專利名稱：腦部電損毀電極的制作方法
技術領域：
本實用新型屬生命科學試驗研究用裝置技術領域。
背景技術：
腦部電損毀是生命科學領域研究腦功能的重要技術手段之一。目前，腦部電損毀所用電極的類型有同心圓電極、單極針狀電極和雙極針狀電極。這些電極共同的缺點是損毀區域范圍較小，而在需要損毀較大范圍的腦結構時需要進行多點損毀。
實用新型內容本實用新型的目的是克服現有技術的缺點，提供一種能損毀較大區域腦結構的腦 部電損毀電極。本實用新型的結構是包含有一導管；一能插入導管的管塞，管塞一端設能限制插入導管之深度的限位頭；—下段雖被彎折但具有彈性從而能插入導管的偏心電極，偏心電極另一端設能限制插入導管之深度的限位頭，一針形電極，針形電極另一端設能限制插入導管之深度的限位頭；管塞，偏心電極和針形電極能插入導管的長度均大于導管長度。導管起引導作用，用于引導電極插入預訂位置；管塞用于在套管插入時堵塞導管，以減少對導管通過路徑上腦組織的損傷；偏心電極的偏心結構設計可以讓露出導管的該電極下部距離導管中心的距離大于導管半徑，從而實現對距導管中心較遠距離處的腦組織損毀。本實用新型的使用首先將內插有管塞的導管緩慢推進至預損毀腦結構的上表面，然后將管塞拔出，將偏心電極自導管上端放入并向下推動，在偏心電極下端將要露出導管時迅速插進，以便偏心電極憑借彈性到達預定位置。采用恒流源提供mA級的電流，按預定電流和時間對組織進行損毀。每損毀完一個點，將電極向上拔至導管內，旋轉一定角度，重新插入，再進行損毀，使相鄰損毀區域相接(根據電極的尺寸和通電電流的參數選擇恰當的旋轉角度)，最終形成一個環形的損毀區域。將偏心電極自導管拔出，針形電極插入，用于損毀導管中心下部區域的組織。本實用新型的優點可以在一次性插入導管的情況下，對較大區域的腦結構進行電損毀。該裝置體積小，重量輕，操作過程簡單，對其他部位腦組織的損傷較小，同時可以避免現有技術在損毀較大腦結構時因多次插入所造成的出血概率增加。
圖I為實施例中導管的主視剖面結構示意圖。圖2為實施例中管塞的主視結構示意圖。[0015]圖3為實施例中偏心電極的主視剖面結構示意圖。圖4為實施例中針形電極的主視剖面結構示意圖。圖5為實施例中偏心電極插入導管后的主視剖面結構示意圖。以下實例僅僅是對本實用新型做個舉例說明。必須特別指出的是，本實用新型的技術方案和保護范圍并不受該實施例的局限。
具體實施方式
實施例見圖I 5。該實施例裝置由以下四個不銹鋼制成的部件組成導管1，長40毫米，內徑I. 6毫米。導管I上部設有通孔10，其作用是若導管中有 腦脊液或組織液，可以自通孔10排出。管塞2，一端設能限制插入導管I之深度的限位頭3，管塞2能插入導管的長度為43毫米。偏心電極4，一端設能限制插入導管I之深度的限位頭5，偏心電極4能插入導管I的垂直長度為43. 5毫米；6為絕緣層。針形電極7，一端設能限制插入導管I之深度的限位頭8，針形電極7能插入導管I的長度為43. 5毫米；9為絕緣層。該裝置可用于損毀一個直徑為6_，縱深為4_的腦結構。偏心電極4憑借彈性到達預定位置時，電極下端距導管中心距離為I. 80mm，每旋轉45°損毀一個點，共損毀8個點。將偏心電極4拔出，針形電極7插入，用于損毀腦結構的中間區域。每個損毀點的通電電流為2mA，通電時間為2min。9個損毀點損毀的區域有部分疊加，最終可損毀區域的直徑最小處為5. 99mm,最大處為6. 60mm。
權利要求1.一種腦部電損毀電極，其特征在于包含有 一導管; 一能插入導管的管塞，管塞一端設能限制插入導管之深度的限位頭； 一下段雖被彎折但具有彈性從而能插入導管的偏心電極，偏心電極另一端設能限制插入導管之深度的限位頭， 一針形電極，針形電極另一端設能限制插入導管之深度的限位頭； 所說管塞，偏心電極和針形電極能插入導管的長度均大于導管長度。
2.如權利要求I所說的腦部電損毀電極，其特征在于導管上部設有通孔。
專利摘要腦部電損毀電極，屬生命科學試驗研究用裝置技術領域。包含有一導管，一管塞，一下段雖被彎折但具有彈性從而能插入導管的偏心電極；管塞，偏心電極和針形電極能插入導管的長度均大于導管長度。導管起引導作用，管塞用于在套管插入時堵塞導管，以減少對導管通過路徑上腦組織的損傷；偏心電極實現對距導管中心較遠距離處的腦組織損毀。優點可在一次性插入導管的情況下，對較大區域的腦結構進行電損毀，對其他部位腦組織的損傷較小，可避免現有技術在損毀較大腦結構時因多次插入所造成的出血概率增加。
文檔編號A61B18/14GK202619842SQ201220159329
公開日2012年12月26日 申請日期2012年4月16日 優先權日2012年4月16日
發明者楊上川, 胡新天, 江慧慧, 馬原野 申請人:中國科學院昆明動物研究所