本技術涉及半導體器件，尤其涉及一種具有雙柵極溝槽的sicmosfet器件。
背景技術：
1、在溝槽型sic?mosfet中，柵極溝槽底部易產生電場集中效應，這可能導致柵氧化層的可靠性下降，進而影響器件的長期工作性能。通過增加p+區的結深，使其顯著大于柵極溝槽的深度，可以擴展柵極溝槽下方的空間電荷區覆蓋范圍，從而有效屏蔽高電壓，對柵氧化層起到保護作用。
2、然而，在實際應用中，增加p+區結深也帶來了一定的挑戰。對于器件的有源區來說，p+區結深與柵極溝槽深度的差異過大會引起電流通道的壓縮，從而增加比導通電阻；對于終端區而言，較大的p+區結深會導致主結電場峰值位置下移，使得通過常規jte結構轉移電場峰值變得困難。此外，增加p+區結深需要提升注入能量，對掩模工藝提出了更高的要求，這也對相鄰p+注入區之間的最小間距形成限制，進而影響傳統場限環結構的應用。
3、因此，盡管在溝槽型sic?mosfet中引入深p+區可以顯著提高柵氧化層的可靠性，但也可能導致導通能力下降，并因與常規終端設計不匹配而降低器件的擊穿電壓。因此，針對有源區和終端區的設計需要進一步優化，以實現性能與可靠性的平衡。
技術實現思路
1、本實用新型意在提供一種具有雙柵極溝槽的sic?mosfet器件，以解決現有技術中存在的不足，本實用新型要解決的技術問題通過以下技術方案來實現。
2、本實用新型提出了一種具有雙柵極溝槽的sic?mosfet器件，包括有源區和終端區，所述有源區和終端區具有sic襯底以及位于所述sic襯底上的漂移層，所述有源區包括多個元胞結構，
3、所述元胞結構具有第一柵極溝槽a和第二柵極溝槽b；所述第一柵極溝槽a下方具有p型基區，其側壁和與底部兩端區域中具有柵氧化層，在底部兩端區域中的柵氧化層上具有多晶硅電極，在所述多晶硅電極之間的第一柵極溝槽a中填充有層間介質；
4、所述第二柵極溝槽b下方具有一層p型保護區，第二柵極溝槽b側壁和底部具有一層柵氧化層，所述第二柵極溝槽b內部具有多晶硅電極；
5、在所述第一柵極溝槽a和第二柵極溝槽b之間具有p型基區、n+型源區和p+型源區，所述n+型源區位于所述p型基區上方，所述p+型源區貫穿所述p型基區和n+型源區并向所述漂移層內延伸；所述p+型源區表面與所述n+型源區平齊，在所述p+型源區上具有源極歐姆接觸電極；所述p型基區包裹所述第一柵極溝槽a的底部拐角；
6、所述終端區具有殘留的p+型源區以及與所述第一柵極溝槽a同時刻蝕形成的刻蝕區，所述殘留的p+型源區深度為p+型源區的注入結深減去所述第一柵極溝槽a的深度，在所述刻蝕區內部具有p型基區。
7、在所述sic襯底背面具有漏極歐姆接觸電極，在所述元胞結構上進一步具有一層正面金屬。
8、進一步地，所述第一柵極溝槽a深度、寬度均大于第二柵極溝槽b。
9、進一步地，所述第一柵極溝槽a的寬度不小于3μm。
10、進一步地，所述第一柵極溝槽a的深度不小于1.2μm。
11、進一步地，第一柵極溝槽a的側壁的角度不小于70°。
12、進一步地，所述p+型源區的注入結深不小于1.5μm。
13、進一步地，所述第二柵極溝槽b的寬度和深度均不超過1μm。
14、進一步地，所述p型保護區的摻雜濃度不超過1×1018cm-3。
15、進一步地，所述有源區的所述第一柵極溝槽a正下方的p型基區的寬度不超過2μm。
16、本實用新型包括以下優點：本申請器件采用第二柵極溝槽的深度、寬度均小于第一柵極溝槽，低電壓下第二柵極溝槽的導通確保器件的開啟，電壓升高后下第一柵極溝槽的導通提升器件在大電流下的性能，雙重柵極溝槽的使用可以優化器件整體導通特性。此外，本申請終端區的p型基區注入在刻蝕區內部，可以提升有效的注入深度，在主結外側發揮jte或者rings的作用，緩解電場峰值提升器件擊穿電壓，本器件結構不需要引入額外的終端區注入工藝即可優化阻斷特性。
1.一種具有雙柵極溝槽的sic?mosfet器件，包括有源區和終端區，所述有源區和終端區具有sic襯底（1）以及位于所述sic襯底（1）上的漂移層（2），所述有源區包括多個元胞結構，其特征在于：
2.根據權利要求1所述的具有雙柵極溝槽的sic?mosfet器件，其特征在于，所述第一柵極溝槽a深度、寬度均大于第二柵極溝槽b。
3.根據權利要求1所述的具有雙柵極溝槽的sic?mosfet器件，其特征在于，所述第一柵極溝槽a的寬度不小于3μm。
4.根據權利要求1所述的具有雙柵極溝槽的sic?mosfet器件，其特征在于，所述第一柵極溝槽a的深度不小于1.2μm。
5.根據權利要求1所述的具有雙柵極溝槽的sic?mosfet器件，其特征在于，第一柵極溝槽a的側壁的角度不小于70°。
6.根據權利要求1所述的具有雙柵極溝槽的sic?mosfet器件，其特征在于，所述p+型源區（4）的注入結深不小于1.5μm。
7.根據權利要求1所述的具有雙柵極溝槽的sic?mosfet器件，其特征在于，所述第二柵極溝槽b的寬度和深度均不超過1μm。
8.根據權利要求1所述的具有雙柵極溝槽的sic?mosfet器件，其特征在于，所述p型保護區（10）的摻雜濃度不超過1×1018cm-3。
9.根據權利要求1所述的具有雙柵極溝槽的sic?mosfet器件，其特征在于，所述有源區的所述第一柵極溝槽a正下方的p型基區（5）的寬度不超過2μm。