本申請涉及射頻，尤其涉及一種射頻pa?mid器件、射頻系統和電子設備。
背景技術：
1、隨著技術的發展和進步，各種通信制式(如4g信號，又如5g信號)的需求也在日益增加。由于各功率放大模塊集成雙工器((power?amplifier?modules?includingduplexers，pa?mid)等射頻器件的集成度低，導致射頻結構的設計成本較高、占用基板的面積較大。
技術實現思路
1、本申請提供一種射頻pa?mid器件、射頻系統和電子設備，可以提高射頻器件的集成度，降低射頻結構的設計成本，減小占用基板的面積。
2、第一方面，本申請實施例提供了一種射頻pa?mid器件，被配置有用于連接射頻收發器的一個或多個低頻輸入端口與輸出端口、一個或多個中高頻輸入端口與輸出端口、一個或多個超高頻輸入端口與輸出端口，以及一個或多個低頻接收端口、一個或多個中高頻接收端口、一個或多個超高頻接收端口，以及用于連接天線的一個或多個天線端口；射頻pamid器件包括：
3、低頻pa?mid模塊，低頻pa?mid模塊包括第一低頻發射通路和低頻接收通路，第一低頻發射通路一端被配置為與一個或多個低頻輸入端口電連接，另一端被配置為與一個或多個天線端口電連接，低頻接收通路一端被配置為與一個或多個低頻接收端口電連接，另一端被配置為與一個或多個低頻輸出端口電連接；
4、中高頻pa?mid模塊，中高頻pa?mid模塊包括第一中高頻發射通路和第一中高頻接收通路，第一中高頻發射通路一端被配置為與一個或多個中高頻輸入端口電連接，另一端被配置為與一個或多個天線端口電連接，第一中高頻接收通路一端被配置為與一個或多個中高頻接收端口電連接，另一端被配置為與一個或多個中高頻輸出端口電連接；
5、超高頻pa?mid模塊，超高頻pa?mid模塊包括第一超高頻發射通路和第一超高頻接收通路，第一超高頻發射通路一端被配置為與一個或多個超高頻輸入端口電連接，另一端被配置為與一個或多個天線端口電連接，第一超高頻接收通路一端被配置為與一個或多個超高頻接收端口電連接，另一端被配置為與一個或多個超高頻輸出端口電連接；
6、2g高頻功率放大器，2g高頻功率放大器一端被配置為與一個或多個中高頻輸入端口電連接，另一端被配置為與第一中高頻發射通路電連接。
7、第二方面，本申請實施例提供了一種射頻系統，該射頻系統包括：
8、第一方面所述的射頻pa?mid器件；
9、一個或多個天線，被配置為與射頻pa?mid器件的一個或多個天線端口電連接；
10、射頻收發器，被配置為與射頻pa?mid器件的一個或多個低頻輸入端口與輸出端口、一個或多個中高頻輸入端口與輸出端口、一個或多個超高頻輸入端口與輸出端口電連接。
11、第三方面，本申請實施例提供了一種電子設備，包括第二方面所述的射頻系統。
12、基于此，本申請實施例提供了一種pa?mid器件、射頻系統和電子設備。該射頻pamid器件可以包括低頻pa?mid模塊、中高頻pa?mid模塊、超高頻pa?mid模塊和2g高頻功率放大器，其中：低頻pa?mid模塊、中高頻pa?mid模塊、超高頻pa?mid模塊各自的發射通路一端與輸入端電連接，另一端與天線端電連接；低頻pa?mid模塊、中高頻pa?mid模塊、超高頻pamid模塊各自的接收通路一端與接收端電連接，另一端與輸出端電連接，2g高頻功率放大器一端與中高頻輸入端電連接，另一端與中高頻發射通路電連接。如此，將低頻pa?mid模塊、中高頻pa?mid模塊、超高頻pa?mid模塊和2g高頻功率放大器集成在射頻pa?mid器件中，可以提高射頻pa?mid器件的集成度，降低了射頻結構的設計成本，減小了占用基板的面積。
1.一種射頻pamid器件，其特征在于，被配置有用于連接射頻收發器的一個或多個低頻輸入端口與輸出端口、一個或多個中高頻輸入端口與輸出端口、一個或多個超高頻輸入端口與輸出端口，以及一個或多個低頻接收端口、一個或多個中高頻接收端口、一個或多個超高頻接收端口，以及用于連接天線的一個或多個天線端口；所述射頻pamid器件包括：
2.根據權利要求1所述的射頻pamid器件，其特征在于，所述射頻pamid器件還包括：
3.根據權利要求2所述的射頻pa?mid器件，其特征在于，所述第二低頻發射通路包括低頻功率放大器和低頻濾波器，所述低頻功率放大器一端被配置為與一個或多個所述低頻輸入端口電連接，另一端被配置為與所述低頻濾波器第一端電連接，所述低頻濾波器第二端被配置為與一個或多個所述天線端口電連接。
4.根據權利要求2所述的射頻pamid器件，其特征在于，所述第二中高頻發射通路包括第一中高頻功率放大器和第一中高頻濾波器，所述第一中高頻功率放大器一端被配置為與一個或多個所述中高頻輸入端口電連接，另一端被配置為與所述第一中高頻濾波器第一端電連接，所述第一中高頻濾波器第二端被配置為與一個或多個所述天線端口電連接。
5.根據權利要求2所述的射頻pamid器件，其特征在于，所述超高頻pa?mid模塊包括第一開關單元，所述第二超高頻發射通路另一端被配置為與所述第一開關單元一端電連接，所述第一開關單元另一端被配置為與一個或多個所述天線端口電連接。
6.根據權利要求2或5所述的射頻pa?mid器件，其特征在于，所述第二超高頻發射通路的數量為多個，且多個所述第二超高頻發射通路之間并聯連接；
7.根據權利要求1至5中任一項所述的射頻pa?mid器件，其特征在于，所述射頻pa?mid器件還包括：
8.根據權利要求7所述的射頻pamid器件，其特征在于，所述第二中高頻接收通路包括一個或多個第二中高頻濾波器、一個或多個第二開關單元、一個或多個第一低噪聲放大器以及第三開關單元；
9.根據權利要求1至5中任一項所述的射頻pamid器件，其特征在于，所述第一中高頻接收通路包括一個或多個第三中高頻濾波器、一個或多個第四開關單元、一個或多個第二低噪聲放大器以及第五開關單元；
10.根據權利要求1至5中任一項所述的射頻pa?mid器件，其特征在于，所述第一中高頻發射通路包括第六開關單元、第二中高頻功率放大器、第三中高頻功率放大器、第四中高頻功率放大器和第七開關單元；
11.根據權利要求1至5中任一項所述的射頻pa?mid器件，其特征在于，
12.一種射頻系統，其特征在于，包括：
13.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括如權利要求12所述的射頻系統。