一種顯示基板及顯示裝置的制作方法

本實用新型涉及顯示領域，特別涉及一種顯示基板及顯示裝置。

背景技術：

顯示器的顯示基板中設置有薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)，通過TFT實現顯示控制。為保證顯示器的良品率以及便于工藝的管控和后續分析，在顯示基板制作完成后，需要對TFT的質量進行檢測。

目前的檢測方案是在將每個TFT的電極上分別引出用于檢測的連接端點。操作人員通過檢測設備上的測試探針與待檢測TFT的連接端點接觸，從而對待檢測TFT發送或接收檢測信號。通過對TFT檢測，可以推斷顯示區域中的TFT質量。

然而，由于現有的顯示基板中，每個TFT的電極都分別對應一個連接端點，在檢測一整個TFT陣列時，技術人員需要不斷控制測試探針移動，因此目前的檢測方法效率較低，且工作量大，操作人員很容易將探針扎偏或者重復測試。

技術實現要素：

本實用新型的目的是減少顯示基板上需要測試探針連接的端點數量，從而方便操作人員進行測試。

為實現上述實用新型目的，一方面，本實用新型提供一種顯示基板，包括：

多個信號線，所述信號線自顯示基板的顯示區域延伸至非顯示區域；

多個連接導線，所述連接導線位于顯示基板的非顯示區域，每個連接導線與至少一個信號線連接，且不同連接導線所連接的信號線各不相同；

用于與測試探針相接觸、加載測試信號的連接端點，所述連接端點與所述連接導線一一對應連接，所述測試探針在接觸所述連接端點時，能夠對該連接端點對應的連接導線所連接的信號線加載測試信號。

進一步地，所述顯示基板還包括：

多個薄膜晶體管；

每一信號線連接至少一個薄膜晶體管的第一電極。

進一步地，所述信號線為數據線，所述薄膜晶體管的第一電極為源電極；或者所述信號線為柵線，所述第一電極為柵電極

進一步地，若所述信號線為數據線，則所述連接導線與顯示基板的柵線和薄膜晶體管的柵電極為同層同材料設置；若所述信號線為柵線，則所述連接導線與薄膜晶體管的源電極為同層同材料設置。

進一步地，所述的顯示基板還包括：

用于定位出切割區域的多個切割定位標志，所述切割定位標志設置在所述連接導線外側，使得每一所述連接導線與所述信號線的連接點均位于所述切割區域內。

進一步地，每一切割定位標志與距離最近的連接導線相距有既定距離，所述既定距離為切割所述連接導線的設備的機械誤差。

進一步地，每一切割定位標志包括：

多個間距相同的子標記構成，每一子標記成線狀，且與其相鄰的一條切割區域的邊界平行。

進一步地，切割定位標志的子標記間距為15um至20um。

進一步地，所述切割定位標記與所述連接導線為同層同材料設置。

另一方面，本實用新型還提供一種顯示裝置，包括上述顯示基板。

本實用新型的上述技術方案的有益效果如下：

本實用新型使用連接導線串聯多個信號線，并針對每個連接導線設置供測試探針接觸的連接端點，使得一個測試探針可以通過對應的一個信號線給多個信號線加載測試信號。相比于現有技術，本實施例的結構設計可以使連接端點數量得到大幅縮減，從而在測試過程中，提高測試探針的插針效率。

附圖說明

圖1為本實用新型的顯示基板的結構示意圖；

圖2為本實用新型的顯示基板在實際應用中的結構示意圖；

圖3為本實用新型的具有切割定位標志的顯示基板的結構示意圖。

具體實施方式

為使本實用新型要解決的技術問題、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。

針對現有技術存在的問題，本實用新型提供一種顯示基板，如圖1所示，包括：

多個信號線1，每一信號線1自顯示基板的顯示區域A延伸至非顯示區域B；

多個連接導線2，每一連接導線2位于顯示基板的非顯示區域B，每個連接導線2與至少一個信號線1連接，且不同連接導線2所連接的信號線1各不相同；

用于與測試探針相接觸、加載測試信號的連接端點3，其中連接端點3與連接導線2一一對應連接，測試探針在接觸連接端點3時，能夠對該連接端點3對應的連接導線2所連接的信號線1加載測試信號。

在實際應用中，連接端點3即信號線的管腳Pad，應具有一定的面積，方便測試探針對準接觸。

在本實施例的顯示基板中，使用連接導線串聯多個信號線，并針對每個連接導線設置供測試探針接觸的連接端點，使得一個測試探針可以通過對應的一個信號線給多個信號線加載測試信號。相比于現有技術，本實施例的結構設計可以使連接端點數量得到大幅縮減，從而在測試過程中，提高測試探針的插針效率。

下面結合一個實際應用對本實用新型的顯示基板進行詳細介紹。

如圖2所示，本實用新型的顯示基板的顯示區域(圖2虛線矩形區域)上設置有陣列排布的薄膜晶體管(圖2虛線橢圓形)。作為示例性介紹，每列薄膜晶體管的源極S由一個縱向數據線引出，圖2中示例性畫出了6個數據線，即x1-x6。

在顯示基板的非顯示區域，還設置有連接導線y1-y3，其中y1用于串聯數據線x1和x4，y2用于串聯數據線x2和x5，y3用于串聯數據線x3和x6。且y1、y2、y3分別連接至各自對應的連接端點z1、z2、z3。

在對薄膜晶體管進行檢測的過程中，本實施例只需要3個測試探針分別接觸連接端點z1、z2、z3，即可通過6個數據線x1-x6，對圖2中的所有薄膜集體管的源極S加載測試信號。

顯然，通過圖2所示結構可以看出，本實際應用通過3個連接端點即可對6個數據線發送測試信號，想比較現有技術中一個信號線就對應一個連接端點，本實施例的顯示基板上需要設置連接端點的數量得到較大幅度的縮小。

此外，為不添加顯示基板的制造成本，本實際應用的連接導線y1-y3可以與薄膜晶體管的柵電極G同層同材料形成，從而可以與柵電極G使用同一個構圖工藝。在實際結構中，圖2中的連接導線y1-y3與數據線x1-x6還相隔有絕緣層，并通過絕緣層上過孔分別與對應的數據線x1-x6連接。

以上是對本實施例顯示基板的示例性介紹。當然，需要給予說明的是，作為其他可行方案，本實用新型也可以將薄膜晶體管的柵電極作為信號線，即柵線引出顯示區域，每個連接導線與數據線同層同材料形成，通過其與柵電極之間的絕緣層過孔串聯多個柵電極。由于原理相同，本實用新型不再進行詳細贅述。

可以看出，通過本實用新型的技術方案，可以大幅縮減連接端點的數量，從而能夠簡化測試過程中對測試探針的操作，進而提高測試效率。

當然，由于本實用新型的連接導線僅用于對薄膜晶管進行測試時才存在意義，并非是顯示基板的產品圖形，因此在測試完成后還需要對連接導線進行切割，使連接導線在切割過程中被刻蝕掉，從而不再與信號線連接。

為此，本實施例的顯示基板還進一步設置有用于定位出切割區域的多個切割定位標志，該切割定位標志設置在連接導線外側，使得每一連接導線與信號線的連接點均位于切割區域內。

在后續切割過程中，可以基于切割定位標志對僅切割區域內的連接導線進行切割，使連接導線與信號線斷開。

下面結合一個實際應用對本實用新型的切割定位標志進行詳細介紹。

如圖3所示，本實用新型的顯示基板上設置有多個切割定位標志4，該多個切割定位標志4限定出一陰影所示的切割區域。

其中，每一切割定位標志4由多個間距相同的子標記構成，每一子標記成線狀，且與其相鄰的一條切割區域的邊界平行，在切割過程中，子標記能夠與連接導線一切被切割掉。

作為示例性介紹，切割定位標志的子標記間距為15um至20um，在按照切割定位標志限定的切割區域進行切割后(可以利用激光來對切割區域進行切割)，可將定位標志的子標記作為標尺使用，判斷切割質量。例如，可以根據子標記的剩余數量，來判斷切割過程中，是否存在切割偏移、少切或過切等現象。

此外，作為優選方案，在本實用新型中，每一切割定位標志4與距離最近的連接導線相距有既定距離L，該既定距離L為切割連接導線的設備的機械誤差，是設備在切割過程中不可避免的，基于該既定距離L的設置，在后續判斷切割質量時，本實施例切割定位標志4中的子標記能夠提供更為準確的判斷標準。

此外，本實用新型還提供一種顯示裝置，包括有上述顯示基板，基于該顯示基板的結構設計，本實用新型的顯示裝置縮短了檢測薄膜晶體管的時間，因此具有更高的生產效率。

以上所述是本實用新型的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。