本實用新型涉及OLED顯示技術領域,具體涉及一種OLED像素驅動電路。
背景技術:
相對于液晶顯示裝置,有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示裝置具有可自發光、對比度高、反應速度快、可視角廣等優點。在現有工藝條件下,要使有機發光二極管(OLED)的發光亮度限定在某一規定范圍內,則資料信號電壓Vdata也隨即被相應的限定在了某一規定范圍內。但是,現有技術中如CN101231821A專利中公開的7T1C像素電路,其資料信號電壓Vdata的電壓范圍較小,造成對電路中IC信號電壓精度要求非常高,不利于后期Gamma調節,如:將所述OLED的亮度等分成256灰階時,每個灰階對應的Vdata差值大概估計為△Vdata=(Max(Vdata)-Min(Vdata))/256,由于△Vdata越小,則對IC信號電壓精度要求越高。為了達到增大△Vdata的目的,現有技術中采取的方法是增大驅動晶體管(DTFT)的溝道長度,這種方法占用了較大的像素電路版圖空間,無法實現高PPI(Pixels Per Inch,表示每英寸所擁有的像素數目),另一方面還增大了驅動DTFT在OLED發光期間額外功耗。
技術實現要素:
針對上述現有技術的不足,本實用新型提供一種OLED像素驅動電路,增大了資料信號電壓的電壓范圍,降低了對電路中IC信號電壓精度的要高。
為解決上述技術問題,本實用新型采用的技術方案為:本實用新型提供一種OLED像素驅動電路,一種OLED像素驅動電路,包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、驅動晶體管、第一存儲電容、第二存儲電容、有機發光二極管、第一電壓源、第二電壓源、初始化電源、第一節點、第二節點、第三節點以及第四節點;并設置有資料信號輸入端、復位信號端、信號掃描端、發光控制信號端;
所述第一晶體管的第一源極/漏極連接所述初始化電源,柵極連接所述復位信號端,第二源極/漏極連接所述第一節點;
所述第二晶體管的第一源極/漏極連接所述初始化電源,柵極連接所述復位信號端,第二源極/漏極連接所述第四節點;
所述第三晶體管的第一源極/漏極連接所述第四節點,柵極連接所述信號掃描端,第二源極/漏極連接所述第二節點;
所述第四晶體管的第一源極/漏極連接所述第三節點,柵極連接所述信號掃描端,第二源極/漏極連接所述資料信號輸入端;
所述第五晶體管的第一源極/漏極連接所述第三節點,柵極連接所述發光控制信號端,第二源極/漏極連接所述第一電壓源;
所述第六晶體管的第一源極/漏極連接所述第一節點,柵極連接所述發光控制信號端,第二源極/漏極連接所述第二節點;
所述驅動晶體管的第一源極/漏極連接所述第二節點,柵極連接所述第四節點,第二源極/漏極連接所述第三節點;
所述第一存儲電容的兩端分別連接第一電壓源和所述第四節點;
所述第二存儲電容的兩端分別連接所述第三節點和所述第四節點;
所述有機發光二極管的正極連接所述第一節點,負極連接第二電壓源。
具體地,所述第二電壓源提供的電壓大于所述初始化電源提供的電壓。
需要說明的是,所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、驅動晶體管的第一源極/漏極和第二源極/漏極的制作工藝相同,名稱上可互換,其可根據電壓的方向在名稱上改變。
本實用新型的有益效果在于:本實用新型提供的一種OLED像素驅動電路,通過調節第一存儲電容和第二存儲電容的大小增大資料信號的電壓范圍,一方面,降低了對IC信號電壓的精度要求,對后期Gamma調節提供方便;另一方面,由于無需增大驅動晶體管的溝道長度,實現了降低驅動晶體管功耗的同時減小了像素版圖空間,有利于制作更高PPI(Pixels Per Inch,表示每英寸所擁有的像素數目)的像素面板。
附圖說明
圖1是本實用新型實施例提供的一種OLED像素驅動電路的結構示意圖;
圖2是圖1中一種OLED像素驅動電路的驅動時序示意圖。
具體實施方式
下面將結合附圖,對本實用新型的技術方案進行清楚的描述,所描述的實施例僅僅是本實用新型的一部分實施例,而不是全部的實施例。
本實用新型實施例提供一種OLED像素驅動電路,如圖1所示,一種OLED像素驅動電路,包括第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、第六晶體管T6、驅動晶體管DTFT、第一存儲電容C1、第二存儲電容C2、有機發光二極管D1、第一電壓源VDD、第二電壓源VSS、初始化電源Vinit、第一節點a、第二節點d、第三節點s以及第四節點g;并設置有資料信號輸入端Vdata、復位信號端RESET、信號掃描端SCAN、發光控制信號端EM;
所述第一晶體管的第一源極/漏極連接所述初始化電源Vinit,柵極連接所述復位信號端RESET,第二源極/漏極連接所述第一節點a;
所述第二晶體管的第一源極/漏極連接所述初始化電源Vinit,柵極連接所述復位信號端RESET,第二源極/漏極連接所述第四節點g;
所述第三晶體管的第一源極/漏極連接所述第四節點g,柵極連接所述信號掃描端SCAN,第二源極/漏極連接所述第二節點d;
所述第四晶體管的第一源極/漏極連接所述第三節點s,柵極連接所述信號掃描端SCAN,第二源極/漏極連接所述資料信號輸入端Vdata;
所述第五晶體管的第一源極/漏極連接所述第三節點s,柵極連接所述發光控制信號端EM,第二源極/漏極連接所述第一電壓源VDD;
所述第六晶體管的第一源極/漏極連接所述第一節點a,柵極連接所述發光控制信號端EM,第二源極/漏極連接所述第二節點d;
所述驅動晶體管的第一源極/漏極連接所述第二節點d,柵極連接所述第四節點g,第二源極/漏極連接所述第三節點s;
所述第一存儲電容的兩端分別連接第一電壓源VDD和所述第四節點g;所述第二存儲電容的兩端分別連接所述第三節點s和所述第四節點g;
所述有機發光二極管的正極連接所述第一節點a,負極連接第二電壓源VSS。
具體地,所述第二電壓源提供的電壓大于所述初始化電源提供的電壓。
如圖2所示,為本實用新型實施例提供的一種OLED像素驅動電路的驅動時序示意圖,包括復位信號端RESET、信號掃描端SCAN、發光控制信號端EM的輸入信號波形圖。
本實施例的OLED像素驅動電路的工作原理說明如下:
初始化階段X1:復位信號端RESET為低電平,信號掃描端SCAN為高電平,發光控制信號端EM為高電平,第一晶體管T1和第二晶體管T2導通,有機發光二極管反向偏置,消除積累電荷,同時,第四節點g電位放電至Vinit;
數據寫入階段X2:復位信號端RESET為高電平,信號掃描端SCAN為低電平,發光控制信號端EM為高電平,第三晶體管T3和第四晶體管T4導通,此時第三節點s電位Vs=Vdata,驅動晶體管DTFT柵極和第一源極/漏極短接,形成二極管結構,第四節點g電位Vg=Vdata-Vth,其中Vth為驅動晶體管DTFT的閾值電壓;
發光階段X3:復位信號端RESET為高電平,信號掃描端SCAN為高電平,發光控制信號端EM為低電平,第五晶體管T5和第六晶體管T6導通,此時第三節點s電位Vs=VDD,由于第一存儲電容C1、第二存儲電容C2的耦合效應,此時第四節點g電位由此形成由第一電壓源VDD經由第五晶體管T5、驅動晶體管DTFT、第六晶體管T6和有機發光二極管D1到第二電壓源VSS的電流回路,有機發光二極管此時發光,驅動晶體管DTFT工作在飽和區,驅動有機發光二極管D1的電流IOLED滿足:
將上式轉換為以Vdata為因變量的式子:
其中,μ為溝道的電子遷移率,Cox為驅動管單位面積的溝道電容,W為驅動晶體管DTFT溝道寬度,L為驅動晶體管DTFT溝道長度。
在保證μ、Cox工藝水平、W大小一致的情況下,現有技術中像素驅動電路的存儲電容值C為固定值,且C=Cst,只能通過增大驅動晶體管DTFT溝道長度L的大小來增大Vdata范圍;與現有技術相比,本實用新型通過設置第一存儲電容C1和第二存儲電容C2,并使得C1+C2=Cst,C1<Cst,(C1+C2)/C1>1,實現不增大驅動晶體管DTFT溝道長度L,只需通過調節第一存儲電容C1和第二存儲電容C2的大小即可增大Vdata的范圍。
綜上,本實用新型通過設置第一存儲電容C1和第二存儲電容C2并通過調節第一存儲電容C1和第二存儲電容C2的大小,增大了資料信號Vdata的電壓范圍,降低了對IC信號電壓的精度要求,對后期Gamma調節提供方便;并且由于無需增大驅動晶體管的溝道長度,使得驅動晶體管功耗降低的同時減小了像素版圖空間,有利于制作更高的PPI(Pixels Per Inch,表示每英寸所擁有的像素數目)面板。
需要說明的是,本實用新型在現有像素驅動電路的基礎上,將電路中的存儲電容一分為二,實現資料信號Vdata電壓范圍增大,在其他像素驅動電路中,如6T1C的像素驅動電路,將存儲電容一分為二或一分為多實現資料信號Vdata電壓范圍增大的技術方案,也應該在本專利的保護范圍內。
如上述實施例為本實用新型較佳的實施方式,但本實用新型的實施方式并不受上述實施例的限制,其他的任何未背離本實用新型的精神實質與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化,均應為等效的置換方式,都包含在本實用新型的保護范圍之內。