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半導體裝置的制作方法

文檔序號:34656485發布日期:2023-06-30 01:47閱讀:36791來源:國知局
半導體裝置的制作方法

本發明涉及半導體裝置。


背景技術:

1、在專利文獻1中記載了igbt單元的至少一部分包含第二導電型的電浮置的阻擋區。

2、現有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1:日本特開2019-91892號公報


技術實現思路

1、技術問題

2、通過將這樣的阻擋區設置于溝槽部底部而使雪崩耐量提高,另一方面,存在導通時的瞬態電阻上升,導通電阻惡化這樣的問題。

3、技術方案

4、在本發明的第一方式中,提供一種半導體裝置。半導體裝置具備晶體管部,并且具備:第一導電型的漂移區,其設置于半導體基板;多個溝槽部,其從半導體基板的正面延伸到漂移區;第一導電型的發射區,其設置為在半導體基板的正面,從多個溝槽部中的溝槽部延伸至相鄰的溝槽部,并且摻雜濃度高于漂移區的摻雜濃度;以及第二導電型的溝槽底部,其設置于溝槽部的下端,晶體管部在俯視時具有不設置溝槽底部的電子通過區。

5、電子通過區可以設置為在溝槽排列方向上從多個溝槽部中的溝槽部延伸至相鄰的溝槽部。

6、電子通過區在溝槽排列方向上越過多個溝槽部而延伸。

7、在電子通過區的臺面部可以不設置發射區。

8、在發射區的下方可以設置有溝槽底部。

9、半導體裝置還可以具備設置在半導體基板的正面的第二導電型的接觸區,電子通過區可以以在俯視時溝槽延伸方向端部位于接觸區內的方式設置。

10、在電子通過區可以至少設置有發射區。

11、晶體管部可以在俯視時具有形成有溝槽底部的溝槽底部區,溝槽底部區和電子通過區可以在溝槽排列方向上交替地設置。

12、在電子通過區可以至少設置有被施加柵極電壓的柵極溝槽部。

13、溝槽底部可以電浮置。

14、溝槽底部的摻雜濃度可以是1e12cm-3以上且1e13cm-3以下。

15、半導體裝置還可以具備設置在漂移區的上方的第一導電型的蓄積區。

16、漂移區可以介于蓄積區與溝槽底部之間。

17、應予說明,上述
技術實現要素:
并未列舉本發明的全部特征。另外,這些特征組的子組合也能夠另外成為發明。



技術特征:

1.一種半導體裝置,其特征在于,具備晶體管部,

2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,

3.根據權利要求2所述的半導體裝置,其特征在于,

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置,其特征在于,

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置,其特征在于,

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置,其特征在于,

7.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置,其特征在于,

8.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置,其特征在于,

9.根據權利要求8所述的半導體裝置,其特征在于,在所述電子通過區至少設置有被施加柵極電壓的柵極溝槽部。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的半導體裝置,其特征在于,

11.根據權利要求1至10中任一項所述的半導體裝置,其特征在于,所述溝槽底部的摻雜濃度為1e12cm-3以上且1e13cm-3以下。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的半導體裝置,其特征在于,所述半導體裝置還具備設置在所述漂移區的上方的第一導電型的蓄積區。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置,其特征在于,


技術總結
本發明提供一種半導體裝置,具備晶體管部,所述半導體裝置具備:第一導電型的漂移區,其設置于半導體基板;多個溝槽部,其從半導體基板的正面延伸至漂移區;第一導電型的發射區,其設置為在半導體基板的正面,從多個溝槽部中的溝槽部延伸至相鄰的溝槽部,并且摻雜濃度高于漂移區的摻雜濃度;以及第二導電型的溝槽底部,其設置于溝槽部的下端,晶體管部在俯視時具有不設置溝槽底部的電子通過區。

技術研發人員:伊倉巧裕,野口晴司,櫻井洋輔,浜崎竜太郎
受保護的技術使用者:富士電機株式會社
技術研發日:
技術公布日:2024/1/13
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