專利名稱：具有尺寸保留圖形的軟膜覆晶帶的制作方法
技術領域：
本發明涉及用于半導體器件的軟膜覆晶(chip on flex)(COF)帶，其中半導體芯片被安裝在柔性基板上。
背景技術：
具有在柔性基板上安裝的半導體芯片的半導體器件廣泛地用于各種電子設備產品的布線和連接部分，諸如個人電腦、個人電腦的終端設備、硬盤驅動器(HDD)、個人數字助理(PDA)、數字通用盤(DVD)、移動電話和液晶顯示板(LCD)。因而這種半導體器件可以圖示為通常使用的載帶式封裝(TCP)和近年來開始經常使用軟膜覆晶(COF)(也稱為“薄膜覆晶(chip on film)”)。在以上產品的各個領域中，強烈地尋求電子設備的更高密度安裝和更大的顯示面板，以及在用于液晶顯示器(LCD)的集成電路(IC)封裝中，對更精細間距、更高分辯率的需求正在增加，以及增加帶彎曲的能力。為了滿足這些需求，常規的載帶式封裝(TCP)被替換為軟膜覆晶(COF)。
載帶式封裝(TCP)帶具有用于安裝集成電路(IC)芯片的器件孔。在引線的連接部分，布置在這種器件孔中的IC芯片被電連接，引線的連接部分指由薄的金屬線制成的內引線，以及以所謂的“跨引線(flying lead)”的形式存在。另一方面，軟膜覆晶(COF)帶沒有器件孔，IC芯片被安裝在帶上，且被直接連接到作為帶上的布線層而存在的內引線的連接部分，因此與TCP帶相比，可以更容易地獲得更精細的間距。
安裝軟膜覆晶(COF)帶之后，為了將各種產品放入預定的位置中，通常COF帶必須被彎曲。為了便于彎曲和使彎曲之后的排斥力最小，通常使用雙層的軟膜覆晶(COF)帶，該COF帶包括作為基板的薄(25或38μm厚度)柔性絕緣膜，以及在其上粘附金屬層作為布線層。這種雙層的COF帶通過其中在諸如聚酰亞胺的柔性絕緣膜上形成金屬層的生長金屬層的方法、其中在金屬箔的表面上涂敷諸如聚酰亞胺清漆的樹脂膜前體，接著進行用于固化的熱處理和溶劑除去的澆鑄方法、或其中通過諸如熱塑性聚酰亞胺膠粘劑的合適的粘結方式層疊諸如銅箔的金屬薄和諸如聚酰亞胺膜的柔性絕緣膜的粘結方法來制造。從電路形成的觀點，這種雙層的COF帶通常通過其中在柔性絕緣膜上形成抗蝕劑圖形，然后在抗蝕劑圖形間隙中生長諸如銅的布線金屬的相加法、其中在柔性薄膜上形成諸如銅的電極金屬層，以便形成抗蝕劑圖形，然后通過使用該電極金屬層作為饋送層，生長諸如銅的金屬布線的半相加法、其中由金屬層和柔性絕緣膜的疊層在布線圖形圖像中刻蝕金屬層以便在柔性絕緣膜上形成布線電路的相減法等來形成。
通常COF帶具有在柔性絕緣膜(主要是聚酰亞胺膜)的表面上涂敷的電路布線，以及使用有在其上安裝的半導體芯片，諸如用于液晶顯示板(LCD)、等離子顯示板(PDP)、有機電致發光(EL)顯示器等的平面顯示板的驅動器。COF帶安裝有用于連接到顯示板元件部分或印刷電路板的連接部分(通常，稱為“外引線”)，以及安裝有用于連接到集成電路(IC)的芯片連接部分(通常，稱為“內引線”)。
為了提高更精細間距的可靠性，通常采取措施提高連接部分的粘附性能，以防止導線斷裂等。例如，在日本未審查專利公報(Kokai)號2001-201757中，在液晶顯示器中，其中用于連接液晶顯示器部分的多個外引線端子和連接到驅動電路部分的外引線端子被各向異性導電膜(ACF)連接，在用于連接到液晶顯示器部分的外引線端子附近布置加固部件，以便分散和減輕帶中產生的應力。這些導致提高具有各向異性導電膜(ACF)的外引線的粘結性能和提高電連接的可靠性。
日本未審查專利公報(Kokai)2002-124544公開了在平行于這兩個內引線的布線方向的兩個相鄰內引線之間形成虛擬引線。這方法試圖阻止由于熱應力引起的內引線部分的斷裂。
另一方面，盡管軟膜覆晶(COF)帶需要彎曲能力，當電路的間距變得更精細時，更可能經常發生由于彎曲的導線斷裂，由此導致彎曲能力被減小的趨勢。由此，盡管在日本未審查專利公報(Kokai)號5-3228和日本專利3169039中，為了提高帶的彎曲能力，使用具有50和75μm厚度的較硬的聚酰亞胺膜，通過除去形成彎曲部分的縫隙中的聚酰亞胺，然后用撓性樹脂涂敷露出的銅引線，提高彎曲性能。此外，在日本未審查專利公報(Kokai)號10-32227中，通過使彎曲部分銅引線的厚度更薄提高彎曲性能。此外，在日本未審查專利公報(Kokai)2001-53108中，通過將塑料增強膜粘貼到COF帶的反面，有可能制造具有優異的彎曲性能的薄基體膜。
如上所述可以看到，隨著COF帶的布線電路的間距變得越來越精細，常規技術運用各種默許(connivances)來阻止布線破裂和保持彎曲性能。但是，由于布線電路的間距更精細，多個引線(累積間距)之間的距離的小偏差也致使其難以將引線連接端子的連接部分與半導體芯片或與顯示部分的連接部分連接。
通常，在金屬層和變為用于COF帶的材料的柔性絕緣膜的疊層中，由于諸如疊層制造過程中的張力和熱量的條件，有剩余的內應力。在布線圖形的形成過程中，在沒有金屬層的區域釋放這種應力，以及引起膨脹或收縮，導致尺寸變化。這種柔性絕緣膜中的應力隨其表面上的區域而變化，以及因此預測尺寸變化是困難的。此外，由于半導體芯片或顯示板的熱膨脹系數不同于COF帶的柔性絕緣膜(例如，聚酰亞胺)的熱膨脹系數，在用于半導體芯片安裝或顯示板連接的加熱時，由那些材料形成布線時，COF帶上的累積間距變得不同，因此在COF的設計中應該預先考慮這種尺寸變化。
日本未審查專利公報(Kokai)號2001-201757和日本未審查專利公報(Kokai)號2002-124544中描述的加固部件和虛擬引線的確可以顯示出抑制平行于布線的方向產生的熱應力，以便防止導線斷裂的效果，但是它們不能防止累積間距的不可預測的尺寸變化。因此，現有技術不能提高累積間距的精確度。而且，由于所描述的加固部件和虛擬引線不在多個布線之間延伸，由于來自柔性絕緣膜的熱膨脹系數的影響，在橫穿布線的方向上COF的總的熱膨脹系數變得較大。
發明內容
因此，本發明的至少一個實施例的目的是提供一種在保持彎曲性能的同時增加累積間距精確度的軟膜覆晶(COF)帶。
根據本發明的一個方面，提供一種具有布線圖形的軟膜覆晶(COF)帶，布線圖形包括在柔性絕緣膜的表面上平行布置的大量布線，其中在所述柔性絕緣膜的所述表面上和/或在與其相對的薄膜的側表面上形成尺寸保留圖形，以便交叉在所述布線圖形與半導體芯片和/或外部裝置的連接部分附近平行布置的至少兩個所述布線的寬度方向。
這種帶可以防止由于柔性絕緣膜的熱膨脹或收縮引起的累積間距的不可預測的尺寸偏差。結果，即使具有精細間距的布線的帶也可以被連接到半導體芯片和外部裝置(例如，顯示板和印制電路板)，具有高連接可靠性。由于累積間距之間的COF帶的熱膨脹系數對應于尺寸保留圖形的熱膨脹系數，因此在設計中，也可以引入加熱期間的預計尺寸變化。
圖1示出了軟膜覆晶(COF)帶的一個方面的頂視圖。
圖2(a)、2(b)、2(c)和2(d)示出了本發明的COF帶的內引線部分的放大頂視圖；圖3(a)和3(b)示出了本發明的COP帶的外引線部分的放大頂視圖；圖4(a)，4(a′)，4(b)，4(b′)，4(c)，4(c′)，4(d)，4(d′)，4(e)，4(e′)，4(f)和4(f′)示出了本發明的COF帶的頂視圖和剖面圖；圖5示出在刻蝕(控制樣品)之前和之后對加工例子1中的樣品的尺寸變化的研究結果；圖6示出在刻蝕(本發明的樣品)之前和之后對加工例子1中的樣品的尺寸變化的研究結果；圖7示出了銅層的厚度和對于每個聚酰亞胺厚度的線膨脹系數的關系。
具體實施例方式
下面將說明本發明的軟膜覆晶(COF)帶的優選實施例。
在此使用的術語“連接部分的附近”意味著鄰近連接部分的區域，但是基本上不與其接觸。具體，如果在具有布線圖形薄膜的表面(前表面)上存在尺寸保留圖形，那么它是其中布線圖形的布線不互相短路的范圍。如果在沒有布線圖形薄膜的表面(相反的側表面或后表面)上存在尺寸保留圖形，那么它是對應于直接在連接部分下面或圍繞連接部分的范圍。
術語“布線圖形”意味著形成在柔性絕緣膜上的大量布線的組件。
術語“布線圖形的連接部分”意味著對應于布線的端部區域(引線)的連接部分，以及包括與半導體芯片連接的內引線的連接部分和與諸如顯示板或印刷電路板的外部設備連接的外引線連接部分。
術語“交叉或橫穿平行布置的至少兩個布線的寬度方向”意味著基本上沿兩個或更多平行布線的連接部分(引線)之間或當中延伸的線的方向延伸至少與該直線相同的長度。
現在將參考
本發明的實施例。但是，應當指出，本發明不被這些特定的實施例限制。圖1示出了軟膜覆晶(COF)帶的一個實施例的頂視圖。所示的軟膜覆晶(COF)帶10示出以TAB帶形式形成的、用于平板顯示器的驅動器作為例子。在柔性絕緣膜1(帶基板)上已形成了布線圖形。布線從輸入端外引線2(用于輸入的連接部分)連接到內引線3(至半導體芯片的連接部分)，還從內引線3連接到輸出端外引線4(用于輸出的連接部分)。盡管未示出，但是輸入端外引線2被連接到印刷電路板，以及，另一方面，輸出端外引線4被連接到顯示板。除輸入端外引線2、內引線和輸出端外引線4之外的布線部分用抗焊劑(或覆層)5覆蓋，以保證絕緣態。
至于柔性的絕緣膜1，使用具有在安裝半導體芯片及其他部分時抵抗熱量的抗熱性、防止短路的電絕緣性能以及抵抗應力的機械強度的那些柔性樹脂膜。至于這種薄膜1，可以提及例如，樹脂膜諸如聚酰亞胺、聚酯、聚酰胺、聚醚醚酮、聚醚砜以及液晶薄膜，以及從抗熱性、機械強度、電絕緣性能等的觀點，聚酰亞胺膜是優選的。
在柔性絕緣膜上已形成了布線圖形。布線圖形通常由諸如銅、鎳、鉻、金和銀的導電金屬形成。如圖1所示，布線圖形包括輸入端外引線2、內引線3、和輸出端外引線4，作為在端部區域的連接部分平行布置的大量布線。
圖2(a)和2(b)示出了本發明的COF帶的內引線部分的放大頂視圖，具有各種形式的尺寸保留圖形。在由平行布置的大量布線制成的內引線3附近，在與內引線3相同的表面(前表面)上布置了尺寸保留圖形6，以便交叉至少兩個布線的寬度方向，“a”是在圖2(a)中的垂直方向上的內引線和尺寸保留圖形之間的距離。“b”是在圖2(a)中的垂直方向上的尺寸保留圖形的最小寬度。“c”是在水平方向上的突出部分尺寸保留圖形的寬度，突出部分尺寸保留圖形存在于在圖2(a)中的垂直方向上延伸的內引線當中的最左側內引線和在圖2(a)中的水平方向上延伸的內引線之間。尺寸保留圖形的尺寸根據半導體芯片的尺寸而改變。圖2(a)中“a”通常是從15至100μm。圖3(a)和3(b)示出了本發明的COF帶的外引線部分的放大頂視圖。在由平行布置的大量布線制成的外引線2或4附近，在與外引線2或4相同的表面(前表面)上布置尺寸保留圖形6，以便交叉至少兩個布線的寬度方向。在圖2(a)至2(d)中，由虛線表示的區域是安裝半導體芯片的位置。在圖3(a)和3(b)中，由虛線表示的區域是安裝顯示板的位置。最初，由于諸如具有金屬層的疊層的薄膜制造過程中的張力或熱量的影響，在柔性的絕緣膜中積累應力。在通過刻蝕導致尺寸變化的布線圖形形成過程中，薄膜中的這種應力被釋放。在薄膜的整個表面上薄膜中積累的應力并不均勻，因此由于在整個表面上熱量極大地變化，在應力消除之后尺寸變化，且難以被預測。而且，該薄膜的熱膨脹系數大于金屬層的熱膨脹系數，該熱膨脹系數在更高的溫度下更大，(由DuPont制造的(KaptonEN(商品名))的熱膨脹系數在60℃時約為1.0×10-5/℃，在290℃時約為1.8×10-5/℃)。根據本發明，尺寸保留圖形約束引線間距之間的間距，因此，刻蝕之前的鍵合時和設計時大量引線的引線間距(累積間距)和刻蝕之后的累積間距之間的尺寸變化可以被抑制。盡管諸如聚酰亞胺的樹脂膜通過濕氣吸收膨脹(由于濕氣改變(由DuPont制造的KaptonEN(商品名)，熱膨脹系數)約為1.6×10-5/RH％，因為被尺寸保留圖形約束，由于濕氣改變，增加減小的膨脹。這使之可以增加累積間距的精確度，而沒有精確的濕度控制，結果半導體芯片可以被連接，具有電連接可靠性。
至于尺寸保留圖形的形狀，圖2(a)是最有效的，但是通過除去左側和右側上的凸出，如圖2(b)所示，在相同的區域上可以布置更多引線。此外，通過將圖形分開，如圖2(c)和(d)所示，可以在分開的區域設計布線。
根據本發明的另一方面，可以在與其上形成了柔性絕緣膜1的布線圖形的表面相反的表面上(后表面)布置尺寸保留圖形6′。圖4(a)至(4′)(圖4(a)至圖4(f)和圖4(a′)至圖4(f))示出了COF帶的頂視圖和其中具有尺寸保留圖形6′的區域被畫斜陰影線的截面。在圖4(a)和(a′)中，在除用于傳送TAB帶的定位孔之外的整個表面上布置尺寸保留圖形6′。在此情況下，不必在整個后表面上形成的金屬層上進一步形成圖形。在圖4(b)和(b′)中，尺寸保留圖形6′已被分為在薄膜的寬度方向上延伸的兩個部分。因此，在兩個尺寸保留圖形6′之間有縫隙狀的區域，該區域沒有圖形7。在此情況下，薄膜可以在該縫隙位置7處彎曲，以及可以保證彎曲性能。在圖4(c)和(c′)中，在用于半導體芯片的安裝和外部裝置(顯示板)的連接過程中使用對準的標記部分提供沒有圖形的區域8，以及存在沒有圖形的縫隙狀區域7，如圖4(b)和圖4(b′)。這使之易于通過光透射法對準帶圖形。在圖4(d)和(d′)中，在半導體芯片的安裝部分和用于外部裝置(顯示板)的連接部分提供沒有圖形的區域9，以及存在沒有圖形的縫隙狀區域7，如圖4(b)和圖4(b′)。這使之可以在安裝的時候通過薄膜觀察該連接部分。此外，在安裝的時候，連接部分可以被有效地加熱。圖4(e)和(e′)以及圖4(f)和(f′)僅僅在用于半導體芯片的安裝部分和用于外部裝置(顯示板)的連接部分附近提供尺寸保留圖形。這使之可以影響累積間距的尺寸的穩定性，稍微損失COF帶的柔韌性。
如上所述，本發明的尺寸保留圖形形成為交叉在布線圖形的連接部分附近平行布置的至少兩個布線的寬度方向。通過交叉平行布置的兩個或更多布線的寬度方向延伸，物理地約束該布線。結果，即使在用于布線圖形形成的刻蝕時或鍵合過程中，也不會發生相鄰布線的累積間距增加至不可預測的數量。為了允許這種功能的表現，優選尺寸保留圖形具有與構成布線圖形的材料相類似的性能。該材料的質量或尺寸保留圖形的厚度可以不同于布線圖形，但是優選熱膨脹系數是相同的。當熱膨脹系數相同時，不僅可以設計布線間距，假定在連接部分附近的熱膨脹系數接近用于布線圖形材料的熱膨脹系數，而且該薄膜的膨脹系數接近布線圖形材料的膨脹系數，結果基于該薄膜的熱膨脹系數和布線圖形材料的熱膨脹系數的差異，冷-熱循環過程中的導線斷裂可以被阻止。根據上述情況，構成布線圖形和構成尺寸保留圖形的材料更優選是相同的，以及最優選兩者都是銅金屬。
如上所述，在與其上形成了布線圖形的相同表面上可以形成尺寸保留圖形。在此情況下，優選構成尺寸保留圖形的材料與構成布線圖形的材料相同，由于它允許在相同步驟中尺寸保留圖形的形成與布線圖形的形成同時。尺寸保留圖可以形成形在與其上形成了布線圖形的表面相反的表面(后表面)上。在此情況下，由于布線圖形通過柔性絕緣膜絕緣，不為布線之間的短路而擔心，因此也可以將它們直接布置在半導體芯片安裝部分或外部裝置(顯示板)的連接部分下面或附近。
如圖所示，可以以固體形式在整個表面形成尺寸保留圖形，或可以僅僅形成在部分構圖的區域中，如以柵格形式或網孔形式。
尺寸保留圖形可以具有構成平行于布線的部分的凸出部分，如圖2(a)，(c)，(d)和圖3(a)。在此情況下，可以設計更大的尺寸保留圖形，因此可以提高尺寸穩定性。而且，由于由內引線的刻蝕或電鍍，凸出部分變為虛擬圖形，可以致使內引線部分的刻蝕或電鍍更均勻。
COF的制備本發明的COF帶可以通過在金屬層上澆鑄樹脂的方法、在柔性絕緣膜上生長金屬層的方法、其中制備諸如聚酰亞胺膜的柔性絕緣膜和金屬箔，然后通過諸如聚酰亞胺膠粘劑的適當粘合劑等粘接的方法來制造，所述在金屬層上澆鑄樹脂的方法，例如，其中在諸如銅箔的金屬箔上涂敷聚酰亞胺前體清漆，然后被加熱以亞胺脂化(imidated)，所述在柔性絕緣膜上生長金屬層的方法，例如，通過汽相淀積等在柔性絕緣膜上直接金屬化金屬，然后通過電解電鍍使金屬層形成至預定厚度。
接著，可以通過諸如半相加法、相減法和相加法的這種方法來形成布線圖形。如上所述，尺寸保留圖形優選在相同步驟中與布線圖形同時形成。
例子加工例子1通過濺射在具有38μm厚度的聚酰亞胺膜(由DuPont制造的KaptonEN(商品名))的整個表面上形成4μm厚度的銅層。在該銅層上粘附光刻膠膜，光刻膠膜被用布線圖形曝光并顯影，以便露出布線圖形圖像中的銅層。在露出的銅層上，銅被電解電鍍至14μm的厚度。接著，用堿性水溶液剝落并除去抗蝕劑，然后該薄膜被浸于蝕刻液中，該蝕刻液包括用于刻蝕的含水氯化鐵溶液，以及未電鍍部分的銅層被除去，以此方式制備64個COF帶，COF帶具有在聚酰亞胺膜上的銅布線層。如下獲得COF帶的結構控制樣品(沒有尺寸圖形)聚酰亞胺膜38μm銅圖形的厚度12μm銅圖形的寬度20μm引線間距50μm引線的數目250累積間距(總間距)12500μm用完全類似的方法，制造COF帶，以及用相同的步驟中在相同表面上也形成與銅圖形相同厚度的尺寸保留圖形，如圖2(a)所示。本發明的樣品聚酰亞胺膜38μm銅圖形的厚度12μm銅圖形的寬度20μm引線間距50μm引線的數目250累積間距(總間距)12500μm尺寸保留圖形(a＝100μm，b＝900μm，c＝25μm)在圖5(控制樣品)中和圖6(本發明的樣品)中示出了刻蝕之前和之后對這些樣品的尺寸變化的研究結果。已知當銅層被完全除去時，這些聚酰亞胺膜顯示出平均約0.03％的尺寸變化。在圖中，-0.03％被設為LSI(下特定極限)，以及+0.03％被設為USI(上特定極限)。從圖5和6的結果，在不形成尺寸保留圖形的控制樣品中具有平均0.02％的膨脹，在形成尺寸保留圖形的本發明的樣品中僅僅觀察到小于0,005％的尺寸變化。這些結果表明通過在連接部分(引線)附近形成尺寸保留圖形可以抑制尺寸變化。
加工例子2(通過模擬)尺寸保留圖形的厚度的效果和與COF帶的熱線膨脹系數相關的聚酰亞胺膜的厚度基于下列表1中描述的尺寸和物理值，使用有限元分析編程ANSYS計算COF帶的熱線性膨脹的系數。對于每個聚酰亞胺的厚度，在圖7中示出了表示銅層的厚度和熱線膨脹系數的關系的曲線。該圖表明，當聚酰亞胺的厚度變薄時，COF帶的熱線膨脹系數變得更接近銅的熱線膨脹系數。更具體地，對于25μm厚度聚酰亞胺膜，當銅尺寸保留圖形的厚度是3μm以上時，COF帶的熱線膨脹系數變得更接近銅的熱線膨脹系數。以此方式，通過與半導體芯片、顯示板或印刷電路板的熱壓鍵合過程中的溫度改變，具有銅的尺寸保留圖形的COF帶形成被銅的物理性能約束的一致尺寸變化和濕氣改變過程中聚酰亞胺的尺寸變化也被銅的尺寸保留圖形約束，因此它較少受濕氣改變影響。
表1用于計算COF帶的線膨脹系數的尺寸和物理值
加工例子3(通過模擬)通過尺寸保留圖形的消除布線引線的應力的效果基于表1中描述的物理值，使用有限元分析編程ANSYS計算施加于COP帶的布線引線上的應力。假定布線寬度是10μm，布線厚度是5μm，與布線圖形相反的整個表面(本發明的實施例)上形成5μm厚度的銅尺寸保留圖形。因為控制，當不形成銅尺寸保留圖形時還計算應力。當溫度改變200℃時計算在引線上產生的應力，對于本發明的實施例，它們是1.82×10-10至1.78×10-5kgf/μm2，以及，另一方面，對于控制，它們是6.59×10-8至8.5×10-6kgf/μm2。該結果表明尺寸保留圖形可以有效地減小引線中產生的應力。
在本發明的COF帶中，尺寸保留圖形形成為交叉大量引線布線。因此，由于薄膜被尺寸保留圖形約束，即使在金屬層的刻蝕除去之后，在內引線或外引線附近不能釋放在金屬層(例如銅)/柔性絕緣膜(例如聚酰亞胺)的疊層的制造過程中積累的應力以及留在柔性絕緣膜中的應力。因此，可以防止由于柔性絕緣膜的熱膨脹或收縮所導致的累積間距的不可預測的尺寸變化。
而且，由于薄膜被尺寸保留圖形約束，尺寸變化較少受濕氣影響，以及精確的濕度控制的需要變小或避免。
而且，由于對應于尺寸保留圖形的累積間距之間的COF帶的熱膨脹系數，因此在設計中也可以預先引入加熱過程中的尺寸變化。
權利要求
1.一種具有布線圖形的軟膜覆晶(COF)帶，該布線圖形包括在柔性絕緣膜的表面上平行布置的大量布線，其中在所述柔性絕緣膜的所述表面上和/或在與其相反的薄膜的側表面上形成尺寸保留圖形，以便交叉在所述布線圖形與半導體芯片和/或外部裝置的連接部分附近平行布置的至少兩個所述布線的寬度方向。
2.根據權利要求1的軟膜覆晶(COF)帶，其中在所述布線圖形與半導體芯片的連接部分和/或與外部裝置的連接部分附近，在與其上形成所述柔性絕緣膜的所述布線圖形的表面相同的表面上形成所述尺寸保留圖形。
3.根據權利要求1的軟膜覆晶(COF)帶，其中在所述布線圖形與半導體芯片的連接部分和/或與外部裝置的連接部分附近，在與其上形成所述柔性絕緣膜的所述布線圖形的表面相反的表面上形成所述尺寸保留圖形。
4.根據權利要求1的軟膜覆晶(COF)帶，其中與所述布線圖形同時形成所述尺寸保留圖形。
5.根據權利要求3的軟膜覆晶(COF)帶，其中在與所述柔性絕緣膜的所述表面相反的表面部分上形成所述尺寸保留圖形，以及在所述柔性絕緣膜彎曲的部分不存在尺寸保留圖形。
全文摘要
提供一種具有在保持鍵合性能的同時增加累積間距的精確度的軟膜覆晶(COF)帶。[解決問題的方法]一種具有布線圖形的軟膜覆晶(COF)帶，該布線圖形包括在柔性絕緣膜的表面上平行布置的大量布線，其中在所述柔性絕緣膜的所述表面上和/或在與其相反的薄膜的側表面上形成尺寸保留圖形，以便交叉在所述布線圖形與半導體芯片和/或外部裝置的連接部分附近平行布置的至少兩個所述布線的寬度方向。
文檔編號H05K1/02GK1849706SQ200480025947
公開日2006年10月18日 申請日期2004年8月3日 優先權日2003年9月10日
發明者山崎英男 申請人:3M創新有限公司