等離子體處理裝置的清理方法和等離子體處理方法

專利名稱：等離子體處理裝置的清理方法和等離子體處理方法
技術領域：
本發明涉及一種等離子體處理裝置的清理方法和等離子體處理方法。
背景技術：
當前，在半導體裝置的制造領域等中，作為在半導體晶片等的基板上執行成膜處理或者蝕刻處理等處理的裝置，已知有使用等離子體的等離子體處理裝置。已知有在上述等離子體處理裝置中，使氫氣的等離子體產生，并使該氫氣的等離子體中的氫自由基作用到被處理基板上，來執行抗蝕劑的灰化或者低導電率膜的蝕刻的技術。在這樣使用氫氣的等離子體的情況下，當使用平行平板型等電容耦合型的等離子體處理裝置時，電極因氫等離子體收到較大的損壞。因此，使用產生電感耦合等離子體(ICP)的電感耦合型等離子體處理裝置。 作為這種電感耦合型的等離子體處理裝置，已知有在圓筒狀的等離子體生成室的側壁部上設置有線圈彈簧狀的高頻線圈，并通過具有貫通孔的多個遮蔽板(間隔部件)劃分該等離子體生成室和配置有執行處理的半導體晶片等的被處理基板的等離子體處理室，僅使等離子體中的原子團選擇性地作用到基板上的等離子體處理裝置(例如參照專利文獻I)。如上所述，在通過遮蔽板將在側壁部上設置有高頻線圈的圓筒狀等離子體生成室和等離子體處理室分開構成的等離子體處理裝置中，在側壁部上設置有高頻線圈的情況下，等離子體生成室的形狀變得縱向比橫向長。而且，當在該縱向比橫向長的等離子體生成室中產生的等離子體中，僅使原子團移動并作用到被處理基板上時，原子團的移動距離變長，只有效率良好的原子團作用到被處理基板上，難以執行有效的處理。因此，從利用氫自由基有效地執行處理這一點上來看，優選使用在處理室的頂部設置電介質窗并且在其上面設置平面狀的高頻線圈的等離子體處理裝置。此外，作為使用了氧等離子體的灰化裝置的清理方法，已知有通過四氟化碳等離子體對附著在等離子體處理室上的、由光致抗蝕劑引起的炭成分以及作為屏蔽金屬層形成在半導體晶片上的氮化鈦膜或鈦膜引起的鈦成分進行干洗，來防止灰化速度的降低(例如參照專利文獻2)。現有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2009-16453號公報專利文獻2 :日本特開平11-145115號公報

發明內容
發明想要解決的問題在上述使用氫等離子體的等離子體處理技術中，有時在構成等離子體生成室的結構部件中使用包含硅的結構部件。例如，存在用石英等構成電介質窗或者間隔部件的情況。在該包含硅的結構部件中與因等離子體電動勢而加速的氫離子發生碰撞，包含硅的結構部件被濺射，被濺射的微粒堆積在等離子體密度低的部分。于是，存在該堆積物由于熱應力被剝落而產生微粒，并附著在等離子體處理室內的被處理基板上的問題。本發明是鑒于上述問題而完成的，提供一種等離子體處理裝置的清理方法和等離子體處理方法，其能夠防止因構成等離子體生成室的包含硅的結構部件引起的微粒附著在被處理基板上。用于解決課題的方法本發明的等離子體處理裝置的清理方法的一個方面是一種等離子體處理裝置的清理方法，該等離子體處理裝置具備具有包含硅的結構部件、激發處理氣體而生成等離子體的等離子體生成室；和經由具有開口部的間隔部件與上述等離子體生成室連通的等離子體處理室；和平面狀高頻天線，其配置于在上述等離子體生成室的頂部上設置的板狀電介質窗的外側，上述等離子體處理裝置的清理方法的特征在于在上述等離子體生成室內對 包含氫氣的處理氣體進行等離子體激發，將產生的氫自由基經由上述間隔部件導入到上述等離子體處理室中，并使上述氫自由基作用于被處理基板來實施等離子體處理，將上述被處理基板從上述等離子體處理室中搬出后，向上述等離子體生成室內導入四氟化碳氣體，來除去堆積于該等離子體生成室內的硅類堆積物。本發明的等離子體處理方法的一個方面是一種等離子體處理裝置的等離子體處理方法，該等離子體處理裝置具備具有包含硅的結構部件、激發處理氣體而生成等離子體的等離子體生成室；經由具有開口部的間隔部件與上述等離子體生成室連通的等離子體處理室；和平面狀高頻天線，其配置于在上述等離子體生成室的頂部上設置的板狀電介質窗外側，上述等離子體處理方法的特征在于，具有等離子體處理工序，其在上述等離子體生成室內對包含氫氣的處理氣體進行等離子體激發，將生成的氫自由基經由上述間隔部件導入到上述等離子體處理室中，并使上述氫自由基作用于被處理基板來實施等離子體處理；搬出工序，其從上述等離子體處理室中搬出通過上述等離子體處理工序被等離子體處理過的上述被處理基板；和清理工序，其在上述搬出工序后，向上述等離子體生成室內導入四氟化碳氣體，來除去堆積于該等離子體生成室內的硅類堆積物。發明效果根據本發明，能夠提供一種等離子體處理裝置的清除方法和等離子體處理方法，其能夠防止因構成等離子體生成室的包含硅的結構部件引起的微粒附著在被處理基板上。


圖I是表示本發明的一個實施方式涉及的等離子體處理裝置的截面概略結構的圖。圖2是表示圖I的等離子體處理裝置的高頻天線的概略結構的圖。圖3是表示圖2的高頻天線中的電壓和電流的關系的圖。圖4是表示在圖I的等離子體處理裝置的電介質窗上貼裝的半導體晶片的熱氧化膜的膜厚變化的調查結果的圖表。圖5是表示在圖I的等離子體處理裝置的電介質窗和間隔部件上貼裝的半導體晶片的熱氧化膜的膜厚變化的調查結果的圖表。
圖6是表示在圖I的等離子體處理裝置的間隔部件上貼裝的半導體晶片的熱氧化膜的膜厚的調查結果的圖表。圖7是說明實施方式的工序的流程圖。符號說明I等離子體處理裝置10處理腔室13電介質窗15載置臺、20等離子體處理室30等離子體生成室40間隔部件40a 開口部140高頻天線142天線元件150高頻電源
具體實施例方式以下，參照附圖，基于實施方式說明本發明的細節。圖I是示意地表示本發明的一個實施方式中所使用的等離子體處理裝置I的結構的圖。首先，說明等離子體處理裝置I的結構。等離子體處理裝置I具備處理腔室10。處理腔室10由對表面進行過陽極氧化處理的鋁等大致圓筒狀地構成。在處理腔室10的內側底部上設置有用于載置半導體晶片W等的被處理基板的載置臺15。在載置臺15的基板載置面上設置有用于吸附被處理基板的未圖示的靜電卡盤等。在處理腔室10的頂部以與載置臺15相對的方式設置有作為包含硅(Si)的部件的石英制電介質窗13。電介質窗13形成為圓板狀，并以氣密地堵塞處理腔室10的頂部上形成的圓形開口的方式配置。在處理腔室10的內部設置有作為包含硅(Si)的部件的石英制間隔部件40，其劃分配置有載置臺15的下方的等離子體處理室20和上方的等離子體生成室30。該間隔部件40上形成有多個開口部40a。在等離子體蝕刻裝置I設置有用于向處理腔室10的等離子體生成室30內供給包含氫氣氣體的處理氣體的氣體供給部120。處理腔室10的側壁部形成有氣體導入口 121，氣體導入口 121經由氣體提供管道123與氣體提供源122連接。在氣體提供管道123的途中插入有用于控制處理氣體流量的質量流量控制器124和開閉閥126。來自氣體提供源122的處理氣體通過質量流量控制器124控制為規定的流量，從氣體導入口 121供給至處理腔室10的等離子體生成室30內。在圖I中為了簡單說明，雖然將氣體供給部120用單個系統的輸氣管道表示，但是氣體供給部120并不限于僅能提供一種處理氣體的情況，也可以提供多種處理氣體作為處理氣體。另外，氣體供給部120也不限于從處理腔室10的側壁供給氣體的結構，也可以為從處理腔室10的頂部供給氣體的結構。在這種情況下，例如，也可以在電介質窗13的例如中央形成氣體導入口，并從該氣體導入口供給氣體。處理腔室10的底部經由排氣管132與用于對處理腔室10內進行排氣的排氣部130連接。排氣部130例如由真空泵等構成，能夠將處理腔室10內的壓力減壓至規定壓力。在處理腔室10的側壁部形成有晶片搬出入口 32，在該晶片搬出入口 32上設置有氣密地堵塞晶片搬出入口 32并自由開閉的門閥31。處理腔室10的頂部外側以與電介質窗13的外側面(上側面)相對的方式設置有平面狀高頻天線140，并以覆蓋該高頻天線140的方式設置有大致筒狀(本實施方式中為圓筒狀)的遮蔽部件160。如圖2所示，高頻天線140由多個夾持體144夾持例如由銅、鋁、鋼等電介質構成的螺旋形線圈狀的天線元件142構成。各夾持體144形成為棒狀，3個夾持體144配置為從天線元件142的中央附近朝向其外側放射狀地延伸。天線元件142與高頻電源150連接。通過從高頻電源150向天線元件142以規定的功率供給規定頻率(例如26. 70MHz)的高頻，在處理腔室10內的等離子體生成室30內形成感應磁場。由此,導入到等離子體生成室30內的包含氫氣氣體的處理氣體被激發，產生等離子體。在該等離子體生成室30內被激發的等離子體中的離子，被間隔部件40遮蔽，被阻止進入等離子體處理室20內，僅等離子體中的氫自由基移動到等離子體處理室20內，由此利用氫自由基對半導體晶片W進行處理。從高頻電源150輸出的高頻電力的頻率并不限于26. 70MHz。例如也可以為13. 56MHz、60MHz等。但是，需要相應于高頻電源150輸出的高頻電力的頻率，來調整天線元 件142的電氣長度。遮蔽部件160包括固定到處理腔室10的頂部的大致圓筒狀的下部遮蔽部件161 ;和可自由滑動地設置在該下部遮蔽部件161的外側的上部遮蔽部件162。上部遮蔽部件162形成為上表面閉塞下表面開口的大致圓筒狀。上部遮蔽部件162通過設置在處理腔室10的側壁上的執行機構165進行上下滑動驅動。而且，高頻天線140也可以通過執行機構145調整高度。等離子體處理裝置I具備控制部200 (整體控制裝置)，通過該控制部200控制等離子體處理裝置I的各部分。另外，控制部200與操作部210連接，其包括用于操作員管理等離子體處理裝置I而進行指令輸入操作等的鍵盤；和將離子體處理裝置I的工作情況可視化顯示的顯示器等。并且，控制部200與存儲部220連接，其存儲有通過控制部200的控制來實現在等離子體處理裝置I中執行的各種處理的程序、和用于執行程序而需要的方案等。在存儲部220中，除了用于執行半導體晶片W的處理的多個方案之外，還存儲有用于執行處理腔室10內的清理處理等需要的處理的方案。其中，這些方法可以存儲于硬盤或者半導體存儲器中，另外，也可以以收納在CD-ROM、DVD等存儲介質的形式設置在存儲部220的規定位置。控制部200，基于來自操作部210的指示等，從存儲部220中讀取所期望的方案來控制各部分，在等離子體處理裝置I中執行所希望的處理。另外，通過來自操作部210的操作，能夠對方案進行編輯。接著,說明高頻天線140的具體的結構。如圖2所示，高頻天線140構成為以天線元件142的兩端、即外側端部142a和內側端部142b作為自由端(電懸浮的狀態)，并且以卷繞方向上的長度的中點或者其近旁(以下單獨稱為“中點”)作為接地點(地面)142c，能夠形成1/2波長的駐波。S卩，設定天線元件142的長度、卷繞直徑、卷繞間距、卷數，使得以從高頻電源150供給的規定頻率(例如26. 70MHz)為基準，在該基準頻率的1/2波長處諧振(以半波長模式諧振)。例如，天線元件142的電氣長度為在基準頻率的1/2處諧振的長度，即作為基準頻率26. 70MHz中的一個波長的1/2的長度。此外，天線元件142也可以構成為管狀、線狀、板狀等任意一種形狀。供給從高頻電源150產生的高頻的供電點142d，與接地點142c相比無論在內側或還是在外側都可以，例如優選在阻抗為50 Ω的點。供電點也可以是可變的。在這種情況下，通過馬達等也可以自動變更供電點。當采用這樣的天線元件142，將高頻電源150的基準頻率(例如26. 70MHz)的高頻施加到高頻天線140使其以半波長模式諧振時，如圖3所示，在某個瞬間施加到天線元件 142的電壓V為如下波形中點(接地點)為O,—個端部為正峰值,另一個端部為負峰值。與此相對，施加到天線元件142的電流I，由于與電壓波形的相位錯開90度，所以形成為中點(接地點)處最大、兩端部為O的波形。此時，由于在高頻的正負每個周期中瞬時電容相互在相反方向上增減，所以施加到天線元件142上的電壓V和電流I的波形分別如圖3所示。S卩，電壓V形成為由在天線元件142上產生的正負電壓成分相抵而形成的平均電壓變得非常小的半波長模式的駐波。與此相對，電流I形成在天線元件142上中點(接地點)處最強且僅由正電流成分或負電流成分構成的駐波。通過這樣的駐波，產生在天線元件142的中央附近具有最大強度的垂直磁場B。由此，在等離子體生成室30內，被激發出以垂直磁場B為中心的圓形電場，生成圓圈狀的等離子體。此時，由于施加到天線元件142上的平均電壓非常小，所以電容耦合度極弱，因此能夠產生電位低的等離子體。在此，在使天線元件142的外側端部142a和內側端部142b兩端接地，外側端部142a和接地之間連接有高頻電源150的情況下，如圖3所示的電壓V和電流I的波形變得相反。S卩，當從高頻電源150向高頻天線140上施加基準頻率(例如26. 70MHz)的高頻使其以半波長模式諧振時，在某個瞬間，施加到天線元件142上的電壓V變成中點(接地點)處最大、兩個端部為O的波形。與此相對，由于施加至天線元件142的電流I與電壓波形的相位錯開90度，所以變成中點(接地點)處為0，一個端部為正峰值，另一個端部為負峰值的波形。這樣，當使天線元件142的兩端接地使其以半波長模式諧振時，以接地點作為邊界，在天線元件142的內側部和天線元件142的外側部總是形成有相反方向的磁場。通過該相反的磁場，在大致同一平面的附近形成有兩個圓形電場。而其，由于該兩個圓形電場的旋轉方向總是相反，所有相互干擾，具有生成的等離子體不穩定的問題。與之相對，當使天線元件142的中點作為接地點時，如上所述，被激發的圓形電場為一個且通常在一個方向上，沒有相互干擾的反方向上的電場。因此，在使天線元件142的中點為接地點的情況下，與使天線元件142的端部為接地點的情況相比，能夠形成穩定的等離子體。
另外，在使天線元件142的兩端接地的情況下，由于在諧振狀態下的天線元件142上殘留電壓成分，所以等離子體中多產生電容耦合成分。這點在以天線元件142的中點作為接地點的情況下，由于如上所述在諧振狀態下的天線元件142的電壓成分非常小，所以在等離子體中難以發生電容耦合成分。所以，在執行損壞小的等離子體處理，在以天線元件142的中點作為接地點的情況下是有利的。但是，在本實施方式中為了使天線元件142以1/2波長模式諧振，需要如上述方式使天線元件142的電氣長度準確地與基準頻率(這里是26. 70MHz)的1/2長度對應。然而，準確地制作天線元件142的物理長度并不容易。另外，天線元件142的諧振頻率不僅影響天線元件142的固有的電抗，而且還影響天線元件142和遮蔽部件160之間的寄生電容(雜散電容)。因此，例如即使能夠正確地制造天線元件142的物理長度，也由于安裝誤差等使天線元件142和遮蔽部件160的距離產生誤差，有時不能獲得設計程度的諧振頻率。因此，在本實施方式中，能夠調整遮蔽部件160的高度，由此，通過調整天線元件142和遮蔽部件160之間的距離來改變寄生電容，能夠調整天線元件142的諧振頻率。具體來講，通過驅動驅動機構165來使上部護罩162升高，由此使遮蔽部件160和高頻天線140之間的距離變長。由此，由于寄生電容C變小，所以能夠調整諧振頻率，以使天線元件142的電氣長度變長。相反地，當降低上部遮蔽部件162時，遮蔽部件160和高頻天線140之間的距離變短。由此，由于寄生電容C變大，所以能夠調整諧振頻率，以使天線元件142的電氣長度變短。這樣,根據本實施方式,通過調整遮蔽部件160的高度，能夠改變天線元件142和遮蔽部件160之間的寄生電容C，所以不改變天線元件142的物理長度，就能夠調整天線元件142的諧振頻率。還有，在本實施方式中，也能夠調整高頻天線140的高度，由此，通過調整等離子體和天線元件142之間的距離，能夠調整等離子體的電勢。上述高頻天線140和遮蔽部件160的高度調整分別是通過控制部200控制驅動機構145、165來進行。該情況下，高頻天線140和遮蔽部件160的高度調整，也可以通過操作員對操作部210進行操作來執行，此外也可以通過控制部200的自動控制來執行。在自動進行遮蔽部件160的高度調整的情況下，能夠構成為例如，在高頻電源150的輸出側設置有高頻功率表(例如反射波功率表)，對應于由高頻功率表檢測出的高頻電力(例如以使反射波電力變得最小)，控制驅動機構165并調整遮蔽部件160的高度，自動地調整天線元件142的諧振頻率。根據上述結構的等離子體處理裝置I，在進行半導體晶片W的等離子體處理的情況下，打開門閥31，從晶片搬出入口 32將半導體晶片W搬入到處理腔室10的等離子體處理室20內，載置到載置臺15上并由靜電卡盤吸附。接著，關閉門閥31，通過排氣部130的未圖示的真空泵，將處理腔室10內抽真空至規定的真空度。然后，通過氣體供給部120，向處理腔室10的等離子體生成室30內攻擊規定流量的包含氫氣的處理氣體，例如包含氫氣和稀有氣體(Ar或He等)的處理氣體，或者包含氫氣和氧氣的處理氣體等。而且，在處理腔室10內的壓力維持在規定壓力之后，從高頻電源150向高頻天線140施加規定頻率的高頻電力。由此，在等離子體生成室30內，產生包含氫、氣的處理氣體的ICP等離子體。該ICP等離子體中的離子由于具有帶電電荷，所以被間隔部件40遮蔽，幾乎不能到達等離子體處理室20內。另一方面，氫自由基由于是電中性，所以通過間隔部件40的開口部40a到達等離子體處理室20內。而且，通過該氫自由基作用于載置在載置臺15上的半導體晶片W，來進行半導體晶片W的等離子體處理，例如蝕刻處理或者清理處理。此時，在等離子體處理裝置I中，使用平面狀的高頻天線140來產生ICP等離子體，在距離半導體晶片W比較近的區域存在等離子體。因此，從等離子體到半導體晶片W的氫自由基的移動量減少，能夠使壽命短的氫自由基有效地作用到半導體晶片W上。而且，當規定的等離子體處理結束時，停止高頻電力的施加和處理氣體的供給，以與上述的順序相反的順序，從處理腔室10內搬出半導體晶片W。而且，在從處理腔室10內搬出半導體晶片W之后，根據需要實施相應的清理處理工序。、
在等離子體處理裝置I中，在電介質窗13的真空側的表面上，沿電介質窗13的徑向粘貼有形成有熱氧化膜的半導體晶片的長條狀的切片，在該狀態下，在等離子體生成室30內產生包含氫的氣體的等離子體，并對半導體晶片的長條狀切片中的熱氧化膜的膜厚變化進行了測定，圖4的圖表表示該測定結果。在圖4的圖表中，縱軸表示的是熱氧化膜的膜厚變化(nm/時間)，橫軸表示的是距處理腔室10的中心的距離(mm)。另外，圖4所示的方向I表示通過天線元件142的外側端部142a和接地點(地)142c的正下方的方向。另外，方向2表不朝向門閥的方向。等離子體的發生條件如下。處理氣體He/H2= 2400/100sccm壓力1995Pa(I. 5Torr)高頻電力3000W電源電流23. OA諧振頻率26.70MHz放電時間30秒X 120回(合計I小時)(放電-放電期間5分鐘冷卻)如圖4的圖表所示，在徑向上的中間部分(距中心的距離為75 150mm左右的部分)，熱氧化膜的膜厚變化變成負值側，產生濺射。另一方面，在該部分的內側以及外側，熱氧化膜的膜厚變化變成正值側，可知產生變形(堆積)。發生濺射的區域是等離子體密度高的部分，產生變形的部分是等離子體密度低的部分。其中，在方向I上和方向2上不存在大的差別。這些實驗盡管是基于形成在半導體晶片的切片的熱氧化膜(SiO2膜)的結果，同樣，在電介質窗13的真空側的表面中，作為包含硅的部件的石英制電介質窗13，在等離子體密度高的部分產生濺射，濺射的微粒堆積在位于等離子體密度低的部分的電介質窗13的部分。其中，使用氫等離子體的實際的等離子體處理中，作為處理氣體，除了使用氫氣單一氣體之外,也使用氫氣和氧氣的混合氣體、氫氣和稀有氣體(例如Ar氣體)的混合氣體
坐寸ο圖5的圖表表不上述方向2上的粘貼在電介質窗13的真空側的表面和間隔部件40的上面表的半導體晶片的長方形切片中熱氧化膜的膜厚變化的測定結果。在圖5的圖表中，縱軸表示熱氧化膜的膜厚變化(nm/時間)，橫軸表示距處理腔室10的中心的距離(mm) ο
如圖5的圖表所示，與電介質窗13的真空側的表面相同，雖然在間隔部件40的上表面也存在濺射的部位和產生變形的部位，但是與電介質窗13的真空側的表面相比，產生變形的區域變多，變形的量也較多。而且，該實驗雖然也是基于形成于半導體晶片的切片上的熱氧化膜(3102膜)的結果，同樣，在間隔部件40的上表面，作為包含硅的部件的石英制間隔部件40，在等離子體密度高的部分產生濺射，濺射的微粒堆積在位于等離子體密度低的部分的間隔部件40的部分上。在圖6的圖表中，以縱軸為熱氧化膜的膜厚(nm)，以橫軸為距處理腔室10的中心的距離(mm)，表示間隔部件40的上表面的熱氧化膜的膜厚的測定結果。在圖6的圖表中，菱形的曲線表示初始狀態的膜厚。此外，正方形的曲線表示模擬利用氫等離子體對半導體晶片的等離子體處理后進行氫氣放電30分鐘后的膜厚。此外，三角形的曲線表示實施清理工序后的I吳厚。上述清理工序按照以下條件進行。處理氣體CF4= 200sccm壓力26·6Pa (2OOmTorr)高頻電力3OOOW電源電流23. OA諧振頻率26·70MHz放電時間30秒如圖6的圖表所示，模擬利用氫等離子體對半導體晶片的等離子體處理之后進行氫氣放電30分鐘后，在等離子體密度低的部分產生變形。于是，通過以上述條件執行清理工序，能夠確認除去該變形物。其中，在圖6所示的例中，是相對于30分鐘的等離子體處理工序，實施了 30秒的清理工序的情況，所以盡管不能完全除去變形物，但可知如果實施2 3分鐘的清理工序，則能夠完全清除變形物。在實際的等離子體處理中，當變形物的量還不多時實施清理工序，能夠提高防止剝離的變形物附著到半導體晶片的效果。所以，優選例如相對多個半導體晶片實施等離子體處理，等離子體處理的累積處理時間設為規定時間，例如每個大約5 10分鐘，實施上述清理工序。在該情況下，優選在等離子體處理室內沒有半導體晶片的狀態下實施清理工序。因此，按照圖7的流程圖所示的方式利用氫等離子體對半導體晶片的進行等離子體處理工序。S卩，通過反復執行將被處理基板搬入到等離子體處理室中的工序(工序701)，使從氫等離子體引出的氫自由基作用于被處理基板來進行等離子體處理的工序(工序702)，將被處理基板從等離子體處理室搬出的工序(工序703)，來對規定個數的被處理基板實施等離子體處理。此時，在將被處理基板從等離子體處理室中搬出的工序(工序703)之后，判定等離子體處理的累積時間是否達到規定時間(工序704)，在等離子體處理的累積時間達到規定時間的情況下，執行清理工序(工序705)。另一方面，在等離子體處理的累積時間未達到規定時間的情況下，實施將下一個被處理基板搬入到等離子體處理室的工序(工 序701)，繼續單片處理的等離子體處理。以上，對本發明的實施方式進行了說明，但本發明并不限于上述實施方式，當然還包括各種可能的變形。
權利要求
1.一種等離子體處理裝置的清理方法，該等離子體處理裝置具備具有包含硅的結構部件、激發處理氣體而生成等離子體的等離子體生成室；經由具有開口部的間隔部件與所述等離子體生成室連通的等離子體處理室；和平面狀高頻天線，其配置于在所述等離子體生成室的頂部上設置的板狀電介質窗的外側，所述等離子體處理裝置的清理方法的特征在于: 在所述等離子體生成室內對包含氫氣的處理氣體進行等離子體激發，將產生的氫自由基經由所述間隔部件導入到所述等離子體處理室中，并使所述氫自由基作用于被處理基板來實施等離子體處理，將所述被處理基板從所述等離子體處理室中搬出后， 向所述等離子體生成室內導入四氟化碳氣體，來除去堆積于該等離子體生成室內的硅 類堆積物。
2.如權利要求I所述的等離子體處理裝置的清理方法，其特征在于 所述處理氣體包含氧氣或者稀有氣體的任一種。
3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置的清理方法，其特征在于 所述稀有氣體為IS氣。
4.如權利要求I 3任一項所述的等離子體處理裝置的清理方法，其特征在于 所述電介質窗包含娃。
5.如權利要求I 4任一項所述的等離子體處理裝置的清理方法，其特征在于 所述間隔部件包含硅。
6.一種使用等離子體處理裝置的等離子體處理方法，該等離子體處理裝置具備具有包含硅的結構部件、激發處理氣體而生成等離子體的等離子體生成室；經由具有開口部的間隔部件與所述等離子體生成室連通的等離子體處理室；和平面狀高頻天線，其配置于在所述等離子體生成室的頂部上設置的板狀電介質窗外側，所述等離子體處理方法的特征在于，具有 等離子體處理工序，其在所述等離子體生成室內對包含氫氣的處理氣體進行等離子體激發，將生成的氫自由基經由所述間隔部件導入到所述等離子體處理室中，并使所述氫自由基作用于被處理基板來實施等離子體處理； 搬出工序，其從所述等離子體處理室中搬出通過所述等離子體處理工序被等離子體處理過的所述被處理基板；和 清理工序，其在所述搬出工序后，向所述等離子體生成室內導入四氟化碳氣體，來除去堆積于該等離子體生成室內的硅類堆積物。
7.如權利要求6所述的等離子體處理方法，其特征在于 所述處理氣體包含氧氣或者稀有氣體的任一種。
8.如權利要求7所述的等離子體處理方法，其特征在于 所述稀有氣體為IS氣。
9.如權利要求6 8任一項所述的等離子體處理方法，其特征在于 所述電介質窗包含娃。
10.如權利要求6 9任一項所述的等離子體處理方法，其特征在于 所述間隔部件包含硅。
全文摘要
本發明提供一種能夠防止構成等離子體生成室的包含硅的部件引起的微粒附著到被處理基板上的等離子體處理裝置的清理方法和等離子體處理方法。該等離子體處理裝置具備具有包含硅的結構部件、激發處理氣體而生成等離子體的等離子體生成室；經由間隔部件與上述等離子體生成室連通的等離子體處理室；和配置于在等離子體生成室的電介質窗外側的平面狀高頻天線，該清理方法在等離子體生成室內對包含氫氣的處理氣體進行等離子體激發，將生成的氫自由基經由上述間隔部件導入到上述等離子體處理室中，并使其作用于被處理基板來實施等離子體處理，將被處理基板搬出后，向等離子體生成室內導入四氟化碳氣體，來除去堆積在等離子體生成室內的硅類堆積物。
文檔編號B08B5/00GK102737948SQ20121018193
公開日2012年10月17日 申請日期2012年4月13日 優先權日2011年4月13日
發明者田原慈, 西村榮一 申請人:東京毅力科創株式會社