使用用于去除導電材料的組合物制造陣列基板的方法

專利名稱：使用用于去除導電材料的組合物制造陣列基板的方法
技術領域：
本發明涉及一種用于去除導電材料的組合物。更具體地，本發明涉及一種用于去除所有的鋁、鑰和銦錫氧化物的組合物、以及ー種使用該組合物制造陣列基板的方法。
背景技術：
液晶顯示裝置廣泛用作平面顯示裝置。液晶顯示(IXD)裝置包括上基板、下基板以及插設在它們之間的液晶層。分別在上基板和下基板上形成電極。當向所述電極施加電壓時，在這些電極之間引起電場。液晶層的液晶分子根據該電場而重新排列，從而通過液晶分子控制透光率。圖I是根據現有技術的用于IXD裝置的陣列基板的剖面圖。如圖I所示，通過淀積第一金屬層并然后通過第一掩模エ藝對其構圖，而在透明基板12上形成柵極14。第一金屬層可以包括導電金屬材料，例如鋁(Al)、鋁合金(例如 AINd)、鑰(Mo)、鎢(W)或鉻(Cr)。還可以包括具有低電阻率的鋁合金，例如AINd。柵極14 還可以具有雙層結構，如所示包括鋁合金(例如AlNd)和鑰(Mo)。盡管未示出，在第一掩模 エ藝中，在第一金屬層上形成光刻膠(PR)層。PR層可以是其中在顯影之后去除了被曝光的部分的正型PR，或者是其中在顯影之后去除了未被曝光的部分的負型PR。在PR層之上布置包括透光部分和阻光部分的掩模。通過該掩模使PR層曝光，然后使其顯影以形成選擇地使第一金屬層露出的PR圖案。可以使用PR圖案作為蝕刻掩模通過蝕刻劑對第一金屬層進行濕式蝕刻或干式蝕刻，而形成柵極14。接著，通過例如灰化工藝或剝離エ藝的エ藝去除 PR圖案。在其上包括柵極14的基板12上形成柵絕緣層16。柵絕緣層16可以包括無機絕緣材料，例如氮化硅(SiNx)或ニ氧化硅(SiO2)。通過淀積本征非晶硅層、摻雜非晶硅層和第二金屬層，然后通過第二掩模エ藝對它們進行構圖，而在柵絕緣層16上形成有源層18、歐姆接觸層20以及源極22a和漏極22b。 第二金屬層可以包括鑰(Mo)。在第二掩模エ藝中，在第二金屬層上形成PR層，在PR層之上布置掩模。通過該掩模使PR層曝光，然后使其顯影以形成選擇地露出第二金屬層的PR 圖案。可以通過蝕刻劑對第二金屬層進行濕式蝕刻或干式蝕刻。可以順序地對摻雜非晶硅層和本征非晶硅層進行干式蝕刻，從而形成有源層18、歐姆接觸層20以及源極22a和漏極 22b。這里，蝕刻劑可以是包括過氧化氫(H2O2)的溶液。接著，通過例如灰化工藝或剝離エ 藝的エ藝去除PR圖案。通過涂覆透明的有機絕緣材料(例如，苯并環丁烯(BCB)或丙烯酸樹脂)或者淀積無機絕緣材料(例如，氮化硅(SiNx)或ニ氧化硅(SiO2)),而在包括有源層18、歐姆接觸層20以及源極22a和漏極22b的基板12上形成鈍化層24。通過第三掩模ェ藝對鈍化層24進行構圖，從而形成使漏極22b的一部分露出的接觸孔26。可以通過淀積透明的導電材料(例如，銦錫氧化物(ITO))然后通過第四掩模エ藝對其進行構圖，而在鈍化層24上形成像素電極28。像素電極28通過接觸孔26與漏極22b 接觸。與第一和第二掩模エ藝類似，第四掩模エ藝可以包括濕式蝕刻エ藝或干式蝕刻エ藝。 在第四掩模エ藝中，可以使用王水或草酸作為用于形成像素電極28的蝕刻劑。如前所述，可以通過四掩模エ藝制成用于液晶顯示裝置的陣列基板。因為在用于形成例如柵極14、源極22a和漏極22b、以及像素電極28的金屬圖案的各掩模エ藝中使用不同類型的蝕刻劑，所以需要不同的設備。因此，降低了生產率，并增加了設備成本。

發明內容
因此，本發明旨在一種用于去除導電材料的組合物以及使用該組合物制造陣列基板的方法，其基本上克服了由于現有技術的局限和缺點而導致的ー個或更多個問題。本發明的優點在于，所提供的用于去除導電材料的組合物以及使用該組合物制造陣列基板的方法可以減少制造成本并增加生產率。本發明的附加特征和優點將在下面的描述中闡明，部分地將在所述描述中顯而易見，或者從本發明的實施將得知。通過在所寫說明書及其權利要求書以及附圖中具體指出的組合物和方法，將實現和獲得本發明的目的和其它優點。為了實現這些和其它優點井根據本發明的目的，如所實施和廣泛描述的，ー種用于去除導電材料的組合物，包括大約3wt%至15wt% (重量百分比)的硝酸；大約40wt% 至70wt %的磷酸；大約5wt %至35wt %的醋酸；大約0. 05wt %至5wt %的氯化物；大約
0.01wt%至5wt%的氯穩定劑；大約0. 01wt%至5wt%的pH穩定劑；以及剩余量的水。在本發明的另一方面中，ー種使用用于去除導電材料的組合物制造用于液晶顯示裝置的陣列基板的方法，該組合物包括大約3wt%至15wt%的硝酸、大約40wt%至70wt% 的磷酸、大約5wt*%至35wt*%的醋酸、大約0. 05wt*%至5wt*%的氯化物、大約0. Olwt %至 5wt%的氯穩定劑、大約0. 01wt%至5wt%的pH穩定劑、以及剩余量的水,該方法包括以下步驟通過使用所述組合物蝕刻第一金屬層而在基板上形成柵極；在所述柵極上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成半導體層；通過使用所述組合物蝕刻第二金屬層而在所述半導體層上形成源極和漏扱；在所述源極和漏極上形成鈍化層，該鈍化層具有使所述漏極露出的接觸孔；以及通過使用所述組合物蝕刻第三金屬層而在所述鈍化層上形成像素電極。應理解的是，前面的一般描述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的，并旨在提供對所要求的本發明的進ー步說明。


所包括的附圖用以進一歩理解本發明，并入附圖構成本說明的一部分，附圖顯示了本發明的實施例并與說明書一起用于說明本發明的原理。在附圖中圖I是根據現有技術用于液晶顯示(IXD)裝置的陣列基板的剖面圖；圖2是根據本發明的示例性實施例用于LCD裝置的陣列基板的剖面圖；圖3A是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據本發明示例性實施例通過蝕刻劑濕式蝕刻鑰和鋁合金的雙層的剖面；
圖3B是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據本發明示例性實施例通過蝕刻劑濕式蝕刻鑰層的剖面；圖3C是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據本發明示例性實施例通過蝕刻劑濕式蝕刻銦錫氧化物層的剖面；圖4A是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據第一對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻鑰和鋁合金的雙層的剖面；圖4B是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據第一對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻鑰層的剖面；圖5A是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據第二對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻鑰和鋁合金的雙層的剖面；圖5B是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據第二對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻鑰層的剖面；圖6是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據第三對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻鑰和鋁合金的雙層的剖面；圖7是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據第四對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻鑰和鋁合金的雙層的剖面；圖8是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據第五對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻銦錫氧化物層的剖面；以及圖9是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據第六對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻鑰和鋁合金的雙層的剖面。
具體實施例方式下面將詳細說明本發明的示例性實施例，在附圖中示出了其示例。圖2是根據本發明示例性實施例用于LCD裝置的陣列基板的剖面圖。如圖2所示，通過淀積第一金屬層并隨后通過第一掩模エ藝對其構圖，而在透明基板112上形成柵極114。第一金屬層可以具有單層結構，或者鋁合金(例如AlNd)或鑰 (Mo)的雙層結構。在第一掩模エ藝中，盡管未示出，但通過涂覆光刻膠(PR)層而在第一金屬層上形成PR層。PR層可以是其中在顯影之后去除了被曝光的部分的正型PR，或者是其中在顯影之后去除了未被曝光的部分的負型PR。在PR層之上布置包括透光部分和阻光部分的掩模。通過該掩模使PR層曝光，然后使其顯影以形成選擇地使第一金屬層露出的PR 圖案。可以使用PR圖案作為蝕刻掩模通過第一蝕刻劑對第一金屬層進行濕式蝕刻，因而形成柵極114。第一蝕刻劑可以包括大約3wt%至15wt%的硝酸、大約40wt%至70wt%的磷酸、以及大約5wt%至35wt%的醋酸作為主要組分。第一蝕刻劑還可以包括大約0. 05wt% 至5wt*%的氯化物、大約0. 01wt*%至5wt*%的氯穩定劑、大約0. 01wt*%至5wt*%的pH穩定劑、以及剰余量的水。接著，通過例如灰化工藝或剝離エ藝的エ藝去除PR圖案。可以在大約30至50攝氏度的溫度下進行蝕刻エ藝。蝕刻エ藝的持續時間取決于第一金屬層的厚度和材料類型，即單層或雙層結構。通過淀積例如氮化硅(SiNx)或ニ氧化硅(SiO2)的無機絕緣材料，而在其上包括柵極114的基板112上形成柵絕緣層116。
通過淀積本征非晶硅層、摻雜非晶硅層和第二金屬層，然后通過第二掩模エ藝對它們進行構圖，而在柵絕緣層116上形成有源層118、歐姆接觸層120以及源極122a和漏極122b。第二金屬層可以包括鑰(Mo)或鋁合金。在第二掩模エ藝中，在第二金屬層上形成 PR層，在PR層之上布置掩模。通過該掩模使PR層曝光，然后使其顯影以形成選擇地使第二金屬層露出的PR圖案。可以通過第二蝕刻劑對第二金屬層進行濕式蝕刻，并且可以順序地對摻雜非晶硅層和本征非晶硅層進行干式蝕刻，從而形成有源層118、歐姆接觸層120以及源極122a和漏極122b。為了去除摻雜非晶硅層以形成溝道區，PR圖案可以具有兩個厚度。 可以通過使用具有半色調(half tone)部分的掩模或者具有狹縫部分的掩模形成PR圖案中的兩個厚度。第二蝕刻劑可以包括與第一蝕刻劑相同的組分。然后，通過例如灰化工藝或剝離エ藝的エ藝去除PR圖案。可以在大約30至50攝氏度的溫度下進行蝕刻エ藝。蝕刻エ藝的持續時間取決于第二金屬層的厚度和材料類型。通過涂覆透明的有機絕緣材料(例如，苯并環丁烯(BCB)或丙烯酸樹脂)或者淀積無機絕緣材料(例如，氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)),而在包括有源層118、歐姆接觸層 120以及源極122a和漏極122b的基板112上形成鈍化層124。通過第三掩模エ藝對鈍化層124進行構圖，從而形成使漏極122b的一部分露出的接觸孔126。可以通過淀積透明的導電材料(例如，銦錫氧化物(ITO))然后通過第四掩模エ藝對其進行構圖，而在鈍化層124上形成像素電極128。像素電極128通過接觸孔126與漏極 122b接觸。第四掩模エ藝使用第三蝕刻劑，并包括與第一和第二掩模エ藝類似的濕式蝕刻 エ藝。第三蝕刻劑可以包括與第一蝕刻劑和第二蝕刻劑相同的組分。然后，通過例如灰化 エ藝或剝離エ藝的エ藝去除用于形成像素電極128的剰余的PR圖案。可以在大約30至50攝氏度的溫度下進行蝕刻エ藝。蝕刻エ藝的持續時間取決于透明導電材料的厚度。在本發明中，因為在用于形成例如柵極114、源極122a和漏極122b、以及像素電極128的金屬圖案的各個不同掩模エ藝中使用單種蝕刻劑，所以在制造用于液晶顯示裝置的陣列基板時易于管理蝕刻劑。另外，由于使用了單種濕浴(wet bath)而可以降低制造成本，并增加了生產率。同時，盡管通過四掩模エ藝制造上述陣列基板，但是也可以改變掩模エ藝的數量。如上所述，根據本發明示例性實施例的蝕刻劑去除了所有的鋁(Al)、鑰(Mo)和銦錫氧化物(ITO)。蝕刻劑可以包括大約3wt%至15wt%的硝酸、大約40wt%至70wt%的磷酸、以及大約5wt%至35wt%的醋酸作為主要組分。蝕刻劑還可以包括大約0. 05wt%至 5wt%的氯化物、大約0. 01wt%至5wt%的氯穩定劑、大約0. 01wt%至5wt%的pH穩定劑、 以及剩余量的水。硝酸作用于鋁上以形成氧化鋁(Al2O3)。當硝酸含量在大約3wt%至15wt%的范圍內時，硝酸有效地控制了雙層的上鑰(Mo)層和下鋁合金層的蝕刻選擇率。鋁合金可以是 AINd。然而，當硝酸的含量少于3￥セ％時，會過蝕刻雙層中的例如AlNd的下鋁合金，從而會出現底切現象。可能因電化腐蝕而導致底切現象。可能由于不相似的金屬材料在水溶液中電連接時的局部電池或原電池而出現電化腐蝕。更具體地，金屬材料采取不同的腐蝕電勢。 例如Al (E = -I. 66V)的基底材料用作陽極并趨于經歷加速腐蝕，同時例如Mo (E = -0. 20V)的貴材料用作陰極并趨于經歷減小的腐蝕效果。因此，出現電化腐蝕。由于電化腐蝕而不能均勻地形成用于柵極的圖案。這樣，這些圖案導致諸如難以顯示高分辨率和清晰彩色圖像的問題。磷酸使氧化鋁(Al2O3)分解。當磷酸的含量在大約40wt%至70wt%的范圍內時， 可以由硝酸與鋁之間反應形成的氧化鋁(Al2O3)被適當地溶解，從而快速蝕刻柵極的下鋁層。因此,增加了蝕刻速率,并因而增加了生產率。醋酸用作控制反應速率的緩沖劑。當醋酸的含量在大約5wt%至35wt%的范圍內時,通過適當地調節反應速率,而增加蝕刻速率,并增加了生產率。然而，當醋酸的含量少于大約5 1:%時,可能在鑰(Mo)和招合金(可以是AlNd)的雙層中出現底切現象。氯化物可以分離出CF1 并包括 KCl，HCl，LiCl，NH4Cl, CuCl2, FeCl3, FeCl2, CaCl2, CoCl2, NiCl2, ZnCl2, AlCl3, BaCl2, BeCl2, BiCl3, CdCl2, CeCl2, CsCl2, H2PtCl6 和 CrCl3 中的至少ー種。當氯化物的含量在大約0. 05wt%至5wt%的范圍內時，氯化物控制銦錫氧化物 (ITO)、鑰(Mo)、以及鑰(Mo)和鋁合金(可以是AlNd)的雙層的蝕刻速率。另外，在雙層的下鋁合金層中沒有底切現象，從而銦錫氧化物(ITO)和鑰(Mo)的圖案具有良好輪廓。氯穩定劑包括Zn化合物、Cd化合物、Pb化合物、Ba化合物和油酸(oleic acid)。 Zn 化合物包括 ZnCl2, Zn (NO3)2, Zn (CH3COO)2, Zn (C17H35COO)2, C2H2O4Zn, Zn3(PO4)2 和 Zn (CO3) 中的至少ー種。Cd化合物包括Cd (CH3COO) 2，CdCl2, CdI2, Cd (NO3) 2和Cd (CO3)中的至少ー種。 Pb 化合物包括 Pb (CH3COO) 2，C12H10O14Pb3, PbI4, Pb (NO3) 2 和 Pb (C17H35COO) 2 中的至少ー種。Ba 化合物包括 Ba(CH3COO)2, BaCO3, BaCl2, BaI2, Ba(NO3)2 和 Ba(H2PO4)2 中的至少ー種。當氯穩定劑的含量在大約0. Olwt %至5wt%的范圍內吋，氯穩定劑調節銦錫氧化物(ITO)的蝕刻速率，以使得銦錫氧化物圖案的輪廓具有小于約60度的傾角。另外，氯穩定劑延長了蝕刻劑的壽命從而增加了エ藝裕度。pH穩定劑為可以分離出OH-的基本化合物。pH穩定劑包括NaOH，KOH, LiOH, Ca (OH2)，Al (OH) 3，Mg (OH)2, Ba (OH)2, Co (OH)2, Cu (OH)2, Ni (OH)2, Zr (OH) 2 和 Zn (OH2)中的至少ー種。當pH穩定劑的含量在大約0.01wt%至5wt%的范圍內吋，pH穩定劑控制鑰(Mo) 以及鑰(Mo)和鋁合金(例如，AlNd)的雙層的蝕刻速率，從而從雙層中的下鋁合金層中沒有底切現象。另外，銦錫氧化物(ITO)和鑰(Mo)的圖案由于pH穩定劑而具有良好的輪廓。剰余量的水使因硝酸和鋁之間的反應形成的氧化鋁(Al2O3)分解，并稀釋蝕刻組合物。有利地，所述水可以是通過離子交換樹脂過濾的純水。更具體地，水可以是電阻率大于18MQ cm的去離子水。圖3A是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據本發明示例性實施例通過蝕刻劑濕式蝕刻用于柵極的鑰(Mo)和鋁合金AlNd的雙層的剖面。圖3B是SEM圖像，示出了根據本發明示例性實施例通過蝕刻劑濕式蝕刻用于源極和漏極的鑰(Mo)層的剖面。圖3C是 SEM圖像，示出了根據本發明示例性實施例通過蝕刻劑濕式蝕刻用于像素電極的銦錫氧化物(ITO)層的剖面。顯示了 PR圖案。蝕刻劑可以包括大約8wt%的硝酸、大約60wt%的磷酸、以及大約16wt%的醋酸。另外,蝕刻劑可以包括大約lwt%的氯化物、大約lwt%的氯穩定劑、大約Iwt %的pH穩定劑、以及大約13wt%的水。在圖3A中，鑰(Mo)和鋁合金AlNd的雙層具有沒有底切的輪廓。在圖3B中，鑰 (Mo)層的輪廓以大約45至70度的傾角呈錐形。在圖3C中，銦錫氧化物(ITO)層的輪廓以大約30至60度的傾角呈錐形。即，當形成柵極、源極和漏扱、以及像素電極時，這些電極具有以大約40至70度的角傾斜的良好輪廓。這樣，可以沒有問題地制造陣列基板。蝕刻劑的組分可以具有在上述范圍內的可變含量，在這些范圍中，可以獲得與圖 3A至圖3C相同的結果。下面將參照

對比例。在第一對比例中，蝕刻劑包括大約8wt%的硝酸、大約38wt%的磷酸、大約16wt% 的醋酸、大約lwt%的氯化物、大約lwt%的氯穩定劑、大約lwt%的pH穩定劑、以及大約 35wt %的水。即，在第一對比例中，磷酸的含量與本發明示例性實施例中的不同，小于大約 40wt % o圖4A是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據第一對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻用于柵極的鑰(Mo)和鋁合金AlNd的雙層的剖面。圖4B是SEM圖像，示出了根據第一對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻用于源極和漏極的鑰(Mo)層的剖面。在圖4A中，雙層中的鋁合金(AlNd)被過蝕刻，從而有底切現象。因而，當磷酸的含量少于40wt%時，出現底切現象。在圖4B中，鑰(Mo)層具有急劇傾斜的不良輪廓。當在源極和漏極上形成鈍化層時，不能均勻地形成鈍化層并且其可能被切割。在第二對比例中，蝕刻劑包括大約2wt%的硝酸、大約60wt%的磷酸、大約16wt% 的醋酸、大約lwt%的氯化物、大約lwt%的氯穩定劑、大約lwt%的pH穩定劑、以及大約 19wt%的水。即，在第二對比例中，硝酸的含量與本發明示例性實施例中的不同，其小于大約 3wt %。圖5A是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據第二對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻用于柵極的鑰(Mo)和鋁合金AlNd的雙層的剖面。圖5B是SEM圖像，示出了根據第二對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻用于源極和漏極的鑰(Mo)層的剖面。在圖5A中，雙層中的鋁合金(AlNd)被過蝕刻，從而有底切現象。這樣，當硝酸的含量少于3wt%時，出現底切現象。在圖5B中，鑰(Mo)層具有急劇傾斜的不良輪廓。在第三對比例中，蝕刻劑包括大約8wt%的硝酸、大約60wt%的磷酸、大約4wt% 的醋酸、大約Iwt %的氯化物、大約Iwt %的氯穩定劑、大約Iwt %的pH穩定劑、以及大約 25wt%的水。即，在第三對比例中，醋酸的含量與本發明示例性實施例中的不同，其小于大約 5wt %。圖6是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據第三對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻用于柵極的鑰(Mo)和鋁合金AlNd的雙層的剖面。在圖6中，雙層中的鋁合金(AlNd)被過蝕刻，從而有底切現象。這樣，當醋酸的含量少于5wt%吋，出現底切現象。在第四對比例中，蝕刻劑包括大約8wt%的硝酸、大約60wt%的磷酸、大約16wt% 的醋酸、大約7wt%的氯化物、大約lwt%的氯穩定劑、大約lwt%的pH穩定劑、以及大約 7wt%的水。即，在第四對比例中，氯化物的含量與本發明示例性實施例中的不同，其大于大約 5wt %。圖7是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據第四對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻用于柵極的鑰(Mo)和鋁合金AlNd的雙層的剖面。在圖7中，雙層中的鋁合金(AlNd)被過蝕刻，從而有底切現象。這樣，當氯化物的含量大于5wt%時，出現底切現象。因此，在隨后ェ藝中會形成不良圖案。
在第五對比例中，蝕刻劑包括大約8wt%的硝酸、大約60wt%的磷酸、大約16wt% 的醋酸、大約lwt%的氯化物、大約7wt%的氯穩定劑、大約lwt%的pH穩定劑、以及大約 7wt%的水。即，在第五對比例中，氯穩定劑的含量與本發明示例性實施例中的不同，其大于大約5wt% o圖8是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據第五對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻用于像素電極的銦錫氧化物(ITO)層的剖面。在圖8中，減少了銦錫氧化物(ITO)的蝕刻速率，有未被完全去除因而留下的銦錫氧化物殘余物。這樣，當氯穩定劑的含量大于5wt%吋，留下了銦錫氧化物殘余物。在第六對比例中，蝕刻劑包括大約8wt%的硝酸、大約60wt%的磷酸、大約16wt% 的醋酸、大約lwt%的氯化物、大約lwt%的氯穩定劑、大約7wt%的pH穩定劑、以及大約 7wt%的水。即，在第六對比例中，pH穩定劑的含量與本發明示例性實施例中的不同，其大于大約5wt*%。圖9是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出了根據第六對比例通過蝕刻劑濕式蝕刻用于柵極的鑰(Mo)和鋁合金AlNd的雙層的剖面。在圖9中，在鑰(Mo)和鋁合金AlNd的雙層中出現底切現象。因而，當pH穩定劑的含量大于5 1:%時，出現底切現象。在本發明中，由于通過單種蝕刻劑形成金屬圖案，因此由于使用了單種濕浴而降低了制造成本，從而增加了生產率。對于本領域技術人員來說，顯而易見的是，可以在不脫離本發明的精神或范圍的情況下對本發明作出各種修改和變型。因而，本發明g在覆蓋落在所附權利要求及其等價物范圍內的本發明的這些修改和變型。本申請要求于2005年6月28日提交的韓國專利申請No. 10-2005-0056493的優先權，為此通過引用將其并入在本文中，如同其完全在本文闡述了一祥。
權利要求
1.ー種使用用于去除導電材料的組合物制造用于液晶顯示裝置的陣列基板的方法， 該組合物包括3wt %至15wt %的硝酸、40wt %至70wt %的磷酸、5wt %至35wt %的醋酸、 0. 05wt*%至5wt*%的氯化物、0. 01wt*%至5wt*%的氯穩定劑、0. 01wt*%至5wt*%的pH穩定劑、 以及剩余量的水，該方法包括以下步驟通過使用所述組合物蝕刻第一金屬層而在基板上形成柵極；在所述柵極上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成半導體層；通過使用所述組合物蝕刻第二金屬層而在所述半導體層上形成源極和漏扱；在所述源極和漏極上形成鈍化層，該鈍化層具有使所述漏極露出的接觸孔；以及通過使用所述組合物蝕刻第三金屬層而在所述鈍化層上形成像素電極。
2.根據權利要求I所述的方法，其中，所述第一金屬層是鋁合金或鑰的單層。
3.根據權利要求I所述的方法，其中，所述第一金屬層包括鋁合金和鑰的雙層。
4.根據權利要求I所述的方法，其中，所述第二金屬層包括鋁合金或鑰。
5.根據權利要求I所述的方法，其中，所述第三金屬層包括銦錫氧化物。
6.根據權利要求I所述的方法，其中，所述氯化物分離出Cl—1。
7.根據權利要求I所述的方法，其中，所述氯化物包括KC1，HCl,LiCl, NH4Cl, CuCl2, FeCl3, FeCl2, CaCl2, CoCl2, NiCl2, ZnCl2, AlCl3, BaCl2, BeCl2, BiCl3, CdCl2, CeCl2, CsCl2, H2PtCl6，和CrCl3中的至少ー種。
8.根據權利要求I所述的方法，其中，所述氯穩定劑包括Zn化合物、Cd化合物、Pb化合物、Ba化合物和油酸中的至少ー種。
9.根據權利要求I所述的方法，其中，所述氯穩定劑包括ZnCl2,Zn(NO3)2,Zn(CH3COO)2， Zn (C17H35COO)2, C2H2O4Zn, Zn3(PO4)2, Zn (CO3), Cd(CH3COO)2, CdCl2, CdI2, Cd(NO3)2, Cd(CO3), Pb (CH3COO)2, C12H10O14Pb3, PbI4, Pb (NO3)2, Pb (C17H35COO)2, Ba (CH3COO)2, BaCO3, BaCl2, BaI2, Ba (NO3) 2 和 Ba (H2PO4) 2 中的至少ー種。
10.根據權利要求I所述的方法，其中，所述pH穩定劑分離出0H—。
11.根據權利要求I所述的方法，其中，所述pH穩定劑包括NaOH，KOH,LiOH, Ca(OH2)， Al (OH) 3，Mg (OH)2, Ba (OH)2, Co (OH)2, Cu (OH)2, Ni (OH)2, Zr (OH) 2 和 Zn (OH2)中的至少ー種。
12.根據權利要求I所述的方法，其中，所述水是通過離子交換樹脂過濾的純水。
13.根據權利要求2-4中的任意一項所述的方法，其中，所述鋁合金是AINd。
14.根據權利要求I所述的方法，其中，在30至50攝氏度的溫度下進行所述蝕刻。
15.根據權利要求14所述的方法,其中，蝕刻所述第一金屬層的蝕刻持續時間基于所述第一金屬層的厚度和材料類型。
16.根據權利要求14所述的方法，其中，蝕刻所述第二金屬層的蝕刻持續時間基于所述第二金屬層的厚度和材料類型。
17.根據權利要求14所述的方法，其中，蝕刻所述第三金屬層的蝕刻持續時間基于所述第三金屬層的厚度和材料類型。
全文摘要
使用用于去除導電材料的組合物制造陣列基板的方法。該組合物包括3wt％至15wt％的硝酸、40wt％至70wt％的磷酸、5wt％至35wt％的醋酸、0.05wt％至5wt％的氯化物、0.01wt％至5wt％的氯穩定劑、0.01wt％至5wt％的pH穩定劑、以及剩余量的水，該方法包括以下步驟通過使用所述組合物蝕刻第一金屬層而在基板上形成柵極；在所述柵極上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成半導體層；通過使用所述組合物蝕刻第二金屬層而在所述半導體層上形成源極和漏極；在所述源極和漏極上形成鈍化層，該鈍化層具有使所述漏極露出的接觸孔；以及通過使用所述組合物蝕刻第三金屬層而在所述鈍化層上形成像素電極。
文檔編號H01L21/302GK102605373SQ201110455538
公開日2012年7月25日 申請日期2006年6月15日 優先權日2005年6月28日
發明者宋桂燦, 曺三永, 李坰默, 申賢哲, 金南緒, 金鐘一 申請人:樂金顯示有限公司