專利名稱：高丹草航天不育材料的高效扦插繁殖方法
技術領域：
本發明涉及扦插繁殖技術領域，特別是高丹草航天不育材料的高效扦插繁殖方法。
背景技術：
高丹草(Sorghum bicolor)是飼用高粱和蘇丹草雜交育成的禾本科高粱屬一年生牧草，具有植株高大、莖干粗壯、分蘗能力強、再生性好等特點。通過近幾年的引種試驗，篩選出幾個在四川丘陵地區適應性很強、表現較好的高丹草材料。將這些材料搭載于2006年發射的“實踐八號”返回式科學試驗衛星，目的是通過航天誘變使生物材料有可能發生目前地面尚不能產生的變異。2007年春進行種植，發現其農藝性狀發生了變化，其葉量增加，分蘗能力增強，產草量提高，生長期延長，其中抽穗時間延后到十月份左右，比對照延長了 I個月，但也出現了不育現象，其結籽率幾乎達不到5%，嚴重影響資源的保存和開發利用，對 有益性狀的穩定產生了困難。由于高丹草是一年生牧草，扦插繁殖在高丹草中應用很少，對其扦插方法的研究還很少。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術的缺點，提供一種繁殖率高、利于優良資源的保存和開發利用的高丹草航天不育材料的高效扦插繁殖方法。本發明的目的通過以下技術方案來實現高丹草航天不育材料的高效扦插繁殖方法，它包括以下步驟Sl、10月，剪取高丹草航天搭載材料當年生長健壯無病蟲害的植株作插條，剪取插條長度為8 15cm，去掉插條葉子，對插條進行下切口處理；S2、對苗床整地，然后將O. 1%濃度的高錳酸鉀均勻噴于表土進行消毒，并晾曬；S3、扦插，先用鋤頭挖坑，將插條下端1/3 1/2部分插入坑后壓實，最后用水澆透，扦插后經常澆水，保持扦插環境濕潤；S4、12月底，將扦插苗移栽至大棚；S5、次年3月，將大棚內的扦插苗再移栽到大田。所述的步驟SI還包括以下操作對插條進行下切口處理后，將插條下部用濃度為150 250mg/L的萘乙酸浸泡O. 5 1. 5小時。所述的步驟SI中的下切口處理為平口切口處理、斜口切口處理或雙面切口處理。所述的下切口處理為斜口切口處理。所述的步驟SI中剪取的高丹草航天搭載材料當年生長健壯無病蟲害插條為頂端枝條、中部枝條或基部枝條。所述的剪取的高丹草航天搭載材料當年生長健壯無病蟲害插條為中部枝條。本發明具有以下優點本發明通過扦插工藝實現了高丹草航天搭載材料的繁殖，繁殖率高，克服了高丹草航天搭載材料結籽率低、不易繁殖的缺點，扦插苗保持了母株的優良基因，利于優良資源的保存和開發利用；通過對插條進行萘乙酸浸泡，有效提高了高丹草航天搭載材料扦插的成活率，極大的推進了高丹草航天不育材料的普及推廣。下面通過試驗對本發明的效果做進一步描述1、材料與方法1.1試驗地概況試驗地位于四川省資陽市雁江區雁江鎮，北緯30° 05'，東經104° 34'，海拔514m。屬于中亞熱帶濕潤性季風氣候，氣候溫和，雨量充沛，多年平均降雨量為965. 8mm, 70%分布在6 9月；年均日照1233h，無霜期289 335d，平均303d，年均溫17. 3°C;土壤為紫色土，pH7. 28，有機質含量O. 51%，全氮和堿解氮分別為O. 056%和54. 46mg/kg，全磷和有效磷分別為O. 094%和6. 26mg/kg，全鉀和有效鉀分別為1. 38%和97. 27mg/kg。L 2試驗材料航天搭載“標兵”高丹草種子繁殖后代，于第一茬抽穗初期采取插穗進行試驗。1. 3試驗設計與方法試驗于10月10日進行，選擇航天搭載材料SPl健壯無病蟲害的植株作為插穗來源，每段插穗2 3節，不帶葉子。分別進行以下處理①插穗枝條不同莖段處理；分別剪成頂端、中部和基部3段，下切口斜口處理。②扦插切口不同處理；挑選健壯均一枝條，下切口分別為平口、斜口、雙面切口處理。扦插前整地，用O. 1%高錳酸鉀噴灑消毒、晾曬。扦插時，先用鋤頭挖坑，插后壓實，最后用水澆透。扦插深度約為插穗長度的1/3。扦插后的前段時間天天澆水，以保證扦插環境濕潤。在12月底移栽至大棚，次年3月再移栽到大田。每個處理設三個重復，每個重復20株，并對植株成活率、新梢高、新葉數進行觀測。在田間每個處理抽樣10株進行生根數的觀測，12月15日移栽時進行根總長、根平均直徑、根體積的測定。然后將不同處理的根系于烘箱中80°C、24h烘干，測定單株平均根干重。利用Excel和SPSS軟件進行統計分析。根長=單株根總長/單株生根數；根干重=10株根總干重/10 ；根系效果指數=(平均根長X根系數量X生根率)/生根插條數。2結果與分析2.1不同莖段扦插效果分析2.1.1不同莖段扦插對生根的影響由表I可知，高丹草扦插采用中部莖段扦插成活率最高，達到70. 5%，分別比頂端莖段，基部莖段高62. 5%和24. 2%，頂端莖段扦插生根率最低。中部莖段扦插苗根系干重最高為O. 0736g，頂端莖段扦插苗根系干重最低為O. 0318g ;不同莖段扦插根系效果指數比較，中部莖段最好達O. 52，頂端莖段插穗根系效果指數最差為O. 15。 由表2可知，中部莖段扦插和其它兩種處理在插穗根總長間差異顯著(P〈0. 05)，根體積差異達極顯著(P〈0.01)。中部發根數為21. 9，根總長為45. 85cm，根體積為0.062cm3。頂端莖段和基部莖段間扦插生根根總長和根體積差異極顯著。基部莖段扦插與其它兩個處理在插穗發根數和根長兩個指標上差異均不顯著，三種處理根平均直徑差異不顯著，但是根長的變化趨勢依然為中部最好(4. 12cm)，其次為基部，頂端最差。
表I不同莖段扦插后成活率、根干重和根系效果指數的比較
權利要求
1.高丹草航天不育材料的高效扦插繁殖方法，其特征在于它包括以下步驟51、10月，剪取高丹草航天搭載材料當年生長健壯無病蟲害的植株作插條，剪取插條長度為8 15cm，去掉插條葉子，對插條進行下切口處理；52、對苗床整地，然后將O.1%濃度的高錳酸鉀均勻噴于表土進行消毒，并晾曬；53、扦插，先用鋤頭挖坑，將插條下端1/3 1/2部分插入坑后壓實，最后用水澆透，扦插后經常澆水，保持扦插環境濕潤；54、12月底，將扦插苗移栽至大棚；55、次年3月，將大棚內的扦插苗再移栽到大田。
2.根據權利要求1所述的高丹草航天不育材料的高效扦插繁殖方法，其特征在于 所述的步驟SI還包括以下操作對插條進行下切口處理后，將插條下部用濃度為150 250mg/L的萘乙酸浸泡O. 5 1. 5小時。
3.根據權利要求1或2所述的高丹草航天不育材料的高效扦插繁殖方法，其特征在于 所述的步驟SI中的下切口處理為平口切口處理、斜口切口處理或雙面切口處理。
4.根據權利要求3所述的高丹草航天不育材料的高效扦插繁殖方法，其特征在于所述的下切口處理為斜口切口處理。
5.根據權利要求1或2所述的高丹草航天不育材料的高效扦插繁殖方法，其特征在于 所述的步驟Si中剪取的高丹草航天搭載材料當年生長健壯無病蟲害插條為頂端枝條、中部枝條或基部枝條。
6.根據權利要求5所述的高丹草航天不育材料的高效扦插繁殖方法，其特征在于所述的剪取的高丹草航天搭載材料當年生長健壯無病蟲害插條為中部枝條。
全文摘要
本發明公開了高丹草航天不育材料的高效扦插繁殖方法，它包括以下步驟S1、10月，剪取高丹草航天搭載材料當年植株作插條，去掉插條葉子，對插條進行下切口處理；S2、對苗床整地，然后進行消毒，并晾曬；S3、扦插，將插條下端1/3～1/2部分插入坑后壓實，最后用水澆透，保持扦插環境濕潤；S4、12月底，將扦插苗移栽至大棚；S5、次年3月，將大棚內的扦插苗再移栽到大田。本發明的有益效果是通過扦插工藝實現了高丹草航天不育材料的繁殖，克服了高丹草航天不育材料不易繁殖的缺點，利于優良資源的保存和開發利用；通過對插條進行萘乙酸浸泡，有效地提高了扦插的成活率，極大地推進了高丹草航天不育材料的普及推廣。
文檔編號A01G1/00GK103004448SQ201310011099
公開日2013年4月3日 申請日期2013年1月12日 優先權日2013年1月12日
發明者朱永群, 林超文, 龐良玉, 彭建華, 張建華, 黃晶晶, 羅付香, 朱波 申請人:四川省農業科學院土壤肥料研究所