具有漏極接法場板的堅固的LDMOS的制作方法

本說明書涉及微電子器件領域。更具體地但不排它地，本說明書涉及橫向擴散金屬氧化物半導體(ldmos)器件。

背景技術：

1、本發明涉及(ldmos)晶體管，并且具體涉及一種堅固性改進的ldmos晶體管。隨著諸如dc-dc轉換器之類的功率半導體器件按比例縮放到下一代器件，期望改進性能、減小管芯尺寸并增加半導體器件的安全操作區域(soa)。增加半導體器件的soa是改進器件的整體堅固性的一種方法。

技術實現思路

1、提供該
技術實現要素：
以簡化形式介紹所描述概念的簡要選擇，這些概念將在下面包括所提供的附圖的詳細描述中進一步描述。該發明內容不限制要求保護的主題的范圍。

2、所描述的示例包括半導體器件，該半導體器件包括漏極擴展金屬氧化物半導體(mos)晶體管，本文稱為demos晶體管，其包括與漏極歐姆接觸區相鄰的漏極接法(drain-tied)場板。所描述的示例提供了用于形成此類demos晶體管的相關聯的工藝流程。

技術特征：

1.一種半導體器件，其包括：

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述漏極接法場板遵循具有圓角的路徑，所述圓角的半徑大于所述場板的厚度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述場板大約平行于所述漏極區延伸。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述場釋放電介質層包括具有錐形邊緣的二氧化硅的硅的硅局部氧化層即locos層，并且所述場板位于所述錐形邊緣上方。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一導電型為p型，并且所述第二導電型為n型。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述場板包含多晶硅。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述柵極電極和所述場板具有閉環配置。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述場板在所述漏極區和所述柵極之間延伸的距離至少是所述場釋放電介質層的厚度的兩倍。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述場板在所述場釋放電介質層的錐形邊緣上方延伸。

11.一種形成半導體器件的方法，其包括：

12.根據權利要求11所述的方法，其中與所述柵極電極同時形成所述場板。

13.根據權利要求11所述的方法，其中通過使用所述場板將所述第二導電類型的摻雜劑注入所述漂移區以在所述漏極區的周邊阻擋所述第二導電類型的所述摻雜劑來形成所述漏極區。

14.根據權利要求11所述的方法，其中所述場板位于所述場釋放電介質層的邊緣上方。

15.根據權利要求11所述的方法，其還包括：

16.根據權利要求11所述的方法，其中所述場釋放電介質層通過硅局部氧化工藝即locos工藝形成。

17.根據權利要求11所述的方法，其中所述第一導電類型為p型并且所述第二導電類型為n型。

18.根據權利要求11所述的方法，其還包括形成電介質材料的側壁間隔物，所述側壁間隔物鄰接所述場板并且在所述場板和所述漏極區之間。

技術總結
一種半導體器件，其包括襯底，該襯底具有包含橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管的半導體層，該半導體層包括第一導電類型的管體區和相反導電類型的漂移區。在管體的溝道區上方的柵極電介質層，柵極電介質在管體區和漏極區之間的結上方延伸；柵極電介質上的柵極電極；以及在漏極漂移區中的漏極觸點，漏極區具有第二導電類型。在漏極漂移區上的場釋放電介質層，其從漏極區延伸到柵極電介質，其厚度大于柵極電介質層。場釋放電介質上的漏極接法場板，漏極接法場板從漏極區朝向柵極延伸，其中在漏極接法場板和漏極區之間具有電連接。

技術研發人員：H·L·愛德華茲,G·薛
受保護的技術使用者：德克薩斯儀器股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/1/13