技術編號:34656501
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。高壓mos器件及其制備方法技術領域.本發明涉及半導體制造技術領域,具體涉及一種半導體器件,特別是涉及一種高壓mos器件及其制備方法。背景技術.高壓(high voltage)mos(metal-oxide-semiconductor,金屬氧化物半導體)器件是一種常用的功率器件。其工作原理為,當控制電壓作用于柵極時,柵極與源極之間形成的電場會改變漏極與源極之間的電阻值。當控制電壓增加時,漏極與源極之間的電阻值會逐漸降低,從而增加電流。相反,當控制電壓降低時,漏極與源極之間的電阻值會逐漸增大,電...
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