覆銅板用表面處理銅箔及使用了它的覆銅板的制作方法
【專利摘要】本發明提供能與樹脂良好地粘接、且用蝕刻去除了銅箔后的樹脂的透明性優異的覆銅板用表面處理銅箔。覆銅板用表面處理銅箔是通過粗化處理在銅箔表面形成有粗化顆粒的表面處理銅箔，以粒徑小于0.10μm的粗化顆粒為0～42個/μm2、粒徑0.10μm以上且小于0.30μm的粗化顆粒為0～25個/μm2、粒徑0.30μm以上且小于1.0μm的粗化顆粒為0～10個/μm2以及粒徑1.0μm以上的粗化顆粒為0～0.1個/μm2的方式，在粗化處理表面形成有粗化顆粒。
【專利說明】覆銅板用表面處理銅箔及使用了它的覆銅板
【技術領域】
[0001] 本發明涉及覆銅板（銅張積層板）用表面處理銅箔及使用了它的覆銅板，特別涉 及適用于對把銅箔蝕刻后得到的剩余部分的樹脂要求透明性領域的覆銅板用表面處理銅 箔及使用了它的覆銅板。
【背景技術】
[0002] 因為柔性印刷線路板容易布線且重量輕，所以在智能手機和平板PC這樣的小型 電子設備中采用柔性印刷線路板（以下稱為FPC)。近年來，由于這些電子設備的性能提高， 所以正在進行信號傳遞速度的高速化，在FPC中阻抗匹配成為重要的因素。作為針對信號 容量增加的阻抗匹配的策略，正在增大成為FPC基底的樹脂絕緣層（例如聚酰亞胺）的層 厚。另一方面，要對FPC進行與液晶基材的接合和搭載1C芯片等加工，此時的定位通過定 位圖像進行，透過把覆銅板的銅箔蝕刻后殘留的樹脂絕緣層對所述定位圖像進行辨認，因 此樹脂絕緣層的可見性（視認性）變得重要。
[0003] 此外，可以使用對表面實施了粗化鍍的軋制銅箔來制造覆銅板。所述軋制銅箔通 常把紫銅（氧含量100?500重量ppm)或無氧銅（氧含量10重量ppm以下）作為原材料 使用，對它們的鑄錠進行熱軋后，直到成為規定的厚度為止反復進行冷軋和退火，由此進行 制造。專利文獻1提出了把表面光澤度高的低粗糙度電解箔作為導體層使用的方案。
[0004] 另一方面，在專利文獻2中提出了一種軋制銅箔的方案，所述軋制銅箔作為彎曲 性優異的銅箔，是通過油膜控制等條件下的冷軋工序形成的，表面上的油坑（才〇 C 7 卜）深度為2. 0 μ m以下。
[0005] 現有技術文獻
[0006] 專利文獻
[0007] 專利文獻1 :日本專利公開公報特開2004 - 98659號
[0008] 專利文獻2 :日本專利公開公報特開2001 - 58203號
【發明內容】
[0009] 本發明要解決的技術問題
[0010] 在專利文獻1中，黑化處理或施鍍處理后通過有機處理劑進行了粘接性改進處理 得到的低粗糙度銅箔在對覆銅板要求彎曲性能的用途中，有時因疲勞而斷線，有時樹脂透 視性差。此外，即使使用具有專利文獻2所記載的程度的油坑狀態的軋制銅箔，也不能得到 樹脂的足夠的透明性。這樣，在以往的技術中，通過蝕刻去除軋制銅箔后的樹脂的透視性 低，不能順利進行芯片的定位。
[0011] 本發明提供一種能與樹脂良好地粘接、且通過蝕刻把銅箔去除后的樹脂的透明性 優異的覆銅板用銅箔。
[0012] 解決技術問題的技術方案
[0013] 本發明人反復進行了專心地研究，其結果發現，銅箔的與樹脂基板粘接一側的粗 化顆粒的每種粒徑的個數密度，對通過蝕刻把銅箔去除后的樹脂的透明性有影響。
[0014] 將以上的認識作為基礎完成了的本發明的一個方面提供一種覆銅板用表面處理 銅箔，其通過粗化處理，在銅箔表面形成有粗化顆粒，以粒徑小于〇. 10 μ m的粗化顆粒為 0?42個/μ m2、粒徑0. 10 μ m以上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為0?25個/μ m2、粒徑 0· 30 μ m以上且小于1· 0 μ m的粗化顆粒為0?10個/ μ m2以及粒徑1· 0 μ m以上的粗化顆 粒為0?0. 1個/ μ m2的方式，在粗化處理表面形成有粗化顆粒。
[0015] 在本發明的覆銅板用表面處理銅箔的一個實施方式中，以粒徑小于0. 10 μ m的粗 化顆粒為10?42個/ μ m2、粒徑0. 10 μ m以上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為0?10個/ μ m2、粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗化顆粒為0?5個/ μ m2以及沒有粒徑1. 0 μ m 以上的粗化顆粒的方式，在所述粗化處理表面形成有粗化顆粒。
[0016] 在本發明的覆銅板用表面處理銅箔另外的實施方式中，以粒徑小于0. 10 μ m的粗 化顆粒為15?42個/μ m2、粒徑0. 10 μ m以上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為0?2個/ μ m2、粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗化顆粒為0?2個/ μ m2以及沒有粒徑1. 0 μ m 以上的粗化顆粒的方式，在所述粗化處理表面形成有粗化顆粒。
[0017] 在本發明的覆銅板用表面處理銅箔其他的實施方式中，以粒徑小于0. 10 μ m的粗 化顆粒為〇?42個/ μ m2、粒徑0. 10 μ m以上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為10?25個/ μ m2、粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗化顆粒為0?2個/ μ m2以及沒有粒徑1. 0 μ m 以上的粗化顆粒的方式，在所述粗化處理表面形成有粗化顆粒。
[0018] 在本發明的覆銅板用表面處理銅箔的其他實施方式中，以粒徑小于0. 10 μ m的粗 化顆粒為〇?30個/μ m2、粒徑0. 10 μ m以上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為0?25個/ μ m2、粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗化顆粒為3?7個/ μ m2以及沒有粒徑1. 0 μ m 以上的粗化顆粒的方式，在所述粗化處理表面形成有粗化顆粒。
[0019] 在本發明的覆銅板用表面處理銅箔的其他實施方式中，以粒徑小于0. 10 μ m的粗 化顆粒為15?42個/μ m2、粒徑0. 10 μ m以上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為0?3個/ μ m2、沒有粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗化顆粒以及沒有粒徑1. 0 μ m以上的粗化 顆粒的方式，在所述粗化處理表面形成有粗化顆粒。
[0020] 在本發明的覆銅板用表面處理銅箔的其他實施方式中，所述粗化顆粒的表面積A 與從所述銅箔表面側俯視所述粗化顆粒時得到的面積B之比A/B為2. 00?2. 45。
[0021] 在本發明的覆銅板用表面處理銅箔的其他實施方式中，所述A/B為2. 00?2. 30。
[0022] 在本發明的覆銅板用表面處理銅箔的其他實施方式中，所述A/B為2. 00?2. 15。
[0023] 把所述銅箔從粗化處理表面側貼合在厚度為50 μ m的樹脂基板的兩面上后，在用 蝕刻去除了所述銅箔時，所述樹脂基板的光透過率為30%以上。
[0024] 本發明的另外的方面提供一種覆銅板，其是通過把所述的表面處理銅箔和樹脂基 板層疊而構成的。
[0025] 發明效果
[0026] 按照本發明，可以提供一種能與樹脂良好地粘接、且通過蝕刻把銅箔去除后的樹 脂的透明性優異的覆銅板用表面處理銅箔。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0027] 圖1是實施例的可見性評價時的印刷品觀察照片，圖1的（a)是比較例1，圖1的 (b)是實施例1，圖1的（c)是實施例2,圖1的（d)是實施例3,圖1的（e)是實施例4。
[0028] 圖2是實施例的粗化顆粒的個數密度評價時的SBU見察照片，圖2的（a)是比較 例1，圖2的（b)是實施例1，圖2的（c)是實施例2,圖2的⑷是實施例10,圖2的（e) 是實施例4。
【具體實施方式】
[0029] [表面處理銅箔的形態和制造方法]
[0030] 在本發明中使用的銅箔可以是電解銅箔或軋制銅箔。通常，以提高層疊后的銅箔 的剝離強度為目的，針對銅箔的與樹脂基材粘接的面亦即粗化面實施粗化處理，所述粗化 處理對脫脂后的銅箔表面進行疙瘩狀的電沉積。電解銅箔在制造時有凹凸，通過粗化處理 使電解銅箔的凸部增大，進一步增大凹凸。在本發明中，可以通過銅一鈷一鎳合金鍍進行所 述粗化處理。作為粗化前的前處理，進行通常的鍍銅等，作為粗化后的最終處理，為了防止 電沉積物的脫落，也進行通常的鍍銅等。在軋制銅箔和電解銅箔中也使處理的內容有些不 同。在本發明中，也包括所述的前處理和最終處理，根據需要包括與銅箔粗化相關的公知的 處理，將它們統稱為粗化處理。
[0031] 作為本發明的粗化處理的銅一鈷一鎳合金鍍，可以通過電鍍實施，使得形成附著 量為15?40mg/dm 2的銅一100?3000 μ g/dm2的鈷一100?900 μ g/dm2的鎳的三元合金 層。在Co的附著量小于100 μ g/dm2的情況下，有時耐熱性惡化、蝕刻性惡化。如果Co的附 著量超過3000 μ g/dm2,則在必須考慮磁性影響的情況下是所不希望的，有時產生蝕刻斑， 此外，有時使耐酸性和耐藥品性惡化。如果Ni的附著量小于100 μ g/dm2,則有時耐熱性惡 化。另一方面，如果Ni的附著量超過gOOyg/dm2,則蝕刻殘余變多。優選的是，Co的附著 量為1000?2000 μ g/dm2、鎳的附著量為200?400 μ g/dm2。在此，所謂蝕刻斑是指在用氯 化銅蝕刻的情況下，Co未溶解而殘留下來，所謂蝕刻殘余是指在用氯化銨進行了堿性蝕刻 的情況下，Ni未溶解而殘留下來。
[0032] 用于形成所述的三元銅一鈷一鎳合金鍍的通常的浴液和施鍍條件的一個例子如 下：
[0033] 鍍液組成：CulO ?20g/L，Col ?10g/L，Nil ?10g/L
[0034] pH : 1 ?4
[0035] 溫度：40 ?50°C
[0036] 電流密度 Dk :20 ?30A/dm2
[0037] 施鍍時間：1?5秒
[0038] 粗化處理后，可以在粗化面上形成附著量為200?3000μ g/dm2的鈷一 100? 700 μ g/dm2的鎳的鈷一鎳合金鍍層。該處理在廣義上可以視為一種防銹處理。所述鈷一鎳 合金鍍層需要在實際上不使銅箔和基板的粘接強度降低的程度下進行。在鈷的附著量小于 200 μ g/dm2的情況下，有時耐熱剝離強度降低，抗氧化性和耐藥品性惡化。此外另一個原因 是如果鈷量少，則由于處理表面變紅，所以是所不希望的。如果鈷的附著量超過3000yg/ dm2,則在必須考慮磁性影響的情況下是所不希望的，并會產生蝕刻斑，此外，也要考慮耐酸 性和耐藥品性惡化。優選的是，鈷的附著量為500?3000μ g/dm2。另一方面，在鎳的附著 量小于100 μ g/dm2的情況下，耐熱剝離強度降低，抗氧化性和耐藥品性惡化。如果鎳超過 700 μ g/dm2,則堿性蝕刻性惡化。優選的是，鎳的附著量為200?600 μ g/dm2。
[0039] 此外，鈷一鎳合金鍍條件的一個例子如下：
[0040] 鍍液組成：Col ?20g/L，Nil ?20g/L
[0041] pH :1· 5 ?3· 5
[0042] 溫度：30 ?80 DC
[0043] 電流密度 Dk : 1· 0 ?2〇· OA/dm2
[0044] 施鍛時間：0· 5?4秒
[0045] 按照本發明，在鈷一鎳合金鍍上進一步形成附著量為10?80μ g/dm2的鋅鍍層。 在鋅的附著量小于10 μ g/dm2的情況下，有時沒有耐熱劣化率改善効果。另一方面，如果鋅 的附著量超過80 μ g/dm2,則有時耐鹽酸劣化率極端惡化。鋅附著量優選的是20?60 μ g/ dm2,更優選的是30?50 μ g/dm2。
[0046] 所述鍍鋅條件的一個例子如下：
[0047] 鍍液組成：ZnlOO ?300g/L
[0048] pH :3 ?4
[0049] 溫度：50 ?60 ?
[0050] 電流密度 Dk :0· 1 ?0· 5A/dm2
[0051] 施鍍時間：1?3秒
[0052] 此外，替代鋅鍍層，也可以形成鋅一鎳合金鍍等鋅合金鍍層，此外也可以通過對最 表面進行鉻酸鹽處理或涂布硅烷偶聯劑等，由此形成防銹層。
[0053] 此外，本發明的表面處理銅箔作為粗化處理，也可以在銅箔的表面上，在事前形成 銅的一次顆粒層后，在一次顆粒層之上形成由三元合金構成的二次顆粒層，所述三元合金 由銅、鈷和鎳構成。在這種情況下，銅的一次顆粒的施鍍條件的一個例子如下：
[0054] 鍍液組成：CulO ?25g/L，硫酸 50 ?100g/L
[0055] 溫度：25 ?50 °C
[0056] 電流密度 Dk : 10 ?70A/dm2
[0057] 施鍍時間：5?25秒
[0058] 庫侖量：50 ?500As/dm2
[0059] 二次顆粒的施鍍條件的一個例子如下：
[0060] 鍍液組成：CulO ?20g/L，鎳 5 ?15g/L，鈷 5 ?15g/L
[0061] pH:2 ?3
[0062] 溫度：30 ?50°C
[0063] 電流密度 Dk :20 ?60A/dm2
[0064] 施鍛時間：1?5秒
[0065] 庫侖量：30 ?70As/dm2
[0066] [粗化顆粒的個數密度]
[0067] 把銅箔和樹脂基板層疊后，銅箔表面的粗化顆粒埋入到樹脂中。接著，通過蝕刻 把銅箔層去除時，銅箔表面粗化顆粒的形態作為復制品殘留在樹脂上。所述樹脂復制品越 小，即銅箔表面的粗化顆粒越微小，光透過時的散射也越小，因此可見性優異。根據這樣的 觀點，本發明的表面處理銅箔是通過對銅箔表面進行粗化處理形成有粗化顆粒的表面處理 銅箔，并且以粒徑小于0. 10 μ m的粗化顆粒為0?42個/ μ m2、粒徑0. 10 μ m以上且小于 0. 30 μ m的粗化顆粒為0?25個/ μ m2、粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗化顆粒為0? 10個/ μ m2以及粒徑1. 0 μ m以上的粗化顆粒為0?0. 1個/ μ m2的方式在粗化處理表面 形成有粗化顆粒。本發明的表面處理銅箔通過具有所述結構，能使剝離強度變高，能與樹脂 良好地粘接，并且通過蝕刻去除銅箔后的樹脂的透光性良好。其結果，通過透過該樹脂辨認 的定位圖案進行的1C芯片搭載時的定位等變得容易。
[0068] 關于所述的粗化顆粒的個數密度，優選的是，粒徑小于0. 10ym的粗化顆粒為 10?42個/ μ m2、粒徑0. 10 μ m以上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為0?10個/ μ m2、粒徑 0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗化顆粒為0?5個/ μ m2以及沒有粒徑1. 0 μ m以上的粗 化顆粒。此外更優選的是，粒徑小于〇. 10 μ m的粗化顆粒為15?42個/ μ m2、粒徑0. 10 μ m 以上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為0?2個/ μ m2、粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗 化顆粒為0?2個/ μ m2以及沒有粒徑1. 0 μ m以上的粗化顆粒。
[0069] 此外，也可以以粒徑小于0. ΙΟμπι的粗化顆粒為0?42個/μπι2、粒徑0. ΙΟμπι以 上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為10?25個/ μ m2、粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗 化顆粒為0?2個/ μ m2以及沒有粒徑1. 0 μ m以上的粗化顆粒的方式在粗化處理表面形成 粗化顆粒。此外，也可以以粒徑小于〇. 10 μ m的粗化顆粒為0?30個/ μ m2、粒徑0. 10 μ m 以上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為0?25個/ μ m2、粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗 化顆粒為3?7個/ μ m2以及沒有粒徑1. 0 μ m以上的粗化顆粒的方式在粗化處理表面形成 粗化顆粒。此外，也可以以粒徑小于〇. 10 μ m的粗化顆粒為15?42個/ μ m2、粒徑0. 10 μ m 以上且小于0. 30μπ?的粗化顆粒為0?3個/μ--2、沒有粒徑0. 30μπ?以上且小于1. Ομ-- 的粗化顆粒以及沒有粒徑1. 〇 μ m以上的粗化顆粒的方式在粗化處理表面形成粗化顆粒。
[0070] [光透過率]
[0071] 本發明的表面處理銅箔由于如所述那樣控制了粗化處理表面的平均粗糙度Rz，所 以在貼合在樹脂基板上后，去除了銅箔部分的樹脂基板的光透過率良好。具體地說，本發明 的表面處理銅箔被從粗化處理表面側貼合在厚度為50 μ m的樹脂基板的兩面上后，當通過 蝕刻去除了該銅箔時，樹脂基板的光透過率為30%以上，優選的是50%以上。
[0072][顆粒的表面積]
[0073] 粗化顆粒的表面積A與從銅箔表面側俯視粗化顆粒時得到的面積B之比A/B，對所 述的樹脂的光透過率有很大影響。即，所述的比A/B越小的銅箔，所述的樹脂的光透過率越 好。因此，本發明的表面處理銅箔的該比A/B優選的是2. 00?2. 45,更優選的是2. 00? 2. 30,進一步優選的是2. 00?2. 15。
[0074] 通過控制顆粒形成時的電流密度和施鍍時間，可以決定顆粒的形態和形成密度， 并控制所述各粒徑的顆粒的個數密度和顆粒的面積比A/B。
[0075] 通過把本發明的表面處理銅箔從粗化處理面側貼合在樹脂基板上，可以制造覆銅 層壓體。樹脂基板只要是具有能適用于印刷線路板等的特性的樹脂基板，就沒有特別的限 定，例如對于剛性PWB用的樹脂基板可以使用紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布 基材環氧樹脂、玻璃布和紙復合基材環氧樹脂、玻璃布和玻璃無紡布復合基材環氧樹脂、以 及玻璃布基材環氧樹脂等，對于FPC用的樹脂基板可以使用聚酯膜、聚酰亞胺膜等。
[0076] 在剛性PWB用的情況下，貼合的方法如下進行：準備將樹脂含浸在玻璃布等基材 中并使樹脂固化到半固化狀態的半固化片，把銅箔從覆蓋層相反側的面重疊在半固化片 上，進行加熱和加壓。
[0077] 本發明的覆銅層壓體可以用于各種印刷線路板（PWB)，沒有特別的限制，例如從導 體圖案層數的觀點出發，可以適用于單面PWB、兩面PWB、多層PWB(3層以上），從絕緣基板材 料種類的觀點出發，可以適用于剛性PWB、柔性PWB(FPC)、軟硬復合PWB。
[0078] 實施例
[0079] 作為實施例1?13和比較例1?5,準備銅箔，作為粗化處理，在一個表面上以表 1?4所記載的條件進行了施鍍處理。在此，實施例1?8、比較例2、3、5的銅箔使用了 JX 日礦日石金屬株式會社制造的紫銅（JISH3100C1100R)的軋制銅箔。此外，作為實施例9? 13以及比較例1、4的銅箔，使用了 JX日礦日石金屬株式會社制造的電解銅箔HLPLC。
[0080]
【權利要求】
1. 一種覆銅板用表面處理銅箔，其通過粗化處理，在銅箔表面形成有粗化顆粒，所述覆 銅板用表面處理銅箔的特征在于， 以粒徑小于0. 10 μ m的粗化顆粒為0?42個/ μ m2、粒徑0. 10 μ m以上且小于0. 30 μ m 的粗化顆粒為〇?25個/ μ m2、粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗化顆粒為0?10個 / μ m2以及粒徑1. 0 μ m以上的粗化顆粒為0?0. 1個/ μ m2的方式，在粗化處理表面形成 有粗化顆粒。
2. 根據權利要求1所述的覆銅板用表面處理銅箔，其特征在于，以粒徑小于0. 10 μ m的 粗化顆粒為10?42個/ μ m2、粒徑0. 10 μ m以上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為0?10個/ μ m2、粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗化顆粒為0?5個/ μ m2以及沒有粒徑1. 0 μ m 以上的粗化顆粒的方式，在所述粗化處理表面形成有粗化顆粒。
3. 根據權利要求2所述的覆銅板用表面處理銅箔，其特征在于，以粒徑小于0. 10 μ m的 粗化顆粒為15?42個/ μ m2、粒徑0. 10 μ m以上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為0?2個/ μ m2、粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗化顆粒為0?2個/ μ m2以及沒有粒徑1. 0 μ m 以上的粗化顆粒的方式，在所述粗化處理表面形成有粗化顆粒。
4. 根據權利要求1所述的覆銅板用表面處理銅箔，其特征在于，以粒徑小于0. 10 μ m的 粗化顆粒為〇?42個/ μ m2、粒徑0. 10 μ m以上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為10?25個/ μ m2、粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗化顆粒為0?2個/ μ m2以及沒有粒徑1. 0 μ m 以上的粗化顆粒的方式，在所述粗化處理表面形成有粗化顆粒。
5. 根據權利要求1所述的覆銅板用表面處理銅箔，其特征在于，以粒徑小于0. 10 μ m的 粗化顆粒為〇?30個/ μ m2、粒徑0. 10 μ m以上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為0?25個/ μ m2、粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗化顆粒為3?7個/ μ m2以及沒有粒徑1. 0 μ m 以上的粗化顆粒的方式，在所述粗化處理表面形成有粗化顆粒。
6. 根據權利要求1所述的覆銅板用表面處理銅箔，其特征在于，以粒徑小于0. 10 μ m的 粗化顆粒為15?42個/ μ m2、粒徑0. 10 μ m以上且小于0. 30 μ m的粗化顆粒為0?3個/ μ m2、沒有粒徑0. 30 μ m以上且小于1. 0 μ m的粗化顆粒以及沒有粒徑1. 0 μ m以上的粗化 顆粒的方式，在所述粗化處理表面形成有粗化顆粒。
7. 根據權利要求1?3中任一項所述的覆銅板用表面處理銅箔，其特征在于，所述粗化 顆粒的表面積A與從所述銅箔表面側俯視所述粗化顆粒時得到的面積B之比A/B為2. 00? 2. 45。
8. 根據權利要求4所述的覆銅板用表面處理銅箔，其特征在于，所述A/B為2. 00? 2. 30。
9. 根據權利要求5所述的覆銅板用表面處理銅箔，其特征在于，所述A/B為2. 00? 2. 15。
10. 根據權利要求1?6中任一項所述的覆銅板用表面處理銅箔，其特征在于，把所述 銅箔從粗化處理表面側貼合在厚度為50 μ m的樹脂基板的兩面上后，在用蝕刻去除了所述 銅箔時，所述樹脂基板的光透過率為30%以上。
11. 一種覆銅板，其特征在于，所述覆銅板是通過把權利要求1?7中任一項所述的表 面處理銅箔和樹脂基板層疊而構成的。
【文檔編號】B32B15/08GK104053825SQ201280067564
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2012年3月5日 優先權日:2012年1月18日
【發明者】新井英太, 三木敦史 申請人:Jx日礦日石金屬株式會社