一種硅原料的清洗方法
【專利摘要】本發明公開了一種硅原料的清洗方法，包括以下步驟：將硅原料進行預沖洗，并在沖洗后對硅原料的表面進行檢測；根據檢測：將表面無雜質的硅原料進行超聲清洗后即可完成清洗，將表面有雜質但并不多的硅原料進行普通酸洗，將硅表面雜質很多的原料進行酸液泡洗；將經過酸液洗的硅原料進行沖洗，沖洗后對硅原料表面進行觀察；根據觀察：將表面沒有雜質殘留的硅原料進行超聲清洗后即可完成，將表面仍有雜質殘留的硅原料進行堿洗；將經過堿洗的硅原料進行沖洗，之后再對硅原料進行超聲清洗，超聲清洗后即可完成。從上述工作過程可知，用本發明進行硅原料的清洗，既能夠進行實時監控，又能保證硅原料的清洗質量，還能減少硅原料的損耗，節省成本、提高效率。
【專利說明】一種硅原料的清洗方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及光電領域，具體涉及一種硅原料的清洗方法。
【背景技術】
[0002]光電領域中，硅是非常重要和常用的半導體原料，是太陽能電池最理想的原材料。制備硅片的原料表面一般都會有雜質和一些氧化物，必須要經過清洗后才能進入后續工序使用。但是目前生產操作中，由于很多硅料的清洗設備采用酸洗、堿洗、水沖洗和超聲清洗為一體的封閉式操作，所以無法實施監控，必須要等硅原料清洗程序結束后，才能觀察到硅料的清洗情況。清洗后的硅原料中有些未能清洗干凈，就必須再次進行一系列的清洗；有些表面無附著物的硅原料，原本只需進行沖洗和超聲清洗，但仍然要經過上述的酸洗、堿洗、水洗和超聲清洗等過程，可見，現有技術不僅生產效率低，而且浪費了資源、能源，增加了企業的生產成本。
【發明內容】
[0003]本發明的目的在于:克服現有技術的不足，提供一種能夠靈活清洗硅原料的方法，使得硅原料在清洗過程中，可以進行實時監控，還可根據需要進行不同的清洗。
[0004]本發明所采取的技術方案是:
一種硅原料的清洗方法，其特征在于包括以下步驟:
1)將硅原料放入清水池內預沖洗，并在沖洗后對硅原料的表面進行檢測；
2)根據檢測:將表面無附著物的硅原料送入超聲設備中清洗，將表面有少許雜質的硅原料放入酸液池酸洗，將表面雜質較多的硅原料放入濃酸液池內浸泡1-3小時；
3)將經過酸液洗或酸液浸泡的硅原料放入清水池中進行沖洗，沖洗后對硅原料表面進行觀察；
4)根據觀察:將表面沒有殘留污垢的硅原料進行超聲清洗，將表面仍有殘留污垢的硅原料放入堿液池內進行堿洗；
5)將經過堿洗的硅原料放入清水池中進行沖洗，之后再將硅原料送入超聲設備中清洗。
[0005]本發明進一步改進方案是，清洗和濃酸液浸泡池依次排序為:堿液池、清水池、濃酸液池、酸液池、超聲設備。
[0006]本發明的有益效果在于:
用本發明進行硅原料的清洗時，實時監控硅原料的清洗狀況，并且根據硅原料的表面狀況的不同，進行不同的清洗流程。從上述工作過程可知，用本發明進行硅原料的清洗，既能夠進行實時監控，又能保證硅原料的清洗質量，還能減少硅原料的損耗，節省成本、提高效率。
[0007]【專利附圖】
【附圖說明】:
圖1為本發明的流程示意圖。[0008]【具體實施方式】:
如圖1所示，本發明包括以下步驟:先將硅原料放入清水池內預沖洗，并在沖洗后對硅原料的表面進行檢測；根據檢測:將表面無附著物的硅原料送入超聲設備中清洗，將表面有少許雜質的娃原料放入酸液池酸洗，將表面雜質較多的娃原料放入濃酸液池內浸泡1-3小時；將經過酸液洗或酸液浸泡的硅原料放入清水池中進行沖洗，沖洗后對硅原料表面進行觀察；根據觀察:將表面沒有殘留污垢的硅原料進行超聲清洗，將表面仍有殘留污垢的硅原料放入堿液池內進行堿洗；將經過堿洗的硅原料放入清水池中進行沖洗，之后再將硅原料送入超聲設備中清洗。
[0009]本發明中清洗和濃酸液浸泡池依次排序為:堿液池、清水池、濃酸液池、酸液池、超
聲設備。
【權利要求】
1.一種硅原料的清洗方法，其特征在于包括以下步驟: 1)將硅原料放入清水池內預沖洗，并在沖洗后對硅原料的表面進行檢測； 2)根據檢測:將表面無附著物的硅原料送入超聲設備中清洗，將表面有少許雜質的硅原料放入酸液池酸洗，將表面雜質較多的硅原料放入濃酸液池內浸泡1-3小時； 3)將經過酸液洗或酸液浸泡的硅原料放入清水池中進行沖洗，沖洗后對硅原料表面進行觀察； 4)根據觀察:將表面沒有殘留污垢的硅原料進行超聲清洗，將表面仍有殘留污垢的硅原料放入堿液池內進行堿洗； 5)將經過堿洗的硅原料放入清水池中進行沖洗，之后再將硅原料送入超聲設備中清洗。
2.如權利要求1所述的一種硅原料的清洗方法，其特征在于:清洗和濃酸液浸泡池依次排序為:堿液池、清水池、濃酸液池、酸液池、超聲設備。
【文檔編號】B08B3/12GK103769383SQ201210405111
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2012年10月23日 優先權日:2012年10月23日
【發明者】張凌松 申請人:宿遷宇龍光電科技有限公司