一種肖特基二極管的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種肖特基二極管，屬于半導體技術領域。
【背景技術】
[0002]二極管是電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極管(Varicap D1de)則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectifying)”功能。二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓)，反向時阻斷(稱為逆向偏壓)。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。
二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管(Ge管)和硅二極管(Si管)。根據其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩壓二極管、開關二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發光二極管、硅功率開關二極管、旋轉二極管等。按照管芯結構，又可分為點接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。
[0003]現有的二極管存在如下不足之處:
1)引腳容易被折彎或折斷；
2)引腳在鑲嵌時容易插入過深，導致焊接不穩固。
[0004]這些不足之處都嚴重影響了二極管的使用壽命。
【發明內容】
[0005]本發明的目的是克服現有技術的不足之處，提供一種肖特基二極管。
[0006]本發明的肖特基二極管，包括設在頂部陽極金屬、設在陽極金屬下方且與陽極金屬相連的N外延層、設在N外延層下方且與N外延層相連的N型半導體基片、設在N型半導體基片下方且與N型半導體基片相連的N陰極層、設在N陰極層下方且與N陰極層相連的陰極金屬、設在陰極金屬的三個引腳，中間是陽極引腳，兩邊是陰極引腳，所述的陽極金屬材料是鉬，所述的N外延層、N型半導體基片和N陰極層均為硅片，所述的陽極金屬兩側設有二氧化硅氧化絕緣層，所述的陽極引腳和陰極引腳上設有限位塊。
[0007]優選地，
所述的陽極引腳和陰極引腳均采用二極管全自動成型機制備。
[0008]本發明的肖特基二極管，具有如下技術效果:
1)引腳不容易被折彎或折斷；
2)引腳在鑲嵌時不容易插入過深，不會導致焊接不穩固。
【具體實施方式】
[0009]本發明的肖特基二極管，包括設在頂部陽極金屬、設在陽極金屬下方且與陽極金屬相連的N外延層、設在N外延層下方且與N外延層相連的N型半導體基片、設在N型半導體基片下方且與N型半導體基片相連的N陰極層、設在N陰極層下方且與N陰極層相連的陰極金屬、設在陰極金屬的三個引腳，中間是陽極引腳，兩邊是陰極引腳，所述的陽極金屬材料是鉬，所述的N外延層、N型半導體基片和N陰極層均為硅片，所述的陽極金屬兩側設有二氧化硅氧化絕緣層，所述的陽極引腳和陰極引腳上設有限位塊。所述的陽極引腳和陰極引腳均采用二極管全自動成型機制備。
【主權項】
1.一種肖特基二極管，其特征在于，包括設在頂部陽極金屬、設在陽極金屬下方且與陽極金屬相連的N外延層、設在N外延層下方且與N外延層相連的N型半導體基片、設在N型半導體基片下方且與N型半導體基片相連的N陰極層、設在N陰極層下方且與N陰極層相連的陰極金屬、設在陰極金屬的三個引腳，中間是陽極引腳，兩邊是陰極引腳，所述的陽極金屬材料是鉬，所述的N外延層、N型半導體基片和N陰極層均為硅片，所述的陽極金屬兩側設有二氧化硅氧化絕緣層，所述的陽極引腳和陰極引腳上設有限位塊。2.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述的陽極引腳和陰極引腳均采用二極管全自動成型機制備。
【專利摘要】本發明提供了一種肖特基二極管，包括設在頂部陽極金屬、設在陽極金屬下方且與陽極金屬相連的N外延層、設在N外延層下方且與N外延層相連的N型半導體基片、設在N型半導體基片下方且與N型半導體基片相連的N陰極層、設在N陰極層下方且與N陰極層相連的陰極金屬、設在陰極金屬的三個引腳，中間是陽極引腳，兩邊是陰極引腳，所述的陽極金屬材料是鉬，所述的N外延層、N型半導體基片和N陰極層均為硅片，所述的陽極金屬兩側設有二氧化硅氧化絕緣層，所述的陽極引腳和陰極引腳上設有限位塊。本發明的肖特基二極管，具有如下技術效果：1）引腳不容易被折彎或折斷；2）引腳在鑲嵌時不容易插入過深，不會導致焊接不穩固。
【IPC分類】H01L29/872, H01L23/48
【公開號】CN105655412
【申請號】
【發明人】周明
【申請人】南通明芯微電子有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2016年3月30日