上主要介紹光感測組件陣列基板100的結構，至于光感測組件陣列基板100的 制造方法，以下將配合圖IB以及圖2A至圖2F，進行詳細的介紹。必須事先說明的是，以下內容是以光感測組件陣列基板100為主動組件陣列基板 作為舉例說明，但是在其它實施例中，光感測組件陣列基板100也可以是對向基板，例如彩 色濾光基板或色序法液晶顯示器所采用的透光基板，因此圖2A至圖2F所公開的光感測組 件陣列基板100的制造方法僅為舉例說明，并非限定本發明。在光感測組件陣列基板100的制造方法中，首先，在基板110的平面112上形成多個透明光感測組件150，而形成這些透明光感測組件150的方法，如圖2A至圖2D所示。請參閱圖2A，關于透明光感測組件150的方法，首先，在平面112上形成多個第一 透明電極152d以及多個第二透明電極152s，其中第一透明電極152d與第二透明電極152s 可以是透過沉積(d印osition)、微影(lithography)以及蝕刻(etching)而形成。請參閱圖2B，接著，在平面112上形成多個透明半導體層154，而這些透明半導體 層154覆蓋這些第一透明電極152d與這些第二透明電極152s，其中透明半導體層154也可 透過沉積、微影與蝕刻而形成。另外，在透明半導體層154形成之后，可以對透明半導體層 154進行退火。請參閱圖2C，接著，在這些透明半導體層154上形成絕緣層172，其中絕緣層172 覆蓋這些第一透明電極152d、第二透明電極152s以及透明半導體層154，并且可以全面性 地覆蓋平面112，如圖2C所示。此外，絕緣層172可以是透過沉積而形成。請參閱圖2D，之后，在絕緣層172上形成多個第三透明電極152g，而這些第三透明 電極152g與這些透明半導體層154重迭。至此，透明光感測組件150基本上已完全形成。 當形成第三透明電極152g時，可以在平面112上形成多條掃描線120與多個柵極142g，而 掃描線120與柵極142g 二者可以是在同一道微影與蝕刻的過程中同時形成。須說明的是，由于在其它實施例中，透明光感測組件150可以不包括任何第三透 明電極152g，即光感測組件陣列基板100所包括的第三透明電極152g的數量可以為零，因 此可以省略形成第三透明電極152g的步驟。 請參閱圖2E，在形成透明光感測組件150之后，可以形成一柵極絕緣層174于絕緣 層172上，其中柵極絕緣層174覆蓋這些掃描線120、透明光感測組件150以與門極142g， 并且可以全面性地覆蓋絕緣層172。此外，柵極絕緣層174與絕緣層172 二者材料與形成方 法皆可相同。須強調的是，由于在其它實施例中，光感測組件陣列基板100可以不包括柵極絕 緣層174，而絕緣層172可以覆蓋掃描線120與柵極142g，因此在光感測組件陣列基板100 的制造方法中，可以省略形成柵極絕緣層174的步驟，并讓絕緣層172在掃描線120與柵極 142g形成之后才形成。所以，圖2D與圖2E所示的形成絕緣層172與柵極絕緣層174的步 驟僅為舉例說明，并非限定本發明。請參閱圖2F，接著，在平面112上形成多個開關組件140。關于開關組件140的形 成方法，首先，在柵極絕緣層174上形成多個半導體層144、194，而半導體層194位在掃描 線120的上方，并且與掃描線120部分重迭。構成半導體層144、194的材料可以是多晶硅 (polysilicon)或非晶硅(amorphous silicon)，而半導體層144、194可以是透過沉積、微 影與蝕刻而形成。之后，形成多個漏極142d、192d、源極142s、192s、多條讀取線130與數據線180，其 中半導體層144連接于漏極142d與源極142s之間，而半導體層194連接于漏極192d與源 極192s之間。至此，這些電性連接讀取線130的開關組件140基本上已完全形成。此外， 構成源極142s、192s、讀取線130以及數據線180的材料可為金屬，并且可以彼此相同，而源 極142s、192s、讀取線130以及數據線180皆可在同一道微影與蝕刻的過程中同時形成。在形成這些源極142s以前，可以移除部分絕緣層172與部分柵極絕緣層174，以形 成多個局部暴露第一透明電極152d的接觸孔(contact hole) Tl，而源極142s可以延伸至接觸孔Tl中，進而連接第一透明電極152d。如此，第一透明電極152d得以電性連接開關組 件140。另外，在形成漏極142d、192d與源極142s、192s之后，可以對半導體層144、194進 行背通道蝕刻(Back Channel Etching, BCE)。請再次參閱圖1B，接著，在柵極絕緣層174上形成一絕緣層176，而絕緣層176覆 蓋這些開關組件140、漏極192d、源極192s以及半導體層144、194，其中絕緣層176可以是 二氧化硅或氮化硅等無機絕緣材料，或是有機高分子絕緣材料。之后，可以在絕緣層176上形成多個像素電極196。至此，這些包括源極192s、漏 極192d、半導體層194與像素電極196的像素單元190基本上已完全形成，而光感測組件陣 列基板100基本上已制造完成。另外，在形成像素電極196以前，可以移除部分絕緣層176， 以形成多個局部暴露漏極192d的接觸孔T2，讓像素電極196可以延伸至接觸孔T2中，以連 接漏極192d。此外，移除部分絕緣層176的方法可以是蝕刻。綜上所述，由于本發明的光感測組件陣列基板采用多個透明光感測組件來偵測光 線，因此透明光感測組件整體上并不會遮擋光線。當光感測組件陣列基板應用于顯示器時， 這些透明光感測組件可以分別配置在多個像素顯像區內(如圖IA所示的光穿透區Rl)，并 且供從像素顯像區而來的光線所穿透。如此，不僅顯示影像的質量不會被透明光感測組件 所破壞，而且還可以提高顯示器的開口率，進而增加顯示影像的亮度。雖然本發明以前述實施例公開如上，然其并非用以限定本發明，任何熟習相像技 藝者，在不脫離本發明的精神和范圍內，所作更動與潤飾的等效替換，仍為本發明的權利要 求保護范圍內。
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權利要求
一種光感測組件陣列基板，其特征在于，包括一基板，具有一平面；多條掃描線，配置在該平面上；多條讀取線，配置在該平面上，該些掃描線與該些讀取線彼此交錯，以在該平面上形成多個光穿透區；多個開關組件，配置在該平面上，并且電性連接該些掃描線與該些讀取線；以及多個透明光感測組件，配置在該平面上，并且位在該些光穿透區內，該些透明光感測組件分別電性連接該些開關組件。
2.如權利要求1所述的光感測組件陣列基板，其特征在于，各該透明光感測組件包括一第一透明電極，電性連接其中一開關組件；一第二透明電極；以及一透明半導體層，連接于該第一透明電極與該第二透明電極之間。
3.如權利要求2所述的光感測組件陣列基板，其特征在于，構成該些透明半導體層的 材料為多晶銦鎵鋅氧化物、非晶銦鎵鋅氧化物或摻雜型銦鎵鋅氧化物。
4.如權利要求2所述的光感測組件陣列基板，其特征在于，還包括多條共享線，該些共 享線配置在該平面上，而各該共享線電性連接多個該透明光感測組件。
5.如權利要求4所述的光感測組件陣列基板，其特征在于，該些共享線連接該些第二 透明電極，并且與該些第一透明電極部分重迭。
6.如權利要求4所述的光感測組件陣列基板，其特征在于，還包括一絕緣層，而至少一 透明光感測組件還包括一第三透明電極，該透明半導體層位在該第三透明電極與該第一透 明電極之間，以及位在該第三透明電極與該第二透明電極之間，該第三透明電極與該透明 半導體層重迭，并且電性連接該第二透明電極，而該絕緣層配置在該第三透明電極與該些 透明半導體層之間。
7.如權利要求6所述的光感測組件陣列基板，其特征在于，還包括一柵極絕緣層，該柵 極絕緣層配置在該絕緣層上，并且覆蓋該些掃描線與該些透明光感測組件。
8.如權利要求1所述的光感測組件陣列基板，其特征在于，還包括多條數據線，配置在該平面上，各該數據線與其中一讀取線并列；以及多個像素單元，配置在該平面上，并且位在該些光穿透區內，其中該些像素單元電性連 接該些數據線與該些掃描線。
9.一種光感測組件陣列基板的制造方法，其特征在于，包括在一基板的一平面上形成多個透明光感測組件；在該平面上形成多條掃描線與多條讀取線，其中該些掃描線與該些讀取線彼此交錯， 以在該平面上形成多個光穿透區，而該些透明光感測組件位在該些光穿透區內；以及在該平面上形成多個開關組件，其中該些開關組件電性連接該些掃描線、該些讀取線 以及該些透明光感測組件。
10.如權利要求9所述的光感測組件陣列基板的制造方法，其特征在于，形成該些透明 光感測組件的方法包括在該平面上形成多個第一透明電極與多個第二透明電極；在該平面上形成多個透明半導體層，其中該些透明半導體層覆蓋該些第一透明電極與該些第二透明電極；以及在該些透明半導體層上形成一絕緣層，其中該絕緣層覆蓋該些第一透明電極、該些第 二透明電極以及該些透明半導體層。
11.如權利要求10所述的光感測組件陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括對該 些透明半導體層進行退火。
12.如權利要求10所述的光感測組件陣列基板的制造方法，其特征在于，形成該些透 明光感測組件的方法還包括在該絕緣層上形成多個第三透明電極，其中該些第三透明電極與該些透明半導體層重迭。
13.如權利要求10所述的光感測組件陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成該些 透明光感測組件之后，還包括形成一柵極絕緣層于該絕緣層上，其中該柵極絕緣層覆蓋該 些掃描線與該些透明光感測組件。
全文摘要
本發明提供一種光感測組件陣列基板及其制造方法，其包括一基板、多條掃描線、多條讀取線、多個開關組件以及多個透明光感測組件。基板具有一平面，而這些掃描線、讀取線、開關組件與透明光感測組件皆配置在平面上。這些掃描線與這些讀取線彼此交錯，以在平面上形成多個光穿透區。這些開關組件電性連接這些掃描線與這些讀取線。這些透明光感測組件位在這些光穿透區內，并且分別電性連接這些開關組件。
文檔編號H01L27/146GK101976672SQ201010270909
公開日2011年2月16日 申請日期2010年9月1日 優先權日2010年9月1日
發明者張錫明, 蔡耀仁 申請人:華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司