專利名稱：一種ic級硅片邊緣加工方法
技術領域：
本發明涉及一種IC級硅片邊緣加工方法。
背景技術：
目前，將經滾圓加工的IC級硅單晶棒切割成硅片，由于硅片邊緣表面比較粗糙，存在棱角、毛毛刺、崩邊等缺陷，甚至還會出現裂縫以及其他缺陷，導致硅片邊緣機械強度降低，還有顆粒沾污，因此就需要將硅片邊緣倒角以消除所述缺陷。現有IC級硅片邊緣加工通常為對稱倒角，但是當將IC級硅片一側的擴散層去除后，邊緣倒角變成非對稱倒角，如果繼續采用對稱倒角的方法倒角，由于其應力大，容易導致崩邊、暗紋碎片。
發明內容
本發明的目的是提供能在擴散層去除后，防止加工時出現崩邊和暗紋碎片的一種IC級硅片邊緣加工方法。本發明采取的技術方案是一種IC級硅片邊緣加工方法，其特征在于先將IC級硅片劃分為去除層和保留層兩部分，然后將去除層的邊緣倒角成一種形狀，將保留層的邊緣倒角成另外一種形狀，并且保留層邊緣倒角所形成的形狀相對于位于保留層一半厚度處且平行于硅片表面的平面對稱；由所形成的去除層邊緣倒角與所形成的保留層邊緣倒角構成的娃片邊緣倒角相應于位于娃片一半厚度處且平行于娃片表面的平面非對稱。所述的IC級硅片邊緣加工方法，其必要的加工參數及數值為硅片邊緣倒角的頂點到過保留層邊緣倒角末端且垂直于硅片表面的直線的距離在130±100μπι范圍內，硅片邊緣倒角的頂點到過去除層邊緣倒角末端與硅片表面的交點且垂直于硅片表面的直線的垂直距離在500±100μπι范圍內，硅片邊緣倒角的延長線與硅片表面的夾角在30±2°范圍內。采用本發明，由于IC級硅片經雙面研磨分別去除硅片表面的切割損失層即去除層，再經過擴散工藝并去除的一側擴散層即去除層后，此時的硅片僅僅包括保留層，這時的硅片邊緣倒角就是保留層邊緣倒角，而保留層邊緣倒角相對于位于保留層一半厚度處且平行于硅片表面的平面對稱，因此，保留層邊緣倒角是一種對稱倒角，所以，在硅片的加工以及后續工序中因應力的原因導致的崩邊、暗紋碎片現象減少，提高了成品率，降低了成本。
圖I為本發明的示意圖。圖中的序號表示去除層一 4、去除層二 5、保留層6、去除層三7、去除層邊緣倒角一 8、保留層邊緣倒角9和去除層邊緣倒角二 10。
具體實施例方式 下面結合具體的實施例對本發明作進一步說明。參照圖1，將硅單晶棒先行滾圓，然后垂直于單晶棒軸線切割，得到圓片狀IC級硅片，厚度為590±10 μ m，將該IC級硅片劃分為去除層一 4、去除層二 5、去除層三7和保留層6 ;將去除層一 4、去除層二 5、去除層三7倒角成一種形狀，如圖中通常采用的斜倒角，即去除層邊緣倒角一 8和去除層邊緣倒角二 10 ;將保留層6邊緣倒角成另一種形狀，如圖中的R型倒角，即保留層邊緣倒角9 ;并且所形成的保留層邊緣倒角9相對于位于保留層6 —半厚度處且平行于硅片表面的平面對稱；由所形成的去除層邊緣倒角一 8和去除層邊緣倒角二 10與所形成的保留層邊緣倒角9構成的硅片邊緣倒角相應于位于硅片一半厚度處且平行于硅片表面的平面非對稱。其中，采用與所述硅片邊緣倒角形狀相同的模具同時加工去除層邊緣倒角一 8和去除層邊緣倒角二 10和保留層邊緣倒角9.必要的加工參數及數值為硅片邊緣的頂點到過保留層邊緣倒角9末端(去除層邊緣倒角二 10始端)且垂直于硅片表面的直線的距離B在130± 100 μ m范圍內，硅片邊緣倒角的頂點到“過去除層邊緣倒角8末端與娃片表面的交點、且垂直于娃片表面”的直線的距離A在500± 100 μ m范圍內，娃片邊緣倒角的延長線與硅片表面的夾角Θ在30±2°范圍內。 在上述中，由于采用IC級硅片非對稱邊緣加工方法的加工的IC級硅片，經雙面研磨分別去除硅片表面的切割損失層即去除層去除層一 4、去除層三7，再經過擴散工藝并去除的一側擴散層即去除層二 5后，此時的硅片僅僅包括保留層6，這時的硅片邊緣倒角就是保留層邊緣倒角9，而保留層邊緣倒角9相對于位于保留層6 —半厚度處且平行于硅片表面的平面對稱，因此，保留層邊緣倒角9是一種對稱倒角，所以，在硅片的加工以及后續工序中因應力的原因導致的崩邊、暗紋碎片現象減少，提高了成品率，降低了成本。
權利要求
1.一種IC級硅片邊緣加工方法，其特征在于先將IC級硅片劃分為去除層和保留層兩部分，然后將去除層的邊緣倒角成一種形狀，將保留層的邊緣倒角成另外一種形狀，并且保留層邊緣倒角所形成的形狀相對于位于保留層一半厚度處且平行于硅片表面的平面對稱；由所形成的去除層邊緣倒角與所形成的保留層邊緣倒角構成的硅片邊緣倒角相應于位于硅片一半厚度處且平行于硅片表面的平面非對稱。
2.根據權利要求I所述的IC級硅片邊緣加工方法，其特征在于其必要的加工參數及數值為硅片邊緣倒角的頂點到過保留層邊緣倒角末端且垂直于硅片表面的直線的距離在130±100 μ m范圍內，硅片邊緣倒角的頂點到過去除層邊緣倒角末端與硅片表面的交點且垂直于硅片表面的直線的垂直距離在500 ± 100 μ m范圍內，硅片邊緣倒角的延長線與硅片表面的夾角在30±2°范圍內。
全文摘要
本發明涉及一種IC級硅片邊緣加工方法，該方法是先將IC級硅片劃分為去除層和保留層兩部分，然后將去除層的邊緣倒角成一種形狀，將保留層的邊緣倒角成另外一種形狀，并且保留層邊緣倒角所形成的形狀相對于位于保留層一半厚度處且平行于硅片表面的平面對稱；由所形成的去除層邊緣倒角與所形成的保留層邊緣倒角構成的硅片邊緣倒角相應于位于硅片一半厚度處且平行于硅片表面的平面非對稱。采用本發明，在硅片的加工以及后續工序中因應力的原因導致的崩邊、暗紋碎片現象減少，提高了成品率，降低了成本。
文檔編號H01L21/02GK102956442SQ20121047954
公開日2013年3月6日 申請日期2012年11月23日 優先權日2012年11月23日
發明者吾勇軍, 陳鋒, 方強 申請人:萬向硅峰電子股份有限公司