專利名稱：：表面帶有抗轉化生長因子β2抗體膜的人工晶狀體及其制造方法
技術領域：
：本發明涉及一種用于白內障手術中替換眼內晶狀體的人工晶狀體，尤其是一種能抑制術后并發的后發性白內障的表面帶有抗轉化生長因子(32抗體膜的人工晶狀體及其制造方法。技術背景后發性白內障是白內障囊外摘除術之后因殘留的晶狀體皮質未完全吸收、遺留的部分繼發混濁而形成的并發癥，故又稱后囊膜混濁或繼發性白內障；該眼疾將直接影響到患者的視力恢復。目前隨白內障囊外摘除術的提高，后發性白內障的發生率已由早期的50%下降，但仍有14.118.8。/。的術后病人還需接受Nd-YAG激光術(即摻釹釔鋁石榴石激光后囊切開的手術)來治療后發性白內障；為此患者還需花上大筆的手術費用，而且該手術還存在著視網膜脫離、黃斑囊樣水腫、眼內壓升高等風險。因此，降低后發性白內障的發生率、提高白內障囊外摘除的術后視覺效果已刻不容緩。現有的研究表明，白內障囊外摘除術后殘留的晶狀體上皮細胞所發生的上皮一間葉細胞轉分化、細胞外基質沉積和晶體纖維再生等是引起后發性白內障的主要病理機制。因此目前已從該發生環節著手抑制后發性白內障，其中包括研究抑制后發性白內障的藥物種類、給藥方式等例如中國專利CN101036804A"納米氟尿嘧啶涂層人工晶體及其制備方法"和CN101053680A"防治后發障形成的具抗增殖藥涂層的人工晶體"，均以抗增殖的細胞毒藥物作為涂層布于人工晶狀體表面；中國專利CN200973766Y"防治后發性白內障的人工晶狀體"和CN2531755Y"緩釋劑攜帶型人工晶體"，是在人工晶狀體赤道部外側或袢上固定藥物緩釋載體。它們雖能通過局部高濃度的藥物原位抑制殘留晶狀體上皮細胞的增殖而起到作用，且有體外試驗的效果，但在體內試驗中發現它們還有以下的缺點1)涂于人工晶狀體表面的抗增殖的細胞毒藥物或藥物緩釋載體，它們對角膜內皮細胞、虹膜、睫狀體上皮細胞、視網膜等眼內其它組織有著潛在的毒副作用；此外，其它給藥方式還包括囊袋內藥物灌洗、眼內植入生物可降解性高分子藥物緩釋載體等，前者的缺點在于有效濃度維持的時間短且還容易對眼內其它組織產生影響，而后者則易影響眼內組織或干擾其它手術，且一旦出現毒副作用則需即時手術取出；2)藥物涂層在人工晶狀體表面的穩定性比較差，因而使用不太可靠；3)它們的制造工藝比較復雜。
發明內容本發明是要克服上述現有技術中的缺點，提供一種能有效抑制白內障術后并發的后發性白內障、提高白內障術后的視覺效果，且對人體，特別是角膜內皮細胞、虹膜、睫狀體上皮細胞、視網膜等眼內其他組織無毒副作用的表面帶有抗轉化生長因子卩2抗體膜的人工晶狀體及其制造方法；并還使它具有制造方法簡單合理、能工業化生產，且成本低、產品價格低廉等特點。本發明表面帶有抗轉化生長因子(32抗體膜的人工晶狀體，其特征是在人工晶狀體的光學部和袢的表面上帶有抗轉化生長因子卩2抗體膜。以使該人工晶狀體植入眼內、進入囊袋之后，其表面上的抗轉化生長因子卩2抗體膜即產生抑制后發性白內障的作用，且既不對眼內其它組織產生毒性作用，又能提高人工晶狀體的生物相容性，從而減少了白內障術后并發癥，并有利于術后遠期視力的恢復。上述的人工晶狀體的材料是聚甲基丙烯酸甲酯，或硅凝膠，或軟性疏水性的聚丙烯酸酯。本發明表面帶有抗轉化生長因子(32抗體膜的人工晶狀體的制造方法，其特征是它包含以下的步驟1)將人工晶狀體清洗并干燥，再通過表面預處理使該人工晶狀體表面荷以正電或負電；2)將上述表面荷電的人工晶狀體浸入與其表面電荷相反的濃度為0.01-1000mg/mL的聚電解質的水溶液中，吸附1-120分鐘，然后以去離子水漂洗并氮氣吹干；再將該人工晶狀體浸入與此前聚電解質所帶電荷相反的濃度為0.01-1000pg/mL的抗轉化生長因子P2抗體的磷酸鹽緩沖溶液中，該磷酸鹽緩沖溶液為0.01-10mol/L、pH值為4-10，吸附1-120分鐘，然后用磷酸鹽緩沖溶液漂洗，氮氣吹干；3)重復上述交替組裝步驟至少一次，即制得表面帶有抗轉化生長因了P2抗體膜的人工晶狀體；此后在室溫下真空干燥、密封包裝即可。本發明表面帶有抗轉化生長因子p2抗體膜的人工晶狀體的制造方法中，能使人工晶狀體表面荷以正電或負電的表面預處理方法是以下三種方法中的任意一種i)利用等離子體表面處理，改變通入的氣體種類在人工晶狀體表面引入功能基團，氨基或羧基等，然后改變pH值使表面離子化而帶上電荷。ii)以直接吸附帶正電荷的聚乙烯基亞胺使表面帶正電荷。iii)將聚丙烯酸酯的人工晶狀體用堿溶液進行表面水解，表面產生大量羧基而引入負電荷。本發明表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體的制造方法中，所用的聚電解質是與抗轉化生長因子卩2抗體帶相反電荷的聚電解質，最好是天然聚電解質或無細胞毒性的聚電解質，當抗體帶負電荷時，選用帶正電荷的聚電解質聚烯丙基胺鹽酸鹽、殼聚糖、多聚賴氨酸、明膠；當抗體帶正電荷時，則選用帶負電荷的聚電解質聚苯乙烯磺酸鈉、海藻酸鈉、肝素、透明質酸鈉。本發明表面帶有抗轉化生長因子(32抗體膜的人工晶狀體的制造方法中，所用的抗轉化生長因子(32抗體是一種等電點為6.8的免疫球蛋白，故高于等電點的pH值即可使它帶上負電，而低于等電點的pH值帶正電。如果組裝條件能與生理情況下的pH值及離子強度相類似，如選擇PH=7.4的磷酸鹽緩沖溶液(以下簡稱PBS溶液)，則可保持組裝環境與人體環境的一致，從而能最好地維持其穩定性和活性。本發明表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體的制造方法，還可在表面預處理以使人工晶狀體表面荷以正電或負電之后和浸入與其表面電荷相反的濃度為0.01-1000mg/mL的聚電解質的水溶液之前，還增加一道能提高該人工晶狀體表面電荷密度以增強后續的抗體的靜電層層自組裝吸附能力的步驟，該步驟是將表面荷以正電或負電的人工晶狀體交替浸入兩種電荷性質相反的濃度均為0.01-1000mg/mL的強聚電解質水溶液中，吸附時間均為1-120分鐘，吸附完成后均需用去離子水漂洗、氮氣吹干，且交替重復該步驟的次數至少一次；其中帶正電荷的強聚電解質選用聚烯丙基胺鹽酸鹽(以下簡稱PAH)，或聚二甲基二烯丙基氯化銨(以下簡稱PDDA)，帶負電荷的強聚電解質選用聚苯乙烯磺酸鈉(以下簡稱PSS)。從而在人工品狀體的表面形成電荷密度高的強聚電解質的組裝底層。上述方法中的吸附時間長短是根據所用溶液的濃度大小進行選擇，例如溶液的濃度大則取用的吸附時間可取低值，反之則吸附的時間長。另外，上述方法中對人工晶狀體表面組裝抗轉化生長因子P2抗體和與之電荷相反的聚電解質的先后次序可根據所采用的表面預處理方法、所備有的溶液等不同條件進行選擇(例如PH=7.4的PBS溶液中的抗轉化生長因子P2抗體帶負電，若人工晶狀體表面預處理后帶負電，則其后先吸附帶正電的聚電解質，再吸附帶負電的抗轉化生長因子P2抗體，若人工晶狀體表面預處理后帶正電，也可調換上述次序)，且不影響正、負電之間的吸引，從而確保在人工晶狀體表面層層組裝抗轉化生長因子卩2抗體膜的效果相同。實施例中所舉例子均先吸附聚電解質，再吸附抗轉化生長因子P2抗體，省略調換次序的例子。本發明的有益效果1)本發明的人工晶狀體在植入眼內、進入囊袋之后，其表面的抗轉化生長因子P2抗體直接與轉化生長因子(32發生特異性相互作用而不影響眼內其他組織，且耙向抑制晶狀體上皮細胞的轉分化和囊膜皺縮，有效阻斷了后發性白內障發生的關鍵環節，從而抑制后發性白內障而有利于術后遠期視力的恢復；2)因組裝過程所用的組裝成分，包括所用的抗轉化生長因子卩2抗體在內均為低毒性和免疫原性的天然聚電解質或無細胞毒性的聚電解質，故本發明的人工晶狀體對眼內其他組織無毒副作用，并還具有良好的生物相容性，能協同抑制后發性白內障；3)本發明通過科學可行的靜電層層自組裝的方法，以較弱的靜電作用即可使生物分子交替浸涂固定在人工晶狀體表面，實現了納米、亞微米尺寸的層狀結構，其結果既不影響人工晶狀體本體特性，又實現了抗轉化生長因子P2抗體在人工晶狀體表面牢固沉積，而且能維持抗轉化生長因子卩2抗體在干態下的活性和在醫用移植中的安全可靠性；4)本發明制造方法因所用溶劑均無毒性，故對環境友好，而且還因制造方法簡單合理，且還可通過調節組裝條件，例如改變聚電解質的pH值、離了強度、濃度等簡單而有效地控制薄膜的細微結構及其性質；另外，組裝分子的選擇范圍較廣，可以是合成型的聚電解質，也可以是蛋白質、多糖、DNA等荷電生物活性大分子等；5)通過試驗證明，本發明的制造方法科學合理、切實可行，且其制造工藝較為簡單、所花費的成本較低，因此能使本發明表面帶有抗轉化生長因子|32抗體膜的人工晶狀體成為一種價格低廉的工業化生產的產品。圖1表示在軟性疏水性聚丙烯酸酯的人工晶狀體表面構建(多聚賴氨酸/抗轉化生長因子卩2抗體)2多層膜的靜電層層自組裝過程，即組裝了兩個雙層(多聚賴氨酸/抗轉化生長因子(32抗體)的本發明表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體的示意圖；圖中僅在人工晶狀體的一個表面上表示出其組裝出的結構，其余表面和袢上也具有同樣的組裝結構；但為簡化和清晰起見，在其余表面和袢上未予以畫出。圖2是表示在軟性疏水性聚丙烯酸酯人工晶狀體表面構建(PAH/PSS)2/(多聚賴氨酸/抗轉化生長因子P2抗體)多層膜的靜電層層自組裝過程，即組裝了兩個雙層(PAH/PSS)、一個雙層(多聚賴氨酸/抗轉化生長因子P2抗體)的本發明表面帶有抗轉化生長因子(32抗體膜的人工晶狀休的示意圖；圖中僅在人工晶狀體的一個表面上表示出其組裝出的結構，其余表面和袢上也具有同樣的組裝結構；但為簡化和清晰起見，在其余表面和袢上未予以畫出。圖3是通過石英晶體微天平的頻率變化跟蹤人工晶狀體表面(PAH/PSS)3/(多聚賴氨酸/抗轉化生長因子(32抗體)3多層膜的靜電層層自組裝過程，即組裝了三個雙層(PAH/PSS)，三個雙層(多聚賴氨酸/抗轉化生長因子P2抗體)。圖4是以倒置相差顯微鏡的照片顯示培養24小時后離體巨噬細胞在人工晶狀體表面的粘附照片，其中(a)是現有的人工晶狀體，(b)是本發明表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體。圖5是以倒置相差顯微鏡的照片顯示在轉化生長因子P2的誘導下，培養24小時后離體晶狀體上皮細胞在人工晶狀體表面的粘附，其中(c)是現有的人工晶狀體，(d)是本發明表面帶有抗轉化生長因了(32抗體膜的人工晶狀體。具體實施方式實施例1:本實施例表面帶有抗轉化生長因子(32抗體膜的人工晶狀體，是一種在人工晶狀體的光學部和袢的表面上帶有抗轉化生長因子|52抗體膜的人工晶狀體。本實施例中的抗轉化生長因子(32抗體是一種免疫球蛋白，它能通過免疫細胞生物學的途徑抑制后發性白內障，因為引起后發性白內障的關鍵因子是轉化生長因子P2，故釆用抗轉化生長因子P2抗體則能以其高度的特異性來抑制轉化生長因子|32的作用、抑制細胞外基質沉積和纖維化，從而對以纖維化為主的后發性白內障起到其他藥物所欠缺的靶向作用，并且該人源性的抗體不具有免疫原性和毒性。因此，本實施例表面帶有抗轉化生長因子卩2抗體膜的人工晶狀體植入眼內、進入囊袋之后，其表面上的抗轉化生長因子P2抗體膜即產生抑制后發性G內障的作用，且它既不對眼內其它組織產生毒性作用，又能提高人工晶狀體的生物相容性，從而減少了白內障術后并發癥，并有利于術后遠期視力的恢復。通過眾多試驗證實，本實施例人工晶狀體是不宜通過物理吸附法或化學鍵合法制得，前者是抗轉化生長因子卩2抗體膜不能長期穩固在人工晶狀體表面，而后者會使抗轉化生長因子(32抗體的生物活性大幅下降、甚至喪失；但一種靜電層層自組裝的方法是可行的，該方法是利用蛋白質在特定的pH條件下能帶電荷、具有聚電解質的特性，并通過交替地使用帶正電荷、帶負電荷的聚電解質，即可使抗轉化生長因子卩2抗體以一層、一層薄膜的形態沉積到人工晶狀體的表面；該人工晶狀體的表面因此而改性、能在使用過程中兼有安全靶向，并穩定持久地抑制后發性白內障的作用。本實施例表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體的制造方法包括以下的步驟取用人工晶狀體，其材料可取聚甲基丙烯酸甲酯、硅凝膠、軟性疏水性聚丙烯酸酯等中的一種，本實施例取用軟性疏水性聚丙烯酸酯為材料的人工晶狀體；先分別用無水乙醇、去離子水清洗后，再用超聲清洗儀清洗1-3分鐘，然后以去離子水漂洗后在60。C真空干燥24小時；接著將其放入低溫等離子體發生器中，發生器功率為60W，射頻為13.5kHz，其內氣體是二氧化碳，氣體壓力維持在50-60Pa，以等離子體輝光放電處理25分鐘，然后取出該人工晶狀體、其表面已帶有羧基官能團；再將其浸入0.01mol/L的氫氧化鈉溶液中15分鐘，使羧基轉化為羧基離子，去離子水漂洗，氮氣吹干，獲得帶負電的人工晶狀體表面；接著將該表面帶負電的人工晶狀體浸入溶液濃度為5mg/mL的帶正電的多聚賴氨酸水溶液中60分鐘后，以去離子水漂洗，氮氣吹干；此后再浸入溶液濃度為500pg/mL的帶負電的抗轉化生長因子P2抗體的PBS溶液(PBS溶液濃度0.05mol/L，pH=7.4)中，吸附30分鐘，再用PBS溶液漂洗，氮氣吹干；重復以上的交替步驟即可獲得表面帶有l-20層抗轉化生長因子p2抗體的人工晶狀體；最后將它取出，并用去離子水清洗，氮氣吹干，室溫下真空千燥密封包裝。本實施例的人工晶狀體的結構和制法可從圖1中看到；該圖是本實施例人工晶狀體表面靜電層層自組裝過程的示意圖，它是以軟性疏水性聚丙烯酸酯的人工晶狀體為例，在表面構建(多聚賴氨酸/抗轉化生長因子l32抗體)2多層膜，亦即組裝了兩個雙層(多聚賴氨酸/抗轉化生長因子P2抗體)；圖中以l-4表示制造過程的4個步驟，a表示軟性疏水性聚丙烯酸酯人工晶狀體，b，c表示各個步驟中所用到的試劑，+表示正電荷，-表示負電荷，其中，l表示二氧化碳氣體等離子體處理后使人工晶狀體表面產生羧基而帶負電荷，2表示帶正電荷的多聚賴氨酸組裝到人工晶狀體表面，3表示在pH=7.4條件下帶負電荷的抗轉化生長因了P2抗體組裝到人工晶狀體表面，4表示在人工晶狀體表面再次交替組裝多聚賴氨酸/抗轉化生長因子卩2抗體，b表示帶正電荷的多聚賴氨酸，c表示在pl^7.4條件下帶負電荷的抗轉化生長因子(32抗體。實施例2:本實施例所用的人工晶狀體為聚甲基丙烯酸甲酯或軟性疏水性聚丙烯酸酯材料中的一種，與實施例1中不同的是人工晶狀體表面預處理獲得負電荷的方法，其后組裝過程所用的試劑和方法也與實施例1相同，即為帶正電的多聚賴氨酸和帶負電的抗轉化生長因了P2抗體。與實施例1的表面預處理方法的不同之處在于在人工晶狀體按實施例1方法清洗并烘干后，將其浸入30。/。氫氧化鈉水溶液中80。C水解30分鐘后，其表面可產生大量羧基離子，該表面在水溶液條件下呈負電性。本實施例與實施例1的共同之處在于人工晶狀體表面經表面預處理后均帶有負電荷，表1是此后在人工晶狀體表面選用不同于多聚賴氨酸的帶正電荷的其它聚電解質(PAH，或殼聚糖，或明膠)和帶負電荷的抗轉化生長因子|32抗體進行靜電層層自組裝的例子，每一例均能制造出本發明的表面帶有抗轉化生長因子|32抗體膜的人工晶狀體。表1中所用帶正電的聚電解質是不同于實施例1和實施例2中所用的多聚賴氨酸的其它聚電解質；表1中溶解抗轉化生長因子p2抗體所用的PBS溶液pH均高于6.8，在此條件下抗轉化生長因子(32抗體帶負電。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>實施例3:取用人工晶狀體，其材料可取聚甲基丙烯酸甲酯、硅凝膠、軟性疏水性聚丙烯酸酯等中的一種，如硅凝膠為材料的人工晶狀體，按實施例l方法清洗并烘干后，將其放入低溫等離子體發生器屮，發生器功率為60W，射頻為13.5kHz，其內氣體是氨氣，氣體壓力維持在50-60Pa，以等離子體輝光放電處理25分鐘，然后取出該人工晶狀體，其表面帶有氨基官能團；將其浸入濃度為lmol/L的鹽酸溶液中30分鐘，使氨基鹽酸化為氨離子，去離子水漂洗，氮氣吹干，獲得帶正電荷的人工晶狀體表面；接著將上述表面帶正電的人工晶狀體浸入0.01mg/mL的帶負電的肝素水溶液中120分鐘，去離子水漂洗，氮氣吹干;此后浸入0.01|_ig/mL的帶正電的抗轉化生長因子P2抗體的PBS溶液(0.05mol/L，pH=4)中，吸附120分鐘，用PBS溶液漂洗，氮氣吹干；重復以上步驟可獲得表面帶有l-20層抗轉化生長因子(32抗體的人工晶狀體。最后取出人工晶狀體用去離子水清洗，氮氣吹干，室溫下真空干燥密封包裝。實施例4:本實施例所用的人工晶狀體與實施例3中相同，與實施例3中不同的是人工晶狀體表面預處理獲得正電荷的方法，而其后的組裝過程所用的試劑和方法與實施例3中相同，均為帶負電的肝素和帶正電的抗轉化生長因子P2抗體。本實施例中的表面預處理方法是將人工晶狀體浸入3mg/mL的帶正電的聚乙烯亞胺水溶液中15分鐘，去離子水漂洗，氮氣吹千獲得聚乙烯亞胺物理吸附的的表面，該表面在水溶液條件下呈正電性。本實施例與實施例3的共同之處在于人工晶狀體表面經表面預處理后均帶有正電荷，表2是此后在人工晶狀體表面選用不同于肝素的帶負電荷的其它聚電解質(PSS、海藻酸鈉、透明質酸鈉)和帶正電荷的抗轉化生長因子(32抗體進行靜電層層自組裝的例子，每一例均能制造出本發明的表面帶有抗轉化牛長因子(32抗體膜的人工晶狀體。表2中所用帶負電的聚電解質是不同于實施例3和實施例4中所用的肝素的其它聚電解質；表2中溶解抗轉化生長因子(32抗體所用的PBS溶液pH均低于6.8，在此條件下抗轉化生長因子P2抗體帶正電。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>實施例5:本實施例與實施例1的不同之處在于在二氧化碳氣體等離子體處理使得人工晶狀體表面帶負電荷之后，浸入濃度為5mg/mL的帶正電荷的多聚賴氨酸的水溶液和500昭/mL帶負電的抗轉化生長因子(32抗體的PBS溶液之前，還增加一道步驟，將表面帶負電荷的人工晶狀體浸到5mg/mL的帶正電的強電解質PAH溶液中吸附15分鐘，用去離子水漂洗，氮氣吹干，獲得帶正電荷的表面；然后將其浸到5mg/mL的強電解質PSS水溶液中15分鐘，去離子水漂洗，氮氣吹干，獲得帶負電荷的表面；重復以上步驟即可在人工晶狀體表面獲得2-6層PAH/PSS交替存在的底層。在人工晶狀體表面組裝了電荷密度高的強電解質的底層后，有利于后續的抗轉化生長因子卩2抗體的組裝。本實施例的人工晶狀體的結構和制法可從圖2中看到；該圖是本實施例人工晶狀體表面靜電層層自組裝過程的示意圖，它是以疏水性聚丙烯酸酯的人工晶狀體為例，在表面構建(PAH/PSS)2/(多聚賴氨酸/抗轉化生長因子p2抗體)多層膜，亦即組裝了兩個雙層(PAH/PSS)、一個雙層(多聚賴氨酸/抗轉化生長因子P2抗體)的本發明表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體的示意圖；圖2中以l'-6'表示制造過程的六個步驟，a表示軟性疏水性聚丙烯酸酯人工晶狀體，b-e表示各個步驟中所用到的試劑，+表示正電荷，-表示負電荷，其中，r表示二氧化碳等離子體處理后使人工晶狀體表面產生羧基而帶負電荷，2'表示帶正電的PAH組裝到人工晶狀體表面，3'表示帶負電的PSS組裝到人工晶狀體表面，4'表示在人工品狀體表面再次交替組裝PAH/PSS形成帶電荷密度高的底層以利于下一步抗體的組裝，5'表示帶止:電荷的多聚賴氨酸組裝到人工晶狀體表面，6'表示pf^7.4條件下帶負電荷的抗轉化生長因子卩2抗體組裝到人工晶狀體表面。b表示帶正電的多聚賴氨酸，c表示pH-7.4條件下帶負電的抗轉化生長因子(32抗體，d表示帶正電的PAH，e表示帶負電的PSS。本實施例中的帶正電的強電解質PAH可以換用不同濃度或換用其它帶正電的強電解質，例如以表3中所示的帶正電的強電解質PDDA，對表面預處理過的帶負電荷的人工晶狀體表面進行組裝，以形成帶電密度高的底層的例子(表3中僅列出組裝該底層的有關參數)；表3中的兩例均能制造出本發明的表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體。本實施例中的帶正電的強電解質PAH也可以換用表3以外的其它帶正電的強電解質以對經預處理過的帶負電荷的人工晶狀體表面進行組裝而形成帶電密度高的底層。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>本發明還對上述各實施例中制得的表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體作了以下的測定1)用石英晶體微天平的頻率變化跟蹤人工晶狀體表面(PAH/PSS)3/(多聚賴氨酸/抗轉化生長因子(32抗體)3靜電自組裝過程，如圖3所示它是以實施例5為例，組裝三個雙層(PAH/PSS)，三個雙層(多聚賴氨酸/抗轉化生長因子|32抗體)，圖中的橫坐標表示組裝層數、縱坐標表示頻率變化，其中奇數層中l、3、5層表示PAH，7，9，ll層表示多聚賴氨酸，偶數層中2、4、6層表示PSS，8、10、12層表示抗轉化生長因子P2抗體。其結果顯示多層膜組裝的頻率變化隨著組裝層數的增加呈線性增加，而頻率變化與重量變化呈正比，從而證明了(PAH/PSS)3/(多聚賴氨酸航轉化生長因子|32抗體)3多層膜的成功構建，也就是用實施例5的步驟能制得本發明的人工晶狀體。2)以體外巨噬細胞粘附試驗觀察本實施例表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體對巨噬細胞粘附行為的影響。用實施例l制得的人工晶狀體和未修飾的人工晶狀體均用環氧乙垸熏蒸的方法消毒后，將其平放在24孔培養板中，將巨噬細胞以1.0xl0"mL的密度接種于每個人工晶狀體表面，每孔30pL進行細胞培養。分為兩組，每組三個人工晶狀體，一組為未修飾的人工晶狀體，另一組為多層膜修飾的人工晶狀體。培養24小時后用倒置相差顯微鏡對兩組人工晶狀體表面粘附的巨噬細胞進行比較。其結果如圖4所示，其中圖4(a)為未修飾的人工晶狀體，圖4(b)為本實施例的人工晶狀體，前者表面粘附的巨噬細胞數量明顯少于后者，亦即本實施例的人工晶狀體大大減少了炎性細胞的粘附，提高了生物相容性。3)以體外晶狀體上皮細胞培養觀察表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體對轉化生長因子P2誘導的晶狀體上皮細胞行為的影響。取實施例2制得的人工晶狀體和未修飾的人工晶狀體，且均用環氧乙烷熏蒸的方法消毒后，將其平放在24孔培養板中，將晶狀體上皮細胞以6.0xlO"mL的密度接種于每個人工晶狀體表面，每孔3(^L進行細胞培養。分為兩組，每組三個人工晶狀體，一組為未修飾的人工晶狀體，另一組為本實施例中的人工晶狀體，兩組均在培養板中加入10ng/mL轉化生長因子p2，于24小時后用倒置相差顯微鏡觀察晶狀體上皮細胞。未修飾人工晶狀體表面的晶狀體上皮細胞在轉化生長因子卩2的誘導下發生細胞間隙增加，移行明顯，變為明顯的長梭形，呈現向成纖維細胞轉化的趨勢，如圖5(c)所示；本實施例的人工晶狀體正常培養的晶狀體上皮細胞呈多角形，細胞透亮，胞質豐富，大多維持多角形的正常形態，未表現出纖維化的趨勢，移行不明顯，如圖5(d)所示；從上述上皮細胞說明，本實施例人工晶狀體能夠明顯抑制轉化生長因子(32所引起的上皮-間葉細胞轉分化和細胞移行等有害行為，維持晶狀體上皮細胞的正常形態和行為，從而抑制人工晶狀體植入后的囊膜皺縮，后發性白內障等并發癥，提高術后遠期視力。上述實施例中所使用的抗轉化生長因子|32抗體從英國的劍橋抗體技術公司購得。上述實施例中所用的其他試劑均可從國內外化學試劑公司購得。離體巨噬細胞粘附試驗中所用細胞為小鼠腹腔巨噬細胞，從6-8周齡的BALB/c小鼠腹腔提取，離體晶狀體上皮細胞培養中所用細胞為人晶狀體上皮細胞系HLEB-3，從日本購得。權利要求1.一種表面帶有抗轉化生長因子β2抗體膜的人工晶狀體，其特征是在人工晶狀體光學部和袢的表面上帶有抗轉化生長因子β2抗體膜。2、根據權利要求1所述的表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體，其特征是:所說的人工晶狀體的材料是聚甲基丙烯酸甲酯、或硅凝膠、或軟性疏水性聚丙烯酸酯。3、一種根據權利要求1所述的表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體的制造方法，它包括以下的步驟1)將人工晶狀體清洗并干燥，再通過表面預處理方法使該人工晶狀體表面荷以正電或負電；2)將上述表面荷電的人工晶狀體浸入與其表面電荷相反的濃度為O.Ol-lOOOmg/mL的聚電解質的水溶液中，吸附1-120分鐘，然后以去離子水漂洗并氮氣吹干；再將該人工晶狀體浸入與此前聚電解質所帶電荷相反的濃度為0.01-1000pg/mL的抗轉化生長因子P2抗體的磷酸鹽緩沖溶液中，該磷酸鹽緩沖溶液為0.01-10mol/L、pH值為4-10，吸附1-120分鐘，然后用磷酸鹽緩沖溶液漂洗，氮氣吹干；3)重復上述交替組裝步驟至少一次，即制得表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體；此后在室溫下真空干燥、密封包裝即可。4、根據權利要求3所述的表面帶有抗轉化生長因子|32抗體膜的人工晶狀體的制造方法，其特征是所說的使人工晶狀體表面荷以正電或負電的表面預處理方法是利用等離子體表面處理，改變通入的氣體種類在人工晶狀體表面引入功能基團，然后改變pH值使表面離子化而帶上電荷。5、根據權利要求3所述的表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體的制造方法，其特征是所說的使人工晶狀體表面荷以正電的表面預處理方法是直接吸附帶正電荷的聚乙烯基亞胺使表面帶正電荷。6、根據權利要求3所述的表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體的制造方法，其特征是所說的使人工晶狀體表面荷以負電的表面預處理方法是將聚丙烯酸酯類人工晶狀體用堿溶液進行表面水解，表面產生大量羧基而引入負電荷。7、根據權利要求3所述的表面帶有抗轉化生長因子P2抗體膜的人工晶狀體的制造方法，其特征是所說的聚電解質是天然聚電解質或無細胞毒性的聚電解質，它包括帶正電荷的聚電解質聚烯丙基胺鹽酸鹽、殼聚糖、多聚賴氨酸、明膠，以及帶負電荷的聚電解質聚苯乙烯磺酸鈉、海藻酸鈉、肝素、透明質酸鈉。8、根據權利要求3或4或5或6或7所述的表面帶有抗轉化生長因子卩2抗體膜的人工晶狀體的制造方法，其特征是它在人工晶狀體表面荷以正電或負電之后和浸入與其表面電荷相反的濃度為0.01-1000mg/mL聚電解質的水溶液之前，還增加一道能提高該人工晶狀體表面電荷密度以增強后續的抗體的靜電層層自組裝吸附能力的步驟，該步驟是先將表面荷以正電或負電的人工晶狀體交替浸入兩種電荷性質相反的濃度均為0.01-1000mg/mL的強聚電解質水溶液中，吸附時間均為1-120分鐘，吸附完成后均需用去離子水漂洗，氮氣吹干，且交替重復該步驟的次數至少一次；其中帶正電荷的強聚電解質選用聚烯丙基胺鹽酸鹽，或聚二甲基二烯丙基氯化銨；帶負電荷的強聚電解質選用聚苯乙烯磺酸鈉。全文摘要一種能抑制白內障術后并發的后發性白內障的表面帶有抗轉化生長因子β2抗體膜的人工晶狀體及其制造方法。其制法將人工晶狀體清洗、干燥、經表面預處理使其荷以正電或負電；然后浸入與其表面電荷相反的聚電解質的水溶液中吸附、以去離子水漂洗并氮氣吹干；再將它浸入與此前聚電解質所帶電荷相反的抗轉化生長因子β2抗體的pH值為4-10磷酸鹽緩沖溶液中吸附，最后用磷酸鹽緩沖溶液漂洗、氮氣吹干，并重復上述的交替組裝步驟。本發明人工晶狀體具有靶向抑制晶狀體上皮細胞的轉分化和囊膜皺縮，從而阻斷后發性白內障的發生，且生物相容性好；本發明制法科學、簡單，且能確保抗轉化生長因子β2抗體在干態下的活性和在醫用移植中的安全可靠性。文檔編號A61L27/40GK101269240SQ20081006151公開日2008年9月24日申請日期2008年4月30日優先權日2008年4月30日發明者克姚,瑤王申請人:浙江大學醫學院附屬第二醫院