專利名稱：一種含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷的制作方法
一種含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷
本發明涉及一種陶瓷，是關于碳化硅陶瓷，特別是一種同時含有碳化硅晶 片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷。
目前報道的增韌碳化硅陶瓷，多是含有碳化硅晶須或炭纖維的增韌碳化硅 陶瓷。有關含有碳化硅晶須的增韌碳化硅陶瓷的報道參見田杰謨等發明(設
計)，清華大學申請，申請號為CN91101684.8的專利申請案"晶須增韌強化碳 陶瓷復合材料"；以及，阿歷山大* J 派齊克發明(設計)，唐化學原料公司 申請，申請號為CN90110427.2的專利申請案"碳化硅晶須增強陶瓷復合材料 及其制造方法"；以及，成來飛、張立同、徐永東、劉永勝、李鎮、王曉明等發 明(設計)，中國西北工業大學申請，申請號為CN200410026337.6的專利申請 案"一種晶須和顆粒增韌陶瓷基復合材料制備方法"。有關含有炭纖維的增韌 碳化硅陶瓷的報道參見耿浩然等發明(設計)，濟南大學申請，申請號為 CN03138926.0的專利申請案"一種制備碳纖維增強碳化硅復合材料的裝置及 工藝"。
碳化硅陶瓷材料具有高溫強度大、高溫抗氧化性強、耐磨損性能好、熱穩 定性佳、熱膨脹系數小、熱導率大、硬度高、抗熱震和耐化學腐蝕等優良特性, 在汽車、機械化工、環境保護、空間技術、信息電子、能源等領域有著日益廣 泛的應用，已經成為一種在很多工業領域性能優異的其他材料不可替代的結構
陶瓷o
機械設備中的動密封是通過兩個密封端面材料的旋轉滑動而進行的，作為 密封端面材料，要求硬度高，具有耐磨損性。碳化硅陶瓷的硬度相當高且摩擦 系數小，故碳化硅陶瓷作為機械密封端面材料可獲得其它材料所無法達到的滑
動特性。另一方面，兩個端面密封材料在旋轉運動過程中由于摩擦會產生一定 的熱量，從而使密封端面的局部溫度升高，因此端面材料還必須能夠耐受一定 的溫度。為了避免端面密封材料在旋轉滑動過程中產生熱應變和熱裂，要求端 面材料的導熱系數高、抗熱震性好。目前，碳化硅陶瓷已經在各類機械密封中 獲得大量的應用，并為機械設備的省力和節能做出了很大的貢獻，顯示出其他 材料所無法比擬的優越性。碳化硅陶瓷在機械工業中還被成功地用作各種軸承、 切削刀具。
航空航天、原子能工業等需要耐受超高溫度的場合如核裂變和核聚變反應 堆中需要的可承受2000度左右高溫的耐熱材料;火箭和航天飛行器表面用于耐 受與大氣劇烈摩擦中產生的高達數千K溫度的隔熱瓦；火箭發動機燃燒室喉襯 和內襯材料，燃氣渦輪葉片；高溫爐的頂板、支架，以及高溫實驗用的卡具等 高溫構件也普遍采用碳化硅陶瓷構件。碳化硅陶瓷在石油化學工業中還被廣泛 地用作各種耐腐蝕用容器和管道。
工業應用中期望進一步提高碳化硅陶瓷的性能，首先要面對的問題是增韌 問題。與其它各類陶瓷類似，碳化硅陶瓷有一定的脆性，如何提供高韌性的碳 化硅陶瓷，是該生產領域關注的重要課題。
在這里有必要簡單提及陶瓷增韌相關的原理。 1974年首次發現一些多晶相陶瓷具有阻力曲線行為，即裂紋擴展阻力隨著裂紋 增加而增長，這是一個重要的進步，此后，人們開始通過各種顯微結構設計來 提高陶瓷的韌性。中國天津大學高溫結構陶瓷及工程陶瓷加工技術教育部重點 實驗室的周振君等，發表于"硅酸鹽通報"2003年第3期p57-61的題為"高 可靠性結構陶瓷的增韌研究進展"，以及，山東大學的郝春成等，發表于"材料 導報"2002年2月第16巻第2期p28-30的題為"顆粒增韌陶瓷的研究進展"，
以及，中國科學院上海硅酸鹽研究所高性能陶瓷與超微結構國家重點實驗室的
郭景坤，發表于"復旦學報(自然科學版)"2003年12月第42巻第6期p822-827 的題為"關于陶瓷材料的脆性問題"，以及，山東大學機械工程學院先進射流工 程技術研究中心的劉含蓮等，發表于"粉末冶金技術"2004年4月第22巻第2 期p98-103的題為"納米復合陶瓷材料的增韌補強機理研究進展"等論文中， 對陶瓷增韌問題的理論和實踐有詳盡的介紹。
陶瓷的韌化方式主要有相變增韌、纖維(晶須)增韌、顆粒增韌以及復合增 韌。其中，顆粒增韌是陶瓷增韌最簡單的一種方法，它具有同時提高強度和韌 性等許多優點。影響第二相顆粒復合材料增韌效果的主要因素為基體與第二相 顆粒的彈性模量E、熱膨脹系數a及兩相的化學相容性。其中化學相容性是復
合的前提，兩相間不能存在過多的化學反應，同時又必須具有合適的界面綜合 強度。利用熱膨脹系數a的失配，從而在第二相顆粒及周圍基體內部產生殘余 應力場，是復相陶瓷增韌補強的主要根源。假設第二相顆粒與基體之間不發生 化學反應，如果第二相顆粒與基體之間存在熱膨脹系數的失配，即 A a = a p- a m#0(p、 m表示顆粒和基體)，當△ a >0時，第二相顆粒處于拉
應力狀態，而基體徑向處于拉伸狀態，切向處于壓縮狀態，這時裂紋傾向于繞 過顆粒繼續擴展；當AcK0時，第二相顆粒處于壓應力狀態，切向受到拉應 力，這時裂紋傾向于在顆粒處釘扎或穿過顆粒。微裂紋的出現可以吸收能量從 而達到增韌的目的，微裂紋增韌因素之一是裂紋偏轉，裂紋偏轉是一種裂紋尖 端效應，是指裂紋擴展過程中當裂紋尖端遇到偏轉物(顆粒、纖維、晶須、界面 等)時所發生的傾斜和偏轉；微裂紋增韌因素之二是裂紋橋聯，橋聯物(顆粒、 纖維、晶須等)聯接靠近橋聯物的兩個裂紋的兩個表面并提供一個使兩個裂紋面 相互靠近的應力，即閉合應力，這樣導致應力強度因子隨裂紋擴展而增加。當
裂紋擴展遇到橋聯劑時，橋聯物有可能穿晶破壞，也可能出現互鎖現象，即裂 紋繞過橋聯物沿晶界發展并形成摩擦橋。簡當地說，第二相異質相顆粒的引入， 將帶來大量的微裂紋，大量的顯性或隱性微裂紋能夠耗散或化解或吸收外來的 破壞性張應力。此外，在采用晶須進行增韌時，還存在拔出效應,拔出效應也是 一種有利于增韌的因素。當引入的第二相異質相顆粒為納米顆粒時，還有利于 抑制陶瓷基材晶體顆粒的長大，燒成陶瓷中陶瓷基材晶體顆粒的微小化也是一 個重要的增韌因素，從斷裂韌性值與顯微結構觀察結果來看，樣品微觀呈納米 級細微組織，則宏觀表現出最高的斷裂韌性，可以認為，顆粒的細化使得組織 結構更加均勻，減小了應力集中及顯微裂紋的尺寸，同時，顆粒的細化也使顯 微裂紋數量增加，也就是說，微細的晶粒結構會導致晶界體積分數增加，在該 情形下，陶瓷斷裂過程中生成的耗散性新裂紋表面積增大，陶瓷斷裂前的過程 中需要吸收的外界能量因而大幅度增加，宏觀上表現為陶瓷斷裂韌性提高。
引入碳化硅晶須或炭纖維進行增韌，確能使碳化硅陶瓷韌性大幅度提高， 但是，碳化硅晶須制備成本較高，帶來整個增韌陶瓷成品的生產成本上升，此 外，長徑比很高的碳化硅晶須以及炭纖維總的說來較難與其它碳化硅陶瓷生產 原料混合均勻，這在一定程度上影響了增韌碳化硅陶瓷成品的品質均勻性。
本發明的目的，是提供一種有別于碳化硅晶須增韌或炭纖維增韌的新的低 成本增韌方案，本發明的目的是同時使用適當的相對廉價的增韌物質與比較昂 貴的碳化硅晶片，是同時使用兩種不同的物質來進行碳化硅陶瓷的增韌，該方 案要盡可能兼顧上文述及的各種有益的增韌效應，所述相對廉價的增韌物質是 以增韌為目的而加入的適當的物質。
本發明的目的是通過如下的技術方案來達到，該技術方案提供一種含碳化 硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷，其組成如下-
(1) 碳化硅晶粒48 % 96 % (重量)
(2) 碳化硅晶片2 % ~ 20 % (重量)
(3) 棒狀氧化鋁嵌入顆粒2 % ~ 20 % (重量)
(4) 碳化硼或釔鋁石榴石0 % ~ 12 % (重量)
在該技術方案中，所述棒狀氧化鋁嵌入顆粒以及碳化硅晶片是增韌物質。 在所述碳化硅陶瓷中，顆粒微小而數量較多的所述棒狀氧化鋁顆粒以及碳化硅 晶片以均勻分散嵌入的形態存在。所述碳化硅陶瓷可以是經由熱壓燒結工藝制 造而成的不含燒結助劑殘留物的碳化硅陶瓷；所述碳化硅陶瓷也可以是經由無 壓燒結工藝制造而成的含燒結助劑殘留物的碳化硅陶瓷。也就是說，對于經由 無壓燒結工藝制造而成的碳化硅陶瓷，陶瓷中還可以含有燒結助劑殘留物質， 所述燒結助劑是為促進碳化硅陶瓷的燒結而加入的物質，所述燒結助劑物質在 碳化硅陶瓷燒結完成后滯留在碳化硅陶瓷內，所述滯留在碳化硅陶瓷內的燒結 助劑物質的化合物狀態例如釔鋁石榴石、碳化硼。其中，在使用碳-硼系燒結 助劑時，因燒結助劑經驗用量較少，相應地，燒結助劑殘留物質碳化硼(本案 中，"碳化硼" 一詞泛指碳硼化合物)較少；而在采用氧化釔-氧化鋁系燒結助 劑時，因燒結助劑經驗用量相對較多，相應地，燒結助劑殘留物質釔鋁石榴石 (本案中，"釔鋁石榴石"一詞泛指包括釔鋁石榴石在內的多種公知的氧化釔與 氧化鋁之間的燒結化合產物)較多；總的說來，在所述碳化硅陶瓷中，燒結助 劑殘留物質的含量范圍在0 % 12 % (重量)，其中，燒結助劑殘留物質的含 量為0% (重量)的情形對應于經由未使用燒結助劑的熱壓燒結工藝制成的碳 化硅陶瓷。所述熱壓燒結工藝、無壓燒結工藝以及燒結助劑物質的技術含義在 碳化硅陶瓷制造領域是公知的。
所述棒狀氧化鋁嵌入顆粒的徑向寬度以及長徑比實際上允許有一個較寬泛 的分布，但是，所述棒狀氧化鋁嵌入顆粒的徑向寬度以及長徑比的較好的分布 是所述棒狀氧化鋁嵌入顆粒的徑向寬度小于l微米，以及，所述棒狀氧化鋁 嵌入顆粒的長徑比分布在2與5之間。
所述棒狀氧化鋁嵌入顆粒的徑向寬度小于1微米的意思是指多數棒狀氧化 鋁嵌入顆粒的徑向寬度小于1微米。所述棒狀氧化鋁嵌入顆粒的長徑比分布在 2與5之間的意思是指多數棒狀氧化鋁嵌入顆粒的長徑比分布在2與5之間。
所述棒狀氧化鋁嵌入顆粒的徑向寬度的更好的選擇范圍是在5納米與100 納米之間。
納米級或接近納米級的嵌入物顆粒的存在，有助于在燒制過程中抑制碳化 硅晶粒的長大，碳化硅晶粒的的細化是一個重要的增韌因素。
在所述碳化硅陶瓷中，所述棒狀氧化鋁嵌入顆粒、碳化硅晶片、碳化硅晶 粒以及燒結助劑殘留物質的含量、顆粒形貌以及元素構成等，可以結合使用X 射線粉末衍射、電鏡透射、電鏡掃描以及微區元素分析等等現有技術手段進行 判定。
本發明的特點，是提供一種新的低成本增韌方案，本發明提供一種含碳化 硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷。碳化硅晶片相對昂貴，而棒狀 氧化鋁顆粒(也就是棒狀氧化鋁粉)相對廉價，本發明的方案是結合利用棒狀 氧化鋁顆粒與碳化硅晶片對碳化硅陶瓷進行組合增韌，并且，棒狀氧化鋁顆粒 以及碳化硅晶片易于與其它制造原料均勻混合。本發明的方案兼顧利用熱膨脹 失配誘發微裂紋、裂紋偏轉、裂紋橋聯、棒狀氧化鋁顆粒拔出效應以及碳化硅 晶片拔出效應等有益的增韌因素。
本發明的方案提供的是一種適度增韌而非極度增韌的碳化硅陶瓷，本發明 的方案提供的碳化硅陶瓷適用于一些必須顧及制造成本以及使用成本并且只需 適度增韌而非極度增韌的應用場合。
實施例1，含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷的制備方
法之一將O. 5 % - 3.0 % (重量)的C-B燒結助齊U，與2.0%- 20.0% (重 量)的棒狀氧化鋁顆粒，以及，2. 0 % - 20. 0 % (重量)的碳化硅晶片，以及，57. 0 % - 95.5 % (重量)的碳化硅粉，以及，適量的PVA (聚乙烯醇)，進行干法
球磨混合，模壓成型，在iocrc-30(rc溫度區間固化，之后，在no(rc-
210(TC溫度區間燒結0.5 - 3.0小時，制成含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入 顆粒的碳化硅陶瓷。
所述碳化硅粉是由顯著不同于碳化硅晶片的一般碳化硅晶粒構成。由一般 碳化硅晶粒構成的碳化硅粉，它與碳化硅晶片的區別是公知的。
棒狀氧化鋁顆粒(也就是棒狀氧化鋁粉)的制備技術或定制產品，可以由中 國武漢大學高新技術產業發展部、武漢大學生產力促進中心提供。中國鋁業股 份有限公司鄭州研究院也可以提供多種特殊形貌氧化鋁顆粒的制備技術。
關于碳化硅晶片的來源，以"碳化硅晶片"作為搜索詞，可以很容易地在 互聯網上找到多家相關的供貨商。
實施例2，含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷的制備方 法之二將0. 5 % - 3. 0 % (重量)的C-B燒結助劑，與2. 0 % - 20. 0 % (重 量)的棒狀氧化鋁顆粒，以及，2. 0 % - 20. 0 % (重量)的碳化硅晶片，以及,57. 0 % - 95.5 % (重量)的碳化硅粉，以及，適量的PVA (聚乙烯醇)，以及，適 量的水，配成漿狀物料，進行濕法球磨混合，經干燥，造粒，模壓成型，在
IO(TC -300°(:溫度區間固化，之后，在170(TC - 210(TC溫度區間燒結0.5 - 3.0 小時，制成含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷。
其中，棒狀氧化鋁顆粒的制備技術或產品以及碳化硅晶片的獲取途徑同實 施例1 。
實施例3，含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷的制備方 法之三將0. 5 % - 3. 0 % (重量)的C-B燒結助劑，與2. 0 % - 20. 0 % (重 量)的棒狀氧化鋁顆粒，以及,2. 0 % - 20. 0 % (重量)的碳化硅晶片，以及，57. 0 % - 95.5 % (重量)的碳化硅粉，以及，適量的PVA (聚乙烯醇)，以及，適 量的水，配成漿狀物料，進行機械攪拌混合，同時對漿狀物料施加超聲波，如 此處理完后，經干燥，造粒，模壓成型，在10(TC -300卩溫度區間固化，之 后，在1700°C - 2100。C溫度區間燒結0.5 - 3.0小時，制成含碳化硅晶片以 及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷。
其中，棒狀氧化鋁顆粒的制備技術或產品以及碳化硅晶片的獲取途徑同實 施例1 。
實施例4，含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷的制備方 法之四將3. 0 % - 5. 0 % (重量)的氧化釔，與10. 0 % - 20. 0 % (重量) 的棒狀氧化鋁顆粒，以及，10. 0 % - 20. 0 % (重量)的碳化硅晶片，以及,55. 0 % - 77.0 % (重量)的碳化硅粉，以及，適量的PVA (聚乙烯醇)，以及，適量 的水，配成漿狀物料，進行濕法球磨混合，經干燥，造粒，模壓成型，在IOO °C -300°。溫度區間固化，之后，在170(TC -2100<€溫度區間燒結0.5-3.0小 時，制成含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷。
其中，棒狀氧化鋁顆粒的制備技術或產品以及碳化硅晶片的獲取途徑同實
施例l。
實施例5，含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷的制備方 法之五將3.0 % - 5.0 % (重量)的氧化釔，與10.0 % - 20.0 % (重量) 的棒狀氧化鋁顆粒，以及，10. 0 % - 20. 0 % (重量)的碳化硅晶片，以及，55. 0 % -77.0 % (重量)的碳化硅粉，以及，適量的PVA (聚乙烯醇)，以及，適量 的水，配成漿狀物料，進行機械攪拌混合，同時對漿狀物料施加超聲波，如此 處理完后，經干燥，造粒，模壓成型，在10(TC -30(TC溫度區間固化，之后， 在1700。C -2100°。溫度區間燒結0.5-3.0小時，制成含碳化硅晶片以及棒狀 氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷。
其中，棒狀氧化鋁顆粒的制備技術或產品以及碳化硅晶片的獲取途徑同實 施例l。
實施例6，含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷的制備方 法之六將2.0%-20.0% (重量)的棒狀氧化鋁顆粒，與2.0%-20.0% (重 量)的碳化硅晶片，以及,60.0 % - 96.0 % (重量)的碳化硅粉，進行干法球 磨混合，之后，置于石墨模具中，在1950°C - 220(TC溫度區間及200MPa以 上的壓力下燒結0.5 - 3.0小時，制成含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆 粒的碳化硅陶瓷。
其中，棒狀氧化鋁顆粒的制備技術或產品以及碳化硅晶片的獲取途徑同實 施例1 。
實施例7，含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷的制備方 法之七將2.0%-20.0% (重量)的棒狀氧化鋁顆粒，與2.0%-20.0% (重 量)的碳化硅晶片，以及，60.0 % - 96.0 % (重量)的碳化硅粉，以及，適量的水，配成漿狀物料，進行濕法球磨混合，經干燥后，置于石墨模具中，在
1950°C - 2200。C溫度區間及200MPa以上的壓力下燒結O. 5 - 3. 0小時，制 成含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷。
其中，棒狀氧化鋁顆粒的制備技術或產品以及碳化硅晶片的獲取途徑同實 施例1 。
實施例8，含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷的制備方 法之八將2.0%-20.0% (重量)的棒狀氧化鋁顆粒，與2.0%-20.0% (重 量)的碳化硅晶片，以及,60.0 % - 96.0 % (重量)的碳化硅粉，以及，適量 的乙醇，配成漿狀物料，進行濕法球磨混合，經干燥后，置于石墨模具中，在 1950°C - 2200。C溫度區間及200MPa以上的壓力下燒結0.5 -3.0小時，制 成含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷。
其中，棒狀氧化鋁顆粒的制備技術或產品以及碳化硅晶片的獲取途徑同實 施例l。
實施例9，含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷的制備方 法之九將2.0%-20.0% (重量)的棒狀氧化鋁顆粒，與2.0%-20.0% (重 量)的碳化硅晶片，以及，60.0 % - 96.0 % (重量)的碳化硅粉，以及，適量 的甲醇，配成漿狀物料，進行濕法球磨混合，經干燥后，置于石墨模具中，在 1950°C - 2200。C溫度區間及200MPa以上的壓力下燒結0. 5 - 3. 0小時，制
成含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷。
其中，棒狀氧化鋁顆粒的制備技術或產品以及碳化硅晶片的獲取途徑同實 施例1 。
實施例10，含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷的制備方
法之十將2.0%-20.0% (重量)的棒狀氧化鋁顆粒，與2.0%-20.0% (重 量)的碳化硅晶片，以及，60.0 % - 96.0 % (重量)的碳化硅粉，以及，適量 的水，配成漿狀物料，進行機械攪拌混合，同時對漿狀物料施加超聲波，如此 處理完并經干燥后，置于石墨模具中，在195(TC - 220(TC溫度區間及200MPa 以上的壓力下燒結0.5 - 3.0小時，制成含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入 顆粒的碳化硅陶瓷。其中，棒狀氧化鋁顆粒的制備技術或產品以及碳化硅晶片 的獲取途徑同實施例l。
為方便本領域之外的技術人員理解和實施本發明，本發明實施例中凡涉及 "C-B燒結助劑"的實施例，"C-B燒結助劑"均指定是碳化硼，即B4C。
本發明各實施例中，所涉及原料的用量均以范圍形式給出，按所列用量范 圍實施，均能在不同程度上實現本發明的目的；為方便本領域之外的技術人員 理解和實施本發明，可以指定各原料所列用量范圍的中間值為最佳用量實施值。
為方便本領域之外的技術人員理解和實施本發明，燒結設備可以指定是真 空碳管爐或熱壓燒結爐；在互聯網上可以找到許多此類設備的供應商。
關于陶瓷性能的測試方法和相關測試儀器，為方便本領域之外的技術人員 了解情況，說明如下以適當關鍵詞鍵入檢索，通過中文期刊網以及外文期刊 網以及互聯網各大搜索工具，可以査到許多相關信息。
權利要求
1.一種含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷，其組成如下(1)碳化硅晶粒48％～96％(重量)(2)碳化硅晶片2％～20％(重量)(3)棒狀氧化鋁嵌入顆粒2％～20％(重量)(4)碳化硼或釔鋁石榴石0％～12％(重量)。
2. 根據權利要求1所述的含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷，其特征在于，所述棒狀氧化鋁嵌入顆粒的徑向寬度小于l微米，以及, 所述棒狀氧化鋁嵌入顆粒的長徑比分布在2與5之間。
3. 根據權利要求2所述的含碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷，其特征在于，所述棒狀氧化鋁嵌入顆粒的徑向寬度介于5納米與100 納米之間。
全文摘要
本發明涉及陶瓷，是關于碳化硅陶瓷，特別是一種同時含有碳化硅晶片以及棒狀氧化鋁嵌入顆粒的碳化硅陶瓷。本發明的特點，是提供一種新的低成本增韌方案。碳化硅晶片相對昂貴，而棒狀氧化鋁顆粒(也就是棒狀氧化鋁粉)相對廉價，本發明的方案是結合利用棒狀氧化鋁顆粒與碳化硅晶片對碳化硅陶瓷進行組合增韌，并且，棒狀氧化鋁顆粒以及碳化硅晶片易于與其它制造原料均勻混合。本發明的方案兼顧利用熱膨脹失配誘發微裂紋、裂紋偏轉、裂紋橋聯、棒狀氧化鋁顆粒拔出效應以及碳化硅晶片拔出效應等有益的增韌因素。
文檔編號C04B35/565GK101164980SQ20061013918
公開日2008年4月23日 申請日期2006年10月16日 優先權日2006年10月16日
發明者岳 宋, 李榕生, 淼 水, 霞 王 申請人:寧波大學