專利名稱：：一種高穩定電子陶瓷材料的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種電子陶瓷介質材料，尤其涉及一種溫度穩定型的陶瓷電容器介質材料。
背景技術：
：電子陶瓷介質材料主要用來制作陶瓷電容器，陶瓷電容器由于用途不同分為多種，如中高壓陶瓷電容器、超高壓陶瓷電容器，不同性能的電容器需要用不同的介質材料制作，其中中高壓陶瓷電容器、超高壓陶瓷電容器是用量大、重要性高的一類瓷料，性能要求較高，國內已有廠家生產該瓷料，但存在溫度穩定性差、不能用于要求較嚴的場合等缺點。
發明內容本發明的目的是針對現有技術中陶瓷介質材料存在的溫度穩定性差、適應性差的缺點，提供一種以二氧化鈦(Ti02)為基料，通過添加部分稀土氧化物，優選組分，制成溫度穩定性好的、適合于特殊場所使用的陶瓷介質材料。本發明的目的是通過以下技術方案實現的，一種高穩定電子陶瓷材料，其組分以重量分表示為二氧化鈦(Ti02)8090分、錫酸鈣(CaSn03)28分、氧化鉍(Bi203)210分、鈦酸鎂(Mg2Ti04)210分、氧化鎢(W03)0.20.8分、氧化鈥(Ho203)0.10.5分。上述高穩定電子陶瓷材料組分的優選方案為二氧化鈦(Ti02)8487分、錫酸鈣(CaSn03)46分、氧化鉍(Bi203)57分、鈦酸鎂(Mg2Ti04)57分分、氧化鎢(W03)0.40.6分、氧化鈥(HO203)0.20.3分。上述高穩定電子陶瓷材料組分的最佳方案為二氧化鈦(Ti02)86分、錫酸鈣(CaSn03)5分、氧化鉍(Bi203)6分、鈦酸鎂(Mg2Ti04)6分、氧化鎢_0.5分、氧化鈥(Ho203)0.25分。該發明為Ti02基瓷料，通過CaSn03和2Ti02Bi203雙重置換作用將Ti02的溫度變化率從-750ppm/°C移至0附近，從而大大改善了使用溫度范圍內的溫度變化率；添加Mg2Ti04，降低燒結溫度，達到瓷體細晶化，從而提高了耐壓、降低了損耗。本發明的主要特點是用稀土氧化物Ho203取代了常用的氧化鈰(Ce02)、五氧化二鈮(Nb205)組分，在進一步促使瓷體細晶化、提高耐壓、降低損耗方面有明顯的效果。本發明采用常規的高壓陶瓷電容器介質制備工藝，原材料購入后，經過檢驗合格后首先進行Ti02煅燒、預合成CaSn03、Mg2Ti04基料的配料，經過球磨、壓濾、干燥、煅燒、粉碎、除鐵工藝，得到Ti02預燒料、CaSn03、Mg2Ti04等基料待用；然后即可進行成品料配料，再經過球磨、攪拌磨、混料、噴霧造粒、除鐵、混料即得成品料，檢驗合格后包裝入庫備用。具體實施例方式為進一步驗證本發明配方組分的性能指標，進行了不同配方組分下的性能指標試驗。表1各試樣的成分配比<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>表2各配方試樣的介電性能<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>本發明與現有技術相比，具有以下優點1、溫度穩定性好，性能穩定，安全性高。2、制備工藝簡單，不用特殊的設備和工藝，采用常規的工藝方法即可制備出本發明的高壓電子陶瓷材料。權利要求一種高穩定電子陶瓷材料，其特征在于配方組分以重量分表示的方案為二氧化鈦(TiO2)80～90分、錫酸鈣(CaSnO3)2～8分、氧化鉍(Bi2O3)2～10分、鈦酸鎂(Mg2TiO4)2～10分、氧化鎢(WO3)0.2～0.8分、氧化鈥(Ho2O3)0.1～0.5分。2.根據權利要求1所述的一種高穩定電子陶瓷材料，其特征在于配方組分的優選方案為二氧化鈦(TiO2)8487分、錫酸鈣(CaSnO3)46分、氧化鉍(Bi2O3)57分、鈦酸鎂(Mg2TiO4)57分、氧化鎢(WO3)0.40.6分、氧化鈥(Ho2O3)0.20.3分。3.根據權利要求1所述的一種高穩定電子陶瓷材料，其特征在于配方組分的最佳方案為二氧化鈦(TiO2)86分、錫酸鈣(CaSnO3)5分、氧化鉍(Bi2O3)6分、鈦酸鎂(Mg2TiO4)6分、氧化鎢(WO3)O.5分、氧化鈥(Ho2O3)O.25分。全文摘要本發明公開了一種高穩定電子陶瓷材料，該高穩定電子陶瓷材料是針對現有同類產品存在溫度穩定性差、適應性差的缺點，提供一種以二氧化鈦(TiO2)為基料，通過添加部分稀土氧化物，優選組分，制成溫度穩定性好的、適合于特殊場所使用的電子陶瓷材料。文檔編號C04B35/46GK101811863SQ20101013416公開日2010年8月25日申請日期2010年3月22日優先權日2010年3月22日發明者戴文金,趙華,陳亮申請人:趙華